切断されたまま、又は一部工程の終了した、多結晶シリコンウェハなどのバンドギャップ材料からルミネセンス画像を撮影する（２）一方法（１）が開示される。この画像は次に処理されて（３）、バンドギャップ材料中にある転位などの欠陥に関する情報を提供する。得られた情報は、バンドギャップ材料から製造される太陽電池の、開放電圧、及び短絡電流のような、種々の主要パラメータの予測に利用される（４）。この情報は、バンドギャップ材料の分類へも利用することが可能である。この方法は、バンドギャップ材料中の欠陥密度の低減を目的とする、アニールなどの追加プロセス工程の調整又は効果の評価に利用することも可能である。
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【課題】酸素ドナーのような不純物を含み、不純物濃度の高いシリコン原料（リサイクル原料）であっても、所望の（制御された）電気抵抗率を有するシリコンインゴットを容易に、かつ優れた量産安定性をもって得ることができる製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】不純物を含むシリコン原料の電気抵抗率を測定し、得られた電気抵抗率の測定値に応じて、該シリコン原料を分類する工程および前記電気抵抗率の測定値に応じて、ボロン（Ｂ）の添加量を算出してボロン（Ｂ）を含む材料をシリコン原料に添加する工程を含む、制御された電気抵抗率を有するシリコン単結晶インゴットを融液成長法により製造することを特徴とするシリコン単結晶インゴットの製造方法により、上記の課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】表面モフォロジと光学特性に優れた高品質の窒化物半導体を得るための結晶成長技術を提供すること。
【解決手段】エピタキシャル成長用の基体として、少なくとも一方の主面が窒化物である基体を準備し、この基体を、エピタキシャル成長用反応炉内のサセプタ上に載置して所定の温度まで昇温する（工程Ａ）。このとき、反応炉内に不活性ガスである窒素ガスを供給しながら昇温を開始し、活性ガスであるＮＨ_３ガスの供給を行う。続いて、基体の窒化物主面を熱的にクリーニングする工程を設けずに、第１の窒化物半導体層の成長工程（工程Ｂ）に移行する。この工程Ｂでは、基体の窒化物主面上にＳｉ原料が供給されない環境下で第１の窒化物半導体層がエピタキシャル成長される。そして、この第１の窒化物半導体層の上に、ｎ型ドーパント原料を供給しながら、比較的厚い層である第２の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる（工程Ｃ）。 （もっと読む）

【課題】主表面上に少なくとも１層の３種類以上の元素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させても高い特性を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体デバイスが得られるＧａＡｓ半導体基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ半導体基板１０は、主表面１０ｍが（１００）面１０ａに対して６〜１６°の傾斜角θを有し、主表面１０ｍにおける塩素原子濃度が１×１０¹³ｃｍ^-2以下である。また、ＧａＡｓ半導体基板１０の製造方法は、ＧａＡｓ半導体ウエハを研磨する研磨工程と、研磨されたＧａＡｓ半導体ウエハを洗浄する１次洗浄工程と、１次洗浄後のＧａＡｓ半導体ウエハの厚さおよび主表面１０ｍの粗さを検査する検査工程と、検査後のＧａＡｓ半導体ウエハを塩酸以外の酸およびアルカリのいずれかにより洗浄する２次洗浄工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムを含む原料シリコン融液(2)から、いわゆる方向凝固法により、シ
リコン方向凝固物(4)を得、これ(4)から粗シリコン領域(45)を切除して、歩留率の目標値
(Ｙ₀)で、目標最大アルミニウム濃度(Ｃ_10max)以下の精製シリコン(1)を得ることのでき
る方法を提供する。
【解決手段】本発明の製造方法は、Ｃ_10maxと、Ｙ₀とから、あらかじめ、下式（１）を満
足する基準温度勾配(Ｔ₀)および基準凝固速度(Ｒ₀)を求める。
ｋ＝｛Ｋ₁×Ｌｎ（Ｒ₀）＋Ｋ₂｝
×｛Ｋ₃×ｅｘｐ［Ｋ₄×Ｒ₀×（Ｋ₅×Ｃ₂＋Ｋ₆）］｝
×｛Ｋ₇×Ｔ₀＋Ｋ₈｝−Ｋ₉…（１）
〔ｋは、式（２）
Ｃ_10max＝ｋ'×Ｃ₂×（１−Ｙ₀）^k'-1…（２）
（ｋ'はアルミニウム実効分配係数、Ｃ₂は原料シリコン融液のアルミニウム濃度）
を満足するように求めたアルミニウム実効分配係数ｋ'の０．９倍〜１．１倍の範囲から選ばれる係数。〕 （もっと読む）

【課題】酸素クラスターおよび酸素析出物が溶解されているチョクラルスキー単結晶シリコンウエハならびにその製造方法を提供すること；および酸素析出熱処理に供されたときに酸素析出物または酸素クラスターが形成されないそのようなウエハを提供すること。
【解決手段】チョクラルスキー単結晶シリコンウエハを熱処理する方法であって、ウエハを、急速アニーリング装置において、少なくとも約１１５０℃の温度で、雰囲気中で熱処理して、存在する酸素クラスターまたは酸素析出物を溶解し、熱処理されたウエハを、次いで、約９５０℃〜１１５０℃の間の温度に、約２０℃／秒を超える速度で冷却し、その後、約９５０℃〜１１５０℃の間の温度で熱アニーリング処理することによって、酸素析出熱処理に供されたときに酸素析出物が形成され得ないウエハを製造する。 （もっと読む）

【課題】鉄が添加されており半絶縁性のＧａＮ基板のための窒化ガリウムを形成する方法を提供する。
【解決手段】有機金属塩化水素気相装置１１のサセプタ上に、（０００１）面を有するサファイア基板といった基板１を配置する。次いで、フェロセンといった鉄化合物のソース１３からの鉄化合物ガスＧ_Ｆｅと塩化水素ソース１５からの塩化水素ガスＧ１_ＨＣｌを混合器１６において反応させて、塩化鉄（ＦｅＣｌ_２）といった鉄含有反応物のガスＧ_{ＦｅＣｏｍｐ}を生成する。この生成と共に、鉄含有反応物Ｇ_{ＦｅＣｏｍｐ}、窒素ソース１７からの窒素元素を含む第１の物質のガスＧ_Ｎおよびガリウム元素を含む第２の物質のガスＧ_Ｇａを反応管２１に供給して、鉄が添加された窒化ガリウム２３を基板１上に形成する。 （もっと読む）

【課題】酸素析出核の大きさを微調整することができるプレ熱処理及びそのプレ熱処理で得られたＢＭＤ密度が均質なシリコンウェーハを得る。
【解決手段】窒素をドープした一本のシリコン単結晶インゴットからスライスされた各ウェーハのインゴット上の位置を、そこに含まれる窒素濃度及び酸素濃度と関連して特徴付け、インゴット上の各位置における各ウェーハに対して上記処理温度未満の温度で滞留させる工程を行わないもの、１条件でのみこの工程を行うもの、そして、少なくとも２以上の条件でこの工程を行うものに分類する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体単結晶基板自体の吸収係数を低減させる。
【解決手段】窒化物半導体単結晶基板は、ＡｌＮの組成と、１×１０¹⁷ｃｍ^-3以下の全不純物密度と、３５０〜７８０ｎｍの全波長範囲における５０ｃｍ^-1以下の吸収係数とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】コンピュータシミュレーションによって得られる酸素析出物（ＢＭＤ）の挙動を、赤外線トモグラフ法で得られる画像イメージで表示することによって、ＢＭＤの挙動を直感的、視覚的に理解することを可能にする方法を提供する。
【解決手段】あらかじめコンピュータシミュレーションによって準備される、半導体単結晶中の酸素析出物の密度の情報をコンピュータに入力する入力処理と、この密度に対して、表示装置の表示領域に相当する体積を乗ずることにより、表示領域中の酸素析出物の個数を算出する個数算出処理と、乱数を用いて、個数分の前記表示領域中の酸素析出物の位置座標を生成する座標生成処理と、位置座標に応じて、表示装置に表示領域中の酸素析出物を画像として表示する出力処理を有することを特徴とするコンピュータを用いた半導体単結晶中の酸素析出物を画像化して表示する方法。 （もっと読む）

補償されたシリコン原料からシリコンインゴットを形成する際に抵抗率を制御する方法が、補償され改質された金属級シリコン原料を調製して溶融させてシリコン融液を形成する。補償され改質された金属級シリコン原料によりｐ型優勢の半導体が得られる。このｐ型半導体について、当該方法がホウ素およびリンの濃度を評価し、所定量のアルミニウムまたは／およびガリウムを添加する。当該方法はさらに、所定量のアルミニウムまたは／およびガリウムと一緒にシリコン原料を溶融させてシリコン融液を形成し、このシリコン融液から一方向凝固を実行し、アルミニウムまたは／およびガリウムを添加することにより、シリコンインゴット全体に亘ってシリコンインゴットの抵抗率を均一に維持する。個々のインゴット中でシリコン原料の抵抗率が小さくなる（典型的には０．４Ωｃｍよりも小さく）なる場合、釣り合いの取れた量のリンをアルミニウムまたは／およびガリウムに場合によっては添加することができる。抵抗率が非常に小さい（典型的には、０．２Ωｃｍ付近および０．２Ωｃｍより僅かに小さい）場合には、リンの添加が必要になる。
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【課題】輝度低下要因の一つであるカーボン混入を低減させ、高輝度の発光素子（例えば、赤色ＬＥＤ）を作製するためのエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、活性層、クラッド層を含むエピタキシャル層を液相エピタキシャル成長法により順次成長させるエピタキシャルウエハの製造方法において、上記エピタキシャル層を成長させる際、上記エピタキシャル層内に取り込まれるカーボン量を３〜６×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｃの範囲とすべく、最高到達温度での保持時間を１．２５〜２ｈｒとし、その後降温させ、降温中に上記エピタキシャル層を成長させる方法である。 （もっと読む）

【課題】 シリコン結晶の製造方法及びシリコンウェハの製造方法に関し、別個のリファレンスを要することなく、簡便な赤外線吸収差スペクトルによってシリコン結晶中の窒素濃度を精密に測定する。
【解決手段】 チョクラルスキー法により窒素を含むシリコン結晶を作成したのち、前記シリコン結晶を第一の加熱温度で準熱平衡状態に到らしめて前記シリコン結晶の第一の赤外線吸収スペクトルを測定し、次いで、前記シリコン結晶を第二の加熱温度で準熱平衡状態に到らしめて前記シリコン結晶の第二の赤外線吸収スペクトルを測定したのち、第一の赤外線吸収スペクトルと第二の赤外線吸収スペクトルとの赤外線吸収差スペクトルを求め、次いで、窒素に起因する欠陥に対応する吸収ピークの強度を求め、求めた吸収ピークの強度に基づいて前記シリコン結晶中の窒素濃度を求める。 （もっと読む）

【課題】表面から一定の深さまで結晶欠陥の発生がないＤＺ層を均一に形成し、かつウエーハ内部には急峻なプロファイルを有する酸素析出物を高精度に確保・制御することのできるシリコンウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】表層に無欠陥領域を有するシリコンウエーハの製造方法であって、少なくとも、被処理シリコンウエーハの表面から所定深さの表層領域のみを１１００℃以上の温度で０．０１ｍｓｅｃ以上１ｓｅｃ以下の熱処理を行って表層を無欠陥化するシリコンウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 抵抗値の高いIII族窒化物半導体結晶、III族窒化物半導体基板、半導体装置およびIII族窒化物半導体結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】 ＧａＮ基板１のＦｅドープＧａＮ層１４は、遷移金属原子であるＦｅ原子が添加されたIII族窒化物半導体結晶であって、Ｇａ原子空孔密度が１×１０^１６ｃｍ^−３以下である。ＦｅドープＧａＮ層１４のＦｅ原子の密度は、５×１０^１７ｃｍ^−３〜１０^２０ｃｍ^−３である。また、ＦｅドープＧａＮ層１４のＦｅ原子の密度は、ＦｅドープＧａＮ層１４中の酸素原子およびシリコン原子の合計の密度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】 鉛をフラックス成分とするＬＰＥ法において、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶に含まれる鉛の量を０.１重量％に減らすことのできるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶とその結晶育成技術。
【解決手段】 希土類酸化物と酸化鉛を含んだフラックス成分からなる融液を用いた液相エピタキシャル法において、融液中の酸化鉛モル濃度が５％以上かつ１３%以下にて育成したテルビウムを主成分としたビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶にて鉛の混入が抑制できる。 （もっと読む）

【課題】表層部において所望の欠陥密度を有するアニールウエーハを安定して供給する方法を提供する。
【解決手段】シリコンウエーハをアニールしてアニールウエーハを製造する際に原料となるシリコンウエーハを選定する方法であって、前記アニールする前後のシリコンウエーハの表層部における欠陥について測定する工程と、前記測定により得られたデータからアニール前後の表層部における欠陥について相関関係を求める工程と、前記相関関係に基づき、前記アニール後に表層部において所望の欠陥密度を有するアニールウエーハとなり得るシリコンウエーハを原料として選定する工程とを含むことを特徴とするシリコンウエーハの選定方法。 （もっと読む）

【課題】研磨されない半導体ディスクの表面品質を改善し、その上に製造される素子の、より小さな線幅を可能にする。
【解決手段】研磨されない半導体ディスクを製造する方法が以下のステップ、すなわち：（ａ）半導体材料から単結晶を成長させ、（ｂ）該単結晶を円筒研削し、（ｃ）該単結晶から半導体ディスクを切断し、（ｄ）該半導体ディスクのエッジを丸み付けし、（ｅ）該半導体ディスクの少なくとも片面を表面研削し、（ｆ）該半導体ディスクをエッチング媒体により処理し、（ｇ）該半導体ディスクを最終的にクリーニングするというステップを有しているようにした。 （もっと読む）

【課題】炭素添加によりＯＳＦの形成を抑制し、酸素濃度の許容上限（濃度マージン）を高めることが可能になり、優れたゲッタリンク能力の無欠陥ウェーハを提供する。
【解決手段】ＣＺ法により製造され、結晶径方向の全面に亘りＣＯＰおよび転位クラスターからなるＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥を存在させることなく、かつ炭素濃度が５×１０¹⁵〜１×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³（ＡＳＴＭ Ｆ１２３−１９８１）であるシリコン単結晶から切り出されることを特徴とする半導体シリコンウェーハである。さらに、酸素濃度が１０×１０¹⁷〜１６×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³（ＡＳＴＭ Ｆ１２１−１９７９）であるシリコン単結晶から切り出されるのが望ましく、急速昇降温熱処理（ＲＴＡ）により、ウェーハ最表面に形成されたＤＺ層の境界面から深さ５０μｍまでの表層部にＢＭＤ最大密度が１×１０⁹個／ｃｍ³以上となるピーク位置を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 抵抗率が０．０２５〜０．００８Ωｃｍでエピタキシャル層を成長させた場合に発生するエピタキシャル欠陥の少ないシリコンウェーハが得られるシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】 ＣＺ法によりシリコン単結晶を育成する方法であって、水素を含む不活性雰囲気中で結晶中の抵抗率が０．０２５〜０．００８Ωｃｍとなるようにドーパンドを添加するとともに、炭素を添加してシリコン単結晶を引き上げるシリコン単結晶育成方法とする。 （もっと読む）