【課題】 抵抗率が０．０２５〜０．００８Ωｃｍでエピタキシャル層を成長させた場合に発生するエピタキシャル欠陥の少ないシリコンウェーハが得られるシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】 ＣＺ法によりシリコン単結晶を育成する方法であって、水素を含む不活性雰囲気中で結晶中の抵抗率が０．０２５〜０．００８Ωｃｍとなるようにドーパンドを添加するとともに、炭素を添加してシリコン単結晶を引き上げるシリコン単結晶育成方法とする。 （もっと読む）

【課題】 III−Ｖ族窒化物と格子定数及び熱膨張係数が整合した基板を用い、その基板上に結晶性の良好なIII−Ｖ族窒化物単結晶膜を成長させた発光素子やダイオード等の半導体素子を提供する。
【解決手段】 １０ｐｐｂ以上０.１モル％以下の遷移金属を含有する窒化アルミニウム単結晶基板１１と、その単結晶基板１１上に直接形成された窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化インジウム及びこれらの物質からなる混晶の中から選ばれた少なくとも１種のIII−Ｖ族窒化物の単結晶膜１２、１４、１５とを備える半導体素子である。単結晶基板１１中には遷移金属又はその窒化物もしくは酸化物の析出がないか、又はその析出物が単結晶基板１１上に形成した半導体素子の特性に影響を与えることがない。 （もっと読む）

【課題】Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥がなく、かつ酸素析出物（ＢＭＤ）がウェーハ面に均一に生じる、引き上げ速度範囲幅の広いシリコン単結晶の製造方法、およびそれによるウェーハを提供する。
【解決手段】ＣＺ法によりＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥を存在させない無欠陥領域によるシリコン単結晶の育成において、窒素を１×１０¹²ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上、５×１０¹⁴ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下、または／および炭素を５×１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上、２×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下をドープし、育成装置内の不活性雰囲気中の水素分圧を窒素ドープの場合は４０Ｐａ以上４００Ｐａ以下、炭素ドープの場合は４０Ｐａ以上１６０Ｐａ以下として、引き上げ速度を選定して育成する。さらに融液中の酸素濃度も制御する。また、このようにして得られた単結晶によるウェーハである。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、欠陥の少ない結晶性に優れた炭化珪素単結晶ウェハを取り出せる炭化珪素単結晶の製造方法及び炭化珪素単結晶インゴットを提供する。
【解決手段】 成長結晶中の添加元素濃度が、成長結晶中で種結晶中と同じ濃度から、所定の濃度変化率の範囲内にて漸増あるいは漸減して所望の濃度まで変化させる炭化珪素単結晶の製造方法、及び、この方法により製造される炭化珪素単結晶インゴットである。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶ウェーハの無欠陥領域を目視により速やかに判定することができるシリコン単結晶ウェーハの品質評価方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハの表面を密度５〜１０Ｅ１０atom/cm²のＦｅで汚染して、前記シリコンウェーハを熱処理炉内に投入し、９００℃〜１２００℃の温度で２時間以上保持する熱処理第１工程と、次に、５００℃〜７００℃の温度で２時間以上保持する熱処理第２工程とを有し、前記熱処理工程をいずれもドライ酸素雰囲気中で熱処理を行うことによりシリコン単結晶ウェーハの表面に汚染元素誘起欠陥を発生させ、シリコン単結晶の無欠陥領域を目視で判定する。 （もっと読む）

【課題】 電子ビーム蒸着法等により蒸着した際に、成膜速度を低減することなくスプラッシュの発生を防止しうる酸化マグネシウム（ＭｇＯ）単結晶蒸着材を得るためのＭｇＯ単結晶、並びに、例えば超伝導特性に優れた超伝導体薄膜を形成しうるＭｇＯ単結晶基板を得るためのＭｇＯ単結晶を提供すること。
【解決手段】 カルシウム含有量が１５０×１０^-6〜１０００×１０^-6kg/kg、ケイ素含有量が、１０×１０^-6kg/kg以下のＭｇＯ単結晶であって、ＭｇＯ単結晶の研磨面をＴＯＦ−ＳＩＭＳにより分析したときのカルシウムフラグメントイオン検出量の変動がＣＶ値で３０％以下であるＭｇＯ単結晶である。また、このＭｇＯ単結晶から得られるＭｇＯ単結晶蒸着材及び薄膜形成用ＭｇＯ単結晶基板である。 （もっと読む）

【課題】 フッ化物結晶の転位密度を非破壊に精度良く測定することができるフッ化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 フッ化物結晶の転位密度を測定する方法であって、フッ化物結晶０１中の転位線０２に欠陥集合体０３を発生させる工程と、前記欠陥集合体０３を光学的に検出して転位線密度を測定する工程と、前記欠陥集合体０３を消去する工程とを有するフッ化物結晶の転位密度測定方法。前記転位線に欠陥集合体を発生させる工程が、放射線をフッ化物結晶に照射する工程である。前記欠陥集合体を光学的に検出する工程が、光をフッ化物結晶の欠陥集合体に照射する工程と、前記欠陥集合体により散乱された光を検出する工程である。前記欠陥集合体を消去する工程が、フッ化物結晶を冷却しながら放射線を照射する工程である。 （もっと読む）

【課題】従来容易には検出することができなかった電気抵抗率が１０ｍΩ・ｃｍ未満である超低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥、特にＢＭＤの特性を、有害なクロムを含有しないクロムレスのエッチング液を用いて選択エッチングすることにより評価し、利用することを可能にする、選択エッチング方法を提供する。
【解決手段】容量組成が、０．０２以上０．１以下のフッ酸と、０．５以上０．６以下の硝酸と、０．２以上０．２５以下の酢酸と、水とを少なくとも含有する選択エッチング液を用いて、電気抵抗率が１０ｍΩ・ｃｍ未満のシリコン単結晶基板を０．１μｍ／ｍｉｎより大きな速度でエッチングし、前記シリコン単結晶基板の表面にＢＭＤを顕在化させることを特徴とする選択エッチング方法。 （もっと読む）

【課題】安全性が高く、かつ、精度良く短時間で簡便にウェーハ表面の結晶欠陥を評価する方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハの表面に酸化膜を形成するための熱処理を行った後、前記シリコンウェーハをアルゴンを含む雰囲気で熱処理して前記シリコンウェーハ表面に酸化膜ホールを形成し、該酸化膜ホールを検出することによって、前記シリコンウェーハ表面に存在する結晶欠陥を評価する。 （もっと読む）

本発明は非線形光学特性を有する結晶、特にニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを屈折率の光誘起変化に起因する強い露光の損傷作用（光損傷）に対して減感する方法に関する。光線により誘発される屈折率の変更によって同種類の損傷が誘発される。外在的なイオンによって結晶の暗伝導性が高められる。 （もっと読む）

【目的】エピタキシャル成長面の凹凸が小さく、良好な特性を有し、生産性に優れた半導体エピタキシャル基板を提供する。
【構成】基板の結晶学的面方位が、１つの｛１００｝面の結晶学的面方位から傾いており、その傾きの大きさが0.05°以上0.6°以下である単結晶砒化ガリウム基板上にエピタキシャル成長により結晶が形成されており、エピタキシャル結晶の少なくとも一部がＩｎ_x Ｇａ_(1-x) Ａｓ結晶（ただし０＜ｘ＜１）であり、かつエピタキシャル成長が熱分解気相成長方法によって行われることを特徴とする半導体エピタキシャル基板。 （もっと読む）

本発明は、式Ａ_eＬｎ_fＸ_(3f+e)（この式のＬｎは一つ以上の希土類を表し、ＸはＣｌ、Ｂｒ又はＩのうちから選ばれる一つ以上のハロゲン原子を表し、そしてＡはＫ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ又はＣｓなどの一つ以上のアルカリを表し、ｅはゼロであってもよいが３ｆ以下であり、ｆは１以上である）の多結晶性ハロゲン化物ブロックであり、水とオキシハロゲン化物の含有量が少ない多結晶性ハロゲン化物ブロックの作製方法に関する。該方法は、少なくとも一つのＬｎ−Ｘ結合を有する少なくとも１種の化合物と、所望のオキシハロゲン化物含有量を得るために十分な量のＮＨ₄Ｘとの混合物を加熱する工程であり、結果として希土類ハロゲン化物を含む溶融物を生じさせる加熱工程を含み、この加熱工程の後には冷却工程が続き、前記加熱工程は、３００℃に到達した後は、前記溶融物が得られる以前には２００℃よりも低い温度に決して低下しない。結果として得られるブロックは、並外れたシンチレーション特性を備えた非常に純粋な単結晶の成長を可能にする。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャル成長または高温熱処理を行うことにより、高いゲッタリング能を有するエピタキシャルウェーハおよび高温熱処理ウェーハを得る。
【解決手段】 窒素を添加したシリコン結晶における結晶成長時に導入された酸素析出物の半径に対する密度を表す関係式を、窒素濃度と結晶成長中の１１００℃近傍での冷却速度から導出し、導出された酸素析出物の半径毎の密度を表す関係式と酸素濃度およびウェーハ熱処理プロセスを与えることにより、熱処理後に得られる酸素析出物密度を予測できる。また、その方法を用いて予測される条件を用いて適正な酸素析出物密度に制御されたエピタキシャル成長ウェーハおよび高温アニールウェーハを得る。 （もっと読む）

【課題】 ボロンドープによるｐ^＋ＣＺ基板を使用するとともに、酸素析出核非形成領域の形成幅を十分縮小しつつ、ＩＧ効果発現には十分な密度の酸素析出物を形成可能なシリコンエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】 シリコンエピタキシャルウェーハ１００は、ＣＺ法により製造され、かつ、抵抗率が０．００９Ω・ｃｍ以上０．０１２Ω・ｃｍ以下となるようにボロンがドープされたシリコン単結晶基板１上に、シリコンエピタキシャル層２を形成してなる。シリコンエピタキシャルウェーハ１００を構成するシリコン単結晶基板１中には、密度１×１０^１０ｃｍ^−３以上の酸素析出核を有する。また、シリコン単結晶基板１のシリコンエピタキシャル層２との界面をなす表層部に形成された酸素析出核の非形成領域１５の幅が０μｍより大きく１０μｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】 ボロンドープによる抵抗率０．０１８Ω・ｃｍ以下のｐ^＋ＣＺ基板を使用するとともに、酸素析出物が観察困難な寸法となっているにも関わらず、ＩＧ効果は十分に確保でき、かつ、基板の反りや変形などの問題も生じ難くなるよう、該酸素析出物の形成状態を適性化できるシリコンエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】 シリコンエピタキシャルウェーハ１００は、ＣＺ法により製造され、かつ、抵抗率が０．０１８Ω・ｃｍ以下となるようにボロンがドープされたシリコン単結晶基板１上に、シリコンエピタキシャル層２を形成してなる。シリコンエピタキシャルウェーハ１００を構成するシリコン単結晶基板１中には、密度１×１０^８ｃｍ^−３以上３×１０^９ｃｍ^−３以下のバルク積層欠陥１３を有する。 （もっと読む）

【課題】 高品質のエピタキシャル膜を安定して成長できるＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ基板とこのＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ基板を得るための洗浄方法を提供する
【解決手段】 Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ基板の表面上に存在する粒径０．２μｍ以上のパーティクルの数がＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ基板の口径を２インチとしたときに２０個以下であるＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ基板である。また、検出角度１０°でのＸ線光電子分光法によるＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ基板の表面の光電子スペクトルにおいて、Ｃ_1s電子とＮ_1s電子のピーク面積の比（Ｃ_1s電子のピーク面積／Ｎ_1s電子のピーク面積）が３以下であるＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＮ基板である。 （もっと読む）

【課題】 構造欠陥密度が低減され、真空紫外光照射時の透過率低下が少ないフッ化物単結晶の製造方法であって、結晶成長段階での精密制御を必要としない製造方法の提供を課題とする。
【解決手段】 ルツボに充填したフッ化物を真空炉内で加熱してフッ化物融液とする融解工程と、フッ化物融液から一酸化炭素(ＣＯ)を除去する一酸化炭素除去工程と、一酸化炭素除去工程を経たフッ化物融液を冷却して結晶化する結晶化工程と、を有する製造方法によりフッ化物単結晶を製造する。 （もっと読む）

シリコン単結晶中の初期酸素濃度と、シリコン単結晶が結晶成長の際に受ける４００℃から５５０℃の間の熱履歴に応じて発生するサーマルドナーの濃度と、を特定することによって、シリコン単結晶を熱処理した場合にその熱処理過程でシリコン単結晶中に発生する酸素析出物の核発生速度を求める。さらにシリコン単結晶に加える熱処理条件を特定することによって、任意の熱処理条件における酸素析出物の密度および酸素析出量を演算によって予測する。 （もっと読む）