【課題】ＯＳＦ領域の位置や広さを指標とすることなく引き上げ速度の制御方向を判断することによって、後続の引き上げの速度プロファイルをフィードバック調整するシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によってＣＯＰ及び転位クラスタを含まないシリコン単結晶インゴットを育成し、シリコン単結晶インゴットからシリコンウェーハ４０を切り出し、as-grown状態のシリコンウェーハ４０に対して反応性イオンエッチングを施すことにより、酸化シリコンを含むgrown-in欠陥をエッチング面上の突起として顕在化させる。顕在化した突起発生領域４６に基づいて、後続の育成工程における育成条件をフィードバック調整する。これにより、欠陥を顕在化させるための熱処理を行うことなく、エッチング工程にて突起が発生する領域の面積をシリコンウェーハ４０の面積の１０％以下とすることができる。 （もっと読む）

【課題】４５０ｍｍあるいはそれより大径の大口径シリコン単結晶の結晶欠陥を、これより小さな径の小口径シリコン単結晶と同等の水準で、しかも低コストかつ短時間にて推定することができる大口径シリコン単結晶の結晶欠陥推定方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によりシリコン融液から成長させる４５０ｍｍ径のシリコン単結晶の結晶欠陥を推定する方法であり、４５０ｍｍ径のシリコン単結晶の引き上げ時の熱履歴を、２００ｍｍ径または３００径のシリコン単結晶の引き上げ時の熱履歴により模擬し、この模擬した熱履歴に基づき４５０ｍｍ径のシリコン単結晶のＣＯＰ欠陥を推定する。 （もっと読む）

【課題】選択エッチングによりＯＳＦのエッチピットのみを検出し、ＯＳＦを正確に判別することができるシリコンウェーハの結晶欠陥評価方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハをウェット酸素雰囲気下で熱処理した後、前記ウェーハ表面をフッ酸と硝酸の混酸溶液でエッチングを行って前記ウェット酸素雰囲気下での熱処理により析出する欠陥を除去し、続いて、選択エッチングを行い、ＯＳＦを判別する。フッ酸と硝酸の混酸を用い、エッチング量（除去厚さ）を１μｍ以上とすることが望ましい。ウェット酸素雰囲気下での熱処理工程の終了後に、ウェーハ表面に形成された酸化膜を除去するため酸化膜除去洗浄を行ってもよい。 （もっと読む）

【目的】
ＺｎＯ単結晶基板上に平坦性と配向性に優れるとともに、欠陥・転位密度が低く、不純物の界面蓄積やＺｎＯ系成長層への拡散が抑制されたＺｎＯ系単結晶の成長方法を提供することにある。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れた高性能な半導体発光素子を提供することにある。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法により、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気とを用い、ＺｎＯ単結晶基板上に６００℃以上９００℃未満の成長温度で熱安定状態のＺｎＯ系単結晶を成長する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】充分な電子デバイス特性が得ることのできる高品質な基板用ＧａＮ系半導体自立基板を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体からなる自立基板であって、前記自立基板の表面に直接Ｎｉを金属電極としてショットキーダイオードを形成した場合、電流−電圧特性における理想因子ｎ値が１以上１．３以下となることを特徴とする自立基板。好ましくは、前記ショットキーダイオードを形成した場合、逆方向電圧−５Ｖ印加時の電流値が、熱電界放出モデルおよび熱電子放出モデルの計算値の和として計算した理論電流値の５０倍以下となることを特徴とする自立基板。 （もっと読む）

【課題】パーフェクト領域に存在するＲＩＥ欠陥を熱処理によって低減することができる、シリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】先ず酸素濃度が１．２×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³（旧ＡＳＴＭ）未満であるシリコン単結晶インゴットを引上げる。次に、このインゴットから切出されかつ反応性イオンエッチング法によるＲＩＥ欠陥密度が１×１０⁴〜１×１０¹⁰個／ｃｍ³である領域を含むシリコンウェーハについて、水素および／またはアルゴンガス雰囲気下で９００〜１０００℃まで２〜５℃／分の範囲内の第１の昇温速度で加熱し、１０００℃を越え１２００℃以下の範囲内の所定温度まで２℃／分以下の範囲内の第２の昇温速度で加熱し、更に上記所定温度で５〜１８０分間保持する熱処理を行うことにより、表面からの深さ２〜１０μｍの範囲内の所定の深さにおける反応性イオンエッチング法によるＲＩＥ欠陥密度を１×１０⁴個／ｃｍ³以下とする。 （もっと読む）

【課題】低酸素のシリコン単結晶に含まれるＰｖ領域とＰｉ領域の境界を判定する。
【解決手段】チョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコンウェーハに対し、少なくとも５００℃〜９００℃までの温度範囲を２℃／ｍｉｎ以下のレートで昇温させるランピング昇温熱処理を施した後、酸素析出物を成長させる酸素析出物成長熱処理を行い、これによって顕在化された酸素析出物の分布によって、シリコンウェーハの結晶欠陥分布を判定する。本発明によれば、低酸素のシリコン単結晶であっても、Ｐｖ領域における酸素析出が十分となることから、Ｐｖ領域とＰｉ領域の境界判別を容易に行うことが可能となる。したがって、ＯＳＦ領域を指標とすることなく、Ｐｖ領域かＰｉ領域しか含まないシリコン単結晶を育成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】低抵抗なｐ型ＳｉＣ半導体を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ結晶中に不純物としてＡｌとＴｉを含み、原子比でＴｉ濃度≦Ａｌ濃度であるｐ型ＳｉＣ半導体。Ａｌ濃度≧５×１０^１８／ｃｍ^３であり、かつ、０．０１％≦〔Ｔｉ濃度／Ａｌ濃度〕≦２０％であることが望ましい。Ａｌ濃度≧５×１０^１８／ｃｍ^３であり、かつ、１×１０^１７／ｃｍ^３≦〔Ｔｉ濃度〕≦１×１０^１８／ｃｍ^３であることが更に望ましい。 （もっと読む）

【課題】光加熱式のアニール炉の低コスト化および光加熱源の長寿命化が図れ、ウェーハ表面のボイド欠陥を消滅させ、ウェーハの表面粗さを小さく可能なシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ表層にイオン注入して形成されたアモルファスシリコン領域部が、単結晶シリコンに比べて吸光係数が高いので、シリコンウェーハより低い加熱温度で、アモルファスシリコン領域部のみを溶融できる。その結果、仮にウェーハ表面にボイド欠陥が存在しても、ウェーハより低温でボイド欠陥を消滅させ、その表面粗さを小さくできる。しかも、従来より低出力の光加熱式のアニール炉でこれらの効果が得られ、アニール炉の低コスト化および光加熱源の長寿命化が図れる。 （もっと読む）

【課題】ＯＳＦ（Oxidation Induced Stacking Fault）領域の位置や広さを指標とすることなく引き上げ速度の制御方向を判断することによって、後続の引き上げの速度プロファイルをフィードバック調整する方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によってＣＯＰ及び転位クラスタを含まないシリコン単結晶インゴット２０を育成し、シリコン単結晶インゴット２０からシリコンウェーハを切り出し、as-grown状態のシリコンウェーハに対して反応性イオンエッチングを施すことにより、酸化シリコンを含むgrown-in欠陥をエッチング面上の突起として顕在化させる。顕在化した突起発生領域に基づいて、後続の育成工程における育成条件をフィードバック調整する。これにより、欠陥を顕在化させるための熱処理を行うことなく、より直近のバッチに対してフィードバックすることができる。 （もっと読む）

【課題】中性子線の照射を行うことなくほぼ均一な高抵抗を持つＣＺウェーハを高い歩留まりで作製可能な方法を提供する。
【解決手段】石英るつぼ１４の内部に原料となるシリコンの固体層２１ａと液体層２１ｂとを共存させ、固体層２１ａを融解させながら液体層２１ｂからシリコンインゴット２０を引き上げる。シリコンインゴット２０から切り出されたシリコンウェーハに対し、格子間酸素密度に応じた酸素雰囲気中アニールを行うことによってＣＯＰを消滅させる。これにより、ドーパントの偏析による抵抗率の変動が抑制され、シリコンインゴットの軸方向における抵抗率を全長の５０％以上に亘って１Ω・ｃｍ以上の高抵抗とすることが可能となる。また、酸素雰囲気中アニールによってＣＯＰが完全に埋め込まれ、消滅する。 （もっと読む）

【課題】デバイス配線パターンの微細化に伴い特に問題視されるデバイス熱処理工程で発生するスリップ転位を抑制し、パターンずれを防止するために効果的なＢＭＤの密度とサイズを有するシリコンウェーハとその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハであって、酸素析出物を析出させる析出熱処理前後における酸素濃度変化量をΔＯ_ｉ（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）（ＪＥＩＤＡ）、ＲＩＥ法によって検出される酸素析出物の密度をＤ（個／ｃｍ^３）とした時に、ΔＯ_ｉ／（Ｄ×１０^６）≦５、かつＤ≧１×１０^１０の関係を満たすものであることを特徴とするシリコンウェーハ。 （もっと読む）

【課題】様々な量の銅原子を含有するシリコンウェーハの再生処理に対応が可能で、銅原子の含有量を効果的に減少させることができる再生シリコンウェーハの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、再生対象となる銅原子を含むシリコンウェーハから銅原子が除去された再生シリコンウェーハを製造する方法であって、再生対象である前記シリコンウェーハを加熱することにより、前記シリコンウェーハの内部に含まれる銅原子を表面に移動させる加熱工程Ｓ２と、前記シリコンウェーハの表面に移動した銅原子をエッチングにより除去するエッチング工程Ｓ３と、エッチング工程Ｓ３を経たシリコンウェーハを加熱した後に、表面における銅原子の存在量を全反射蛍光エックス線分析法により定量して、前記シリコンウェーハの再生の程度を判定する判定工程Ｓ４と、を含むことを特徴とする再生シリコンウェーハの製造方法である。 （もっと読む）

高い化学的純度、すなわち低い窒素含量と、高い同位体純度、すなわち低い¹³C含量とを有する単結晶ダイヤモンド、その製造方法及び該単結晶ダイヤモンドを含むソリッドステートシステムを開示する。 （もっと読む）

【課題】直胴部を育成する前に、現実の比抵抗を把握し、原料融液中のドーパント濃度を適正に調整することにより、良品率の高いシリコン単結晶を製造することができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】ルツボ２内の原料融液６に種結晶８を着液させた状態で、種結晶８を保持する引き上げ軸７とルツボ２との間に電圧を印加してこのときの電流値を測定する。その後種結晶８の引き上げに伴って直胴部９ｃを育成する前に、電圧の印加および電流値の測定を行い、測定した電流値に基づく抵抗の変化量Δρから結晶部位９ｄの比抵抗ρ（ＲＴ）を算出し、この比抵抗の算出値ρ（ＲＴ）が目標値となるように、原料融液６にドーパント原料およびシリコン原料のうちの少なくとも一方を供給する。 （もっと読む）

【課題】より実情に適合した基準のもとで非結晶起因のＣＯＰと結晶起因のＣＯＰとを切り分ける判定方法を提供する。
【解決手段】下記の手順１〜手順３によりＣＯＰの分布がリング状またはディスク状ではないと判定した場合は、結晶起因のＣＯＰではないとする。
手順１：全面のＣＯＰの個数が下限値（例えば１００個）以下のウェーハを対象とする。
手順２：ウェーハを半径方向に分割し、各分割領域のＣＯＰの個数が下限値を超える領域を複数（例えばＡ〜Ｈの８個が望ましい）の扇形に分割し、互いに隣接する複数個（例えば２個）の扇形中のＣＯＰの個数の少なくとも１つが設定値（例えば２個）未満である場合は、リング状ではないとする。
手順３：ディスク領域を複数個（例えば４個）の扇形に分割し、少なくとも１つの扇形領域においてＣＯＰの個数が設定値（例えば１個）未満である場合は、ディスク状ではないとする。 （もっと読む）

砒化ガリウム出発原料を溶融し、次いで砒化ガリウム溶融物を凝固させることによって、ドープされた砒化ガリウム単結を製造する方法であって、前記砒化ガリウム溶融物は、化学量論的組成に対して過剰なガリウムを含み、前記溶融物又は得られる結晶のホウ素濃度は、少なくとも５ｘ１０^１７ｃｍ^−３である方法が開示される。このように得られた結晶は、特に近赤外線の範囲において、低転位密度や高導電性、更に優れた低光吸収性を独自に組み合わせた特徴を有する。
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【課題】ドープされた炭素によってデバイス製造工程等における熱処理時にドナーが発生しても、所望の抵抗率を有するシリコン単結晶ウェーハとすることのできるシリコン単結晶の育成方法及び該シリコン単結晶から作製されたシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶の育成方法であって、チョクラルスキー法によって炭素及び抵抗調整用ドーパントをドーピングしてシリコン単結晶を育成する際に、炭素ドープに伴って発生する抵抗率のシフト量を予め計算し、前記抵抗調整用ドーパントのドープ量を前記シフト分に応じて調整することを特徴とするシリコン単結晶の育成方法。 （もっと読む）

【課題】育成されたままの状態で製品出荷される、しかもライフタイム測定が困難な低抵抗のシリコン単結晶における金属汚染の有無を判定する方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によりシリコン単結晶を引き上げる際に、トップ側で高抵抗の単結晶の引き上げを行って高抵抗部Ｌｂを育成した後、溶融液にドーパントを供給して（白抜き矢印の部位まで引き上げた時点で供給）、低抵抗の単結晶の引上げを行い、得られたシリコン単結晶の高抵抗部のライフタイムを測定することにより、低抵抗の単結晶の金属汚染の判定を行う。前記高抵抗の単結晶の直径を、低抵抗の単結晶の直径よりも小さくする実施形態、あるいは、徐々に増大させる工程および徐々に減少させる工程を含む実施形態を採れば、製品としての低抵抗シリコン単結晶の歩留まり向上等に有効である。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の金属汚染の要因となる引き上げ装置の金属不純物の発生状況を確実に把握できるシリコン単結晶の金属汚染評価方法を提供する。
【解決手段】引き上げ軸７とルツボ２との間に電圧の印加が可能な引き上げ装置を用いてＣＺ法によりシリコン単結晶９を育成する際、シリコン単結晶９の非製品部である直胴部９ｂの下端部またはテイル部９ｃを育成する過程で、引き上げ軸７を負極としルツボ２を正極として電圧印加を行う。この電圧印加を伴って育成された直胴部９ｂの下端部またはテイル部９ｃからサンプルウェーハ１５を採取し、このサンプルウェーハ１５の金属汚染を評価する。サンプルウェーハ１５は、金属不純物の濃度が高く、金属汚染の評価を十分に行うことができる。このような金属汚染評価を、順次育成するシリコン単結晶９ごとに行う。 （もっと読む）