【課題】炭化珪素原料と成長している炭化珪素単結晶表面の温度を適切に保ちつつ、装填した原料を昇華ガスの供給源として有効に利用することのできる、炭化珪素単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】昇華再結晶法を用いて炭化珪素単結晶を作製する際に、昇華温度以上に加熱する領域を炭化珪素原料部の中で少なくとも１回移動させて、炭化珪素単結晶の成長を行うことで、結晶と原料の温度を適切に保つと同時に、原料を有効に昇華させることのできる加熱方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】分子線エピタキシ装置のための粒子線供給装置を提供する。
【解決手段】粒子線供給装置１７では、粒子線生成器３１は、分子線エピタキシ成長のための原料を提供する開口３１ａを有する。シャッタ装置３３では、シャッタ３５は粒子線生成器３１の開口３１ａの前方に位置し、回転軸３７は、シャッタ３５を支持しており所定の軸Ａｘに沿って延び、駆動機構３９は、回転軸３７を所定の軸Ａｘの回りに回転駆動する。シャッタ３５は、開口３１ａの位置に合わせて設けられた窓３５ａを有する。粒子線生成器３１からの粒子線は、窓３５ａを通して進み、或いは、シャッタ３５の遮蔽部３５ｂによって遮断される。矢印Ａｒｒｏｗの一方向のみにシャッタ３５を等角速度で回転させたとき、シャッタ３５の移動と停止を成長中に繰り返すことなく、一定の周期で、粒子線が窓３５ａを介して軸Ｂｘに沿って供給される。 （もっと読む）

【課題】所望の抵抗値を有する半導体ウェハを製造することが可能なドーパントの注入方法を提供すること。
【解決手段】半導体融液中に揮発性ドーパントを注入するドーパントの注入方法において、固体状態のドーパントを収容する収容部２２１と収容部２２１から排出されたガスが導入されるとともに、下端面が開口し、ガスを融液に導く筒状部２２２とを備えたドーピング装置２を使用し、収容部２２１内のドーパントの昇華速度を１０ｇ／min以上、５０ｇ／min以下とする。収容部２２１内のドーパントガスの昇華速度を１０ｇ／min以上、５０ｇ／min以下とすることにより、揮発したドーパントガスの流量を制御しているため、ガスを融液に吹き付けた際に、融液が吹き飛んでしまうことがない。 （もっと読む）

【課題】アルカリ金属とＩＩＩ族金属との混合比の変動を抑制してＩＩＩ族窒化物結晶を製造する結晶製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝１０は、金属Ｎａと金属Ｇａとの混合融液２７０を保持する。反応容器２０は、融液溜め部２３を有し、坩堝１０の周囲を覆う。融液溜め部２３は、アルカリ金属融液２８０を保持する。ガス供給管９０は、ガスボンベ１３０からの窒素ガスをアルカリ金属融液２９０を介して反応容器２０内へ供給する。支持装置４０は、種結晶５を混合融液２７０に接触させる。種結晶５からのＧａＮ結晶の結晶成長中、加熱装置５０，６０は、坩堝１０を結晶成長温度に加熱し、加熱／冷却器７０は、金属融液２８０から蒸発する金属Ｎａの蒸気圧が混合融液２７０から蒸発する金属Ｎａの蒸気圧に略一致する温度に融液溜め部２３を加熱し、加熱／冷却器８０は、アルカリ金属融液２９０を凝集温度に加熱する。 （もっと読む）

【課題】製造条件の変動を抑制し、結晶内の品質のばらつきを低減することができる単結晶の製造方法及び単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】るつぼ３内の原料１１の質量減少量をロードセル７ａによりモニタして、るつぼ３内の原料１１の質量減少量が一定になるように、析出部の温度を調節する。また、蓋５の下面に成長した単結晶の質量増加量をロードセル７ｂによりモニタし、単結晶の質量増加量をその厚さ方向の成長速度に換算する。そして、その換算結果に基づき、蓋５の下面に成長した単結晶表面（析出面）と原料１１の表面との距離が一定になるように、蓋５を上方に移動させるモータ６の駆動速度を調節する。 （もっと読む）

【課題】つぼの中の薄膜素子材料の残量が減少しても、ニードルバルブにより分子線量を毎時一定に調整出来るようにする。
【解決手段】薄膜堆積用分子線源は、るつぼ３１、４１の中の薄膜素子材料ａ、ｂを加熱するためのヒータ３２、４２と、基板５１の成膜面へ向けて前記るつぼ３１、４１で発生した薄膜素子材料ａ、ｂの分子を放出する量を調節するバルブ３３、４３を備える。さらに、前記成膜面に向けて放出される分子線量を検知する膜厚計１６、２６で検知された分子線量情報を帰還して、サーボモータ３６、４６によりバルブ３３、４３の開度を調節する制御手段と、前記ヒータ３２、４２の加熱のための電力を供給する加熱電源と、前記分子線量情報とバルブ開度情報とから前記加熱電源の投入電力を調整する制御手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】同一の分子線材料を有する分子線セルを複数有する分子線エピタキシャル装置の稼動率を向上させ、かつ、成膜において高い再現性を実現する、分子線エピタキシャル装置の制御装置を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシャル装置１００の制御装置１１８は、同一の分子線材料１０５を有する複数の分子線セル１０７について、各分子線セル１０７内の分子線材料１０５の残量を求める残量算出部４０５と、次回の成膜における各層での同一の分子線材料１０５の合計の消費量を等しくしたまま、上記各分子線セル１０７における設定を変更したものについて、次回の成膜後の当該各分子線セル１０７に残存する分子線材料１０５の予測消費時間を算出する予測消費時間算出部４０６と、上記予測消費時間の差が小さくなるように、次回の成膜での上記各分子線セル１０７における設定を決定するセル設定決定部４０７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】分子線源セル内の分子線材料の残量の減少により熱容量が変化しても、分子線源セルの温度制御性能の低下を抑え、安定した成膜を継続して行なうことができる分子線源セルの制御システムを提供する。
【解決手段】本発明の分子線源セルの制御システムは、分子線エピタキシャル装置の温度制御システムであって、成膜終了後、成膜開始までの間に、フィードバックゲインの調整の要否を判断する判断手段と、変温手段による坩堝の加熱または冷却と、温度計測手段からの坩堝の温度変化の情報に基づいて、温度制御手段内のフィードバックゲインを調整する調整手段とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板及びその周辺に粒子線を照射することによって成膜を行う際に、基板上に照射される粒子線の強度を精度よく制御できる粒子線強度の制御方法を提供する。
【解決手段】 分子線エピタキシャル装置に適用される分子線強度の制御方法は、原子吸光式成膜モニタによって分子線に含まれる原子数を測定する原子数測定工程Ｓ６・Ｓ７と、原子数測定工程Ｓ６・Ｓ７において測定した原子数を基に、基板上に照射される領域における分子線強度を算出する分子線強度算出工程Ｓ１２と、分子線強度算出工程Ｓ１２において算出した分子線強度と、所望の分子線強度とに基づいて、設定温度を算出する照射強度算出工程Ｓ１３・Ｓ１４と、照射強度算出工程Ｓ１３・Ｓ１４によって算出した設定温度に基づいて、粒子線源の加熱温度を制御する照射強度制御工程Ｓ５とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 形成された薄膜の品質が安定している薄膜形成方法および薄膜形成ユニットを提供することである。
【解決手段】 結晶成長工程では、薄膜形成装置１１を用いて薄膜を形成する。このとき形成された薄膜の特性値には、プロセス誤差ｗが含まれている。計測工程では、計測部１２によって形成される薄膜の計測特性値を計測する。このとき計測される計測特性値には、計測誤差νが含まれている。仮想結晶成長工程では、仮想的薄膜形成装置１３におって形成される薄膜の特性値を演算によって求め、演算特性値を演算する。計測誤差除去工程では、計測誤差除去部１４によって、演算特性値と計測特性値とに基づいて、プロセス誤差ｗおよび計測誤差νのうち計測誤差νだけを計測特性値から除去した予測特性値を演算することができる。さらに装置条件決定工程では、条件設定部１５によって予測特性値に基づいて、薄膜形成装置１１の新たな装置条件が決定される。 （もっと読む）

【課題】 熱などに不安定で融液法では結晶化ができない有機材料であっても、溶媒蒸発法により任意の厚さでかつ大型、高品質な有機単結晶６を作製できる薄膜状有機単結晶の製造方法を提供し、かつ任意の厚さでかつ大型で高品質な有機単結晶６の作製に適した薄膜状有機単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】 一対の基板４ａ，４ｂによって形成された隙間に、結晶化させる有機物質を溶媒に溶解させて得られた溶液５を充填した後、溶液５を充填した一対の基板４ａ，４ｂから溶媒を蒸発させる速度の制御を行って有機単結晶６を作製する薄膜状有機単結晶の作製方法などにより課題を解決した。 （もっと読む）