【課題】下地基板の上にマスクを設けその上にＧａＮをＨＶＰＥ成長させマスク端部から立ち上がるファセットを維持しながら成長させると、マスクの部分は欠陥集合領域Ｈとなりファセット成長した部分は単結晶低転位領域となるが、欠陥集合領域Ｈが多結晶だったり方位が傾斜した単結晶だったりする。そこで、クラックの生じない自立ＧａＮ基板を提供する。
【解決手段】初め低温で成長させマスク６３上に多結晶微粒子７０を生成し高温でエピタキシャル成長させ露出部６９だけに窒化ガリウム薄膜６４が成長するようにし、マスク６３の端から傾斜して伸びるファセット６６を充分に広くなるようにし、ファセット６６から方位反転した爪状の突起６８がマスク６３の上方へ伸びるようにする。突起６８が伸び合体し、その上に成長する部分は方位反転結晶の欠陥集合領域Ｈとなる。熱膨張率異方性の違いがなくクラックが発生しない基板を与えることができる。 （もっと読む）

第１半導体材料の結晶基板と、結晶基板の表面上に配置されるマスク（１１）とを含む半導体ヘテロ構造（１０）である。マスク（１１）は、９００ｎｍ以下の幅（ｗ）を有する複数の細長い開口部（１３，１４）を含む開口（１２）を有する。細長い開口部の少なくとも第１開口部（１３）は、複数の細長い開口部のうちの少なくとも１つの第２開口部（１４）に対して非平行に配向される。半導体ヘテロ構造（１０）は、開口（１２）を充填してマスクをカバーする第２半導体材料のオーバーグロース結晶層をさらに含む。かかる半導体ヘテロ構造の製造方法も提示される。
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【課題】シリコン基板上に、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層を島状あるいは網状に形成することにより、一枚のシリコン基板から、高品質なＳＯＩ基板を提供する。
【解決手段】シリコン基板２の上面には、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層４が島状あるいは網状に形成されている。熱処理を行なうことにより、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層４の間から酸化シリコン層６が成長する。次に、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層４の上面より単結晶シリコン層８が上方向に成長し、結晶欠陥の少ないＳＯＩ基板を得ることができる。 （もっと読む）

半導体構造は、基板、前記基板上の核生成層、前記核生成層上の組成傾斜層、及び前記組成傾斜層上の窒化物半導体材料の層を含む。前記窒化物半導体材料の層は、前記窒化物半導体材料の層の中に間隔をおいて配置された複数の実質的に緩和された窒化物中間層を含む。前記実質的に緩和された窒化物中間層は、アルミニウム及びガリウムを含み、ｎ型ドーパントで導電的にドープされ、また前記複数の窒化物中間層を含む前記窒化物半導体材料の層は、少なくとも約２．０μｍの全厚を有する。
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層状半導体デバイスの製造方法であって、（ａ）複数の半導体ナノ構造を含む基体を用意する工程と、（ｂ）エピタキシャル成長法によって前記ナノ構造上に半導体材料を成長させる工程と、（ｃ）エピタキシャル成長法によって前記半導体材料上に前記半導体デバイスの層を成長させる工程と、を含む方法。
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【課題】 エピタキシャル成長により結晶欠陥の少ない低転位領域を有するＧａＮ系半導体を提供する。
【解決手段】 ＧａＮ系半導体のファセット構造を形成しながら成長させて隣接するファセット構造を合体させる。ファセット構造が成長するにしたがい下地からの転位が曲がり低転位領域が形成される。更にファセット構造を成長させて隣接するファセット構造を合体させることでファセット面とファセット面とが重なる領域に曲がった転位を集める。 （もっと読む）

【課題】 ＩＩＩ族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を選択的に成長させることにより、ＩＩＩ族窒化物半導体微細柱状結晶の位置および形状を制御する。
【解決手段】 微細柱状結晶の製造方法が、基板表面の所定領域に、金属窒化物または金属酸化物からなる表面を有する膜を形成する工程と、前記基板表面に成長原料を導き、前記膜上の領域を微細柱状結晶の成長促進領域として、少なくとも前記微細柱状結晶の成長促進領域上にＩＩＩ族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

本発明は、ダイオード、ＬＥＤおよびトランジスタなどの多くの半導体デバイスに応用可能な窒化物半導体の成長に関する。本発明の方法によると、窒化物半導体のナノワイヤは、選択領域を成長させる技術をベースとする化学蒸着法（ＣＶＤ）を利用して成長する。ナノワイヤの成長工程中、窒素源と有機金属源とが存在し、少なくとも窒素源の流量はナノワイヤ成長工程中、連続して存在している。本発明の方法で利用されるＶ／III比は、一般的に窒化基半導体の成長に関連するＶ／III比より実質的に低い。
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パターン化されたマスクを通じてエッチングされたテンプレート材料の側壁からの横方向エピタキシャル・オーバーグロス法を用いた、ａ−｛１１−２０｝面およびｍ−｛ｌ−１００｝面のような無極性または｛１０−ｌｎ｝面のような半極性ＩＩＩ族窒化物における貫通転位密度の低減方法が提供される。該方法は、無極性または半極性ＧａＮテンプレートのようなテンプレート材料上にパターン化されたマスクを成膜するステップと、該マスク内の開口を通して色々な深さまで該テンプレート材料をエッチングするステップと、該トレンチの底面から垂直に成長している材料が該側壁の上面に達する前に、該側壁の上面から横方向に会合することによって無極性または半極性ＩＩＩ族窒化物を成長するステップとを含む。該会合する特徴物は、該マスクの該開口を通して成長し、完全に会合した連続する薄膜が実現するまで、該誘電体マスク上を横方向に成長する。
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【課題】金属層上に化合物半導体層が成長した半導体基板を簡便かつ安価で製造することができる方法、並びにそれによって製造された化合物半導体基板及び素子を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板の製造方法は、（ａ）複数の球形ボールを用意するステップと、（ｂ）基板上に複数の球形ボールをコーティングするステップと、（ｃ）球形ボールがコーティングされた基板上に球形ボールの直径より小さい厚さの金属層を蒸着するステップと、（ｄ）金属層が蒸着された基板から複数の球形ボールを除去するステップと、（ｅ）複数の球形ボールが除去されて露出した基板の表面から化合物半導体層を成長させるステップと、（ｆ）化合物半導体層を側面方向に成長させて金属層上で互いに繋げるステップと、（ｇ）化合物半導体層を目標とする厚さまで成長させるステップとを含む。 （もっと読む）

本発明は、窒化物の単結晶を、結晶成長に適した基板上にエピタキシャル成長によって製造する方法であって、前記基板上に、基板端部に単結晶が成長しないようにするのに適したマスクが堆積されている、方法に関する。
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【課題】単結晶シリコンロッドの製造方法及び単結晶シリコンロッド構造体を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁層を形成する工程と、絶縁層にホールを形成する工程と、ホール内にシリコンを選択成長させる工程と、ホール及び絶縁層上にシリコン層を形成する工程と、シリコン層にホールに対して非放射状方向にロッドパターンを形成する工程と、シリコン層を溶融させてホールに対応する位置に結晶核が生成されるように、ロッドパターンが形成されたシリコン層上にレーザビームを照射してシリコン層を結晶化する工程と、を含む単結晶シリコン製造方法である。これにより、欠点のない単結晶シリコンロッドを形成しうる。 （もっと読む）

【課題】コストを低減するとともに、基板の不良領域の分布に関わらず、基板の不良領域上に容易にフォトレジストパターンを形成することのできるフォトレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】フォトレジストパターン形成方法は、まず、基板１０を準備する。そして、基板１０の表面１０ａ上にマスク層２０を形成する。そして、マスク層２０上にフォトレジスト３０を形成する。そして、フォトレジスト３０に感光しない波長を有する第１の光源と、フォトレジスト３０に感光する波長を有する第２の光源とを有する光学顕微鏡を準備する。そして、第１の光源を用いて、フォトレジスト３０を介して基板１０の不良領域１１を検出する。そして、検出する工程で不良領域１１が検出されると、第２の光源に切り替えて不良領域１１上のフォトレジスト３０を感光させる。そして、感光させる工程で感光されていない領域のフォトレジスト３０を除去して、フォトレジストパターン３１を形成する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上の任意の場所にダイヤモンドの薄膜を合成する方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板４にダイヤモンドを合成する方法であって、（Ａ）所望の形状にマスキングする工程、（Ｂ）ダイヤモンドパウダーによりガラス基板４表面を傷つける工程、（Ｃ）内部に加熱手段を有する密閉されたチャンバ内にガラス基板４を設置し、チャンバ内に水素及びダイヤモンドの炭素源としての液体炭素源を導入する工程、（Ｄ）加熱手段２にて加熱し、液体炭素源から炭素を蒸発させてガラス基板４上にダイヤモンドとして析出させる工程を有するダイヤモンドの合成方法である。 （もっと読む）

【課題】特性の優れた半導体素子を製造するための高品質炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板上にエピタキシャル薄膜を有する炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハであって、エピタキシャル薄膜が炭化珪素単結晶基板上に形成された第1のエピタキシャル薄膜とこの第1のエピタキシャル薄膜内に形成された第2のエピタキシャル薄膜とを有する炭化珪素単結晶エピタキシャルウェハ及びその製造方法。 （もっと読む）

例示の実施例は、高品質（即ち、無欠陥）のＩＩＩ族窒化物ナノワイヤー及び均一なＩＩＩ族窒化物ナノワイヤーアレイを含む半導体デバイス、並びに規模の変更が可能なこれらの製造工程であって、各ナノワイヤーの位置、指向方向、断面の特徴、長さ及び結晶化度を正確に管理し得る製造工程を提供する。約１０−１０００ｎｍの例示の直径の一定の断面特徴で約１０ｎｍから約１０００μｍの一様な長さを提供する開示されたＩＩＩ族窒化物ナノワイヤー及び／又はナノワイヤーアレイを製造するためにパルス状成長モードを使用することができる。加えて、可視ＬＥＤ及びレーザーの製造を容易にするために、多数のＧａＮナノワイヤー及び／又はナノワイヤーアレイを合体させることにより高品質のＧａＮ基板構造を形成することができる。更に、各ナノワイヤーの非極性側壁におけるコアシェル成長により、コアシェルナノワイヤー／ＭＱＷ能動構造を形成することができる。
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【課題】比較的深い溝、穴及び貫通孔が精度良くダイヤモンドに形成可能なダイヤモンド構造体の製造方法とダイヤモンド構造体とを提供すること。
【解決手段】積層体５４に含まれる第２層５８〜第５層６４は、第１層５６に対するウェットエッチングに対しエッチング耐性のある材料から成り、第５層６４は、第２層５８〜第４層６２に対しドライエッチングが行われる場合、各ドライエッチングに対してエッチング耐性のある材料から成る。 （もっと読む）

【課題】電極として使用が可能で、電気化学的酸化処理中に基板自体が腐食する、又はダイヤモンド層と基板が剥離することにより電解が継続できなくなる、又は電解効率が著しく悪くなるという問題を解決する基板及び電極を提供する。
【解決手段】基板および該基板に被覆した導電性ダイヤモンド層からなり、該ダイヤモンド層を構成するダイヤモンド膜の連続している部分の最大面積が１μｍ^２以上１００ｍｍ^２以下であるダイヤモンド被覆基板である。特にダイヤモンド層厚は３〜１００μｍが好ましく、基板表面の粗さはＲａ０．１μｍ以上であることが好ましい。特に前記導電性ダイヤモンド層によって被覆される基板の材質は、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｗのいずれかであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】同一半導体基板上に長さの異なる複数の針状体の形成を可能とするシリコン針状体の長さ制御技術を提供することを目的とする。
【解決手段】長さの異なる針状体を形成するために、ＶＬＳ成長と触媒となる金属材料の露出を交互に繰り返すことで多段成長させ、針状体の長さを制御する方法、又は所望の部位の金属材料を露出し、ＶＬＳ成長した後に先端金属を除去することで所望の長さの針状体を作製し、これを繰り返すことで異なる長さの針状体を実現する方法のいずれかにより解決することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 下地基板の上にドットマスクやストライプマスクを付けて窒化ガリウム結晶をエピタキシャル成長させる際に、露呈部で成長が始まりマスクの上の成長が始まらないので、マスク端から立ち上がるファセットができる。マスクの上は結晶欠陥集合領域Ｈができるが、これはｃ軸方位が反転した単結晶である反転領域Ｊであることが望ましい。マスク上に必ず反転領域Ｊを生成するようにすること。
【解決手段】 反転領域Ｊができるためにはファセットに方位の反転した極性反転結晶が発生することが必要である。成長温度や成長速度を適切な範囲とすることで、ファセットを埋め込まないようにして気相法で窒化ガリウムを成長させる。 （もっと読む）