【課題】 アルカリ金属の拡散が防止された半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 III族元素窒化物結晶基板１３の上にIII族元素窒化物結晶層１８が積層されたIII族元素窒化物半導体デバイスにおいて、前記基板１３が、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方を含む融解液（フラックス）中において、窒素含有ガスの前記窒素とIII族元素とを反応させて結晶化させることにより製造されたものであり、前記基板１３上に、前記基板１３における前記基板１３中の不純物の拡散係数よりも小さい、前記基板１３中の不純物の拡散係数を有する薄膜層１５を形成する。 （もっと読む）

ナノワイヤの成長に用いるための、ナノスケールの大きさの触媒領域からなる所定のパターンを形成する方法を提供する。当該方法は、非触媒材料によって包囲された触媒ナノアイランドあるいはナノスケールの触媒材料領域からなるアレイを製造するための、１つ又は複数のナノインプリンティングステップを包含する。
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【課題】ピエゾ電界の悪影響を派生問題なく効果的に緩和若しくは最小化する。
【解決手段】各非縦方向成長部４の上面では、ｘｙ平面に平行にｒ面が結晶成長し、これらの個々のｒ面は、側壁面１ｂの近傍に若干のボイド５を形成しつつも、ストライプ溝Ｓを完全に覆い隠すまで結晶成長して、最終的には略一連の平坦面が形成される。この時以下の結晶成長条件下で５０分間、非縦方向成長部４のファセット成長を継続する。このファセット成長の条件設定は、継続的かつ順調なファセット成長を促進する上で重要である。また、下記の結晶成長速度は、ｒ面に垂直な方向の結晶成長速度である。 結晶成長温度 ： ９９０〔℃〕 結晶成長速度 ： ０．８〔μｍ／ｍｉｎ〕 供給ガス流量比（Ｖ／III 比）： ５０００ （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、大気圧下での水晶波長板の育成において、電気炉内に載置されたサファイヤ等の単結晶または石英ガラス等の非晶質の基板上に、載置されたマスクパターン形状の水晶波長板を育成させ、一度に先の基板上に複数個の二つの波長において同じ屈折率差Δnを有する水晶波長板、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
上記目的を達成する為に本発明は、気相成長法で基板上に成長させて成る水晶波長板において、水晶波長板の育成中に添加物を加えることで、二つ以上の波長において異常光線の屈折率から常光線の屈折率を差し引いた差が同じとなる水晶波長板であることを特徴とし、又、気相成長法で基板上に成長させて成る水晶波長板の製造方法で、添加物を加えながら、マスクが載置された基板上に、マスクパターン形状の前述の特性を有する水晶波長板を基板上に一度に複数個育成させることで目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】非常に平坦性で完全な透明性と鏡面性をもつｍ面窒化ガリウム（ＧａＮ）膜を成長する方法。
【解決手段】本方法は、選択横方向成長技術によって構造欠陥密度の大幅な低減を実現する。高品質で、一様で、厚いｍ面ＧａＮ膜は分極のないデバイスの成長のための基板として用いるために作製される。 （もっと読む）

エピタキシャル炭化ケイ素層が、結晶学的方向に向かってオフアクシスに方向付けられた炭化ケイ素基板の表面内に第１の形態を形成することによって作製される。第１の形態は、結晶学的方向に対して非平行（すなわち、斜めまたは直角）に方向付けられた少なくとも１つの側壁を備える。次いで、第１のエピタキシャル炭化ケイ素層を、第１の形態を備える炭化ケイ素基板の表面上に成長させる。次いで、第２の形態が．、第１のエピタキシャル層内に形成される。第２の形態は、結晶学的方向に対して非平行に方向付けられた少なくとも１つの側壁を備える。次いで、第２のエピタキシャル炭化ケイ素層が、第２の形態を備える第１のエピタキシャル炭化ケイ素層の表面上に成長される。
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優先的な方向への成長を抑制するために核形成条件を規則することによって、ナノウィスカーが非優先成長方向に成長する。好ましい実施例において、＜００１＞III-Ｖ半導体ナノウィスカーは、優先的な＜１１１＞Ｂ方向への成長を有効に抑制することによって、（００１）III-Ｖ半導体基板上に成長する。一例として、金属−有機物の蒸気相エピタキシーによって、＜００１＞ＩｎＰナノワイヤが直接（００１）ＩｎＰ基板上に成長する。走査電子顕微鏡と透過電子顕微鏡による特徴付けによって、ほぼ正方形の断面と積層欠陥のない完壁なせん亜鉛鉱結晶の構造を持つワイヤが明らかになった。
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選択的エピタキシャル成長モードと傾斜エピタキシャル成長モードとの組み合わせを用いた単結晶エミッタの形成。対向するシリコン酸化物の側壁（１２）を有するシリコン基板（１６）上にトレンチ（１４）を設ける工程と、トレンチ内部のシリコン基板上に高濃度にドープされた単結晶層（１８）を選択的に成長させる工程と、シリコン酸化物側壁上方にアモルファス又はポリシリコンの層を形成するために、トレンチ上方にシリコン層（２０）を非選択的に成長させる工程とを含む。
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