【課題】簡単で低コストな方法により、１つの外囲器内で、高品質の基板を具体化することを可能にする新しい製作方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、少なくとも１つの単結晶層が堆積された単結晶基板を含む構成要素の製作方法に関し、この方法は、気体プラズマ内の金属または半導体の粉末化による単結晶層の堆積に関する１つまたはいくつかのステップを含み、原子堆積の速度が、ステップ自体の中では、かかる原子の均質化速度より遅いことを特徴とする。
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【課題】本発明は、ｃ軸選択配向性ＺｎＯ膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る製造方法は、基板を形成する工程と、上記基板上に積層されたアモルファスＡｌ_２Ｏ_３膜を形成する工程と１００℃〜２００℃の範囲内の基板温度で、上記アモルファスＡｌ_２Ｏ_３膜上に積層され、上記アモルファスＡｌ_２Ｏ_３膜の存在に応じたＺｎＯ膜を形成する工程と、を含む。上記基板は、シリコン（Ｓｉ）（１００）、Ｓｉ（１１１）、Ｓｉ（１１０）、石英、ガラス、プラスチック又はジルコニア等の材料である。上記アモルファスＡｌ_２Ｏ_３膜は、化学気相堆積法、原子層堆積法又はスパッタ法を用いて、堆積される。一般的に、上記アモルファスＡｌ_２Ｏ_３膜は、３ｎｍ〜１５ｎｍの厚みを有する。上記ＺｎＯ膜を形成する工程では、一般的に、Ｘ線回折により測定される（００２）ピークが（１００）ピークよりも５倍以上大きいＺｎＯ膜を形成させる。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコンの上に剥離しにくい状態で白金の薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】主表面が（１００）面とされた単結晶シリコンからなるシリコン基板１０１を用意し、シリコン基板１０１の主表面に酸化シリコン層１０２が形成された状態とする。例えば、熱酸化法により酸化シリコン層１０２のが形成可能である。また、ＣＶＤ（科学的気相成長法）により、酸化シリコン層１０２のが形成可能である。次に、白金ターゲットを用いたＥＣＲスパッタ法により、酸化シリコン層１０２の上に、膜厚２００ｎｍ程度の白金薄膜１０３が形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】非晶質シリカ基板上に粒径４００ｎｍ以上の強誘電体薄膜を有する半導体基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】非晶質シリカ基板上に厚さが炭素原子数１Ｅ１７／ｍ２以上、１Ｅ２２／ｍ２以下である炭素系の膜を有し、膜の上に粒径４００ｎｍ以上の大きさを持つＳｎ単結晶膜が蒸着されてなる半導体基板。および、非晶質シリカ基板上に厚さが炭素原子数で１Ｅ１７／ｍ２以上、１Ｅ２２／ｍ２以下である炭素又は炭化水素からなる炭素系の膜を形成し、膜のうえに、基板を２００℃以下に加熱しながらＳｎを蒸着して、粒径４００ｎｍ以上のＳｎ単結晶の膜を形成する半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】格子パラメータを変化させることのできる窒化ガリウムデバイス基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の犠牲基板を設け、この第１の犠牲基板上に窒化ガリウムの層を形成し、この窒化ガリウムの層上に、格子パラメータを変化させる追加的な元素を含有する窒化ガリウムの第１の層を形成し、この格子パラメータを変化させる追加的な元素を含有する窒化ガリウムの層に、代替基板を装着し、犠牲基板および窒化ガリウムの層を除去する。 （もっと読む）

【課題】より低損失でQ値の高い共振器およびフィルタ回路を実現する。
【解決手段】サファイア基板１０１上にZnO犠牲層１０２を 200nm形成し、さらにその上にAlN層１０３を0.5μm形成する。AlN層１０３はサファイア基板１０１上にてエピタキシャル成長する。AlN層１０３上に共振器のAu下部電極１０４を形成する。これとは別にSi基板１０５上に柱状のAuSn電極１０７を形成し、このAuSn電極１０７とAu下部電極１０４を加熱しながら圧力を印加し貼り合わせる。続いてサファイア基板１０１を分離し、AlN薄膜表面にAu上部電極１０８を形成し、AlN層１０３下方に空隙１１１が形成された共振器を形成する。 （もっと読む）

【課題】 結晶性の良好な圧電体層を含む圧電体堆積体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電体堆積体１００の製造方法は，
Ｒ面サファイア基板１１の上方に第１酸化マグネシウム層２０を形成する工程と、
第１酸化マグネシウム層２０の上方に第２酸化マグネシウム層１２を形成する工程と、
第２酸化マグネシウム層１２の上方に圧電体層１３を形成する工程と、を含み、
第１酸化マグネシウム層２０を形成する工程における酸素の供給量に対するマグネシウムの供給量は、第２酸化マグネシウム層１２を形成する工程における酸素の供給量に対するマグネシウムの供給量より多く、
第１酸化マグネシウム層２０を形成する工程における酸素分圧は，第２酸化マグネシウム層１２を形成する工程における酸素分圧より低い。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に製膜した、酸化モリブデン（ＭｏＯ_３）を主成分とする導電性の有機無機ハイブリッド薄膜、該薄膜を製造する方法、及びその導電性有機無機ハイブリッド薄膜を利用したセンサ部材等を提供する。
【解決手段】金属酸化物単結晶に比べて安価なシリコン基板上に、適切な金属酸化物のバッファー層を介在させて、有機無機ハイブリッド薄膜を形成したことを特徴とする、電気伝導性有機無機ハイブリッド薄膜、その製造方法、該方法により作製された電気伝導性有機無機ハイブリッド薄膜をセンサ素子として用いた、ＶＯＣガス等に対して高感度に応答する化学センサ部材。 （もっと読む）

【課題】 燐化硼素系半導体層上にIII族窒化物半導体層を接合させる際に、双方間の結合性の差異に起因して発生すると思われる不安定な接合を解消し、燐化硼素系半導体層上にIII族窒化物半導体層を安定して形成することができるようにする。
【解決手段】 本発明の積層構造体１０は、結晶からなる基板１００と、その基板１００上に設けられた燐化硼素系III−Ｖ族化合物半導体層１０１と、燐化硼素系III−Ｖ族化合物半導体層１０１の表面に接合されたIII族窒化物半導体層１０２とを備え、III族窒化物半導体層１０２は、表面の原子配列構造を（２×２）とする燐化硼素系III−Ｖ族化合物半導体層１０１に接合して設けられる、ことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 異種基板を用いて割れがなく反りの少ないＩＩＩ族窒化物結晶基板を製造する方法およびその製造方法により得られるＩＩＩ族窒化物結晶基板を提供する。
【解決手段】 下地基板１上に直接または中間層２を介してＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦１）の化学組成を有する第１のＩＩＩ族窒化物結晶層１１を成長させる工程と、第１のＩＩＩ族窒化物結晶層１１上にＡｌ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ＜ｘ）の化学組成を有する第２のＩＩＩ族窒化物結晶層１２を割れることなく１ｍｍ以上の厚さに成長させる工程と、第２のＩＩＩ族窒化物結晶層１２を加工してＡｌ_yＧａ_1-yＮの化学組成を有するＩＩＩ族窒化物結晶基板１３を形成する工程とを含むＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 極めて転位密度の低い、これまでにない高品質なIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 工程１として、第一の半導体結晶基板１を準備し、工程２として、前記第一の半導体結晶基板上に、第一の結晶軸方向に第一のIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶２を第一の厚さまで成長させ、工程３として、前記第一のIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶２を、その内部に存在する最も密度の高い貫通転位の伝播方向に対して平行な面３で切断し、工程４として、前記切断面上に第二のIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶５を第二の厚さまで成長させ、前記第二のIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶５を目的のIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶とする。 （もっと読む）

高品質の窒化物半導体結晶層を得ることができる窒化物半導体成長用基板を提供する。本発明の一実施形態に係る、サファイア基板（１）上に窒化物半導体層を成長させるための窒化物半導体成長用基板は、サファイア基板（１）上に別途に設けたＡｌ_２Ｏ_３層（２）と、第１の層であるＡｌＯＮ層（３）と、第２の層であるＡｌＮ層（４）とを備える。第１の層および第２の層については、ＡｌＯＮ層（３）とＡｌＮ層（４）との順序でＡｌ_２Ｏ_３層（２）上に積層させる。
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【課題】MgO基板とIr膜、Ir膜とダイヤモンド膜が各界面で剥離しにくく、特に大面積の単結晶ダイヤモンド膜を連続膜として有する積層基板を提供する。
【解決手段】少なくとも、単結晶MgO基板と、該MgO基板上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム(Ir)膜と、該Ir膜上に気相合成させたダイヤモンド膜を有する積層基板であって、前記Ir膜の結晶性が、波長λ＝1.54ÅのX線回折法で分析したIr(200)帰属の2θ=46.5°または2θ=47.3°における回折強度ピークの半値幅(FWHM)が0.40°以下のものであることを特徴とする積層基板。 （もっと読む）

本発明は、プラズマ気相エピタキシーのための低エネルギー高密度プラズマ発生装置を含んでなる化合物半導体層の高速エピタキシャル成長のための装置及び方法である。上記方法は、堆積チャンバーにおいて１つ又は複数の金属蒸気を非金属元素と結合させるステップを含む。するとガスが高密度低エネルギープラズマ存在下で非常に活性化される。それと同時に、半導体層を基板上に形成するために金属蒸気は非常に活性化されたガスと反応され、反応生成物はプラズマにさらされた支持部と連通する加熱された基板上に堆積される。上記方法は炭素を一切含まず、１０ｎｍ／ｓまでの成長率で、１０００℃以下の基板温度の大面積シリコン基板に窒化物半導体をエピタキシャル成長するために特に適する。上記方法は、炭素を含むガスも水素を発生するガスも必要とせず、有毒性のキャリア又は反応ガスを用いないため、環境に優しい方法である。
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【課題】 ニオブ酸カリウムの薄膜を有するニオブ酸カリウム堆積体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るニオブ酸カリウム堆積体１００の製造方法は，
Ｒ面サファイア基板からなる基板１１の上方にバッファ層１２を形成する工程と、
バッファ層１２の上方に、擬立方晶表示において（１００）配向でエピタキシャル成長したニオブ酸カリウム層１３またはニオブ酸カリウム固溶体層を形成する工程と、
ニオブ酸カリウム層１３またはニオブ酸カリウム固溶体層の上方に電極層を形成する工程と、を含み、
ニオブ酸カリウム層１３またはニオブ酸カリウム固溶体層の（１００）面は、Ｒ面サファイア基板１１のＲ面（１−１０２）に対して，［１１−２０］方向ベクトルを回転軸として傾くように形成される。 （もっと読む）

【課題】 大口径かつこれまでのシリコンプロセスを流用可能な窒化ガリウム系化合物半導体および製造方法を提案する。
【解決手段】 半導体材料として優れた特性を持つ窒化ガリウム系化合物を比較的安価なＳｉ基板上に形成することを特徴とする。Ｓｉ基板上へ形成することにより、これまでのシリコンプロセスを活用することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 半導体として実用可能なダイヤモンド単結晶膜を備えたダイヤモンド単結晶基板およびこれを容易に得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ単結晶基板１上に、厚さ１ｎｍ以上１００ｎｍ以下のＳｒＯ単結晶層２をエピタキシャル成長させた後、厚さ１〜２原子のＳｒまたはＴｉ層３を成膜させ、その上に、活性化炭化水素原料によりダイヤモンド単結晶層４をエピタキシャル成長させることにより、Ｓｉ単結晶基板上に、ＳｒＯ単結晶層、Ｓｒ層またはＴｉ層、ダイヤモンド単結晶層が順次積層されているダイヤモンド単結晶基板を得る。 （もっと読む）

【課題】 従来のＳｉ半導体製造プロセスを利用して、大口径の基板として得ることができ、製造効率およびコスト面においても優位である窒化ガリウム系化合物半導体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ単結晶基板１表面にβ−ＳｉＣ層を気相成長により積層させて、厚さ０．１μｍ以上５μｍ以下のβ−ＳｉＣ層２からなる中間層を形成し、前記中間層の上に、窒化ガリウム系化合物層３を気相成長させることにより、窒化ガリウム系化合物半導体を製造する。 （もっと読む）

【課題】ファセットＬＥＰＳ法を用いてＧａＮ系結晶を歩留り良く製造する方法を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体結晶がｃ軸配向し得る主面Ｓを有する異種基板１を用い、該主面にドライエッチングにより凹凸加工を施して、段差０．５μｍ以下の段差部で区画された凹部底面１ａと凸部上面１ｂとを有する凹凸面とする。次に、前記凹部底面１ａおよび凸部上面１ｂのそれぞれに、斜めファセット２ｆを側壁面として有する窒化物半導体の結晶単位２を成長させた後、上面が平坦化した結晶層となるように前記結晶単位同士を互いにつなげて成長させ、窒化物半導体結晶層３とし、窒化物半導体結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】 鉛を含まない優れた圧電性を示し、特に生体適合性を有する新規な正方晶ＭｇＳｉＯ_３結晶及びその製造方法並びに鉛を含まない生体適合性を有する圧電素子を提供する。
【解決手段】 結晶質下地（シリコン単結晶基板又はその上にバッファー層を形成したもの）上に、Ｍｇ及びＳｉを酸素の雰囲気中でＰＶＤ法（ヘリコン波反応性スパッタリング法など）を用いてエピタキシャル成長させることにより、正方晶ＭｇＳｉＯ_３結晶の薄膜を形成する。バッファー層としては格子定数が特定の範囲にあるものが正方晶ＭｇＳｉＯ_３結晶をうる為に必要である。中でも金属又は金属酸化物の薄膜（イリジウム薄膜又は酸化イリジウム薄膜など）を形成したものが好ましい。この正方晶ＭｇＳｉＯ_３結晶の薄膜は、圧電素子として電子デバイスの圧電アクチュエータ、特に医療機器用圧電アクチュエータとして使用できる。 （もっと読む）