【課題】 金属液滴を成長核として用いるナノワイヤ形成法において、隔絶のための薄膜の厚さ等の制限無くかつ方向の揃ったナノワイヤを安定的にかつ再現性よく製造する。
【解決手段】 半導体ナノワイヤ４４の製造方法であって、半導体から成る基板４２上に非結晶から成る薄膜４３を形成する工程と、薄膜４３上に金属液滴４１を形成する工程と、金属液滴４１を成長核として上記半導体から成る半導体ナノワイヤ４４を結晶成長する工程とを有し、薄膜４３は金属液滴４１と化学反応する材料から成る。 （もっと読む）

【課題】平坦性のよい高品質な窒化物単結晶半導体層を第2の基板の表面に接合した半導体複合装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体複合装置の製造方法において、母材基板101の表面に窒化インジウム層を含む第1の窒化物単結晶半導体層102を形成する第1工程と、第1の窒化物単結晶半導体層の表面に第2の窒化物単結晶半導体層103を形成する第2工程と、第2の窒化物単結晶半導体層をパターン形成する第3工程と、パターン形成された第2の窒化物単結晶半導体層113を被覆する保護膜を形成する第4工程と、第１の窒化物単結晶半導体層を活性水素に曝露して窒化インジウム層を金属インジウム層に改質させる第5工程と、金属インジウム層をエッチングして第2の窒化物単結晶半導体層を第1の基板から剥離する第6工程と、剥離した第2の窒化物単結晶半導体層を第2の基板の表面に接合する第7工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】結晶方位に関し反対向きの構造を取る異なる極性Ａ、Ｂを混在させた結晶において少なくとも表面において極性Ａの単結晶としてデバイスをその上に製造するに適した単結晶基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶方位に関し反対向きの構造を取る異なる極性Ａ、Ｂを持つ部分が混在する結晶において、一方の極性Ｂの部分をエッチングして表面部分を除去し、あるいは除去せずそのままに極性Ｂの上を異種物質(マスク）Ｍで被覆し、さらに同じ結晶の成長を行い極性Ａの結晶によって表面を覆うようにする。 （もっと読む）

【課題】結晶成長におけるクラックの発生を低減することができ、高品質なＩＩＩ族窒化物半導体単結晶を高速に製造できるＩＩＩ族窒化物半導体単結晶の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体からなり、単一の指数面の結晶成長面を有する種基板を準備する種基板準備工程Ｓ１０と、結晶成長面上にＩＩＩ族窒化物半導体単結晶をエピタキシャル成長させる結晶成長工程Ｓ２０とを備え、結晶成長工程は、自発的に形成された低指数面からなる複数の結晶表面で囲みながらＩＩＩ族窒化物半導体単結晶を成長させる工程であり、低指数面は、結晶面を表す個々の面指数をいずれも３以下とすることにより、結晶成長時の微細クラックの発生が抑制された高品質のＧａＮインゴットが得られる。続いて、ＧａＮインゴットを切断工程Ｓ３０で切断、スライスし、ＩＩＩ族窒化物半導体単結晶のウエハを製造する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥をより抑制することが可能なＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ法によりエピタキシャル膜２を成長させると、成長させるエピタキシャル膜２の不純物濃度に応じて貫通転位３の成長方向を一定方向に規定できる。例えば、ＳｉＣ基板１内に含まれていた貫通転位３は、エピタキシャル膜２内においてｃ軸に対する角度θが（１１−２２）面もしくは（１１−２２）面に対して±３°の範囲内、例えば［１１−２３］方向に平行もしくは［１１−２３］方向に対して±３°の範囲内の方向に向く。このため、この現象を利用し、エピタキシャル膜２の側面から貫通転位３を排出させることにより、エピタキシャル膜２の成長表面から貫通転位３をほぼ無くすことが可能となる。そして、このようなエピタキシャル膜２を種結晶として昇華法によりＳｉＣ単結晶４をバルク成長させれば、結晶欠陥をより抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド膜の表面にマスキング及びエッチングを施すことなく簡便に凹部を形成できるダイヤモンド膜の選択的形成方法及びこのダイヤモンド膜を切刃に用いたＣＭＰパッドコンディショナーを提供する。
【解決手段】母体１の表面１Ａに、薬液により除去可能とされ、かつ、ダイヤモンド膜Ｄの生成を助長する性質の第１膜１２と、第１膜１２上に配されダイヤモンド膜Ｄの生成を阻止する性質の第２膜１３とを選択的に形成して、表面１Ａを、非マスキング領域を有しつつ第１、第２膜１２、１３によりマスキングする工程と、ＣＶＤ法により、非マスキング領域における表面１Ａの部分と、この部分の周縁部に立設する第１膜１２の壁面１２Ｃとにダイヤモンド膜Ｄを生成させて、このダイヤモンド膜Ｄの母体１側とは反対側を向く表面２Ａに凹部２Ｂを形成する工程と、薬液により第１膜１２とともに第２膜１３を表面１Ａから取り除く工程と、を備える。 （もっと読む）

改良された特性を備えた半導体材料、基板、およびデバイスの製造方法および構造が開示される。歪みが低減された構造を形成するための構造および方法が、複数の実質的に歪み緩和されたアイランド構造を形成し、半導体材料の歪み緩和された実質的に連続した層を引き続きさらに成長するために、このようなアイランド構造を利用することを含む。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド膜を母体の表面に比較的厚膜に、かつ、精度よく選択的に形成でき、ダイヤモンド膜のコンタミネーションを防止できるダイヤモンド膜の選択的形成方法及びＣＭＰパッドコンディショナーを提供する。
【解決手段】母体１の表面１Ａに、薬液により除去可能とされ、かつ、ダイヤモンド膜Ｄの生成を助長する性質の第１膜１２と、第１膜１２上に配されダイヤモンド膜Ｄの生成を阻止する性質の第２膜１３とを選択的に形成して、表面１Ａを、非マスキング領域を有しつつ第１、第２膜１２、１３によりマスキングする工程と、薬液を希釈して用い、非マスキング領域における表面１Ａの部分の周縁部に立設する第１膜１２の壁面１２Ｃを溶解して凹部１２Ｄを形成する工程と、ＣＶＤ法により表面１Ａの部分及び凹部１２Ｄにダイヤモンド膜Ｄを生成させる工程と、薬液により第１膜１２とともに第２膜１３を表面１Ａから取り除く工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】製造過程が容易であり、製造コストが低廉な多元系ナノワイヤーの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る多元系ナノワイヤーの製造方法は、（ａ）複数の気孔を有する陽極酸化アルミニウムナノテンプレートを準備するステップと、（ｂ）前記陽極酸化アルミニウムナノテンプレートの一側面上に電極層を形成するステップと、（ｃ）前記陽極酸化アルミニウムナノテンプレートを所定の多元系溶液に浸漬させ、前記陽極酸化アルミニウムナノテンプレートを陰極とする電気めっき法によって、前記陽極酸化アルミニウムナノテンプレートの前記気孔を通じて多元系ナノワイヤーを成長させるステップと、（ｄ）前記陽極酸化アルミニウムナノテンプレートを除去するステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＥＬＯＧ法を用いて形成された開口面積の大きい空洞を半導体層内部に導入することにより成長用基板をウェットエッチング処理または外力印加によって容易に剥離することができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
成長用基板上を部分的に覆う選択成長用のマスクを成長用基板上に形成する。次に、成長用基板上のマスクで覆われていない非マスク部において、マスクの膜厚よりも厚い緩衝層を成長させた後、緩衝層の表面に所定のファセットを表出させる。次に、緩衝層を起点として半導体膜を横方向成長させてマスク上部に空洞を形成しつつマスクを覆う横方向成長層を形成する。横方向成長層の上にデバイス機能層をエピタキシャル成長させる。空洞形成工程は、互いに異なる成長速度で半導体膜の成長を行う第１ステップおよび第２ステップを交互に複数回実施する。 （もっと読む）

本発明は、成長面（１０５）を含む支持体（１００）上でのエピタキシャル成長により窒化物単結晶を製造するための方法において、− 支持体（１００）上に犠牲床（１０１）を形成するステップと；− 前記犠牲床上にピラー（１０２）を形成するステップであって、前記ピラーがＧａＮエピタキシャル成長と相容性のある材料で作られているステップと；− 窒化物結晶層（１０３）がピラーの間に形成されたホール（１０７）内を支持体に至るまで延在しないような成長条件の下で、ピラー上に窒化物結晶層（１０３）を成長させるステップと；− 支持体から窒化物結晶層を除去するステップと、を含む方法に関する。
（もっと読む）

【課題】多結晶のＧａＮ結晶の成長を抑制できるＧａＮ結晶の成長方法およびＧａＮ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ結晶の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、下地基板が準備される（ステップＳ１）。そして、下地基板上に、開口部を有し、かつＳｉＯ₂よりなるマスク層が形成される（ステップＳ２）。そして、下地基板およびマスク層上に、ＧａＮ結晶が成長される（ステップＳ５）。マスク層の曲率半径が８ｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】多結晶のＧａＮ結晶の成長を抑制できるＧａＮ結晶の成長方法およびＧａＮ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＧａＮ結晶の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、下地基板が準備される（ステップＳ１）。そして、レジストを用いて、下地基板上に開口部を有するマスク層が形成される（ステップＳ２）。そして、下地基板およびマスク層を酸性溶液が洗浄される（ステップＳ３）。そして、酸性溶液で洗浄するステップＳ３後に、下地基板およびマスク層を有機溶媒で洗浄される（ステップＳ４）。そして、下地基板およびマスク層上に、ＧａＮ結晶が成長される（ステップＳ５）。 （もっと読む）

【課題】多結晶のＧａＮ結晶の成長を抑制できるＧａＮ結晶の成長方法およびＧａＮ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ結晶の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、下地基板が準備される（ステップＳ１）。そして、下地基板上に、開口部を有し、かつＳｉＯ₂よりなるマスク層が形成される（ステップＳ２）。そして、下地基板およびマスク層上に、ＧａＮ結晶が成長される（ステップＳ５）。マスク層の表面粗さＲｍｓは２ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】従来のリフトオフ材料が持っている高温での不安定性の問題を克服することができる新規材料を利用して、高温で安定してナノワイヤを成長及びパターニングすることができる方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板の表面にナノワイヤをパターニングする方法は、（ａ）上記表面に、フッ化バリウム犠牲層が所望のパターンで形成された上記基板を提供するステップと、（ｂ）上記フッ化バリウム犠牲層を含む上記基板の表面全体にわたって、ナノワイヤを成長させるステップと、（ｃ）溶媒によって上記フッ化バリウム犠牲層を除去することにより、上記フッ化バリウム犠牲層の表面にある上記ナノワイヤごと除去して、上記基板の上記表面に直接接触した状態の上記ナノワイヤを残すことにより、上記ナノワイヤを上記基板の上記表面上にパターン化するステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

ＩＩＩ−窒化物材料の半導体構造および層のエピタキシャル成長中に、連続する層の品質が連続して改善されるように応用可能な方法。中間エピタキシャル層は、成長ピットが、最初の表面に存在する表面転位で形成されるように、最初の表面に成長される。それから、次の層は、横方向に広がって少なくとも交差成長ピットの凝集を密閉するように、エピタキシャル横方向オーバーグロースの知られた現象に従って中間層上に成長される。好ましくは、横方向成長材料中の転位の数を減少させるために、次の層の成長より前に、誘電体材料が不連続に堆積するように誘電体材料の不連続膜が堆積される。本発明の方法は、同じ構造に対して複数回行うことができる。また、これらの方法によって製作された半導体構造。
（もっと読む）

【課題】選択エピタキシャル成長を用いて基板上に半導体膜を選択的に形成する際に、半導体膜の形状制御が可能で、かつ、再現性・安定性の高い成膜手法を提供する。
【解決手段】基板３００の表面に露出したシリコン表面にシリコン系の堆積膜を選択成長させる基板処理方法において、基板を処理室２０１内に搬入する工程と、前記処理室２０１内の圧力を制御する第１の圧力制御工程と、前記処理室２０１内に少なくともシラン含有ガス、又は、シラン含有ガス及びゲルマン含有ガスを供給して前記基板３００に堆積膜を成長させる工程と、前記処理室２０１内の圧力を制御する第２の圧力制御工程と、前記処理室２０１内に少なくともエッチングガスを供給して表面に露出したシリコン表面以外の部分をエッチングする工程と、を有する基板処理方法である。 （もっと読む）

【課題】 反りが少なくクラックが発生しない導電性の窒化物半導体結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 下地基板の上に、幅或いは直径ｓが１０μｍ〜１００μｍであるドット被覆部或いはストライプ被覆部を間隔ｗが２５０μｍ〜１００００μｍであるように並べたマスクを形成し、ＨＶＰＥ法によって成長温度が１０４０℃〜１１５０℃であって、５／３族比ｂが１〜１０であるような３族、５族原料ガスと、Ｓｉを含むガスとを供給することによって下地基板の上に窒化物半導体結晶を成長させ、下地基板を除去することによって、比抵抗ｒが０．００１５Ωｃｍ≦ｒ≦０．０１Ωｃｍ、厚みが１００μｍ以上、反りの曲率半径Ｕが３．５ｍ≦Ｕ≦８ｍの自立した導電性窒化物半導体基板を得る。 （もっと読む）

【課題】単結晶ナノ構造を基板の上に成長させる方法を提供する。
【解決手段】基板１の主表面上にパターン２を最初に形成する工程であって、パターン２は基板１の表面まで延びた開口部を有する工程と、パターン２の開口部中の、露出した主表面の上に、金属３を供給する工程と、開口部をアモルファス材料４で、少なくとも部分的に埋める工程と、アモルファス材料４と金属化合物３とを、３００℃と１０００℃の間の温度でアニールし、金属媒介結晶化により、アモルファス材料４を単結晶材料５に変える工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】効率良く量産可能であり、走査プローブ顕微鏡において高分解能観察や高精度微細加工が可能な先端半径と、高アスペクト比構造観察に十分な長さの針をもち、且つ、先端の耐摩耗性に優れたダイヤモンド探針と、これを備えた走査プローブ顕微鏡用カンチレバー、フォトマスク修正用プローブ、電子線源を提供する。
【解決手段】反応性イオンエッチング等では作製困難な長さを有する針状ダイヤモンドを、熱化学加工法によって作製し、プラズマ中でエッチングもしくはマイクロ波プラズマＣＶＤ成長により先端部分を先鋭化することで、効率良く量産可能な先鋭化針状ダイヤモンド５を得ることができる。先鋭化針状ダイヤモンド５のうち少なくとも一本もしくは複数本を、走査プローブ顕微鏡用カンチレバーの探針として備える。 （もっと読む）