【課題】転位密度の低い高品質の３Ｂ族窒化物単結晶の製法を提供する。
【解決手段】３Ｂ族窒化物の種結晶層を含む下地基板１８を３Ｂ族金属とアルカリ金属とを含む混合融液へ浸漬し、該混合融液へ窒素ガスを導入しながら下地基板１８の主面上に３Ｂ族窒化物単結晶を成長させる３Ｂ族窒化物単結晶の製法において、下地基板１８として、主面に対する法線が種結晶層の＜０００１＞方向に対して＜１１−２０＞方向に０．５〜２°のオフ角を有するように加工したものを使用する。また、３Ｂ族窒化物単結晶を成長させる際、主面に沿った方向の流れを混合融液に発生させる。 （もっと読む）

【課題】 成長終了後の冷却時に基板やエピタキシャル層の破壊を防止することのでき、エピタキシャル層の形状を保ったまま基板から剥離することのできる窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 単結晶基板（例えば、ＮｄＧａＯ₃単結晶基板）上に窒化ガリウム系化合物半導体（例えば、ＧａＮ）の結晶をエピタキシャル成長させた後、降温速度を毎分５℃以下、好ましくは毎分２℃以下（例えば毎分１．３℃）の条件で冷却するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体素子への適用が可能な低欠陥密度の化合物半導体結晶基板、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】立方晶｛００１｝面を表面とする単結晶基板上に、エピタキシャル成長により２種類の元素Ａ、Ｂからなる化合物単結晶を成長させる化合物単結晶の製造方法において、反位相領域境界面ならびに元素ＡおよびＢに起因する積層欠陥を、表面に平行な＜１１０＞方向にそれぞれ等価に生じさせながら化合物単結晶を成長させる工程（Ｉ）と、工程（Ｉ）において生じた元素Ａに起因する積層欠陥を、反位相領域境界面と会合消滅させる工程（II）と、工程（Ｉ）において生じた元素Ｂに起因する積層欠陥を、自己消滅させる工程（III）と、反位相領域境界を完全に会合消滅させる工程（IV）と、を有し、工程（IV）は、工程（II）および（III）と並行して、又は、工程（II）および（III）の後に行う。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質なエピタキシャル膜が形成された立方晶炭化珪素半導体基板を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１と、シリコン基板１１の上に立方晶炭化珪素がエピタキシャル成長して形成された立方晶炭化珪素エピタキシャル膜１２と、を含み、立方晶炭化珪素エピタキシャル膜１２は、シリコン基板１１においてミラー指数（１００）で表される結晶面である第１の面１１ａの上に形成され、シリコン基板１１においてミラー指数[１００]で表される第１の軸Ｌ１に対して、立方晶炭化珪素エピタキシャル膜１２においてミラー指数[１００]で表される第２の軸Ｌ２が、シリコン基板１１においてミラー指数[０１１]で表される第１の方向に所定の角度Θ傾いた状態で形成されている。 （もっと読む）

【課題】大口径で主面の面方位が（０００１）および（０００−１）以外で主面内における光弾性歪み値が小さいＧａＮ単結晶基板を提供する。
【解決手段】ＧａＮ単結晶基板２０ｐは、主面２０ｐｍの面積が１０ｃｍ²以上であり、主面２０ｐｍの面方位が（０００１）面または（０００−１）面２０ｃに対して６５°以上８５°以下で傾斜しており、２５℃の雰囲気温度下で主面２０ｐｍに対して垂直な方向に光を照射したときに主面２０ｐｍ内の任意の点において光弾性により測定される光弾性歪み値が５×１０^-5以下である。前記ＧａＮ単結晶基板の主面上に少なくとも１層のＧａＮ系半導体層が形成されている高特性で特性の分布が均一なＧａＮ系半導体デバイス。 （もっと読む）

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板１は、結晶基板の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面１ｓからのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定により得られる結晶基板の表面層の均一歪みが１．９×１０^-3以下であり、結晶基板の表面層の特定結晶格子面の面方位ずれが３５０ａｒｃｓｅｃ以下であり、主表面の面方位が結晶基板の（０００１）面または（０００−１）面１ｃから＜１０−１０＞方向に１０°以上８０°以下で傾斜している。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを用いた半導体装置を効率よく製造するための半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の裏面Ｂ１を有する第１の炭化珪素基板１１と、第２の裏面Ｂ２を有する第２の炭化珪素基板１２とが準備される。第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２の各々が一の方向に露出するように第１および第２の炭化珪素基板１１、１２が配置される。炭化珪素からなり、かつ第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２を互いにつなぐ成長層３０が化学気相成長法によって形成される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを用いた半導体装置を効率よく製造するための半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２の各々が一の方向を向き、かつ第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２が互いに対向するように、第１および第２の炭化珪素基板１１、１２が配置される。この配置する工程の後に、第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２を互いにつなぎ、かつ第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２が互いに対向する空間を埋めるように、第１および第２の炭化珪素基板１１、１２上に炭化珪素層３０が分子線エピタキシ法によって形成される。 （もっと読む）

【課題】アルカリ金属をフラックスとして用いた結晶成長方法によって貫通転位を低減したＩＩＩ族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】ＧａＮ結晶は、下地体５と、ＧａＮ結晶５３０，５５０とを備える。下地体５は、サファイア基板５０１と、ＧａＮ膜５０２とからなる。ＧａＮ膜５０２は、貫通転位５０２１を有する。ＧａＮ結晶５３０は、下地体５のＧａＮ膜５０２上に結晶成長され、各々が斜めファセット５２１を有する複数のドメイン５２０からなる。ＧａＮ結晶５５０は、ＧａＮ結晶５３０上に形成され、複数のドメイン５４０からなる。 （もっと読む）

【課題】表面のオフ角のばらつきが小さい大面積の窒化物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】シード基板上に半導体層を成長させて窒化物半導体結晶を得る窒化物半導体結晶製造方法において、前記シード基板は同一材料の複数のシード基板を含み、前記複数のシード基板のうち少なくとも１つは他のシード基板とオフ角が異なり、前記複数のシード基板上に単一の半導体層を成長させたときに、前記単一の半導体層のオフ角分布が前記複数のシード基板のオフ角分布よりも少なくなるように、半導体結晶製造装置内に前記複数のシード基板を配置して、前記単一の半導体層を成長させることを特徴とする窒化物半導体結晶製造方法。 （もっと読む）

【課題】効率的にぺロブスカイト構造酸化物薄膜の結晶方位制御ができ、容易に高品位の正方晶系ぺロブスカイト構造酸化物薄膜を提供し得る方法を提供する。
【解決手段】蛍石型の結晶構造を有する金属フッ化物を主成分とする基板の（１１１）面上または（１００）面上に、正方晶系の結晶構造を有し、かつ（００１）、（１０１）または（１１１）の単一結晶配向を有するぺロブスカイト構造酸化物薄膜を作製する（ただし、（１００）面上に、（００１）の単一結晶配向を有する場合を除く）。蛍石型の結晶構造を有する金属フッ化物を主成分とする基板は、金属サイトまたはＦサイトの一部を他の元素で置換して格子定数を制御されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い半導体層を有する半導体基板、半導体基板の製造方法、半導体成長用基板、半導体成長用基板の製造方法、半導体素子、発光素子、表示パネル、電子素子、太陽電池素子及び電子機器を提供する。
【解決手段】芳香族系テトラカルボン酸と芳香族系テトラアミンを縮合して得られる複素環状高分子からなるグラファイト層２と、当該グラファイト層２の表面上に設けられ、当該グラファイト層２の表面を成長面とする半導体層４とを備えた半導体基板１。前記グラファイト層は結晶性に優れているため、グラファイト層の表面を成長面とする半導体層についても、結晶性に優れたものが得られる。これにより、結晶性に優れた半導体層を有する半導体基板１を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れ、基板に対して配向成長したｐ型ＺｎＯナノ構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧力及び温度が制御された反応容器の内部に配置されたＰ（リン）を含有するＺｎＯターゲットにレーザー光を照射し、レーザーアブレーションにより生成した微粒子に由来する微結晶を核としてサファイア単結晶基板表面のｃ面に配向成長したリンを含有するｐ型ＺｎＯナノ構造体が形成される。特に圧力及び温度を適宜選択することにより、ｐ型ＺｎＯナノ構造体として、ｐ型ＺｎＯナノワイヤやｐ型ＺｎＯナノシートを形成することができる。該ＺｎＯナノ構造体は、紫外線センサなどの半導体デバイスとして好適に使用できる。 （もっと読む）

【課題】大口径で主面の面方位が（０００１）および（０００−１）以外で主面内におけるキャリア濃度の分布が実質的に均一であるＧａＮ単結晶基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ単結晶基板２０ｐは、主面２０ｐｍの面積が１０ｃｍ²以上であり、主面２０ｐｍの面方位が（０００１）面または（０００−１）面２０ｃに対して６５°以上８５°以下で傾斜しており、主面２０ｐｍ内におけるキャリア濃度の分布が実質的に均一、たとえば主面２０ｐｍ内において平均キャリア濃度に対するキャリア濃度のばらつきが±５０％以内である。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスとして問題なく動作させるために、少なくとも機能的な働きを行うＺｎＯ系半導体層にアルカリ金属が達するのを防止することができるＺｎＯ系基板及びＺｎＯ系半導体素子を提供する。
【解決手段】
ＺｎＯ系基板中に存在するアルカリ金属の濃度が１×１０^１４ｃｍ^−３以下に形成されているので、このＺｎＯ系基板上に結晶成長されるＺｎＯ系半導体に対してアルカリ金属の偏析を防止することができる。また、基板中のリチウム濃度が１×１０^１４ｃｍ^−３を越えるＺｎＯ系基板であっても、その上に形成するＺｎＯ膜の膜厚を５０ｎｍ以上にすることで、このＺｎＯ膜よりも後に形成されるＺｎＯ系半導体層へのアルカリ金属の偏析を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度が低く高品質な半極性面III族窒化物基板の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板１０を用意する工程と、サファイア基板１０上に、アルミニウムと窒素とを含む中間層１１を、１１００℃以上１３００℃以下の成長温度で気相成長法により形成する工程と、前記中間層１１の上にIII族窒化物層１２を成長する工程とを含む。サファイア基板１０は、中間層１１を成長させる主面が、当該サファイア基板１０のｍ軸と垂直、あるいは、当該サファイア基板１０のｍ軸に対し傾斜している。また、前記III族窒化物層１２を成長する工程においては、第一の薄膜層１２aの上にマスクを形成してから第２の厚膜層１２ｂを形成してもよく、これにより第一の薄膜層１２aと第２の厚膜層１２ｂの間の結合強度を低下させ、比較的小さな応力で下地基板１０を容易に剥離し、III族窒化物層１２の自立基板を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】結晶性が良好な無極性面成長のIII族窒化物半導体層を得ることができる基板を提供すること。
【解決手段】基板１は、下地基板１１と、この下地基板１１上に形成された炭化アルミニウム層１２とを備える。炭化アルミニウム層１２の下地基板１１と反対側の面には、炭化アルミニウム層１２の｛１−１００｝面１２１が露出している。
炭化アルミニウム層の｛１−１００｝面１２１は、下地基板１１の主面１１０に対して傾斜している。 （もっと読む）

【課題】｛０００１｝以外の面方位の主面を有する結晶性の高いＩＩＩ族窒化物結晶を高い結晶成長速度で成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物バルク結晶１から、｛２０−２１｝、｛２０−２−１｝、｛２２−４１｝および｛２２−４−１}からなる群から選ばれるいずれかの結晶幾何学的に等価な面方位に対するオフ角が５°以下の面方位を有する主面１０ｐｍ，１０ｑｍを有する複数のＩＩＩ族窒化物結晶基板１０ｐ，１０ｑを切り出す工程と、基板１０ｐ，１０ｑの主面１０ｐｍ，１０ｑｍが互いに平行で、かつ、基板１０ｐ，１０ｑの［０００１］方向が同一になるように、横方向に基板１０ｐ，１０ｑを互いに隣接させて配置する工程と、基板１０ｐ，１０ｑの主面１０ｐｍ，１０ｑｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】多結晶成長を抑制し、効率よく非極性面を主表面とする窒化物半導体基板を製造可能な窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板であるＧａＮ基板の製造方法は、ＧａＮからなり、｛１−１００｝面に対するオフ角が４．１°以上４７．８°以下である主表面を有する下地基板を準備する工程（Ｓ１０、Ｓ２０）と、下地基板の主表面上に、ＧａＮからなる半導体層をエピタキシャル成長させる工程（Ｓ４０）と、半導体層から、主表面がｍ面であるＧａＮ基板を採取する工程（Ｓ５０）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】球面研磨等を施すことなく、自立基板表面における単一の結晶面の面積を再現性良く大きくすることができるＩＩＩ族窒化物半導体自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体自立基板５０は、基板５０表面がアズグロウンであり、基板５０表面の半分以上の領域が、ＩＩＩ族極性のＣ面からｍ軸方向若しくはａ軸方向に、又はＭ面からｃ軸方向若しくはａ軸方向に傾いたオフ角を有する単一の結晶面からなる。 （もっと読む）