【課題】 電子デバイス等に用いられる部品の生産性を向上させる。
【解決手段】 四角柱状に加工された結晶体からなる複数のブロック体を積み重ねつつ並べた状態に接合するブロック体接合工程と、接合された前記複数のブロック体の外周を切断して所定の厚さのウェハを形成する切断工程と、から構成されることを特徴とし、結晶体がアズグロウン人工水晶からなり、直接接合又は紫外線硬化性接着剤により接合されており、切断がＡＴカットとなるカットアングルでなされる。 （もっと読む）

【課題】異物密度の小さい高品質な人工水晶を効率よく製造することが可能な人工水晶の製造方法等を提供する。
【解決手段】オートクレーブ内に板状（または棒状）の種子水晶１ａを配置し、その基本成長面の重力方向に対する傾きθを３．５°以上１６°以下とした状態で水熱合成法により人工水晶を育成する。これにより傾斜させた水晶種子１ａの下方側の基本成長面に成長させた人工水晶の異物密度の値をＪＩＳ Ｃ６７０４（２００５年版）に定める等級Ｉの要件を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】二重ルツボ法によるＬｉＮｂＯ₃、Ｙ₃Ａｌ₅Ｏ₁₂、Ｌｕ₂ＳｉＯ₅、Ｇｄ₂ＳｉＯ₅、ＹＶＯ₄等の酸化物、Ｓｉ、ＧａＡｓ等の半導体等の単結晶引き上げにおいて、簡単な装置構成で、単結晶の組成制御操作性に優れ、メンテナンスも容易であり、高品質の単結晶を低コストで効率的に得られる製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】側面に孔１ａが形成された内ルツボ１と外ルツボ２とかならなる二重ルツボを用い、前記内ルツボ１と外ルツボ２に、異なる組成の原料融液４，５をそれぞれ充填し、前記孔１ａを外ルツボ２内の原料融液５の液面より高い位置に保持して、内ルツボ１内の原料融液４と外ルツボ２内の原料融液５とを分離し、単結晶６引き上げ開始後、前記孔１ａを外ルツボ２内の原料融液５の液面より低い位置にして、内ルツボ１内に外ルツボ２内の原料融液５を流入させて、内ルツボ１内の原料融液４の組成制御を行う。 （もっと読む）

【課題】高い密度及び配向度の結晶配向セラミックスを優れた量産性で製造できる異方形状粉末及びその製造方法、並びに結晶配向セラミックスの製造方法を提供すること。
【解決手段】特定の結晶面｛１００｝面が配向する配向粒子からなる異方形状粉末及びその製造方法、並びに該異方形状粉末を用いた結晶配向セラミックスの製造方法である。異方形状粉末は、一般式（１）(Ｋ_aＮａ_1-a)(Ｎｂ_1-bＴａ_b)Ｏ₃（但し、０≦ａ≦０．８、０．０２≦ｂ≦０．４）で表される等方性ペロブスカイト型の５価金属酸アルカリ化合物を主成分とする。異方形状粉末の作製にあたっては、特定組成のビスマス層状ペロブスカイト型化合物を酸処理し、得られた酸処理体にＫ源等を添加して加熱する。 （もっと読む）

【課題】真空や高エネルギーを必要とする特殊な装置や、高価で特殊な原料を使用することなく、低温でニオブ酸カリウムの薄膜を作製することのできる、ニオブ酸カリウムの低温製膜法を提供する。
【解決手段】Ｋ_２ＮｂＯ_３Ｆの単結晶を基板上で潮解させ、乾燥した。潮解させる際の湿度は、６０％以上であり、潮解させる際の温度は、０〜５０℃であることが好ましい。室温で高品位のニオブ酸カリウムの単結晶薄膜を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】特に流動性の高い原料融液を用いて酸化物単結晶を育成する場合等であっても、クラックや融液ダレを生じることなく、種結晶方位と同じ方位に単結晶を育成できる単結晶の製造装置等を提供する。
【解決手段】育成炉１内に、原料融解槽11と融液保持槽12と種結晶保持部13と駆動部14とを具え、融液保持槽12が、上下方向に延びる第１貫通孔19をもち、融液を受け止める上板部材16と、この下方に設置され、上板部材16の第１貫通孔19を通して流下する融液を保持する空間構造20をもつ中間部材17と、この空間構造20に保持された融液を、下方に設置された種結晶15に連続供給するため、第２貫通孔22をもつ下板部材18とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶配向が制御され優れた圧電特性を有し、しかも適量の気孔を有する圧電体の製造方法を提供することにある。圧電特性に優れ、上下層との密着性が高く、膜剥離が抑制された耐久性に優れた圧電体を得て、これを用いた圧電体素子を提供することにある。高解像度化、高速印字、微細化されても液体吐出量が多い液体吐出ヘッドを提供する。
【解決手段】ＡＯ_x結晶が形成される温度であってＡＢＯ₃ペロブスカイト型酸化物結晶が形成される温度未満の温度に前記基体を加熱し、Ａ元素及びＢ元素を含む酸化物を用いてＡＯ_x結晶を含む膜を前記基体上に形成する形成工程と、ＡＯ_x結晶が存在可能な温度を超える温度であってＡＢＯ₃ペロブスカイト型酸化物結晶が形成される温度に前記基体を加熱することにより、前記ＡＯ_x結晶を含む膜を前記ＡＢＯ₃ペロブスカイト型酸化物結晶の膜に変える変換工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】従来の気相結晶成長法を用いて水晶成膜用基板上に形成した水晶ウエハより水晶片を製造する方法では、例えば平板状の水晶成膜用基板主面全面上に所望の厚みの水晶ウエハを形成しても、この水晶ウエハの厚みは、厚い場合でも百数十μｍであり、水晶デバイス内に搭載するサイズの水晶片に機械的な切断加工を施すことが非常に難しい。
【解決手段】水晶片の主面外形形状と同外形形状の平坦面が頂部に形成された凸部が、一方の主面上にマトリックス状に形成されている水晶成膜用基板を用いて、気相結晶成長装置の結晶成長室内に、前記水晶成膜用基板を配置する工程と、水晶成膜用基板に形成したバッファ層の上に水晶片を、気相結晶成長法により成長させる工程と、水晶成膜用基板を結晶成長室内より取り出し、水晶片をバッファ層ごと水晶成膜用基板から個々に分離するする工程とを備えた水晶片の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 電気機械結合係数が大きく、フィルター、ジャイロ等の波動デバイス用途の小型化、高圧電応答性を可能にする圧電単結晶組成物を提供すること。
【解決手段】 ランガサイト型構造を有し化学式（Ｂａ_aＳｒ_bＣａ_c）₃（Ｎｂ_dＴａ_eＷ_f）Ｇａ_5-x（Ｇｅ_1-gＳｉ_g）_xＯ₁₄で表され、ａ＋ｂ＋ｃ＝１、０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、０≦ｃ≦１、ｄ＋ｅ＋ｆ＝１、０≦ｄ≦１、０≦ｅ≦１、０≦ｆ≦１、０≦ｇ≦１、０≦ｘ≦５の範囲内の単結晶から成る圧電単結晶組成物を可能にする。 （もっと読む）

【課題】短時間で所望の特性を有する圧電素子を製造できる圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、放電用ガスが供給されるチャンバ内に、互いに異なる物質を含む複数のターゲットを配置するとともに、ターゲットに対して所定の位置関係で基板を配置し、複数のターゲットのそれぞれをスパッタリングして、複数のターゲットのそれぞれから発生した物質で、基板上に圧電素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】端面処理の粗さに起因して発生する不良を低減することができるウェーハの端面
処理方法を提供する。
【解決手段】複数の平板状のウェーハ１を積層し、仮接着剤２により各ウェーハ１間を接
着して積層ブロック１０を形成する積層ブロック化工程と、積層ブロック化工程により積
層した積層ブロック１０の四方側面をラッピングするラッピング工程と、ラッピング工程
によりラッピングした積層ブロック１０の四方側面を所定のエッチング液３１によりエッ
チングするエッチング工程と、エッチング工程によりエッチングした積層ブロック１０か
ら仮接着剤２を除去して各ウェーハ１を剥離する剥離工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】鉛を含まない新規な強誘電体または圧電定数の大きい新規な圧電体を提供する。
【解決手段】圧電体は一般式がＢａ_１−ｘＫ_ｘＴｉＯ_３−ｘＦ_ｘ（ただし、０＜ｘ＜０．１３）として表される組成を有する強誘電体結晶である。この結晶は、Ｂａに対するＴｉのモル比が大きくなるように原料を配合する原料配合工程と、ＫＦを融剤としたフラックス法によりＢａＴｉＯ_３結晶を成長させようとする結晶成長工程と、を経ることにより得ることができる。その圧電定数ｄ_３３は室温で３００ｐＣ／Ｎであり、比誘電率ε’は１２０００である。 （もっと読む）

【課題】陰イオンをＯサイトへ添加することが可能で、電気特性や光学特性等の改善を図ることが可能な酸化亜鉛単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】液相エピタキシャル法を用いた酸化亜鉛単結晶の製造方法において、亜鉛を含む原料溶液２として、リン酸塩を含む原料溶液２を用い、液相で酸化亜鉛単結晶をエピタキシャル成長させる。また、リン酸塩として、亜鉛のリン酸塩および／または亜鉛以外の物質のリン酸塩を用いる。また、リン酸塩として、Ｚｎ₃（ＰＯ₄）₂を用いる。 （もっと読む）

【課題】二重るつぼ法を用いたタンタル酸リチウム単結晶のようなアルカリ金属酸化物単結晶の製造装置において、作製される単結晶に気泡が発生しない条件を提供する。
【解決手段】外側容器５の周壁３の内径をＲ[ｍｍ]、内側隔壁６の内径をｒ[ｍｍ]、単結晶棒１０の直径をＢ[ｍｍ]、外側容器５内の原料融液４の深さをＤ[ｍｍ]、導通通路７の合計断面積をＳ[ｍｍ^２]、原料融液４中の単結晶成分のモル数をＭ１、および原料融液４中の溶媒成分のモル数をＭ２としたとき、ｒ≧１．４×Ｂ、およびＲ≧ｒ＋４０の各条件を満足するとともに、Ｓ≦｛（Ｍ１＋Ｍ２）／Ｍ１｝×｛１／（２Ｄ＋Ｒ）｝×４．０５×１００００の条件を満足するように設計する。 （もっと読む）

【課題】圧電膜、圧電膜素子、圧電膜素子を用いた液体吐出ヘッドおよび液体吐出装置を提供する。
【解決手段】一般式ＡＢＯ₃で構成されるペロブスカイト複合酸化物から成るエピタキシャル酸化物膜であって、互いに結晶方位のずれを有するＡドメインとＢドメインを少なくとも有し、ＡドメインとＢドメインの結晶方位のズレが２°未満であるエピタキシャル酸化物膜を圧電膜として用いて液体吐出ヘッドの吐出圧力発生素子用として好適な圧電膜素子を得る。 （もっと読む）

【課題】緻密性に優れ、高配向な結晶配向セラミックスの製造方法を提供すること。
【解決手段】準備工程、混合工程、成形工程、及び焼成工程を行うことにより、等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなり、その結晶粒の特定の結晶面Ａが配向する結晶配向セラミックスを製造する方法である。準備工程においては、異方形状の第１配向粒子からなる第１異方形状粉末２と、その１／３以下の粒径を有する微細粉末３として、焼成温度よりも高い融点の第１微細粉末３１と焼成温度よりも低い融点の第２微細粉末３２とを準備する。混合工程においては、微細粉末３と第１異方形状粉末２とを混合する。成形工程においては、原料混合物を成形して成形体を作製する。焼成工程においては、成形体を加熱し、等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなる結晶配向セラミックスを作製する。 （もっと読む）

【課題】 エッチングレートが速く、電気機械結合係数が大きい、量産性に優れた圧電単結晶組成物を提供すること。
【解決手段】 ランガサイト型構造を有する化学式（Ｓｒ_１−ｘＢａ_ｘ）_３Ｇａ_２Ｇｅ_４Ｏ_１４で表される圧電単結晶組成物において、Ｘが０＜ｘ≦１．０の範囲にある圧電単結晶組成物にするか又はランガサイト型構造を有する化学式（Ｓｒ_１−ｘＢａ_ｘ）_３ａＧａ_２ｂＧｅ_４ＣＯ_１４で表される圧電単結晶組成物において、０＜ｘ≦１．０、０．９５＜ａ≦１．０５、０．９０＜ｂ≦１．２０、０．９５＜ｃ≦１．３０の範囲にある圧電単結晶組成物にすること。 （もっと読む）

【課題】結晶性のより良好な圧電体薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電体薄膜１を第１圧電体薄膜１３と第２圧電体薄膜１５との２回に分けて
形成する。ここで、第１圧電体薄膜１３形成後に熱処理を行うため、第１圧電体薄膜１３
の結晶性が、熱処理前の第１圧電体薄膜１３と比較して向上できる。そして、その後形成
される第２圧電体薄膜１５も熱処理後の第１圧電体薄膜１４に倣って結晶成長し、全体と
して結晶性の向上した圧電体薄膜１を得ることができる。また、第１圧電体薄膜１３，１
４の膜厚が、５ｎｍ以上で１００ｎｍ以下で、圧電体薄膜１全体の膜厚である数μｍと比
較すると薄い。この程度の厚さの薄膜は、結晶の欠陥数自体が少ない。そして、熱処理温
度が３００℃より大きければ、欠陥数が少ないので十分な結晶性を得ることができ、８０
０℃以下であれば、基板１０との熱膨張係数の違いによる薄膜の剥離も少なくできる。 （もっと読む）

【課題】Ｚ軸（光軸）を高精度に、且つ簡易な作業で決定することが可能な球状又は半球状の単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】原料となる単結晶のＺ軸方向を予め測定し、このＺ軸と直交するＸ−Ｙ平面を有する板状の単結晶母材２を切り出す。この単結晶母材２のＸ−Ｙ平面に、単結晶母材２とは識別可能な板状の識別材３を接合して接合材４０を得る。この接合材４０分割して、製造しようとする球状体６を包含する大きさの多面体４１を切り出した後、これを球状に形成する。形成された球状体６では、単結晶体からなる水晶部６１と識別材からなる識別部６２との接合面６３がＺ軸と直交するＸ−Ｙ平面を示す目印となる。また、識別部６２を剥離することで、Ｘ−Ｙ平面をオリエンテーションフラット６３ａとする球状体６１を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】Ｇａの収率を向上することができるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法およびその方法により得られるＧａＮ結晶を提供する。
【解決手段】基板６を設置するためのサセプタ７の一主面２と、サセプタ７の一主面２と間隔をあけて対向している対向面３と、サセプタ７の一主面２と対抗面３との間の空間を仕切る側面４と、で取り囲まれた成長室１にアンモニアガスを導入するとともにＩＩＩ族塩化物ガスの噴出口８からＩＩＩ族塩化物ガスを導入することによってサセプタ７の一主面２上に設置された基板６上にＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる際に、サセプタ７の一主面２の面積をＳｃｍ²とし、サセプタ７の一主面２とＩＩＩ族塩化物ガスの噴出口８との距離をＬｃｍとし、成長室１に導入されるガスの標準状態での総量をＶｃｍ³／ｓとしたとき、Ｓ／Ｌ／Ｖの値を０．１ｓ／ｃｍ²以上としてＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる。 （もっと読む）