【課題】ナノワイヤー製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に物質膜パターンを形成する段階と、基板上に前記物質膜パターンを覆う第１絶縁膜、第１ナノワイヤー形成層及び上部絶縁膜を順次に積層する段階と、物質膜パターンが露出されるまで上部絶縁膜、第１ナノワイヤー形成層及び第１絶縁膜を順次に研磨して第１ナノワイヤー形成層の一部を露出させる段階と、第１ナノワイヤー形成層の露出された領域に単結晶ナノワイヤーを形成する段階とを含むが、第１絶縁膜及び第１ナノワイヤー形成層の総厚さは、物質膜パターンの厚さより薄く形成することを特徴とするナノワイヤー製造方法。 （もっと読む）

基板（２）の結晶面に柱状エピタキシャルによって材料を堆積し、カラム（４）が連続層（５）を与えるように継続することからなる構造体を製造する方法。前記表面は、ナノメートルスケールのバンプ（３）の周期的なアレイを備え、各々のバンプ（３）は、支持領域（３５）を有し、前記バンプ（３）のアレイの周期（３８）を調整することができる、その結晶格子がねじれ角及び／又は傾斜角を有し及び／又は界面格子不適合を有する２つの結晶素子（１１、１２）間の結合界面（１５）の近傍に位置する結晶領域（１６）内に生成される結晶欠陥及び／又は歪み場のアレイから得られる。前記アレイの周期（３８）、前記バンプの高さ（３６）及びそれらの支持領域（３５）の大きさは、連続層（４０）がバンプの存在なしにエピタキシャル成長を用いて得られる厚さより大きい臨界厚さを有するように調整される。
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【課題】ウェハー面内の特性の均一化を図り歩留まりを向上させる窒化物半導体発光素子を提供することである。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、基板１０と、基板１０上に積層された窒化物半導体層１３とを備え、基板１０が、欠陥集中領域１１と欠陥集中領域１１を除いた領域である低欠陥領域１２とを有し、基板１０の欠陥集中領域１１を含む部分に、低欠陥領域１２の表面よりも掘り込まれた掘り込み領域１４を有するものである。 （もっと読む）

【課題】下地基板表面上に選択エピタキシャル成長用マスクを簡便な方法で形成する方法を提供する。
【解決手段】無機粒子２を媒体に分散させたスラリーを用いて、該スラリー中へ成長用基板１を浸漬させるか、または該スラリーを成長用基板１上に塗布や噴霧した後、乾燥させることにより、成長用基板１の表面１Ａ上に無機粒子２を配置する。成長用基板１上に配置した無機粒子２が、３−５族窒化物半導体層の成長時においてマスクとして作用し、成長用基板１の表面１Ａにおいて無機粒子２の無いところが成長領域１Ｂとなる。 （もっと読む）

【課題】厚み精度の高い水晶波長板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】水熱合成法で育成された人工水晶から第一の水晶板を切り出し（Ｓ１０１）、第一の水晶板を所望の板厚値より薄く研磨加工し（Ｓ１０２）、第一の水晶板研磨加工面上に大気圧気相成長法で先の所望の板厚値から第一の水晶板厚みを差し引いた差分厚みの水晶薄膜をホモエピタキシャル成長させ第二の水晶板を形成する（Ｓ１０３）ことにより水晶波長板を得る。上記工程において、第一の水晶板を所望の板厚値より１μｍ以上〜２０μｍ以下薄く研磨加工し、又、第一の水晶板上にマスクを載置し、第一の水晶板上にマスクパターン形状の水晶薄膜を成長させ、同時に複数個の第二の水晶板を形成する。 （もっと読む）

【課題】 従来の窒化物半導体膜製造技術では、ＳｉＯ₂層によって構成されたマスクパターンを用いた選択成長技術が開発されている。しかし、ＳｉＯ₂層を用いたマスクパターンは熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けたマスクパターンの構成要素であるＳｉまたはＯ₂は窒化物半導体膜に悪影響をもたらし、そのため作製された窒化物半導体発光素子は、発光効率の低下と個々の発光素子の発光効率のばらつきによる製品の信頼性低下を招くと共に、窒化物半導体発光素子生産の歩留まりを低下させるという問題があった。
【解決手段】 本発明の窒化物半導体構造は、凹部及び凸部が形成された同一材料からなる成長面を有する基板と、成長面の少なくとも凸部上に形成された窒化物半導体膜とを有し、凹部は、基板上に設けられた複数の方向の線状の溝によって構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光の吸収係数が小さく高い透明度を有すると共に、充分な導電性を確保することができる窒化物系半導体基板、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板上１１にＧａＮ膜１２及びＴｉ膜１３を形成後、水素ガスとアンモニアガスとの混合雰囲気で加熱して、多孔質ＴｉＮ薄膜１４に変換後、多孔質ＴｉＮ薄膜１４上にファセット成長ＧａＮ１５を形成し、ｃ面以外のファセット面を形成しながら成長する成長初期段階のＧａＮ層の厚さが最終的に成長させたＧａＮ層の全厚の３０％以下となるように、ＧａＮ結晶を成長させてＧａＮ厚膜１７とし、ボイド１６を介してサファイア基板１１から剥離して、ＧａＮ自立基板とする。 （もっと読む）

【課題】３−５族窒化物半導体への損傷がより少なく簡単な方法で成長用基板から３−５族窒化物半導体を分離できるようにした３−５族窒化物半導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】成長用基板１上に無機粒子２を配置した後に３−５族窒化物半導体を成長し、これにより無機粒子２が配された３−５族窒化物半導体３を成長基板１上に形成する。しかる後、３−５族窒化物半導体３と成長基板１との界面付近に光を照射して３−５族窒化物半導体３の上記界面近くの領域を分解し、３−５族窒化物半導体３を成長基板１から分離する。 （もっと読む）

【課題】発光効率が極めて高く、しかも一度のエピタキシャル成長により低コストで製造することができる発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板などの基板１１の一主面にこの基板１１と異なる材料、例えばＳｉＯ₂ 膜により凸部１２を形成し、凸部１２の間の凹部１３に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態を経て窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を成長させた後、この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５から横方向成長を行う。凸部１２の断面形状は例えば三角形または台形とする。この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１５上に、活性層を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させて発光ダイオード構造を形成する。この発光ダイオードを用いて発光ダイオードバックライトなどを製造する。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体層と下地基板との分離を容易にし、損傷の少ないIII族窒化物半導体層を形成することができる形成方法、III族窒化物半導体基板の製造方法およびIII族窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】マスク１１の第二被覆部１１３の幅寸法を、第一被覆部１１２の幅寸法よりも広くする。これにより、ＧａＮ半導体層１３により第二被覆部１１３を覆うのに要する時間が、ＧａＮ半導体層１３により第一被覆部１１２を覆うのに要する時間よりも長くなる。そのため、第二被覆部１１３上に、ＧａＮ半導体層１３により覆われていない露出部１１３Ａを形成して第一被覆部１１２、および第二被覆部１１３をエッチングすることができるので、空隙１４を確実に形成できる。 （もっと読む）

【解決手段】 化学気相堆積法（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎＣＶＤ）を用いた炭素ケイ酸のエピタキシャル成長方法が提供される。この方法は、ハロゲン化炭素前駆体を利用し、更にケイ素及び炭素を含むハロゲン含有中間体化学生成物間の気相相互作用制御するものである。また、デバイス品質であるエピタキシャル層を、低い成長温度で尚且つ軸上又は低いオフ角の基板表面上にて達成される可能性が確認された。当該成長方法は、ＳｉＣ基板表面の非ケイ素カートリッジ領域に形成されるウインドウの中に成長を制限させることにより、所望の形と大きさのＳｉＣデバイス領域の形成に適用可能である。本願明細書に記載された当該発明を適用させることにより、高品質炭化ケイ素物質及びデバイスの製造に大きな利益を与えるものである。 （もっと読む）

【解決手段】ナノロッドアレイを作製する方法であって、基板にパターンを画定し、次に、イオンビーム照射により、基板にイオンを注入することを含んでいる。次に、基板の上に薄膜が形成される。薄膜の成長中、ナノトレンチが生成され、キャピラリー凝縮によるナノロッドの作製が促進される。得られたナノロッドは、支持マトリックスと整列されており、格子及び熱歪効果を受けない。ナノロッドの密度、サイズ及びアスペクト比は、イオンビーム照射及び薄膜成長条件を変えることによって調整可能であり、ナノロッドの放出効率を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】 （０００１）ジャストでなくて（０００１）からずれた結晶方位を有するオフ角のＧａＮ単結晶自立基板をより低コストで作製すること。
【解決手段】 オフ角の（１１１）ＧａＡｓウエハを下地基板として、その上にＧａＮを気相成長させると下地基板と同じオフ角で同じ方向に傾斜しているＧａＮ結晶が成長する。また、オフ角度を有する（１１１）ＧａＡｓ基板を下地基板として用い、その上に複数の窓を有するマスクを形成し、その上からＧａＮ単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、オフ角度を有するＧａＮ自立基板を作製してもよい。０．１゜〜２５゜のオフ角をもつＧａＮ結晶を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明により追加工程なしで下地基板から自己分離する自立半導体基板、自立半導体基板の製造方法びその方法で使用するマスク層を提供する。
【解決手段】半導体基板を製造するための本発明に係る方法は、下地基板を提供する工程と、下地基板上に複数の開口部を備えたマスク層を形成する工程と、少なくとも１つの半導体基板を成長させ、マスク層を少なくとも１つの半導体材料によって横方向に全面成長させる工程と、その後に下地基板、マスク層及び半導体基板を冷却する工程とを含む。マスク層を形成する材料は、少なくとも部分的に窒化タングステンシリサイド又はタングステンシリサイドからなる。半導体基板及び下地基板は、少なくとも１つの半導体基板の成長中又は冷却中に分離され、半導体基板を自立させる。このとき、自立半導体基板を製造するための本発明に係るマスク層は、少なくとも部分的に窒化タングステンシリサイド又はタングステンシリサイドを含む。 （もっと読む）

【課題】 より低温での、回路上への熱損傷を与えることなく、任意の位置においてその場でシリコンナノワイヤーの架橋構造を形成することのできる新しい技術手段を提供する。
【解決手段】 基板表面上の所定位置に触媒金属ドットパターンを配設し、ポリシランガスの３００℃以下の温度でのＣＶＤによって所定の触媒金属ドット間にシリコンナノワイヤーを架橋成長させる。 （もっと読む）

半導体ウェハ（１）を横方向に分断する本発明の方法では、成長基板（２）を準備し、この成長基板（２）に半導体層列（３）をエピタキシ成長させる。ここではこの半導体層列には、分離層（４）として設けられた層と、成長の方向に見てこの分離層に続く少なくとも１つの機能半導体層（５）とが含まれている。引き続いてこの機能半導体層（５）を通して分離層（４）にイオン打ち込み、半導体層をこの分離層（４）に沿って分断し、上記の成長基板（２）を含む半導体ウェハ（１）の部分（１ａ）が切り離される。
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【課題】半導体積層構造物と、これを用いて高品質の窒化物半導体結晶基板及び素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体積層構造物１００は、窒化物半導体結晶面である上面を有する基礎基板１０１と、上記基礎基板上で間隔を置いて水平方向に延長された流通孔パターン１０５を囲う成長防止膜１０３と、上記流通孔パターン１０５の間の領域で上記基礎基板１０１の上面と接触するよう上記基礎基板上に形成され、上記成長防止膜１０３を覆う窒化物半導体結晶層１０７を含む。上記半導体積層構造物は、低欠陥高品質の窒化物半導体結晶層、窒化物半導体結晶基板及び窒化物半導体素子を得ることに利用される。 （もっと読む）

【課題】従来のオリエンテーションフラットやインデックスフラットよりも容易に作製することができ且つ視認ができる表裏の判別手段を備えた半導体形成用基板、窒化物系半導体基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板の周辺部に、前記基板の表面から裏面へ貫通する貫通孔５を設け、その貫通孔の数の相違をもって又は中心からの距離の相違をもって、表裏の判別を可能とする。上記貫通孔の形成は、窒化物半導体の気相成長において、元となる種結晶表面の任意の位置に、ＧａＮ以外の材料（例えばカーボン片）を付け、または凹凸をつけることで、その上部に正常に成長しない領域を形成した状態でエピタキシャル層を成長させることにより、成長と同時に貫通孔が形成される。 （もっと読む）

半極性窒化物薄膜の欠陥低減に関する横方向成長方法を開示する。工程ステップは半極性窒化物の面および組成を選択するステップと、半極性窒化物の面および組成の成長に適した基板を選択するステップと、半極性窒化物が基板のある領域上では核生成し、基板の他の領域上では核生成しない選択成長工程を適用するステップとを含み、選択成長工程は横方向エピタキシャル・オーバーグロス （ＬＥＯ）法、側壁利用の横方向エピタキシャル・オーバーグロス （ＳＬＥＯ）法、カンチレバー・エピタキシー法あるいはナノマスキング法による窒化物材料の横方向成長を含むことを特徴とする。
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【課題】 １０^６ｃｍ^−２以下の低転位密度のＧａＮ単結晶基板を提供すること。
【解決手段】 気相成長の成長表面が平面状態でなく、ファセット面が集合した三次元的な凹部のファセット構造を持つようにし、最後までファセット構造を持ったまま、成長の終了までファセット構造を埋め込まないで成長させることにより転位をファセット底部に集合させ、ファセット底部に続く線領域以外の部分の転位を低減するようにして得た単結晶窒化ガリウム。 （もっと読む）