【課題】半導体融液に板状半導体製造用下地板を浸漬し作製した板状半導体において、板状半導体作製時の割れを減少させ、板状半導体の反りを小さくする方法を提供する。
【解決手段】成長面を有する下地板を半導体融液に浸漬させて、下地板に半導体を成長させる半導体の製造方法に使用する半導体製造用下地板において、半導体製造用下地板の結晶成長面Ｓ１が浸漬方向前方部から後方部に延びる溝を有する。さらに、溝は浸漬方向と略平行である。 （もっと読む）

【課題】融液に原料以外の不純物を添加することなく、また、結晶成長装置を大型化することなく、転位密度が低く結晶性が高いＧａＮ結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶の成長方法は、一主面１０ｍを有するＧａ_xＡｌ_yＩｎ_1-x-yＮ種結晶１０ａを含む基板を準備する工程と、基板１０の主面１０ｍにＧａ融液３への窒素の溶解５がされた溶液７を接触させて、８００℃以上１５００℃以下の雰囲気温度および５００気圧以上２０００気圧未満の雰囲気圧力下で、主面１０ｍ上にＧａＮ結晶２０を成長させる工程と、を備える。また、基板１０を準備する工程の後、ＧａＮ結晶２０を成長させる工程の前に、基板１０の主面１０ｍをエッチングする工程を、さらに備える。 （もっと読む）

【課題】結晶性を向上するＡｌＮ結晶の製造方法、ＡｌＮ基板の製造方法および圧電振動子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ結晶１０の製造方法は、ＡｌＮ下地基板１１を準備する工程と、ＡｌＮ下地基板１１上にＡｌＮ結晶１０を成長する工程と、ＡｌＮ結晶１０からＡｌＮ下地基板１１を分離する工程とを備えている。ＡｌＮ下地基板１１およびＡｌＮ結晶１０の一方は、２８０ｎｍ以下の波長の光に対して吸収係数が１００ｃｍ^-1以上である。ＡｌＮ下地基板１１およびＡｌＮ結晶１０の他方は、２２０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下の波長の少なくとも一部の波長域の光に対して吸収係数が１００ｃｍ^-1未満である。上記分離する工程では、ＡｌＮ下地基板１１およびＡｌＮ結晶１０のうち吸収係数が低い他方側から光を照射する。 （もっと読む）

【課題】大きな厚みを有し、かつ高品質のＩＩＩ族窒化物結晶を成長するＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法およびＩＩＩ族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶１３の製造方法は、以下の工程を備えている。まず、（０００１）面から＜１−１００＞方向に傾斜した主表面１１ａを有する下地基板１１が準備される。そして、気相成長法により下地基板１１の主表面１１ａ上にＩＩＩ族窒化物結晶１３が成長される。下地基板１１の主表面１１ａは、｛０１−１０｝面から−５°以上５°以下傾斜した面であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族窒化物系半導体基板の面内の結晶軸の傾きの分布を低減することがで
きるIII−Ｖ族窒化物系半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】異種基板１の中心Ｏにおける、異種基板表面１ａの法線ｎに対して異種基板１の基準となる結晶面の結晶軸ａが傾斜している角度αと、その傾斜方向に異種基板１の中心Ｏから半径方向に２０ｍｍの位置Ｐにおける、異種基板表面１ａの法線ｎに対して結晶軸ａが傾斜している角度ηとの関係が、０.０２°＜｜η−α｜であり、且つ、異種基
板１ａ面内の各点において異種基板表面１ａの法線ｎに対し結晶軸ａが異種基板１の半径方向の外側に傾斜している異種基板１を用い、この異種基板１上にIII−Ｖ族窒化物系半
導体結晶をヘテロエピタキシャル成長させるIII−Ｖ族窒化物系半導体基板の製造方法で
ある。 （もっと読む）

【課題】高転位密度結晶領域のピッチが大きくても転位を集める効果が大きく低転位密度結晶領域の転位密度が低く、反りが小さいＧａＮ結晶基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶基板２０ｐは、（０００１）面に対して０°以上３０°以下のオフ角を有する主面２０ｍを有し、低転位密度結晶領域２０ｋと高転位密度結晶領域２０ｈとを含み、主面２０ｍにおける高転位密度結晶領域２０ｈの形状は、［１−１００］方向に伸びる複数の第１ストライプ結晶領域２０ｈｓと［１１−２０］方向に伸びる複数の第２ストライプ結晶領域２０ｈｔとを含む格子状である。 （もっと読む）

【課題】Ｎａフラックス法によってIII族窒化物半導体のｃ面基板を育成する場合において、従来よりも短時間で育成する方法を提供する。
【解決手段】種結晶１４は、長手方向をｍ軸方向、長手方向側面がａ面、ｃ面である直方体状のIII族窒化物半導体。この種結晶１４のａ面である側面に、Ｎａフラックス法によってIII族窒化物半導体をａ軸方向に結晶成長させる。これにより、二等辺三角形の板状のIII族窒化物半導体からなるｃ面基板１８を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】主面がｍ面とわずかなオフ角を有するIII族窒化物系化合物半導体の製造。
【解決手段】サファイア基板１０に凹凸を設けて、ｃ面又はｃ面と成す角が２０度以下の側面のうちの法線ベクトルの向きが同じ面１０ｃ−１のみを露出させ、他の面はＳｉＯ₂から成るエピ成長マスク２０で覆う（３．Ａ）。ＧａＮ層３０が成長を開始してから（３．Ｂ）、溝部を埋める迄（３．Ｃ）は、常圧で、Ｖ／III比を高く保った。溝部が埋まり、凸部の上面がほぼ覆われて平坦化する（３．Ｄ）までは、減圧で、Ｖ／III比を低く（アンモニアの供給量を１／５と）した。凸部の上面がほぼ覆われて平坦化した後（３．Ｅ）は、常圧で、Ｖ／III比を高くした（アンモニアの供給量を元に戻した）。こうして、主面が、ｍ面とわずかなオフ角を成す平坦な面であるＧａＮ膜が形成できた。 （もっと読む）

【課題】反りやクラックの抑制された窒化ガリウム層を有する半導体基板を、低コスト、高効率で製造することができる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】面方位が（１１１）のシリコン基板１０を準備する工程と、シリコン基板１０の両面に窒化ガリウム層１２をエピタキシャル成長させる工程と、窒化ガリウム層１２がエピタキシャル成長されたシリコン基板１０を、エピタキシャル成長面と平行にスライスして２分割するスライス工程とを含み、１枚のシリコン基板１０から２枚の窒化ガリウム層１２が形成された半導体基板１３を製造する。 （もっと読む）

【課題】従来にない平均短径が細いロッド状又はチューブ状の棒状結晶を基板上に立設してなり、表面積を大きくすることができるので、高感度のセンサーとして有用な金属酸化物構造体、及び該金属酸化物構造体を効率よく、低コストで製造することができる金属酸化物構造体の製造方法の提供。
【解決手段】基板と、該基板上に種晶を介して棒状結晶が立設してなり、前記種晶が第１の金属酸化物からなり、前記棒状結晶が第２の金属酸化物からなり、該棒状結晶の平均短径が５０ｎｍ以下であることを特徴とする金属酸化物構造体である。 （もっと読む）

【課題】気相合成法により高品質で大型な単結晶を作製することを可能とするダイヤモンド単結晶基板を提供すること
【解決手段】一部、又は全てが気相合成法で作製したダイヤモンド単結晶である基板において基板内で厚み分布がある面を持ち、厚みの最大部分と最小部分との比（最大厚み／最小厚み）が１．０５以上１．３以下であり、厚みの最大部分が該基板の面積で外周位置にあり、厚みの最小部分が最大部分よりも基板中央部分にあることを特徴とするダイヤモンド単結晶基板。 （もっと読む）

高い化学的純度、すなわち低い窒素含量と、高い同位体純度、すなわち低い¹³C含量とを有する単結晶ダイヤモンド、その製造方法及び該単結晶ダイヤモンドを含むソリッドステートシステムを開示する。 （もっと読む）

【課題】｛０００１｝以外の任意に特定される｛ｈｋ−（ｈ＋ｋ）ｌ｝（ｈ、ｋおよびｌは整数）の主面を有するＩＩＩ族窒化物結晶接合基板およびＩＩＩ族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶接合基板は、｛０００１｝以外の任意に特定される｛ｈｋ−（ｈ＋ｋ）ｌ｝の主面１０ｍを有するＩＩＩ族窒化物結晶接合基板１０であって、｛ｈｋ−（ｈ＋ｋ）０｝（ｈおよびｋは整数）の主面１１ｍを有する複数のＩＩＩ族窒化物結晶片１１ｐ，１１ｑを含み、ＩＩＩ族窒化物結晶片１１ｐ，１１ｑの［０００１］方向が同一になるように、ＩＩＩ族窒化物結晶片１１ｐ，１１ｑは互いにそれぞれの主面１１ｍの少なくとも一部で接合されている。 （もっと読む）

【課題】半極性を利用する窒化ガリウム系半導体において、歪みの緩和により転位の発生を抑制されたIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】発光ダイオード２１ａの支持基体２３の主面２３ａは、ｃ面に対して１０度より大きく８０度未満のオフ角で傾斜する。半導体積層２５ａは、４００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長範囲内の発光ピークを有する活性層２７を含む。ＧａＮ支持基体の（０００１）面（参照面Ｓ_Ｒ３）とバッファ層３３ａの（０００１）面との傾斜角Ａは０．０５度以上であり、傾斜角Ａは２度以下である。また、ＧａＮ支持基体の（０００１）面（参照面Ｓ_Ｒ４）と井戸層３７ａの（０００１）面との傾斜角Ｂは０．０５度以上であり、傾斜角Ｂは２度以下である。傾斜角Ａ及び傾斜角Ｂは、ＧａＮ支持基体のｃ面に対して互いに逆方向に傾斜している。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物単結晶自立基板を製造するためのベース基板として好適に使用できる、結晶レベルでの歪みが低減されており、クラックおよび反りの発生が抑制された自立基板製造用基板を提供する。
【解決手段】不活性ガス中１０００℃において分解しない無機物質であって、１０００℃以上１６００℃以下で還元性ガスと接触することにより分解して揮発性物質を生成する無機物質の単結晶からなるベース基板、ベース基板上に形成された、単結晶Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物、または単結晶Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物と非晶質Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物との混合物からなる厚さ３ｎｍ以上２００ｎｍ以下のＡｌ系ＩＩＩ族窒化物薄膜層、Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物薄膜層上に形成された、Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物薄膜層の厚さの１００倍以上の厚さを備えたＩＩＩ族窒化物非単結晶層、を備えて構成される積層体とし、ベース基板とＡｌ系ＩＩＩ族窒化物薄膜層との界面に複数の空隙を設ける。 （もっと読む）

【課題】析出板の厚みばらつきを容易に減少させることができる基板および析出板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板９の第１の表面２２には、１つの辺に平行に延びるスリット３１が、一定の間隔を空けて複数設けられる。基板９は、スリット３１が、溶融原料への浸漬方向に対して直交するように保持される。基板９の前方部が溶融原料に浸漬したときに、未だ浸漬されていない後方部への熱の移動は、基板９のスリット３１を除く基板実体部２７を介して行われる。このため、スリット３１が構成されない基板と比較して、後方部が浸漬する時点での局所温度と、前方部が浸漬する時点での局所温度との差が減少するので、基板９の材料を変更することなく析出板の浸漬方向におけるばらつきを減少できる。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体結晶から裏面研削、外周研削、表面研削・研磨してミラーウエハーとする際に、反りが少なく、クラックが発生せず、基板作製プロセス歩留まりが高く、デバイス面内歩留まりが高い加工方法によって作製した窒化物系半導体ウエハ−とそれを使ったデバイスを提案する。
【解決手段】 窒化物半導体ウエハー外周部を０〜４０重量％の酸化物砥粒を含むゴム砥石或いは発泡レジンボンド砥石でチャンファーし、外周部に加工変質層を０．５μｍ〜１０μｍの厚さで残すようにする。 （もっと読む）

【課題】結晶成長後の素子材料の製品品質を向上させることのできるサファイヤ基板を提供する。
【解決手段】半導体５をエピタキシャル成長させる際に用いるサファイヤ基板１であって、基板１の厚さＨ１を、基板１に積層させる半導体５の積層厚さＨ２と同一の厚さに設定され、かつ、直径を５cm以上、１３cm以下、厚さを２０μm以下の円盤形状に加工した薄型サファイヤ基板１。半導体５は、III族窒化物半導体もしくは窒化ガリウム系化合物半導体である。 （もっと読む）

【課題】単一の極性の結晶を製造する歩留まりを向上するＩＩＩ族窒化物基板の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法、ＩＩＩ族窒化物基板およびＩＩＩ族窒化物結晶基板を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物基板３０の製造方法は、以下の工程が実施される。まず、主表面３０ａと反対側の裏面３０ｂとを有し、かつ主表面３０ａから裏面３０ｂに貫通する第１の極性からなる第１の領域１３と、主表面３０ａから裏面３０ｂに貫通するとともに第１の極性と異なる第２の極性からなる第２の領域１５とを含み、ＩＩＩ族窒化物結晶よりなる下地基板が準備される。そして、下地基板の主表面の第１の領域１３において、第２の領域１５との境界に向けて、主表面１３ａから裏面１３ｂへの方向に傾斜する傾斜面１３ａ２が形成される。 （もっと読む）

【課題】ウルツ鉱型窒化ホウ素の単結晶薄膜構造およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ウルツ鉱型窒化ホウ素の単結晶薄膜構造３００は、ｃ軸の格子定数が６．６６オングストローム未満であるウルツ鉱型の結晶構造を有する基板３０１であって、主方位面３０１Ａが（０００１）面から±１０度以内のオフ角であり、基板３０１の主方位面３０１Ａ上に複数の穴３０１Ｂを有する基板３０１と、基板３０１の主方位面３０１Ａの複数の穴３０１Ｂを除く部分を覆うアモルファス構造のマスク３０２と、マスク３０２上のウルツ鉱型窒化ホウ素の単結晶薄膜３０３であって、基板３０１の複数の穴３０１Ｂを充填する単結晶薄膜３０３とを備える。 （もっと読む）