【課題】半導体結晶の劣化を引き起こすＡｕ等の材料を必要とせず、先端が極めて鋭い針状結晶を製造することができる針状結晶の製造方法と、被観察物表面の極めて微細な凹凸に対応することが可能な走査型プローブ顕微鏡のカンチレバーとを提供する。
【解決手段】ガリウム砒素基板２０上に所定パターンの絶縁膜２６を形成する絶縁膜形成工程と、絶縁膜２６が形成されたガリウム砒素基板２０上にＭＯＣＶＤ法によりＧａＩｎＰを堆積する半導体堆積工程とを備え、堆積工程の際に、絶縁膜２６が形成された領域を除くガリウム砒素基板２０上の領域にＧａＩｎＰの層２８を成長させつつ、絶縁膜２６上にＧａＩｎＰからなる粒状物３０を発生させ、該粒状物３０を種結晶としてガリウム砒素基板２０の板面の法線方向に沿ってＧａＩｎＰを結晶成長させることにより、針状結晶１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】格子欠陥が集中する領域を極力小さくし、どのようなデバイスにも適用できるようにした窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】成長用基板１上に選択成長用マスク１１及びＡｌＮバッファ層２が形成され、さらにノンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層されている。成長用基板１上に形成される選択成長用マスク１１は、円形状又は多角形状の形状を有しており、選択成長用マスク１１の周囲が成長用基板１で囲まれた島状に複数形成されている。このようにすることで、格子欠陥が集中する領域を極力小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】 反りが少なくクラックが発生しない半絶縁性の窒化物半導体結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 下地基板の上に、幅或いは直径ｓが１０μｍ〜１００μｍであるドット被覆部或いはストライプ被覆部を間隔ｗが２５０μｍ〜２０００μｍであるように並べたマスクを形成し、ＨＶＰＥ法によって成長温度が１０４０℃〜１１５０℃であって、５／３族比ｂが１〜１０であるような３族、５族原料ガスと、鉄を含むガスとを供給することによって下地基板の上に窒化物半導体結晶を成長させ、下地基板を除去することによって、比抵抗が１×１０^５Ωｃｍ以上、厚みが１００μｍ以上、反りの曲率半径が３ｍ以上の自立した半絶縁性窒化物半導体基板を得、更にその基板を用いたデバイスの作製を得る。 （もっと読む）

【課題】二種類の材料系を分離する方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施例による二種類の材料系の分離方法は、サファイアバルクを提供するステップと、サファイアバルク上に窒化物系を形成するステップと、サファイアバルクと窒化物系との間に少なくとも二つの中空通路を形成するステップと、中空通路のうち少なくとも内表面をエッチングするステップと、サファイアバルクと窒化物系を分離するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの向上が図られたＧａＮエピタキシャル基板、またこのＧａＮエピタキシャル基板を用いた半導体デバイス、ＧａＮエピタキシャル基板及び半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮエピタキシャル基板５１の製造方法は、下地基板１０の上に第１ＧａＮ層１１をエピタキシャル成長させる第１ＧａＮ層形成工程と、第１ＧａＮ層形成工程の後に、下地基板１０の上面に凹部１０ａを形成する凹部形成工程と、凹部形成工程の後に、第１ＧａＮ層１１ａ上に第２ＧａＮ層１２をエピタキシャル成長させる第２ＧａＮ層形成工程と、を有するため、クラックの発生が抑制され、歩留まりが向上する。 （もっと読む）

【課題】発光素子、電子デバイス用素子に用いられるＧａＮ自立基板であって、素子の歩留りの向上ができるＧａＮ自立基板及びＧａＮ自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板上に形成したＧａＮ薄膜上にマスクを形成して下地基板とした後、前記下地基板上にＩＩＩ族原料ガスとＶ族原料ガスとを導入し、成長温度１１００℃以上１４００℃以下、ＩＩＩ族原料ガスの分圧に対する前記Ｖ族原料ガスの分圧の比（Ｖ／ＩＩＩ比）が０．４以上１以下の範囲内の第１の条件で マスクが形成されていないＧａＮ薄膜の領域から、断面が略三角形状のＧａＮ単結晶としての成長結晶を成長させ、つづいて第２の条件で選択横方向成長させることにより、ＧａＮ単結晶を成長させる。こうして得られたＧａＮ単結晶は基板表面と、基板表面に含まれる極性反転区（インバージョンドメイン）とを備え、極性反転区の基板表面における個数密度が２０ｃｍ^−２以下となる。 （もっと読む）

【課題】シード層の結晶欠陥を低減し、良質なＳｉＣ基板を製造する。
【解決手段】本発明の半導体基板の製造方法は、絶縁層２０上にＳｉＣ層３０を備えた半導体基板１の製造方法である。支持基板１０上に絶縁層２０とＳｉ層５０とが順次形成されてなるベース基板１００のＳｉ層５０に、絶縁層２０を露出させる溝部４０を形成し、溝部４０によってＳｉ層５０を複数の島状のＳｉ部５５に区画するＳｉ部区画工程と、Ｓｉ部５５を炭化して島状のシード部６５を形成し、シード部６５からなるシード層６０を形成するシード層形成工程と、シード部６５をエピタキシャル成長させて島状のＳｉＣ部３５を形成し、ＳｉＣ部３５からなるＳｉＣ層３０を形成するＳｉＣ層形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】凹部が浅く扁平であるＰＳＳ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｓａｐｐｈｉｒｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）を用いた場合であっても、ＰＳＳと窒化物半導体膜との間に空洞を確実に形成することのできる、ＰＳＳ／窒化物エピウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）からなる低温バッファ層を、凹部の底面上と凸部の上面上とで低温バッファ層の成長速度および／またはＡｌ組成ｘが異なるように成長させる工程と、この工程に続いて窒化物半導体膜を成長させる工程とを有し、窒化物半導体膜を成長させる工程の初期において、凹部の底面上における窒化物半導体の成長速度が、凸部の上面上における窒化物半導体の成長速度よりも小さくなるように、低温バッファ層の膜厚を設定する。 （もっと読む）

【課題】マイクロパイプ欠陥が少なく、膜厚の再現性および均一性が高い単結晶ＳｉＣエピタキシャルを生成する。
【解決手段】単結晶ＳｉＣ基板１１と炭素原料供給板２４とをスペーサー２３を介して対向させ、単結晶ＳｉＣ基板１１と炭素原料供給板２４との間に生じるスペースに金属Ｓｉ融液層２７を介在させた状態で熱処理を行うことによって単結晶ＳｉＣ基板１１上にＳｉＣをエピタキシャル成長させる単結晶ＳｉＣエピタキシャル膜の製造方法において、上記スペーサー２３として、炭素原料供給板２４の表面にフォトレジストを塗布した後、このフォトレジストを硬化させることによって形成されたスペーサーを用いる。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上させた発光素子などの半導体装置を得ることが可能なＧａＮ基板、当該ＧａＮ基板の主表面上にエピタキシャル層を形成したエピタキシャル層付き基板、半導体装置およびＧａＮ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板は、主表面を有するＧａＮ基板であって、主表面の法線ベクトルに対し、面方位［０００１］に対応するベクトルＡＢを、互いに異なる２つのオフ角θ１およびθ２だけ傾斜させたベクトルＡＤの方向に傾斜させる。 （もっと読む）

【課題】品質の良い非極性面ＩＩＩ族窒化物の単結晶からなる自立基板を高い生産性で得る方法を提供することである。
【解決手段】非極性面ＩＩＩ族窒化物からなる下地膜２を基板１上に気相成長法により形成する。下地膜２上に、細長い開口部４を輪郭づけるマスク３を形成する。次いで、非極性面ＩＩＩ族窒化物からなり、ａ軸、ｃ軸およびｍ軸の結晶方位を有する種結晶膜６を気相成長法によって形成する。非極性面ＩＩＩ族窒化物１０を種結晶膜６上にフラックス法によって育成する。種結晶膜のｃ軸と開口部の長手方向とがなす角度が３０°以上である。 （もっと読む）

本発明は、小さい欠陥密度を有しかつ選択された結晶極性をオプションとして有する、ＩＩＩ族窒化物半導体材料からなる実質的に連続的な層を製造するための方法を提供する。この方法は、テンプレート構造上に不規則に配置されたＩＩＩ族窒化物材料からなる複数のピラー／アイランドの上部にエピタキシャル成長の核形成および／または播種することを含む。アイランドの上部は、小さい欠陥密度を有し、また、選択された結晶極性をオプションとして有する。本発明は、また、マスク材料からなる実質的に連続的な層を有するテンプレート構造を含み、ピラー／アイランドの上部は、このマスク材料から突き出る。本発明は、広範囲の元素半導体材料および化合物半導体材料に適用されてもよい。 （もっと読む）

【課題】品質の良い非極性面ＩＩＩ族窒化物の単結晶からなる自立基板を高い生産性で得る方法を提供することである。
【解決手段】非極性面ＩＩＩ族窒化物からなる下地膜２Ａを基板１上に気相成長法により形成する。下地膜上に、ストライプ状の開口部４を輪郭づけるマスク３を形成する。非極性面ＩＩＩ族窒化物からなり、ａ軸、ｃ軸およびｍ軸の結晶方位を有する種結晶膜６をマスクを被覆するように気相成長法によって形成する。非極性面ＩＩＩ族窒化物８を種結晶膜６上にフラックス法によって育成する。種結晶膜６のｃ軸と開口部４の長手方向Ｚとがなす角度θが４０°以上、９０°以下である。 （もっと読む）

本発明は、小さい欠陥密度を有するＩＩＩ族窒化物半導体材料からなる実質的に連続的な層を製造するための方法を提供する。この方法は、ベース基板上において核形成層をエピタキシャル成長させ、この核形成層を熱処理し、不連続なマスク層をエピタキシャル成長させることを含む。簡単に説明されるこの方法は、マスクし、消滅させ、および、融合させることによって欠陥を減少させることを促進し、それによって、小さい欠陥密度の半導体構造をもたらす。本発明は、広い範囲の半導体材料に適用されてもよく、元素半導体、例えば、ひずみＳｉ（ｓＳｉ）と組み合わせたＳｉ（シリコン）、および／または、Ｇｅ（ゲルマニウム）、および、化合物半導体、例えば、ＩＩ−ＶＩ族およびＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体材料のいずれにも適用されてもよい。 （もっと読む）

【目的】短い時間で高品質の単結晶炭化珪素基板を得ることができる単結晶炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶炭化珪素の｛０００１｝面を主面とする種結晶基板１の内部に含まれるマイクロパイプ２や転位３を、まず強アルカリ溶融塩への浸漬でピット４に変え、次いで基板１の全面を炭素もしくはモリブデンなどの高融点金属からなるマスク５によって覆い、化学機械研磨もしくは機械研磨でピット４部のマスク６以外の箇所のマスク５を除去した後、新たに成長させたエピタキシャル成長層７で基板１の全面を覆い尽くすことで、短い時間で高品質の単結晶炭化珪素基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】異種材料が埋め込まれた３−５族窒化物半導体を含む化合物半導体結晶を、厚さを大きくすることなしに結晶性よく基板上に成長させる、化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】成長基板１１上に、成長基板１１及び３−５族窒化物半導体を含む化合物半導体のいずれとも異なる異種材料が埋め込まれた窒化物半導体を含む窒化物半導体層１３を設けて化合物半導体基板を製造する場合、異種材料としてタンタル、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、プラチナ、バナジウム、パラジウム、またはそれらのいずれかを含む合金からなる金属材料を選択し、該金属材料による埋め込み部１２Ａを成長基板１１上に形成し、埋め込み部１２Ａによって横方向成長を促進させつつ３−５族窒化物半導体を含む化合物半導体をエピタキシャル結晶成長させ、これにより、成長基板１１の上に３−５族窒化物半導体を含む化合物半導体エピタキシャル結晶を積層する。 （もっと読む）

【課題】 限られた数のＣＮＴを基板上に垂直成長させる試みはこれまでにも多数報告されているが、成長方向にバラツキが出る、ＣＮＴの成長数の制御が困難である、あるいは方法が複雑である等の問題点を抱えている。そこで、本発明の目的は、実用的観点において有効なＣＮＴの限定成長方法を提供することにある。
【解決手段】針状基板に触媒用金属を蒸着する触媒薄膜層形成のための第１工程と、該触媒薄膜層上に、非触媒用金属を蒸着し触媒被覆層を形成する第２工程と、前記２層が蒸着された針状基板の先端部をエッチング法により触媒被覆層を除去し触媒薄膜層を露出させる第３工程と露出触媒薄膜を微粒子化する第４工程とで構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板上に形成した金属窒化層を利用して、転位密度の低い優れた発光特性をもったＧａＮ半導体などのIII族窒化物半導体を、従来の製造方法に比べて、より少ない工程で製造する方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１の（０００１）Ｓｉ面上に金属層を部分的に設け、金属層および金属層の間に露出するＳｉＣ基板１の（０００１）Ｓｉ面を窒化することにより、金属窒化物層２とＳｉＮ面４を形成し、金属窒化物層２にIII族窒化物半導体３をエピタキシャル成長させ、ＳｉＮ面４上に横方向成長させる。 （もっと読む）

【課題】 応力が低減された半導体素子用基板の提供。
【解決手段】異種基板１１としてサファイア基板を使用し、ＭＯＣＶＤ装置を用いて前記サファイア基板上に３００Å以下の膜厚でＧａＮからなるバッファー層（図示せず）を形成した後、前記異種基板１１の上に触媒層１２をパターン形成する（ａ）。この触媒層１２は基板側から窒化物／遷移金属、又は遷移金属／窒化物／遷移金属との順に積層され、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏから選ばれる少なくとも一つの元素を含有するものであって、スパッタ装置を用いて形成される。その後、ウェハーをプラズマＣＶＤ装置に搬入し、カーボンナノチューブ１３を前記触媒層上に形成する（ｂ）。この後、ウェハーをＭＯＣＶＤ装置に移動し、半導体層１４を形成する（ｃ）。次に、半導体層１４を形成したウェハーから異種基板１１を除去して半導体素子用基板とする（ｄ）。 （もっと読む）

【課題】結晶を厚く成長させても、転位を特定部分に集めて閉じ込めることにより、転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板１０の主面１０ｍの一部に複数のマスク１４を形成する工程と、主面１０ｍ上においてマスク１４の端面１４ｅに繋がる位相境界２６を含むＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程を含み、各マスク１４は、ケイ素化合物マスクとケイ素化合物マスクの端面の少なくとも一部に接触する融点が１０００℃以上の遷移金属マスクを含む。 （もっと読む）