【課題】切断用ワイヤの断線を防いだ上で、１つの原石からより多くのウエハを取り出すこと。
【解決手段】端面が基準面３１とされた切断用ベース３０上に、基準面３１と原石１０の端面１２とのなす角度が指定した切断角度θとなるように原石１０を接着する接着工程と、切断用ベース３０上に接着された原石１０を間に挟むように、該原石１０の両端面１２に、平板状のカバーガラス４６を貼付するカバー工程と、基準面３１と平行に原石１０を複数のワイヤ２１で切断して、複数枚のウエハに分割する切断工程とを有するウエハの作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】異常粒成長現象が発生する多結晶体における単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】異常粒成長が起こる多結晶体のマトリックス粒子の平均粒径を調節し、これにより異常粒子の個数密度を減少させ、極めて制限された個数の異常粒子だけを生成するか、または、異常粒子の生成を異常粒成長の駆動力の保障範囲内に抑える。この結果、極めて制限された個数の異常粒子だけ、または種単結晶だけを多結晶体中へと成長させ続け、５０ｍｍより大きい単結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】人工水晶をウェハ状に切断する時の切断角度を正確に求めることができる人工水晶の加工方法、この方法により製造された人工水晶及びこの方法を行うための人工水晶加工用の冶具を提供する。
【解決手段】人工水晶３の表面のＺ面が基準面となるように当該Ｚ面を研磨して、この人工水晶３の長さ方向であるＹ方向の端部に形成されたｒ面４が上を向き、且つこのｒ面４が水平となるように、Ｚ面の支持面の傾斜角度が設定された冶具を用いて、研磨したＺ面がこの冶具の傾斜面に沿うように人工水晶３を固定して、当該人工水晶の上面が水平となるように研磨する。 （もっと読む）

【課題】各種特性に優れた電子デバイスを最適な構造で実現することができる電子デバイス用基板、および、かかる電子デバイス用基板を備える電子デバイス、さらに、かかる電子デバイスを備える強誘電体メモリ、電子機器、インクジェット式記録ヘッドおよびインクジェットプリンタを提供する。
【解決手段】電子デバイス用基板１００は、アモルファス層１５を有する基板１１と、アモルファス層１５上に、少なくとも厚さ方向に配向方位が揃うよう形成されたバッファ層１２と、バッファ層１２上にエピタキシャル成長により形成され、ペロブスカイト構造を有する金属酸化物を含む導電性酸化物層１３とを有している。バッファ層１２は、ＮａＣｌ構造の金属酸化物、蛍石型構造の金属酸化物のうちの少なくとも１種を含むものであるのが好ましく、また、立方晶（１００）配向でエピタキシャル成長したものであるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】結晶成長過程における組成変化を防止し、高品質かつ均一性の高い単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】種子結晶２７を浸して引き上げながら結晶２９を育成する結晶成長装置において、原料溶液２８の表面に析出した浮遊結晶を検出するための可視光を照射する第１レーザと、浮遊結晶を溶融するための加熱用のレーザ光を照射する第２レーザと、第１レーザからの可視光を、第２レーザからのレーザ光の光軸上に照射する手段３２と、可視光が浮遊結晶に照射するように、第１および第２レーザのレーザ照射位置を調整する制御手段３３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】少なくとも表面の転位密度が全面的に低い大型のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物種結晶を含み、ＩＩＩ族窒化物種結晶は主領域１ｓと主領域１ｓに対して＜０００１＞方向の極性が反転している極性反転領域１ｔとを有する下地基板１を準備する工程と、下地基板１の主領域１ｓおよび極性反転領域１ｔ上に液相法によりＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程を含み、ＩＩＩ族窒化物結晶１０は、酸化物の反応容器７内で成長され、主領域１ｓ上に成長するＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長速度の大きい第１の領域１０ｓが、極性反転領域１ｔ上に成長するＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長速度の小さい第２の領域１０ｔを覆う。 （もっと読む）

【課題】高濃度のロジウム（Ｒｈ）がドープされたタンタル酸リチウム基板を低コストで容易に製造できる方法を提供する。
【解決手段】基板１の状態に加工されたタンタル酸リチウム単結晶の片側全面にＲｈ板またはＰｔ−Ｒｈ合金板により構成された正電極板２が接触するように取り付け、かつ単結晶の他方側全面に負電極板３を取り付けると共に、これ等電極板間に電圧を印加した状態で、７００℃以上、タンタル酸リチウム単結晶の融点未満の温度条件で、１時間以上２０時間以下熱処理する。熱処理雰囲気は、大気、真空、不活性ガス、還元性ガスの何れでもよく任意である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、セラミックス膜の表面モフォロジを改善することができる、セラミックス膜の製造方法を提供することにある。
【解決手段】セラミックス膜の製造方法は、第１の原料液と、第２の原料液とを含むセラミックスの原料液を結晶化することにより、セラミックス膜を形成する工程を含む。前記第１の原料液と前記第２の原料液とは、種類が異なる関係にあり、前記第１の原料液は、強誘電体を生成するための原料液であり、前記第２の原料液は、ＡＢＯ系などの酸化物を生成するための原料液であり、前記第１の原料液が含む溶媒と第２の原料液が含む溶媒とは、極性の異なる関係にあり、前記第１の原料液と前記第２の原料液が相分離した状態で成膜することにより、前記セラミックス膜の平面方向において、前記第１の原料液からなる第１の結晶が断続して形成され、前記第２の原料液からなる第２の結晶が前記第１の結晶相互間に介在するように形成される。 （もっと読む）

【課題】結晶成長過程における組成変化を防止し、均一性の高い単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】炉１５内に設置されたるつぼ１１内の原料溶液１８に、種子結晶１７を浸して結晶１９を育成する結晶成長方法において、種子結晶１７を原料溶液１８に接触させると同時に、成長した結晶１９の組成と同一組成の原料棒２１を原料溶液１８に接触させ、原料棒２１と原料溶液１８との熱接触状態を維持し、単位時間あたりの成長結晶１９の成長量に一致する単位時間あたりの供給量で、原料棒２１から溶解した原料を原料溶液１８に供給する。 （もっと読む）

【課題】水晶種子を含む水晶片を水晶デバイスの製造に用いることで製造コストを抑える方法を提供する。
【解決手段】次の全てを満足する人工水晶を用いる。エッチチャンネルが３０本／ｃｍ^２以下の人工水晶から切り出され、水晶のα−β転移温度未満で加熱処理し、水晶種子２０の切り出し時に生じた加工層を除去した水晶種子２０を用いて育成する。鉄の含有量を３ｐｐｍ以下及びナトリウムの含有量を２ｐｐｍ以下に抑えた屑水晶を原料として用いて育成する。シードベールと呼ばれる微細鉱物の密度が結晶と種子２０の境界において、シードベールの長径３０μｍ以上では０個／ｃｍ^２、シードベールの長径１０μｍ以上３０μｍ未満では５個／ｃｍ^２以下を満たす。 （もっと読む）

【課題】従来法において困難であった高濃度のロジウム（Ｒｈ）がドープされたタンタル酸リチウム基板を低コストで容易に製造できる方法を提供すること。
【解決手段】このタンタル酸リチウム基板の製造方法は、基板１の状態に加工されたタンタル酸リチウム単結晶を、Ｒｈ板またはＰｔ−Ｒｈ合金板２と接触させ、８００℃以上、タンタル酸リチウム単結晶の融点未満の温度条件で３時間以上５０時間以下熱処理することを特徴とする。尚、熱処理雰囲気は、大気、真空、不活性ガス、還元性ガスの何れでもよく任意である。 （もっと読む）

【課題】フラックス成分に鉛を含まないＬＰＥ法にて、安定的に結晶育成が可能で量産性に富み、かつ挿入損失が低く、ファラデー効果の大きいビスマスを置換した希土類鉄ガーネット単結晶を提供する。
【解決手段】鉛成分をフラックスとして用いない液相エピタキシャル法によって、非磁性ガーネット単結晶基板上に育成され、一般式 ： Ｒ_{３−ｘ−ｙ-ｗ}Ｂｉ_ｘＣａ_ｙＭ_ｗＦｅ_{５−ｚ−ｖ}Ａ_ｚＰｔ_ｖＯ_１２ （１）（式中、ＲはＹ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｈｏ、ＹｂおよびＬｕからなる群から選ばれる一種または二種以上の元素である。ＭはＮａまたはＫから選ばれる一種または二種以上の元素である。Ａは、ＧａまたはＡｌ、およびその両方の元素である。また、０．７＜ｘ＜１．４、０．０１＜ｙ＜０．１、ｚ＜１．０、ｗ＜０．０５、０．０１＜ｖ＜０．１である。）で示されるビスマスとカルシウムを置換した希土類鉄ガーネット単結晶。 （もっと読む）

【課題】強誘電体メモリ用途ＰＺＴにおいて、ＺｒとＴｉの比率が５２／４８を境にＺｒを多く含む稜面体晶ＰＺＴの場合、スリムなヒステリシス形状を示し、低電圧駆動が可能であるが、角型性が不良なヒステリシスを示し、Ｔｉをリッチに含む正方晶ＰＺＴの場合、角型性良好なヒステリシスの形状を有しているが、抗電界が大きく、低電圧駆動が困難であり、信頼性が確保出来ないという課題があった。
【解決手段】正方晶ＰＺＴ形成用ゾルゲル溶液において、有機酸のエステルを４≦ｐＨ＜７の範囲で添加し、３次元巨大ネットワークゲルを形成し、添加剤の添加前よりも、Ｐｔ（１１１）膜被服基板の格子情報を生かした（１１１）配向ＰＺＴ膜を提供する。或いは、稜面体晶ＰＺＴ強誘電体膜形成用ゾルゲル溶液において、塩基性のアルコールを７≦ｐＨ＜１０添加することで、２次元微小ネットワークゲルを形成し、添加剤の添加前よりも、目的の稜面体晶ＰＺＴ強誘電体結晶自身が安定に存在できる方向の（００１）配向膜を提供する。 （もっと読む）

【課題】通常ペロブスカイト型構造を取り得ないペロブスカイト型酸化物を、その物質固有の特性を有して、常圧にて、且つ厚みを制限されることなく製造可能とする。
【解決手段】ペロブスカイト型酸化物積層体１は、基板１１上に、少なくとも１層の下記一般式（Ｐ１）で表される第１のペロブスカイト型酸化物膜２１（不可避不純物を含んでいてもよい）と、通常ペロブスカイト型の結晶構造を取り得ない酸化物からなり（不可避不純物を含んでいてもよい）、下記一般式（Ｐ２）で表される少なくとも１層の第２のペロブスカイト型酸化物膜２２とが交互に積層されたものである。
ＡＢＯ_３ ・・・（Ｐ１）
ＣＤＯ_３ ・・・（Ｐ２）
（上記式中、Ａ及びＣはＡサイト元素であり１種又は複数種の金属元素、Ｂ及びＤはＢサイト元素であり１種又は複数種の金属元素、Ｏは酸素原子。） （もっと読む）

【課題】各種単結晶基板上で表面モフォロジーに優れかつ単相の高品質なＫＮｂＯ_３単結晶薄膜を製造する方法と、この方法で得られた薄膜を備えることによって、ｋ^２（電気機械結合係数）が高く広帯域化、小型化、及び省電力化に優れる表面弾性波素子、周波数フィルタ、周波数発振器、電子回路、及び電子機器を提供する。
【解決手段】所定の酸素分圧におけるＫＮｂＯ_３と３Ｋ_２Ｏ・Ｎｂ_２Ｏ_５との共晶点Ｅにおける温度及びモル組成比をＴ_Ｅ、ｘ_Ｅとするとき（ｘは、Ｋ_ｘＮｂ_１−ｘＯ_ｙで表現されるときのカリウム（Ｋ）とニオブ（Ｎｂ）とのモル比）、０．５≦ｘ≦ｘ_Ｅの範囲となるＫ、Ｎｂ、Ｏからなるプラズマプルームを基板１１に供給する。そして、この状態における完全溶融温度をＴ_ｍとし、基板１１の温度Ｔ_ｓをＴ_Ｅ≦Ｔ_ｓ≦Ｔ_ｍの範囲に保持して基板１１上に堆積したＫ_ｘＮｂ_１−ｘＯ_ｙからＫＮｂＯ_３単結晶１２を析出させ、残った液相部２７を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】 配向膜の大型化および低コスト化を可能にする結晶成長用基板を提供すること。
【解決手段】 本発明による結晶成長用基板は、基材と、基材上に位置し、層状化合物から剥離されたナノシート単層膜とからなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 フィルター、発振子、ジャイロ等の波動デバイスに用いられる圧電単結晶振動子、およびこれらを用いたデバイスの小型化、高感度化を可能にすることができる、電気機械結合係数ｋ₁₂が化学式Ｓｒ₃Ｇａ₂Ｇｅ₄Ｏ₁₄のランガサイト系単結晶よりも大きい、１８％以上であり、エッチングレートが水晶よりも速い、０．８μｍ／ｍｉｎ以上である材料を提供する。
【解決手段】 化学式Ｍ１_XＭ２_3-XＧａ_5-XＧｅ_X+1Ｏ₁₄（式中Ｍ１は２価金属、Ｍ２は３価金属）で表され、０．５≦Ｘ≦２．０であることを特徴とする圧電単結晶組成物である。化学式中、Ｍ１はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａの少なくとも１種以上、また、Ｍ２はＬａ、Ｎｄ、Ｐｒの少なくとも１種以上であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】圧電デバイス用基板及びこれを用いた表面弾性波デバイスにおいて、均一な単結晶で結晶育成の成功率が高く、生産コストが低い圧電デバイス用基板、及びこれを用いた表面弾性波デバイスを提供する。
【解決手段】Ｌａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４単結晶で形成された圧電デバイス用基板であって、前記Ｌａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４単結晶は、点Ａ（Ｌａ_２Ｏ_３が４４重量％、Ｇａ_２Ｏ_３が４６重量％、ＳｉＯ_２が１０重量％）、点Ｂ（Ｌａ_２Ｏ_３が４５重量％、Ｇａ_２Ｏ_３が５２重量％、ＳｉＯ_２が３重量％）、点Ｃ（Ｌａ_２Ｏ_３が３２重量％、Ｇａ_２Ｏ_３が６５重量％、ＳｉＯ_２が３重量％）、点Ｄ（Ｌａ_２Ｏ_３が３７重量％、Ｇａ_２Ｏ_３が５３重量％、ＳｉＯ_２が１０重量％）で囲まれる組成範囲内で秤量してルツボ内で融解させ、該ルツボ内から引き上げる。 （もっと読む）

【課題】 良好な品質の圧電単結晶（Ｌａ₃Ｇａ₅ＳｉＯ₁₄の単結晶、Ｓｒ₃Ｇａ₄Ｇｅ₂Ｏ₁₄の単結晶）の育成を、マイクロ引き下げ法により十分な速度で実施する。
【解決手段】 坩堝２の底面のダイ部９の直下の位置と、そこから１０ｍｍ下方の位置との温度差をΔＴ（℃）と定め、また育成時の種結晶４の引き下げ速度をＶ（ｍｍ／ｍｉｎ）と定める。このとき、温度差ΔＴが１０℃≦ΔＴ≦２５℃の場合に、引き下げ速度Ｖが０．０５ｍｍ／ｍｉｎ≦Ｖ≦１．５ｍｍ／ｍｉｎの範囲の条件において前記の圧電単結晶を育成するか、もしくは温度差ΔＴが２５℃≦ΔＴ≦５０℃の場合に、引き下げ速度Ｖが０．０５ｍｍ／ｍｉｎ≦Ｖ≦０．３ｍｍ／ｍｉｎの範囲の条件において前記の圧電単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】 フィルター、発振子、ジャイロ等の波動デバイスに用いられる圧電単結晶振動子、およびこれらを用いたデバイスの小型化、高感度化を可能にすることができる、電気機械結合係数ｋ₁₂が化学式Ｓｒ₃Ｇａ₂Ｇｅ₄Ｏ₁₄のランガサイト系単結晶よりも大きい、１８％以上であり、エッチングレートが水晶よりも速い、０．８μｍ／ｍｉｎ以上である材料を提供する。
【解決手段】 化学式Ｍ１_XＭ２_3-XＧａ_5-XＳｉ_X+1Ｏ₁₄（式中Ｍ１は２価金属、Ｍ２は３価金属）で表され、０．１≦Ｘ≦１．５であることを特徴とする圧電単結晶組成物である。化学式中、Ｍ１はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａの少なくとも１種以上、また、Ｍ２はＬａ、Ｎｄ、Ｐｒの少なくとも１種以上であることが望ましい。 （もっと読む）