本発明の課題は、窒化ガリウムに基づいた層をエピタキシャル成長させるための基板として使用できる基板であり、その基板は、その面の少なくとも一方を、少なくとも一つの酸化亜鉛ベース層(13、24)を含む少なくとも一つの多層スタックでコートされた保持体(11、21)を含んでいる。その基板は、III -NタイプまたはII-VIタイプの半導体構造物でコートされており、そして保持体(11、21)と前記少なくとも一つの酸化亜鉛ベース層(13、24)の間に、スズ(Sn)、亜鉛(Zn)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)およびアンチモン(Sb)から選択される少なくとも2種の元素の酸化物を含む少なくとも一つの中間層(12、23)が配置されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル膜形成用配向基板の中間層であって、高い配向性を有するエピタキシャル膜を形成可能とするものを提供する。
【解決手段】基材と、基材の少なくとも一方に形成されるエピタキシャル膜との間に設けられるエピタキシャル膜形成用配向基板の中間層において、単層構造又は２層以上の多層構造を有し、基板と接触する層がインジウムスズ酸化物からなる中間層である。この中間層は、多層構造を有することができ、ＩＴＯ層の上に、ニッケル、酸化ニッケル、酸化ジルコニウム、希土類酸化物、酸化マグネシウム、チタン酸ストロンチウム（ＳＴＯ）、チタン酸ストロンチウム・バリウム（ＳＢＴＯ）、窒化チタン、銀、パラジウム、金、イリジウム、ルテニウム、ロジウム、白金からなる層を少なくとも１層備えることができる。 （もっと読む）

【課題】高い結晶品質を有する、多様な材料からなる、完全に緩和した、又は歪んだ半導体層を積層するために絶縁体層の格子寸法を調整するための高い柔軟性を許容する、ＳＯＩ構造の作製のための基板を提供する。
【解決手段】実質的にシリコンからなる単結晶基板ウェハ１、電気絶縁性材料を含み、かつ２ｎｍ〜１００ｎｍの厚さを有する第一非晶質中間層２、立方晶系Ｉａ−３結晶構造と、（Ｍｅ１₂Ｏ₃）_-1-x（Ｍｅ２₂Ｏ₃）_xの組成と、基板ウェハの材料の格子定数と０％〜５％異なる格子定数とを有する単結晶第一酸化物層３を示される順序で含むことを特徴とする半導体ウェハ。 （もっと読む）

【課題】 大面積かつ高品質のＡｌＮ単結晶などのIII族窒化物単結晶からなる基板を効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】 α−アルミナ単結晶の｛１ −１ ０ ２｝面または｛−１ １ ０ ４｝面と８０°〜１００°の角度で交差する面をα−アルミナ単結晶基板の主面とし、該α−アルミナ単結晶基板の主面上に、前記III族窒化物単結晶をエピタキシャル成長させることにより、該α−アルミナ単結晶基板の厚みの０．３倍以上の厚みとなる前記III族窒化物単結晶よりなる層を積層した積層基板を製造し、α−アルミナ単結晶を分離することを特徴とするIII族窒化物単結晶基板の製造方法。 （もっと読む）

加熱ゾーンの長さに沿って所定の温度プロファイルを与えるために加熱ゾーンを加熱するように構成された単一のマルチゾーン・ヒータを有する結晶の気相成長用の装置。第１のリム８、第２のリム１２、および第１及び第２のリム８、１２を接続するリンク部を有するほぼＵ字状の管６が加熱ゾーンに配置される。第１のリム８は原材料１６を含む。原料と種１８との間に所定の温度差を与えるために原材料１６および種１８が加熱ゾーン内において長手方向に離間するように第２のリム１２は種１８を支持する。結晶は種１８上に成長される。 （もっと読む）

【課題】鉄基合金上に密着性良くダイヤモンド膜が被覆されたダイヤモンド膜被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１上にタングステンから成る中間層１０と、中間層１０上にダイヤモンド膜を被覆する。また中間層１０上は溝部３によって分割された微小区域４を有し、微小区域４の表面上の最長距離８を１００μｍを超え４５０μｍ未満とする。さらに、溝深さ１２を１０μｍ以上中間層厚さ１１以下とする。また、溝部３によって分割された微小区域４と隣接する微小区域４との最短距離２を１０μｍ以上とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性、光学特性に優れた水晶単結晶薄膜を提供する。
【解決手段】基板５の表面に、六方晶を形成する物質によりアモルファス結晶のバッファ層を堆積させ、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、およびテトラブトキシシランの群から選択された一種または複数種の珪素アルコキシドを珪素源とし、この珪素源を大気圧下において気化して導入し、導入された珪素源を酸素Ｏ_２と反応させてバッファ層上にエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】高品質の単結晶ＺｎＯ基板を、従来に比して安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】単結晶ＺｎＯ基板の製造方法であって、(a) ＳｉＯ₂絶縁層２と、その上に設けられた、表面を構成する単結晶シリコン層１とを含む、半導体基板を準備するステップと、(b)単結晶シリコン層１を表面側から、絶縁層２上に３〜７ｎｍの厚みだけ残して酸化するステップと、(c)生じたＳｉＯ₂ 層４を除去するステップと、(d)残った単結晶シリコン層１’に、加熱しつつキャリアガスと炭化水素ガスを供給して全層を単結晶ＳｉＣ層５へと変換するステップと、(e)単結晶ＳｉＣ層５の表面に化学気相成長により厚み０．１〜５μｍの単結晶ＺｎＯ層６を形成するステップと、(f)単結晶ＺｎＯ層６をアニールするステップと、 (g)アニールされた単結晶ＺｎＯ層６の表面に化学気相成長により単結晶ＺｎＯ層６’を形成して単結晶ＺｎＯ層６の層厚を増加させるステップとを含む、製造方法。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体量子ドットの製造方法に関し、Ｓｉ基板上で３次元電子閉じ込めを実現できるドット状の良好な形状特性をもち、且つ、結晶性良好な化合物半導体量子ドットを実現させようとする。
【解決手段】Ｓｉ_1-x-y Ｇｅ_x Ｃ_y （ｘ≧０、ｙ≧０）バッファ層２上にＩｎＡｓ量子ドット５を形成するのに必要な化合物半導体原料の一方の族の原料、例えばＡｓＨ₃ のみを先行して供給した後、全ての原料、例えばＡｓＨ₃ 及びＴＭＩｎを供給してＩｎＡｓ量子ドット５を形成する工程が含まれる。 （もっと読む）

半導体構造は、基板、前記基板上の核生成層、前記核生成層上の組成傾斜層、及び前記組成傾斜層上の窒化物半導体材料の層を含む。前記窒化物半導体材料の層は、前記窒化物半導体材料の層の中に間隔をおいて配置された複数の実質的に緩和された窒化物中間層を含む。前記実質的に緩和された窒化物中間層は、アルミニウム及びガリウムを含み、ｎ型ドーパントで導電的にドープされ、また前記複数の窒化物中間層を含む前記窒化物半導体材料の層は、少なくとも約２．０μｍの全厚を有する。
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【課題】Ｓｉ基板上に、無極性面である（１１−２０）面の窒化物半導体膜が厚さ１μｍ以上で形成され、発光デバイスにも好適に用いることができる窒化物半導体単結晶を提供する。
【解決手段】Ｓｉ（１１０）基板上に、ＳｉＣ（１１０）またはＢＰ（１１０）のいずれか１種以上からなるバッファー層およびＡｌＮ（１１−２０）バッファー層を介して、ＧａＮ（１１−２０）、ＡｌＮ（１１−２０）またはＩｎＮ（１１−２０）からなる単結晶膜、あるいはまた、ＧａＮ（１１−２０）およびＡｌＮ（１１−２０）の超格子構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ＩＩＩ族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を選択的に成長させることにより、ＩＩＩ族窒化物半導体微細柱状結晶の位置および形状を制御する。
【解決手段】 微細柱状結晶の製造方法が、基板表面の所定領域に、金属窒化物または金属酸化物からなる表面を有する膜を形成する工程と、前記基板表面に成長原料を導き、前記膜上の領域を微細柱状結晶の成長促進領域として、少なくとも前記微細柱状結晶の成長促進領域上にＩＩＩ族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】大型で反りが少なく結晶性のよいＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、下地基板１０を準備する工程と、下地基板１０を複数の下地チップ基板１０ｃに分割する工程と、複数の下地チップ基板１０ｃをその主面１０ｍが互いに平行に、かつその側面１０ｓが互いに隣接するように配置する工程と、複数の下地チップ基板１０ｃの主面１０ｍ側にＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

単結晶半導体材料の製造方法は、テンプレート材料を用意し、テンプレート材料の上面にマスクを形成し、マスクを使用してテンプレート材料上に複数のナノ構造を形成し、ナノ構造上に単結晶半導体を成長させることを含む。
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【課題】ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮ等の窒化物バルク単結晶ウエハと同等の特性を有し、かつ電子デバイスの製造に適用可能な大面積の基板を提供する。
【解決手段】Ａｌ、ＧａおよびＩｎから選択される少なくとも１種とＮとを主成分とし、ウルツァイト型構造を有する窒化物結晶を有する窒化物薄膜から構成され、前記窒化物結晶の（０００１）面が、前記窒化物薄膜表面に平行となるように単一配向しており、面積が１０cm²以上である電子デバイス用基板。 （もっと読む）

本発明は、圧縮応力を用いたナノワイヤ製造方法に関し、より詳細には、蒸着された薄膜を熱処理時引き起こされる圧縮応力を用いて、単結晶ナノワイヤを製造する方法に関する。このため、基板を提供するステップと、該基板の上に該基板との熱膨張係数の差が２ｘ１０^−６／℃以上の物質の薄膜を設けるステップと、該薄膜の設けられた基板を熱処理して該膜に該基板との熱膨張係数の差による引張応力を引き起こすステップと、該基板を冷却させることによって該膜に圧縮応力が引き起こされ、該物質の単結晶ナノワイヤが成長するようにするステップとを含む、圧縮応力を用いたナノワイヤ製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を基板上に成長させた後、この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層にほとんど物理的損傷を与えることなく基板を低コストで容易に剥離する。
【解決手段】基板１１の一主面に磁歪材料からなる凸部１２を形成し、凸部１２の間の凹部１３に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態を経て窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５を成長させた後、この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１５から横方向成長を行う。この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１５上に、活性層１７を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させて発光ダイオード構造を形成する。その後、凸部１２に磁界を印加して磁歪を発生させることにより基板１１をこれらの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層から剥離する。 （もっと読む）

【課題】高臨界電流密度であり、かつ、クラックの生じない高温超電導酸化物(RE)Ba₂Cu₃O₇ (RE = Y, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Yb)（以下 (RE)BCO 薄膜と略称）の薄膜及びその作製方法を提供する。
【解決手段】
バッファ層を有するサファイア単結晶基板のバッファ層上に、１％以上の空孔を導入した高温超電導酸化物 (RE)BCO 薄膜を、間に (RE)BCO 薄膜とは異なるRE’を選んだ (RE’)Ba₂Cu₃O₇の中間層薄膜を介して設けた多層構造の(RE)BCO 薄膜及びその製造方法。 （もっと読む）

本発明は、窒化物の単結晶を、結晶成長に適した基板上にエピタキシャル成長によって製造する方法であって、前記基板上に、基板端部に単結晶が成長しないようにするのに適したマスクが堆積されている、方法に関する。
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【課題】ガラス基板上単結晶Ｓｉ膜の形成方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉウエハ上にゲルマニウム含有材料を堆積させて犠牲Ｇｅ含有膜を形成させたあと、単結晶Ｓｉ膜を、犠牲Ｇｅ含有膜上に形成する。前記単結晶Ｓｉ膜表面に透明基板を接着することによって、接着基板を形成する。前記接着基板をＧｅエッチング溶液に浸漬し、犠牲Ｇｅ含有膜を除去することにより、透明基板をＳｉウエハから分離する。その結果、上部に単結晶Ｓｉ膜が形成された透明基板が得られる。任意で、Ｇｅエッチング溶液を分散させるための溝を形成し、Ｇｅ含有膜の除去を促進してもよい。 （もっと読む）