【課題】異常粒成長現象が発生する多結晶体における単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】異常粒成長が起こる多結晶体のマトリックス粒子の平均粒径を調節し、これにより異常粒子の個数密度を減少させ、極めて制限された個数の異常粒子だけを生成するか、または、異常粒子の生成を異常粒成長の駆動力の保障範囲内に抑える。この結果、極めて制限された個数の異常粒子だけ、または種単結晶だけを多結晶体中へと成長させ続け、５０ｍｍより大きい単結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】結晶の成長速度の速い単結晶SiCの成長方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、種結晶となる単結晶SiC基板5上に、C原子を供給するためのC原子供給基板17を重ね、前記単結晶SiC基板5と前記C原子を供給基板17との間に極薄金属Si融液層18を介在させ、1400℃以上2100℃未満の所定の温度で所定の時間加熱処理を行うことによって前記種結晶となる単結晶SiC基板5上に単結晶SiCを液相エピタキシャル成長させる単結晶炭化ケイ素の成長方法に関する。前記C原子供給基板17として、カーボン基板又は非晶質SiC基板を用いる。 （もっと読む）

【課題】結晶成長過程における組成変化を防止し、均一性の高い単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】炉１５内に設置されたるつぼ１１内の原料溶液１８に、種子結晶１７を浸して結晶１９を育成する結晶成長方法において、種子結晶１７を原料溶液１８に接触させると同時に、成長した結晶１９の組成と同一組成の原料棒２１を原料溶液１８に接触させ、原料棒２１と原料溶液１８との熱接触状態を維持し、単位時間あたりの成長結晶１９の成長量に一致する単位時間あたりの供給量で、原料棒２１から溶解した原料を原料溶液１８に供給する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、強度の向上と、熱はけ性の良好な酸化物超電導バルク体の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、ＲＥ_１Ｂａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７−Ｘ（ＲＥはＹを含む希土類元素（Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕの１種または２種以上を示す。）なる組成の酸化物超電導バルク体を製造するに際し、酸化物超電導バルク体を構成する元素の原料粉末を加圧成形して圧密する際、原料混合粉末中に溶融凝固法に伴う加熱温度において溶融しない貴金属の補強体を挿入して圧密し、目的の形状の前駆体を得た後、この前駆体に対し、溶融凝固法を適用して結晶成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大型の単結晶の育成を容易にする単結晶育成装置、単結晶育成方法を提供する。
【解決手段】中空状の単結晶原料２１と種結晶２２との接触部分を加熱して該接触部分に溶融帯３１を形成し、単結晶を育成する単結晶育成装置であって、種結晶２２を保持することができる種結晶保持部１９と、エネルギー伝送路となる中空部を有する単結晶原料を種結晶２２に対して接触可能に保持することができる原料保持部１１，１８と、ハロゲンランプ１７及び楕円鏡１６より構成され、溶融帯へ第１の加熱用エネルギーを照射することにより溶融帯を加熱する第１加熱部と、レーザー光源４１から光ファイバー４２を介し、単結晶原料におけるエネルギー伝送路を通じて溶融帯へ第１の加熱用エネルギーと異なる第２の加熱用エネルギー（レーザー）を照射することにより溶融帯３１を加熱する第２加熱部とを備える。 （もっと読む）

【課題】安定的に調達が可能なシリコン原料を用いて、半導体用のシリコン単結晶の製造に適した原料を効率良く製造できるシリコン単結晶製造用原料の製造方法を提供する。
【解決手段】石英ルツボ１ａ内の融液３からＣＺ法によりシリコン単結晶４を引き上げる。その後、石英ルツボ１ａ内に残存している残存シリコン融液３ａに、シリコン単結晶製造用の原料として使用されないシリコン原料であるルツボ残シリコン塊８を供給して溶融し、この融液９からＣＺ法により原料シリコンインゴット１０を引き上げる。 （もっと読む）

【課題】β−Ga₂O₃結晶中に他の元素を強制的に混入させて特性を向上させたナノ構造体及びその製造方法を提供する
【解決手段】酸化ガリウム粉末とSi、Ge、Snから選ばれた少なくとも１種類の元素の粉末又はその酸化物粉末とからなる焼結体を素材とし、この焼結体を、実質的に酸素を含まない雰囲気下で加熱することにより、酸化ガリウム結晶中に、Si、Ge、Snから選ばれた少なくとも１種類の元素を混入させた酸化ガリウムナノ構造体を得る。 （もっと読む）

【課題】 短波長での光吸収が向上した酸化ガリウムを含む固溶体およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 ２３０ｎｍ以上２５５ｎｍ未満の光吸収端波長を有することを特徴とする酸化アルミニウム−酸化ガリウム固溶体。酸化ガリウム粉末および酸化アルミニウム粉末を原料とした焼結体を用い、酸化ガリウム単結晶を種結晶とした浮遊帯域溶融法により酸化アルミニウム−酸化ガリウム固溶体を得る工程を有する前記固溶体を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法により製造された有転位又は多結晶のシリコン結晶素材であって、ＦＺ法単結晶製造の原料棒として用いられ、クラックや破断が生じることなく、ＦＺ炉内に懸垂保持するための被把持部を有する大口径の有転位又は多結晶のシリコン結晶素材を提供すること。
【解決手段】ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造に用いられるシリコン結晶素材であって、ＣＺ法により製造された有転位又は多結晶シリコンであり種結晶部と、この種結晶部から結晶成長した漸次拡径する肩部と、円柱状の直胴部と、漸次縮径する尾部と、を有する。そして、ＣＺ炉内で結晶成長させて炉内から取り出される前に、所定時間かけて所定温度にまで徐冷される徐冷工程を経て製造され、３００℃下における残留応力が０．６ＭＰａ以下である。 （もっと読む）

【課題】原料や種結晶としてリチウムガレートを用いることなく、水熱合成法によってリチウムガレート単結晶を得るリチウムガレート単結晶の製造方法、及びこの方法によって得られるリチウムガレート単結晶を提供する。
【解決手段】水酸化リチウム及び／又は炭酸リチウムを含んだアルカリ溶媒の存在下で、酸化ガリウム多結晶を原料にして、水熱合成法によりリチウムガレート単結晶を得るリチウムガレート単結晶の製造方法、及びこの方法によって得られたリチウムガレート単結晶である。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法により製造されたシリコン結晶素材であって、ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造の原料棒として用いられ、機械加工を必要とせずにＦＺ法の結晶成長炉内に装填することができる被把持部を有するシリコン結晶素材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によるシリコン結晶の製造方法により製造され、肩部５、直胴部２、及び尾部６と同様に、ＣＺ法によるシリコン結晶製造過程で形成された、ＦＺ法による単結晶製造装置に装着されて単結晶成長を可能とするための被把持部３を有する。また、ＣＺ法によるシリコン結晶製造で用いられた種結晶を被把持部として有する。その製造方法は、ＣＺ法によるシリコン結晶の製造方法で製造する際に、結晶の成長条件を一時的に変更して、直胴部２の外周面に凸部３又は凹部を、又は直胴部２の肩部５にくぼみ部を形成する。 （もっと読む）

【課題】応用上必要な大きさと、優れた圧電特性、電場誘起歪特性、誘電・強誘電特性、及び、光学特性を有し、広範な温度領域で使用できる単結晶体材を出発組成のまま、生産性よく製造し、提供する。
【解決手段】下記組成式（１）を満たし、結晶構造が正方晶で、優れた圧電特性、電場誘起歪特性、及び、誘電特性を有することを特徴とする電子・光学用チタン酸バリウム−カルシウム単結晶体材料。
（Ｂａ_1-xＣａ_x）ＴｉＯ₃（ただし、０．０２５＜ｘ（mole）≦０．３３５）・・（１） （もっと読む）

【課題】ホウ化物単結晶の成長工程において不純物を除去し、結晶性に優れたホウ化物単結晶を製造することができるホウ化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ホウ化物単結晶の製造方法は、浮遊帯域法により化学式ＸＢ_２（ＸはＺｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｈｆ及びＴａから選ばれる少なくとも１種である）で表されるホウ化物単結晶またはホウ化物多結晶から成る棒状体を、水素ガスを含む不活性ガスからなる雰囲気ガス９中で作製し、次に棒状体を原料棒６として用いて浮遊帯域法により化学式ＸＢ_２（ＸはＺｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｈｆ及びＴａから選ばれる少なくとも１種である）で表されるホウ化物単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】ホウ化物単結晶の成長工程において不純物を除去し、結晶性に優れたホウ化物単結晶を製造することができるホウ化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ホウ化物単結晶の製造方法は、浮遊帯域法により化学式ＸＢ_２（ＸはＺｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｈｆ及びＴａから選ばれる少なくとも１種である）で表されるホウ化物単結晶またはホウ化物多結晶から成る棒状体を、酸素濃度が１０ｐｐｂ以下の不活性ガスから成る雰囲気ガス９中で作製し、次に棒状体を原料棒６として用いて浮遊帯域法により化学式ＸＢ_２（ＸはＺｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｈｆ及びＴａから選ばれる少なくとも１種である）で表されるホウ化物単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】二重構造の坩堝を用いた単結晶引上げ法（チョクラルスキー法）によってフッ化金属単結晶体を製造する際に、従来の前処理を行ったフッ化金属単結晶体製造用フッ化金属多結晶体を用いようとすると、通常円板状であったため、外坩堝と内坩堝の間に導入する際に、砕いて充填する必要があったので、砕く手間を無くし、充填率を向上させるためのフッ化金属多結晶体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】底部に円環状仕切板を備えた円筒状坩堝を用いて、円環状フッ化金属（ｃ）を製造し、これを原料として坩堝１４に充填する。 （もっと読む）

【課題】坩堝降下法（ブリッジマン法）や単結晶引上げ法（チョクラルスキー法）等の方法を用いて単結晶を製造する際に用いる原材料前処理品を高品質に製造するための原材料前処理用坩堝を提供する。
【解決手段】底部内壁１ａに対して実質的に垂直な第一側部内壁３ａと、その下端位置の高さが、第一側部内壁３ａの上端位置の高さよりも高い位置にあり、実質的に垂直な第二側部内壁２ａと、第一側部内壁３ａの上端から第二側部内壁２ａの下端へと延びる第一傾斜内壁３ｂとを有し、第一側部内壁３ａの上端位置における水平断面積が、第二側部内壁２ａの下端位置における水平断面積よりも小さい内部に段差を有する原材料前処理用坩堝。 （もっと読む）

単結晶炭化ケイ素ナノワイヤー、及びその製造方法を提供する。本発明による単結晶炭化ケイ素ナノワイヤーは、アスペクト比が非常に大きく、各種表示装置及び分析装置に使われる電子銃用エミッターまたはＭＥＭＳのプローブチップのようなナノ電子デバイスに適用可能である。さらに、前記ナノワイヤーを備えるフィルターを提供する。本発明によるフィルターは、自動車エンジン排ガスフィルターなどに容易に適用し、フィルター能及び寿命を増加させる。
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【課題】固溶体（混晶）単結晶を再現性よく育成することを可能とする固溶体（混晶）単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】固体原料２０７の溶融により生成される溶融帯内の融液が融け残った残余の固体原料２０７の表面を移動することを妨げる特定物質２０８を、この固体原料２０７の表面に付着させた状態において、結晶成長を実行することにより、融液が溶融帯から融け残った残余の固体原料２０７の表面を伝わって残余の固体原料２０７側へ移動することが妨げられる結果、溶融帯の形状の変形、及び、この変形に伴う結晶成長界面の変形を防止することができる。よって、結晶成長界面の変形に起因して生ずる、結晶成長における組成の均一性及び多結晶化を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】不活性ガス雰囲気中で熱フィラメントＣＶＤ法により安全にダイヤモンドを生成する。
【解決手段】チャンバー１２内に電源１６に接続された２本の電極棒１４が配置され、それらの間に熱フィラメントとして炭素系熱フィラメント１０が接続される。不活性ガス雰囲気中でフィラメント１０の表面温度が２０００℃以上、好ましくは２２００℃以上２５００℃以下の温度になるようにフィラメント１０に通電することによって、基板１８上にダイヤモンドを堆積させる。 （もっと読む）

【課題】ルチル複屈折単結晶より複屈折率が大きいＭｇＴｉＯ_３単結晶体、これを使用したプリズム及びＭｇＴｉＯ_３複屈折単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＯ、ＴｉＯ_２を化学量論組成（ＭｇＯ：ＴｉＯ_２＝１：１）で混合し焼結して作成したＭｇＴｉＯ_３セラミクス棒を用いて浮遊帯溶融法によりＭｇＴｉＯ_３複屈折単結晶を製造する。 （もっと読む）