【課題】窒化物半導体結晶との溶解速度差が小さい材料からなるバッファ層を用いた場合であっても、選択的エッチングにより短時間でバッファ層を溶解させて、窒化物半導体結晶を異種基板から分離可能とすることができる、窒化物半導体結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】異種基板上にバッファ層を介して層状の窒化物半導体結晶が形成されてなるエピタキシャルウェハであって、該窒化物半導体結晶が気相成長により形成されたものであり、該異種基板の該窒化物半導体結晶が形成された側の主面が加工により凹凸面とされており、該凹凸面の凹部と該窒化物半導体結晶との間に空隙が形成されているエピタキシャルウェハを準備する。次に、前記バッファ層を前記窒化物半導体結晶に対して選択的に溶解させ得るエッチング液を前記空隙の内部に導入し、該エッチング液によって前記バッファ層を溶解させて、前記窒化物半導体結晶を前記異種基板から分離させる。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む方法であり、前記半導体層を成膜する際、スパッタに用いるチャンバ内に、窒素及びアルゴンを供給してスパッタする。 （もっと読む）

【課題】従来技術に比較して、形成されたバッファ層の厚さをより正確に制御することができ、欠陥密度を減少させ、蒸着温度を下げることができるバッファ層を形成する方法を提供する。
【解決手段】Ｈ_２Ｏの前駆物質およびＯ_３の前駆物質のいずれかと、ＤＥＺｎの前駆物質とを供給し、４００℃以下の処理温度で原子層成膜処理を行い、バッファ層として機能するＺｎＯ層１２をサファイヤ基板、Ｓｉ基板、ＳｉＣ基板またはガラス基板からなる基板１０の上に形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ単結晶基板上に、結晶性や配向性が良好で、電気的特性や光学的特性等に優れたＧａＮ薄膜を、低コストで効率良く製造することが可能なＳｉ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】化学気相成長法によりＳｉ基板１２上にＳｉＣ層及びＡｌＮ層を順次形成した後に、ＡｌＮ層上にＧａＮ結晶を成長させる際に、加熱したメッシュ状タングステン触媒１４にアンモニアガスを吹付けて窒素系ラジカルを生成させ、ＡｌＮ層上で有機ガリウム化合物と反応させてＧａＮ結晶を成長させることにより窒化物半導体薄膜を有するＳｉ基板１２を製造する。 （もっと読む）

【課題】金属有機化合物の熱分解および超電導物質の熱処理形成を行うに際して、効率よく、性能が改善された大面積の超電導材料の製造方法を提供する。
【解決手段】
酸化物が超電導物質を形成する金属の有機化合物溶液を支持体上に塗布し、乾燥させる工程(1)、金属の有機化合物中の有機成分を熱分解させる仮焼成工程(2)、超電導物質への変換を行う本焼成工程(3)を経てエピタキシャル成長させた超電導コーティング材料を製造するに際し、工程(1)と工程(2)の間でレーザ光をさせて照射する際に、超電導物質を形成する金属の有機化合物溶液を塗布した面の反対側の面からレーザ光を照射することを特徴とする超電導材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】十分に結晶配向度の高い金属酸化物膜を、簡易、低コスト、かつ、基材及び金属酸化物膜に損傷を殆ど与えずに得ることが可能な金属酸化物膜の製造方法、積層体、及び電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】基材１０上に（１１１）結晶面を有する金属膜１４を形成する工程と、金属膜１４の（１１１）結晶面に金属酸化物膜２０を形成する工程と、金属膜１４の（１１１）結晶面に形成された金属酸化物膜２０の温度を２５〜６００℃に維持し、金属酸化物膜２０に対して紫外線を照射する工程と、を備える。 （もっと読む）

本出願は、成長の媒体としての希ガスの存在下でMOVPEによって基板上に窒化インジウムを成長させるための方法に関する。 （もっと読む）

【課題】大量生産に適したネオジムガレート単結晶上に望ましい配向を有する希土類１２３型超電導膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ネオジムガレート単結晶上に、セリウムの有機化合物を有機溶媒あるいは水に溶解した溶液を塗布し、加熱処理することで配向した酸化セリウム（セリア）膜を作製し、その上に希土類元素、バリウム及び銅を含有する金属有機化合物を有機溶媒に溶解させた溶液を塗布し、加熱処理することを特徴とするｃ軸配向性をもつ希土類１２３型超電導体多層膜の製造方法。
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【課題】超伝導薄膜の製造方法のひとつである塗布熱分解法において、結晶化の工程である本焼成に長時間を要するという問題を解決する。
【解決手段】塗布熱分解法において、基材１の上層に超伝導体の構成元素を含む塗布膜３を設ける。さらに塗布膜３表面側に表面側シード材層４を設け、仮焼成、本焼成を行う。本焼成時には、基材１側で表面に向けて結晶化が行われるとともに、前記表面側シード材層４からも基材側に向けて結晶化が行われる。この結果、両方向からの結晶化がなされることで結晶化に必要な時間が短縮される。また、基材１と塗布膜３との間にはバッファ層２を設けるのが望ましい。バッファ層２は、基材１と塗布膜３との化学反応を阻止するとともに、結晶化のシードとして機能する。 （もっと読む）

【課題】結晶品質に優れている比較的大口径のサファイア基板を用いたｍ面窒化物半導体の成長方法を提供する。
【解決手段】ほぼ（１１−２３）面であるサファイア基板を備える段階と、上記サファイア基板上に非極性ｍ面（１０−１０）窒化物半導体を成長させる段階と、を含む窒化物半導体の製造方法を提供する。また、他のｍ面六方晶半導体のための製造工程として同様に適用することができる。また、前記サファイア基板の結晶面がｃ軸方向に対して、またはｃ軸方向に垂直の方向に対して約±５°以内のオフ角を有することが好ましい。前記非極性ｍ面窒化物半導体を成長させる段階の前に、前記サファイア基板上にｍ面六方晶構造を有する緩衝層を成長させる段階をさらに含んでいてもよい。 （もっと読む）

【課題】結晶面の面内配向性を揃えることができると共に、ダイヤモンド膜の反り（ワープ）を低減することができる高配向性ダイヤモンド膜及びその製造方法を提供する
【解決手段】基板上に（１００）高配向膜又は（１００）単結晶ダイヤモンド膜を気相合成した後、前記基板を除去して形成した一次ダイヤモンド膜と、前記一次ダイヤモンド膜が前記基板と接触していた面（裏面）に（１００）配向成長条件で成長された二次ダイヤモンド膜とを有し、前記配向成長した二次ダイヤモンド膜が（１００）結晶面が配向成長した高配向膜、（１００）配向した無粒界膜、又は（１００）配向した単結晶膜のいずれかである。また、（１１１）高配向性膜の場合も同様である。 （もっと読む）

窒化化合物半導体構造を製造する装置及び方法が記載されている。III族及び窒素の前駆物質が、第１の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて、基板上に第１の層が堆積される。該基板は、該第１の処理チャンバから第２の処理チャンバへ移送される。II族及び窒素の前駆物質が、該第２の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて該第１の層を覆って第２の層が堆積される。該第１及び第２のIII族前駆物質は、異なるIII族元素を有する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を使用してイリジウム下地上に直径１インチ（２.５ｃｍ）以上の大面積化された高品質のダイヤモンドをエピタキシャル成長させることができるエピタキシャルダイヤモンド膜下地基板およびその製造方法並びにこのエピタキシャルダイヤモンド膜下地基板により製造されるエピタキシャルダイヤモンド膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶酸化マグネシウム（ＭｇＯ）または単結晶サファイア（α-Ａl₂Ｏ₃）基板上に、真空蒸着法またはスパッタリング法によりイリジウム（Ｉｒ）膜をエピタキシャル成長により成膜し、この成膜されたイリジウム（Ｉｒ）下地の表面へ、イオンを含む直流プラズマを暴露することによりエピタキシャルダイヤモンド核を形成するバイアス核発生処理を施す。 （もっと読む）

【課題】
ＴｉＮバッファ層を用いて、結晶性が良好で表面が平坦なIII族窒化物系化合物半導体からなる半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体素子において、基板と、前記基板の上に形成された窒化チタンからなるバッファ層と、前記バッファ層の上に形成されたIII族窒化物系化合物半導体層とを備え、前記III族窒化物系化合物半導体層の膜厚を４μｍ以上、１０μｍ以下、前記バッファ層の膜厚を２０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下とする。 （もっと読む）

電子デバイスは、物質の主表面に単結晶領域を含む物質を含む。単結晶領域は、グラフェンと実質的に格子整合している六方晶格子を有し、グラフェンの少なくとも１つのエピタキシャル層がこの単結晶領域に配置される。現在好ましい実施形態では、単結晶領域は多層の六方晶ＢＮを含む。このような電子デバイスの作製方法は、物質の主表面に単結晶領域を含む物質を提供し、単結晶領域は、グラフェンと実質的に格子整合している六方晶格子を有するステップ（ａ）と、この領域に少なくとも１つのグラフェン層をエピタキシャル形成するステップ（ｂ）を含む。現在好ましい実施形態では、ステップ（ａ）は、グラファイトの単結晶基板を提供するステップ（ａ１）と、基板に多層の単結晶六方晶ＢＮをエピタキシャル形成するステップ（ａ２）とをさらに含む。六方晶ＢＮ層はグラフェンと実質的に格子整合した表面領域を有し、ステップ（ｂ）は六方晶ＢＮ層の表面領域に少なくとも１つのグラフェン層をエピタキシャル形成するステップを含む。ＦＥＴへの応用が説明されている。
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【課題】異種単結晶基板の上に成長したダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜の特性を改善し、単結晶に近づける方法を提供する。
【解決手段】異種単結晶基板の上に成長するダイヤモンドヘテロエピタキシャル膜上に、１カ所もしくは複数箇所の凸部を形成し、形成した凸部を起点としてダイヤモンドをステップフロー成長させる。凸部の形成は、対応部分の選択成長により、もしくは、他の部分をレーザ加工やウェットあるいはドライエッチングすることにより形成される。また、ステップフロー成長は比較的低メタン濃度、高温での成長により得ることができる。 （もっと読む）

メタン／水素混合物を含むガス状の混合物（任意に窒素、酸素およびキセノン添加を共に含んでいてもよい）を用いて、部分的な真空中でマイクロ波プラズマ化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスを用いて単結晶ダイヤモンド成長を形成するための材料および方法が提供される。このような単結晶サブストレートは、真空誘導溶解プロセスを用いて、改変された方向性凝固法で、純ニッケル、または、コバルト、鉄またはそれらの組み合わせを含むニッケル合金のうち少なくとも１種で開始して形成することができる。このような単結晶サブストレートの表面は、電子ビーム蒸着装置を用いて、純イリジウム、または、イリジウムと、鉄、コバルト、ニッケル、モリブデン、レニウムおよびそれらの組み合わせからなる群より選択される成分との合金でコーティングされる。このような合金でコーティングされた単結晶サブストレートは、マイクロ波プラズマＣＶＤ反応器中に入れられ、メタン、水素およびその他の任意のガスのガス状の混合物の存在下で、マイナス１００〜４００ボルトのバイアス電圧を用いてバイアス印加による核形成処理される間、そのコーティングされた表面上での大型の単結晶ダイヤモンドの成長を支持する。
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【課題】本願の目的は、Ｓｉ基板上に結晶性と表面モフォロジーの良い単結晶ＳｉＣ層を形成することにある。
【解決手段】本願の骨子は、Ｓｉ層上にＳｉやＳｉＣよりも融点の低いＳｉＧｅ層と非晶質ＳｉＣを形成し、これら積層構造をＳｉＧｅの融点以上に加熱することにより、ＳｉＣとＳｉ基板の間の歪みを緩和し、同時に非晶質ＳｉＣからの結晶化を行うことで、結晶性と表面諸フォジーが良好な単結晶ＳｉＣ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ニオブ酸リチウム（ＬＮ）またはタンタル酸リチウム（ＬＴ）単結晶からなり、より結晶性に優れた電気光学用途向け単結晶薄膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ（１１１）基板１上に、立方晶炭化ケイ素層３および酸化マグネシウム単結晶層４を順次積層させ、前記酸化マグネシウム層４の上に、ＬＮまたはＬＴからなる薄膜５をエピタキシャル成長させることにより、ＬＮまたはＬＴからなる単結晶薄膜６を形成させる。 （もっと読む）

【課題】ハンドリングの容易な単結晶薄膜からなるAT‐cut水晶振動子用や高機能弾性表面波（SAW）素子用基板の実現とその光ＣＶＤ製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン（０１１）基板１０１上にβ‐SiC（０１１）緩衝層（低温成長緩衝層である水晶薄膜）１０２、成長層として水晶（０１１）１０３をヘテロエピタキシャルに結晶成長させた後、前記シリコン基板の裏面に形成されたSiO2膜をマスクとして異方性エッチングで不要なシリコンを除去して水晶エピタキシャル薄膜が露出して存在する領域１０４を形成し、ダイアフラム構造とする。 （もっと読む）