【課題】種結晶を坩堝の中心軸からずらして配置しなくても、種結晶およびＳｉＣ単結晶の成長途中表面に対して温度分布を形成することにより、異種多形や異方位結晶の発生を抑制できるＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】温度分布形成部材としてリング部材５を備え、リング部材５に平坦面５ｃを形成することで、リング部材５から低密度螺旋転位領域３ｂまでの距離Ｄ１と螺旋転位発生可能領域３ａまでの距離Ｄ２を変化させる。これにより、ＳｉＣ単結晶基板３の中心を黒鉛製坩堝１の中心と一致させて配置しても、結晶成長装置の構造上、種結晶となるＳｉＣ単結晶基板３およびＳｉＣ単結晶の成長途中表面に対して温度分布を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系超小型電子および光電子デバイスの作製におけるホモエピタキシャル蒸着に有用に用いられる微傾斜窒化ガリウム基板を提供する。
【解決手段】＜０００１＞方向から、


方向または


方向に主に向かって約０．２〜約１０度の範囲のオフカット角度でオフカットされた（０００１）表面を含むＧａＮ基板。表面が５０×５０μｍ^２ＡＦＭ走査により測定された１ｎｍ未満のＲＭＳ粗さと、３Ｅ６ｃｍ^−２未満の転位密度とを有する。この基板はオフカットスライスおよびラッピングまたは微傾斜へテロエピタキシャル基板上の成長により形成する。 （もっと読む）

本発明は、異種基板と、それを利用した窒化物系半導体素子及びその製造方法に関し、異種基板の無極性または半極性面に結晶成長モードを調節し、高品質の無極性または半極性窒化物層を形成するためのものである。無極性または半極性面のうち１つを有するベース基板を準備し、用意したベース基板の面に窒化物系結晶成長核層を形成する。結晶成長核層の上に第１バッファー層を成長させ、且つ、水平方向に比べて垂直方向にさらに速く成長させる。第１バッファー層上に水平成長層を成長させ、且つ、垂直方向に比べて水平方向にさらに速く成長させる。また、水平成長層上に第２バッファー層を成長させる。この際、第１バッファー層上の水平成長層と第２バッファー層との間に複数の孔を有する窒化シリコン層をさらに形成することができる。
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【課題】（０００１）面以外の任意に特定される主面を有する結晶性の高い大面積III族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】オフ角を有する複数のシードを準備する工程と、シードの主面が略同一方向に向くようにしてシードを配置する工程と、シードの主面上に、III族窒化物結晶を成長させる工程と、を含むIII族窒化物結晶の製造方法であって、前記配置工程において、前記複数のシードのオフ角の方向がほぼ同一方向となるように配置する。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度の少ない高品質な４Ｈ−ＳｉＣ単結晶を得ることが可能な炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】｛０３−３８｝面が露出した４Ｈ−ＳｉＣの種基板１とＳｉＣ原料３２とを対向配置した後、ＳｉＣ原料３２を加熱して昇華させて原料ガスを発生させると共に、種基板１をＳｉＣ原料３２より低い温度にして、種基板１上にＳｉＣ単結晶を成長させる。このときＳｉＣ原料３２にＳｉ原料３５を添加すると、原料ガスにおけるＳｉの蒸気圧が高くなり、結晶成長面における原料ガスのＣとＳｉとの比（Ｃ／Ｓｉ）は小さくなる。ＳｉＣ単結晶を成長させる際、ＳｉＣ単結晶の成長面近傍の原料ガスにおけるＣとＳｉとの比（Ｃ／Ｓｉ）を１未満、望ましくは０．２５以下にすることにより、種基板１からのＳｉの昇華が抑制され、種基板１の端部のエッチングが防止される。 （もっと読む）

【目的】
ＺｎＯ単結晶基板上に平坦性と配向性に優れるとともに、欠陥・転位密度が低く、不純物の界面蓄積やＺｎＯ系成長層への拡散が抑制されたＺｎＯ系単結晶の成長方法を提供することにある。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れた高性能な半導体発光素子を提供することにある。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法により、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気とを用い、ＺｎＯ単結晶基板上に６００℃以上９００℃未満の成長温度で熱安定状態のＺｎＯ系単結晶を成長する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】雑晶の発生を抑止し、良質な２Ｈ炭化珪素単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】圧力容器内において、珪素が溶解したリチウムフラックス２３に炭化珪素単結晶基板２５を接触させる工程と、前記圧力容器内にメタン２６を導入し、前記リチウムフラックス２３に前記メタン２６を接触させることにより、前記リチウムフラックス２３から前記単結晶基板２５上に２Ｈ炭化珪素単結晶２７を成長させる工程とを包含する炭化珪素単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板表面が分子レベルで平坦化された単結晶ＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】炭素ゲッター効果を有する嵌合容器に単結晶４Ｈ−ＳｉＣ又は単結晶６Ｈ−ＳｉＣからなる単結晶ＳｉＣ基板５を収容し、前記嵌合容器の内部をシリコンの飽和蒸気圧下かつ高温真空下とし、更に、前記嵌合容器の内部圧力が外部圧力よりも高くなる状態を維持しながら１５００℃以上２２００℃以下で加熱制御する。これによって、当該単結晶ＳｉＣ基板５の表面が、単結晶ＳｉＣ基板を構成するＳｉＣ分子の積層方向の１周期分であるフルユニットの高さ又は半周期分であるハーフユニットの高さからなるステップで終端し、分子レベルで平坦化される。前記方法で製造した単結晶ＳｉＣ基板と炭素供給フィード基板とを対向配置し、その間にシリコンの極薄融液層を介在させつつ加熱することで、準安定溶媒エピタキシー法によって単結晶４Ｈ−ＳｉＣを液相エピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】高品質な窒化物単結晶を高効率に生産することが可能な窒化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ、ＺｎＯまたはサファイアからなり、負イオン極性面からのオフ角が５°以下である主表面を有する下地基板９を準備し、前記下地基板９の主表面上に、窒化物単結晶膜１を形成すると、窒化物単結晶膜１の単結晶主表面１ｃ上には欠陥として複数の凸部１ｐが形成される。窒化物単結晶膜１から、単結晶主表面１ｃに平行に単結晶基板を切り出す場合、欠陥部を含め、単結晶主表面１ｃから極僅かの厚み（深さ）分の領域については切り出して除去することが好ましいので、下地基板９の正イオン極性面を用いた場合に形成される凹部を有する窒化物単結晶膜に比較して、除去する量が少なく、歩留まりがよい。 （もっと読む）

【課題】貫通転位密度が小さく、かつ基板表面においても転位の束が存在せず、劈開面の乱れを起こさないＧａＮ基板の製造方法およびＧａＮ基板を提供すること。
【解決手段】基板の上にＧａＮ単結晶を気相成長させ、気相成長でできたＧａＮ単結晶インゴットを成長方向と平行な面でスライス加工して基板とする。転位は成長方向に伸びるので、成長方向と平行に結晶を切ると転位延長方向と平行にスライスすることになる。スライスした基板においては、転位が表面に平行に走るので低転位密度になる。さらにこれを種結晶としてＧａＮ成長させる。表面の転位密度が低いので、2度目に成長したＧａＮはさらに低転位になる。これもＧａＮ基板とすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面が平坦な単結晶ダイヤモンド｛１１１｝基板及びその表面上に平坦な堆積ダイヤモンド膜を有する単結晶ダイヤモンド｛１１１｝基板を得ることを課題とする。
【解決手段】表面にステップテラス構造を有する単結晶ダイヤモンド｛１１１｝基板あるいは基板表面上に、化学気相成長法による堆積ダイヤモンド膜を有する単結晶ダイヤモンド｛１１１｝基板である。 （もっと読む）

【課題】成長温度が1050℃以下のAlGaNやGaNやGaInNだけでなく、成長温度が高い高Al組成のAl_xGa_1-xNにおいても結晶性の良いIII族窒化物半導体エピタキシャル基板、III族窒化物半導体素子、III族窒化物半導体自立基板およびこれらを製造するためのIII族窒化物半導体成長用基板、ならびに、これらを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面部分がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板と、前記表面部分上に形成されたスカンジウム窒化物膜とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】種結晶に生じている結晶欠陥を有利に解消し、ひいては光学デバイスや電子デバイスの歩留まり向上を達成できる炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素単結晶製造装置の容器内に昇華用原料を収容すると共にこの昇華用原料に略対向して、結晶欠陥１１３Ａ〜１１３Ｄを有する炭化ケイ素単結晶の種結晶１１１を配置し、加熱により昇華させた昇華用原料４０を種結晶１１１の表面上で再結晶させて炭化ケイ素単結晶を結晶成長させる方法において、結晶成長に先立って、種結晶のオフ方位を変更し（ａ）、複数の結晶欠陥のうち、結晶欠陥１１３Ａの位置をオフ方位の上流側に位置させる。オフ方位に従う優先成長によって、オフ方位上流側に位置している結晶欠陥１１３Ａが消失し（ｂ）、結晶欠陥の少ない炭化ケイ素単結晶を製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶体を成長させる際におけるクラックの発生を低減する。
【解決手段】半導体基板の製造方法は、下地基板の上に金属層を形成する金属層形成工程と、前記金属層をそれぞれ露出する複数の開口と前記金属層を露出しない非開口部とを含むマスクを形成するマスク形成工程と、前記金属層において前記複数の開口により露出された複数の領域を窒化することにより、金属窒化物の複数の第１バッファー層を形成する窒化工程と、前記複数の第１バッファー層の上に、ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の第２バッファー層を形成する第２バッファー層形成工程と、前記複数の第２バッファー層の上に、ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶体を成長させる成長工程とを備え、前記複数の開口のそれぞれは、六角形に沿った形状を有しており、前記マスク形成工程では、前記複数の開口における各開口の最小幅が５μｍ以上２５μｍ以下となり隣接する前記開口の間における前記非開口部の幅が１．５μｍ以上８μｍ以下になるように、前記マスクを形成する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の半導体部材を成長させる際におけるクラックの発生を低減する。
【解決手段】半導体デバイスの製造方法は、金属層形成工程と、前記金属層をそれぞれ露出する複数の開口グループと前記金属層を露出しない第１の非開口部と前記金属層をそれぞれ露出しない複数の第２の非開口部とを含むマスクを形成するマスク形成工程と、窒化工程と、第２バッファー層形成工程と、成長工程とを備え、前記開口グループは、六角形に沿った形状をそれぞれ有した複数の開口を含み、前記第１の非開口部は、前記複数の開口グループの間に配され、前記第２の非開口部は、前記開口グループ内の前記複数の開口の間に配され、前記マスク形成工程では、各開口グループ内の各開口の最小幅が５μｍ以上２５μｍ以下になり、各開口グループ内の隣接する前記開口の間における前記第２の非開口部の幅が１．５μｍ以上８μｍ以下になり、隣接する前記開口グループの間における前記第１の非開口部の幅が１０μｍ以上になるように、前記マスクを形成する。 （もっと読む）

【課題】内部電界が小さくかつ平坦性の優れたエピタキシャル基板およびこれを用いたデバイスを提供する。
【解決手段】Ｒ面に対する基材１の表面の傾角を、基材１の表面がＣ面から遠ざかる場合に正の値をとり、基材１の表面がＣ面に近づく場合に負の値をとるように定義するとき、基材１の表面の傾角が−２５°以上−１５°以下であるサファイア単結晶基材１を準備し、サファイア単結晶基材１の上に、ＭＯＣＶＤ法によって、ａ軸方向がサファイア単結晶基材１のｒ軸方向に略平行であるＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦１．０）からなる基板表面層を形成することにより、エピタキシャル基板を得る。 （もっと読む）

【課題】低欠陥密度で種結晶基板としても使用可能な程度に大型である３Ｃ−ＳｉＣ単結晶を容易に成長させることができる３Ｃ−ＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ−Ｓｃ系溶媒に炭素が溶解している原料融液Ｍを１３５０℃未満とし、該原料溶液を６Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板Ｓの少なくとも（０００１）炭素面に接触させて該面に３Ｃ−ＳｉＣ単結晶を二次元核成長させる。Ｓｉ−Ｓｃ系溶媒は、Ｓｉ−Ｓｃ系溶媒全体を１００原子％としたときに、１５原子％以上３２原子％以下のＳｃを含み残部がＳｉと不可避不純物からなるのが好ましい。また、前記６Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板は、昇華法により作製されたものでもよいし、前記方法により得られた３Ｃ−ＳｉＣ単結晶を種結晶基板としてもよい。 （もっと読む）

【課題】高品位で大面積の非極性面を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物窒化物半導体結晶を得るために有利な製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法は非極性面を有する種結晶を準備し、前記非極性面からＩＩＩ族窒化物半導体を気相中で成長させる成長工程を具備し、前記成長工程は、前記種結晶の＋Ｃ軸方向に伸びるようにＩＩＩ族窒化物半導体を成長させることを含む。 （もっと読む）

【課題】窒化物単結晶膜におけるクラックの発生を抑制する窒化物単結晶膜の製造方法、クラックの発生が抑制された窒化物単結晶基板、およびクラックの発生が抑制された窒化物単結晶膜を備えるテンプレート基板を提供する。
【解決手段】窒化物単結晶膜の製造方法は、（１１−２０）面からのオフ角が５°以下である下地基板１を準備する工程と、上記下地基板１の主表面上に窒化物単結晶膜３を形成する工程とを備える。前記下地基板１はＳｉＣまたはサファイアからなることが好ましく、また、前記窒化物単結晶膜３を形成する工程における成膜温度範囲は１７００℃以上２４００℃以下であることが好ましい。これにより、前記テンプレート基板４の窒化物単結晶膜３はクラックの密度が低く、また、前記テンプレート基板４から下地基板１を取り除いた窒化物単結晶基板についても同様に、クラックの密度が低くなる。 （もっと読む）

【課題】高品位で大面積の非極性面を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物窒化物半導体結晶を得るために有利な製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法は非極性面を有する種結晶を準備し、前記非極性面からＩＩＩ族窒化物半導体を気相中で成長させる成長工程を具備し、前記成長工程は、前記種結晶の＋Ｃ軸方向に伸びるようにＩＩＩ族窒化物半導体を成長させることを含む。 （もっと読む）