【課題】高転位密度結晶領域のピッチが大きくても転位を集める効果が大きく低転位密度結晶領域の転位密度が低く、反りが小さいＧａＮ結晶基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶基板２０ｐは、（０００１）面に対して０°以上３０°以下のオフ角を有する主面２０ｍを有し、低転位密度結晶領域２０ｋと高転位密度結晶領域２０ｈとを含み、主面２０ｍにおける高転位密度結晶領域２０ｈの形状は、［１−１００］方向に伸びる複数の第１ストライプ結晶領域２０ｈｓと［１１−２０］方向に伸びる複数の第２ストライプ結晶領域２０ｈｔとを含む格子状である。 （もっと読む）

窒化ガリウムボウルの大規模製造方法である。大面積単結晶種プレートは、ラックに吊るされており、アンモニア及び鉱化剤と共に大直径加圧滅菌器又は内部加熱高圧装置中に配置されており、そして、アンモノサーマル法により成長される。種の方向及び取り付け配置は、種プレート、及び加熱滅菌器又は高圧装置中のかたまり、の効率的な利用を提供するように選択される。この方法は、非常に大きいかたまりにまで拡張可能であり、また費用効果が高い。
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【課題】 分子デバイスを含む、有機材料の機能を利用する有機材料含有デバイスの構築に適した取り扱いが容易な基板を提供する。
【解決手段】 水素原子およびアミノ基が化学吸着した半導体表面を有する基板とする。このアミノ基は、例えばＳｉ−Ｎ結合により固定されている。アミノ基は多くの官能基と化学反応しうる基であり、生体分子との親和性にも優れている。この表面は、大気中での取り扱いも容易である。アミノ基と有機分子とを反応させれば、有機分子と半導体表面とが化学的に一体に結合する。アミノ基は、例えば水素原子で終端された半導体表面にアンモニア等の窒素含有反応種を接触させ、この反応種に由来する窒素原子を含むアミノ基を半導体表面に化学吸着させて導入すればよい。 （もっと読む）

【課題】特性の高い半導体デバイスを歩留まりよく製造できるＧａＮ基板を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ基板は、ＧａＮ基板１０の主面１０ｍである（０００１）Ｇａ面において、ＧａＮ基板１０の主領域１０ｓに対して［０００１］方向の極性が反転している面積が１μｍ²以上の極性反転領域１０ｔの総面積Ｓ_tｃｍ²の主面１０ｍの全面積Ｓｃｍ²に対する比Ｓ_t／Ｓが０．２以下である。 （もっと読む）

高い化学的純度、すなわち低い窒素含量と、高い同位体純度、すなわち低い¹³C含量とを有する単結晶ダイヤモンド、その製造方法及び該単結晶ダイヤモンドを含むソリッドステートシステムを開示する。 （もっと読む）

ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）を使用してIII族窒化物材料をｍ面サファイア基板などの適当な基板上で成長させる、（１１−２２）又は（１０−１３）窒化ガリウム（ＧａＮ）エピタキシャル層などの半極性III族窒化物材料を成長させる方法を提供する。この方法は、基板をアンモニア及びアルゴンの環境内で上昇温度でインサイチュ前処理し、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又は窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）などの中間層を焼鈍基板上で成長させ、ＨＶＰＥを使用してIII族窒化物エピタキシャル層を中間層上で成長させることを含む。 （もっと読む）

【課題】｛０００１｝以外の任意に特定される｛ｈｋ−（ｈ＋ｋ）ｌ｝（ｈ、ｋおよびｌは整数）の主面を有するＩＩＩ族窒化物結晶接合基板およびＩＩＩ族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶接合基板は、｛０００１｝以外の任意に特定される｛ｈｋ−（ｈ＋ｋ）ｌ｝の主面１０ｍを有するＩＩＩ族窒化物結晶接合基板１０であって、｛ｈｋ−（ｈ＋ｋ）０｝（ｈおよびｋは整数）の主面１１ｍを有する複数のＩＩＩ族窒化物結晶片１１ｐ，１１ｑを含み、ＩＩＩ族窒化物結晶片１１ｐ，１１ｑの［０００１］方向が同一になるように、ＩＩＩ族窒化物結晶片１１ｐ，１１ｑは互いにそれぞれの主面１１ｍの少なくとも一部で接合されている。 （もっと読む）

【課題】半極性を利用する窒化ガリウム系半導体において、歪みの緩和により転位の発生を抑制されたIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】発光ダイオード２１ａの支持基体２３の主面２３ａは、ｃ面に対して１０度より大きく８０度未満のオフ角で傾斜する。半導体積層２５ａは、４００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長範囲内の発光ピークを有する活性層２７を含む。ＧａＮ支持基体の（０００１）面（参照面Ｓ_Ｒ３）とバッファ層３３ａの（０００１）面との傾斜角Ａは０．０５度以上であり、傾斜角Ａは２度以下である。また、ＧａＮ支持基体の（０００１）面（参照面Ｓ_Ｒ４）と井戸層３７ａの（０００１）面との傾斜角Ｂは０．０５度以上であり、傾斜角Ｂは２度以下である。傾斜角Ａ及び傾斜角Ｂは、ＧａＮ支持基体のｃ面に対して互いに逆方向に傾斜している。 （もっと読む）

【課題】フラックス法において、高品質な高電子濃度のｎ型半導体結晶を製造できるようにすること。
【解決手段】少なくとも III族元素をフラックスを用いて溶融させて溶液とし、この溶液に窒素を含むガスを供給し、この溶液から種結晶上に、 III族窒化物系化合物半導体からなる半導体結晶を育成させるフラックス法による III族窒化物系化合物半導体の製造方法である。炭素と、ゲルマニウムを溶液中に溶解して、半導体結晶にゲルマニウムをドナーとして取り込むことにより、ｎ型の半導体結晶を得る。ガリウムに対するゲルマニウムのモル比を０．０５ｍｏｌ％以上、０．５ｍｏｌ％以下であり、炭素のナトリウムに対するモル比を０．１ ｍｏｌ％以上、３．０ｍｏｌ％以下とした。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の引き上げにおいて、転位除去のため結晶の幾何学的軸を実際の[１１０]結晶軸に対して所定の角度分傾斜させてて成長させたシリコン単結晶の方位を、単結晶育成後、エピタキシャル成長に適した方位に補正する方法を提供する。
【解決手段】（１１０）結晶面に比べて方位差を有する平面をウェハ表面として有するエピタキシャル被覆されたシリコンウェハにおいて、＜１１０＞方向はウェハ表面に対する法線から角度θ傾斜されていて、かつ傾斜された＜１１０＞方向の前記ウェハ平面中の方向＜−１１０＞での投影は角度φを形成し、θは０≦θ≦３゜及び４５゜≦φ≦９０゜（及び全ての対称的に等価の方向）で与えられるシリコンウェハ。 （もっと読む）

【課題】ウルツ鉱型窒化ホウ素の単結晶薄膜構造およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ウルツ鉱型窒化ホウ素の単結晶薄膜構造３００は、ｃ軸の格子定数が６．６６オングストローム未満であるウルツ鉱型の結晶構造を有する基板３０１であって、主方位面３０１Ａが（０００１）面から±１０度以内のオフ角であり、基板３０１の主方位面３０１Ａ上に複数の穴３０１Ｂを有する基板３０１と、基板３０１の主方位面３０１Ａの複数の穴３０１Ｂを除く部分を覆うアモルファス構造のマスク３０２と、マスク３０２上のウルツ鉱型窒化ホウ素の単結晶薄膜３０３であって、基板３０１の複数の穴３０１Ｂを充填する単結晶薄膜３０３とを備える。 （もっと読む）

【課題】経済的に安価であり、大面積化およびへき開が可能な六方晶窒化ホウ素構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶窒化ホウ素構造は、サファイア単結晶基板４１と、基板４１上に形成された単結晶六方晶窒化ホウ素４２を有する。また、Ｖ族原料であるアンモニアと、III族原料であるトリエチルボロン、トリメチルボロン、ジボラン、三塩化ホウ素、または三フッ化ホウ素とを用いる気相成長法により、サファイア単結晶基板４１上に単結晶六方晶窒化ホウ素４２を形成する。 （もっと読む）

化学気相蒸着による単結晶ダイヤモンドの形成方法であって、（ａ）少なくとも一つのダイヤモンドのシードを提供すること、（ｂ）ダイヤモンドを成長させるための炭素含有ガスおよび水素と、窒素含有ガスとを含む反応ガスを供給することを含む、化学気相蒸着によりダイヤモンドを成長させるための条件にシードを曝露すること、（ｃ）ダイヤモンドが、内包物なしに欠陥のないステップを有するように、ステップ成長できるように、反応ガス中の他のガスに対する窒素含有ガスの量を制御することを含む、方法。窒素は、０．０００１〜０．０２体積％の範囲に存在する。ジボランは、０．００００２〜０．００２体積％の範囲に存在することもできる。炭素含有ガスは、メタンであり得る。
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【課題】結晶欠陥の少ない炭化珪素エピタキシャルウェハを製造するためのエピタキシャル成長用の炭化珪素単結晶ウェハを提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長面を上として、エピタキシャル成長用炭化珪素単結晶ウェハの形状を上に凸な形状とする。さらに好ましくは、炭化珪素単結晶ウェハのそりが0μm超100μm以下であり、上に凸である形状を持つ部分がウェハ面積全体の60％以上であり、炭化珪素単結晶のc軸と炭化珪素単結晶ウェハ面の法線のなす角が0°以上4°未満、より好ましくは、0°以上1°未満である炭化珪素単結晶ウェハを使用することにより、炭化珪素エピタキシャル膜を製膜する際に炭化珪素エピタキシャル膜中で発生する欠陥の数を減らし、良質の炭化珪素エピタキシャルウェハを製造する。 （もっと読む）

【課題】｛０００１｝面を除いて任意に特定される｛ｈｋｉｌ｝面に対して面方位のばらつきが小さな主面を有するＩＩＩ族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】（ａ）｛０００１｝面を除いて任意に特定される｛ｈｋｉｌ｝面に対して結晶片１０の主面１０ｍの任意の点における面方位のずれが０．５°以下である複数の結晶片１０を調製し、（ｂ）｛ｈｋｉｌ｝面に対して複数の結晶片１０の主面１０ｍの全面１０ａの任意の点における面方位のずれが０．５°以下になるようにかつ結晶片１０の主面１０ｍの少なくとも一部が露出するように複数の結晶片１０を配置して、（ｃ）複数の結晶片１０の主面１０ｍの露出部分上に、第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板のジャスト面を用い、エピタキシャル成長が高速で行われ、かつ平坦な表面の成長表面を有するＳｉＣ結晶膜の製造方を提供する。
【解決手段】Ｓｉ、ＴｉおよびＡｌを黒鉛製るつぼ５に収容し、１８５０〜２１００℃に加熱して、Ｔｉが１５ａｔ％〜２５ａｔ％、Ａｌが１ａｔ％〜１０ａｔ％で、残りがＳｉ−Ｃである融液を生成する。この融液に対し、４Ｈ−ＳｉＣ基板３のジャスト面を表面接触させることにより、ＳｉＣ結晶薄膜を製造する。 （もっと読む）

より高い不純物濃度のアルカリ金属を保有する六方晶系ウルツ鉱基板を使用することによって、低い不純物濃度のアルカリ金属を伴う六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層を得る方法であって、エピタキシャル層がその上に成長させられる基板の表面は、ｃ面とは異なる結晶面を有する方法。本発明の１つ以上の実施形態による、六方晶系ウルツ鉱基板上に成長させられる六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層は、六方晶系ウルツ鉱基板中のアルカリ金属の不純物濃度よりも低い、六方晶系ウルツ鉱型層中のアルカリ金属の不純物濃度を有し、六方晶系ウルツ鉱型エピタキシャル層は、ｃ面とは異なる結晶面を有する六方晶系ウルツ鉱基板の表面上に成長させられる。
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【課題】高度の結晶性を有し、特に直径100mm以上の大型基板を用いる場合でも全面均一に平坦なAｌN結晶膜シード層を用いることにより、結晶性の良いＧａＮ系薄膜を得、信頼性の高い高輝度のＬＥＤ素子等を得る。
【解決手段】サファイア基板上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体において、該サファイア基板表面にシード層としてＡｌＮ結晶膜を有し、そのＡｌＮ結晶膜は、その縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。好適には、ＡｌＮ結晶膜は、その平面ＴＥＭ写真の２００ｎｍ四方観察視野において結晶粒界が観察されない。さらに、ＡｌＮ結晶膜表面の算術平均表面粗さ（Ｒａ）が２Å以下であるのが好適である。ＡｌＮ結晶膜中の酸素含有量は５原子％以下である。 （もっと読む）

ソルボサーマル法を用いた高品質バルク六方晶系単結晶を成長させるための技術、ならびに高品質および高成長速度を同時に達成するための技術。結晶品質は成長面に大きく依存し、非極性または半極性種表面は、ｃ面種表面と比較してより高い結晶品質を提供する。また、成長速度は成長面に大きく依存し、半極性種表面は、より高い成長速度を提供する。高結晶品質および高成長速度は、好適な成長面を選択することにより同時に達成可能である。結晶品質はまた、種表面粗度にも依存し、高結晶品質は、非極性または半極性種表面ＲＭＳ粗度が１００ｎｍ未満である場合に達成可能であり、一方、Ｇａ面またはＮ面から成長した結晶は、原子的に平滑な表面から成長したとしても低い結晶品質をもたらす。
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【課題】半導体層に生ずる格子歪みを効果的に緩和する。
【解決手段】Ｓｉからなる基板１１上に、層厚が１０ｎｍのＡｌＮ結晶からなり、基板１１に対して親和性を有する第１層１２を形成し、第１層１２上に、層厚が５ｎｍのＢ（０．０１）Ａｌ（０．９９）Ｎ結晶からなり、第１層１２よりも転位密度の大きい第２層１３を形成し、第２層１３上に、層厚が８５ｎｍのＡｌＮ結晶からなり、第２層１３の転位の伝搬を抑える第３層１４を形成し、第３層１４上に層厚が３μｍのＧａＮ結晶からなる半導体層１５を形成する。 （もっと読む）