【課題】層がその上に作製される基板に対して実質的に垂直な側面を有するＡｌＮ層を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板（２）の表面（２’）に対して実質的に垂直な側面を有するＡｌＮ層を作製する方法において、基板（２）上にＡｌＮ成長層（４，４’）を形成する段階と、少なくとも前記成長層上にＡｌＮ層（３１）を堆積する段階と、その少なくとも１つの縁部が、前記基板（２）の表面（２’）または前記成長層（４）の表面（４’）に実質的に垂直な平面において少なくとも１つの縁部（１０，１２，１４）または前記成長層（４，４’）の側面（１０ａ，１０ｂ）と整列されるように、ＡｌＮ層を覆ってマスク層（４０，４０’）を形成する段階と、を有する方法が開示される。 （もっと読む）

【目的】
シングルドメインの高品質且つ平坦な結晶層を成長できるフローチャネル方式のＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】
基板と平行に基板側から不活性ガスを噴出する第１のチャネル、材料ガスを噴出する第２のチャネル及び不活性ガスを噴出する第３のチャネルがこの順で層状に構成されたノズルを備え、第２のチャネルには、酸素含有化合物を噴出する第１のサブチャネル及び有機金属化合物を噴出する第２のサブチャネルが基板と平行方向に交互に並んで配置され、ノズルから噴出されたガスは、少なくとも基板端まで当該ノズル端から延長された天板および底板で構成されたフローチャネルで誘導される。 （もっと読む）

【課題】
表面及び内部の強誘電体の自発分極を劣化させず、且つ、外部電場で反転しやすいようにするため、酸素等の構成元素の欠落と表面の結晶性の劣化を排除しつつ、自発分極から発生する電場を増大させる。
【解決手段】
酸化物強誘電体の表面に、酸素以外の気体元素を十分に低減した雰囲気で、酸素原子、酸素イオン、オゾンなどの活性酸素を低運動エネルギーで照射する。また、酸化物強誘電体薄膜のように、表面が露出していない場合は、該薄膜の形成前に、該薄膜を形成する下地層の表面に、同様の活性酸素を照射する。 （もっと読む）

【課題】積層膜およびその製膜方法を提供する。
【解決手段】単結晶基板上に形成された中間膜と、中間膜上に形成されたエピタキシャル膜を有する積層膜であり、エピタキシャル膜はαアルミナ膜またはCr₂O₃膜である。また、基層上に形成された中間膜と、中間膜上に形成されたエピタキシャル膜を有する積層膜であり、エピタキシャル膜は、LiTaO₃薄膜、LiNbO₃薄膜、またはそれらの固溶体（Li(Ta,Nb)O₃)薄膜である。 （もっと読む）

【課題】不純物粒子を確実に捕捉することにより、良質な結晶を効率よく製造し得る結晶の製造装置および結晶の製造方法、およびかかる結晶の製造装置に用いられるフィルター部材を提供すること。
【解決手段】結晶の製造装置１は、水熱合成法により人工的に結晶を製造するための装置である。結晶の製造装置１は、溶解液５、結晶原料１１および種子結晶１２を収納するチャンバー２を有している。また、チャンバー２内には、対流制御板３とこの対流制御板３より上方にフィルター部材４とが、それぞれチャンバー２内の空間を仕切るように設けられている。そして、フィルター部材４は、骨格部４１と、骨格部４１の表面に付着した不純物粒子とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】電気磁気効果（マルチフェロイック）デバイス、強誘電デバイス、ピエゾデバイス等に用いることのできるBiFeO₃の大型単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】上下２つの結晶駆動軸の一方に支持されたBiFeO₃の高密度な原料棒３と、他方の結晶駆動軸に支持された種結晶棒４と、両棒の間に載置されたフラックス（溶融剤）５を用い、溶融帯域法（フローティングゾーン法）によりフラックス５を加熱して溶融帯域７を形成し、酸素、不活性ガス、又は、それらの混合ガスの雰囲気下で単結晶を育成してBiFeO₃単結晶棒を作製する。 （もっと読む）

【課題】内燃機関燃焼室内の燃焼圧の測定に有用な高信頼性の燃焼圧センサーの圧電素子に用いることができる、高絶縁、高安定性ＬＴＧＡ単結晶の製造を可能にする方法を提供すること。
【解決手段】Ｌａ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｇａ₂Ｏ₃、Ａｌ₂Ｏ₃の混合物から調製した多結晶出発原料からＬＴＧＡの単結晶を製造する方法であって、多結晶出発原料として、ｙ（Ｌａ₂Ｏ₃）＋（１−ｘ−ｙ−ｚ）（Ｔａ₂Ｏ₅）＋ｚ（Ｇａ₂Ｏ₃）＋ｘ（Ａｌ₂Ｏ₃）で表される組成（この式中、０＜ｘ≦０．４０／９、３．００／９＜ｙ≦３．２３／９、５．００／９≦ｚ＜５．５０／９である）の混合物を使用し、且つ、結晶育成軸をＺ軸としてＬＴＧＡ単結晶を育成する。育成したＬＴＧＡ単結晶に対し真空熱処理を施すことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基材上に高純度で高品質な結晶薄膜が形成されており、その結晶特性を充分に発揮することのできる積層体、及びその積層体を従来のフラックス法に比べて、低コストで簡便に形成することができ、大型のものを大量に製造できる簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】積層体は、アルカリ金属とアルカリ土類金属と遷移金属と卑金属との少なくとも何れかの金属の酸化物、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、塩化物、フッ化物、リン酸塩、アンモニウム塩、及び有機化合物から選ばれる結晶原材料から得られたアパタイト、アルカリ土類金属酸化物、遷移金属酸化物、遷移金属含有複酸化物、卑金属酸化物、卑金属含有複酸化物、又はそれらのドーパント含有化合物からなるナノ無機結晶が、基材上に形成され積層している積層体であり、基材にコーティングされた結晶原材料と硝酸塩等のフラックスとが加熱等により結晶成長してナノ無機結晶が形成されている。 （もっと読む）

【課題】有害性が大きいとされる鉛を実質的に含有せず、結晶特性に優れ、かつ、ルツボの損傷をさせることなく育成できるビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶を提供する。
【解決手段】ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶であって、該ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶は、組成式
Ｂｉ_３−ｘＲ_ｘＦｅ_{５−ｙ−ｚ}Ｍ１_ｙＭ２_ｚＯ_１２
（Ｒ：ランタノイド金属（Ｅｕを除く）及びＹのうちから選択される一種または二種以上の元素、
Ｍ１:Ｇａ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｚｒから選択される一種または二種以上の元素、
Ｍ２：Ｖ、Ｎｂから選択される一種または二種の元素、
０．５＜ｘ＜２．５、０≦ｙ＜２．０、０＜ｚ≦０．０５）
で表されるものに、さらに２価の陽イオンとなる元素を含むものであることを特徴とするビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶。 （もっと読む）

【課題】効率的にぺロブスカイト構造酸化物薄膜の結晶方位制御ができ、容易に高品位の正方晶系ぺロブスカイト構造酸化物薄膜を提供し得る方法を提供する。
【解決手段】蛍石型の結晶構造を有する金属フッ化物を主成分とする基板の（１１１）面上または（１００）面上に、正方晶系の結晶構造を有し、かつ（００１）、（１０１）または（１１１）の単一結晶配向を有するぺロブスカイト構造酸化物薄膜を作製する（ただし、（１００）面上に、（００１）の単一結晶配向を有する場合を除く）。蛍石型の結晶構造を有する金属フッ化物を主成分とする基板は、金属サイトまたはＦサイトの一部を他の元素で置換して格子定数を制御されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】ｃ軸配向した窒化アルミニウム単結晶の集体からり、結晶性、緻密性にすぐれた高配向窒化アルミニウム多結晶膜を提供する。
【解決手段】単結晶α−Ａｌ２Ｏ３基板３上に、酸窒化アルミニウム層４を介して窒化アルミニウム結晶膜５が形成されてなる母材６上に、スパッタリング法により、１５０〜５００℃にて窒化アルミニウム１を析出させ、次いで、前記反応スパッタ温度よりも高く、かつ２５０〜８００℃にてアニールを行うことにより高配向窒化アルミニウム多結晶膜１が形成さた窒化アルミニウム複合膜１０が製造する。前記方法により製造される高配向窒化アルミニウム多結晶膜１は、ｃ軸配向した窒化アルミニウム単結晶２の集合体からなり、該高配向窒化アルミニウム多結晶膜のチルト角が３０〜１，３００arcsec、ツイスト角が８０〜４，０００arcsecとなる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスとして問題なく動作させるために、少なくとも機能的な働きを行うＺｎＯ系半導体層にアルカリ金属が達するのを防止することができるＺｎＯ系基板及びＺｎＯ系半導体素子を提供する。
【解決手段】
ＺｎＯ系基板中に存在するアルカリ金属の濃度が１×１０^１４ｃｍ^−３以下に形成されているので、このＺｎＯ系基板上に結晶成長されるＺｎＯ系半導体に対してアルカリ金属の偏析を防止することができる。また、基板中のリチウム濃度が１×１０^１４ｃｍ^−３を越えるＺｎＯ系基板であっても、その上に形成するＺｎＯ膜の膜厚を５０ｎｍ以上にすることで、このＺｎＯ膜よりも後に形成されるＺｎＯ系半導体層へのアルカリ金属の偏析を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】圧電素子において、発信能および受信能が共に優れ、圧電アクチュエータ、センサ、更に、超音波センサ、発電素子として好適なものとする。
【解決手段】圧電素子１は、圧電性を有する圧電体１３と、圧電体１３に対して所定方向に電界を印加する１対の電極１２、１４とを備え、圧電体１３の圧電歪定数ｄ_３３（ｐｍ／Ｖ）と比誘電率ε_３３とが下記式（１）及び（２）を満足するものである。
１００＜ε_３３＜１５００ ・・・（１）、
ｄ_３３（ｐｍ／Ｖ）＞１２√ε_３３ ・・・（２） （もっと読む）

【課題】 特に、室温よりも高い温度、具体的には、擬立方晶と正方晶との間の変態温度
Ｔ_rtとするとき、Ｔ_rt〜（Ｔ_rt−20）℃の特定の高温域（例えば50〜70℃程度）で、圧電
特性に優れた圧電単結晶素子を提供する。
【解決手段】 ［Pb(Mg, Nb)O₃］_(1-X)・［PbTiO₃］_(X)：(Ｘ＝0.26〜0.29)の組成をもち
、かつ複合ペロブスカイト構造を有する単結晶からなり、25℃における比誘電率の値が50
00以上であり、前記単結晶の擬立方晶と正方晶との間の変態温度における比誘電率の値が
、25℃における比誘電率の値の2.5倍以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光アイソレータなどの磁気光学デバイスを構成するのに好適な酸化物及びこの酸化物を備えた磁気光学デバイスを提供する。
【解決手段】（Ｔｂ_xＲ_1-x）₂Ｏ₃（ｘは、０．４≦ｘ≦１．０であり、Ｒは、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ユウロピウム、ガドリニウム、イッテルビウム、ホルミウム、及び、ルテチウムよりなる群から選択された少なくとも１つの元素を含む）で表される酸化物を主成分とする単結晶あるいはセラミックスであって、波長１．０６μｍでのベルデ定数が０．１８ｍｉｎ／（Ｏｅ・ｃｍ）以上であり、かつ、波長１．０６μｍ、光路長３ｍｍでの透過率が７０％以上である。前記酸化物は光アイソレータ３００のファラデー回転子３１０として使用され、該ファラデー回転子３１０の前後に、偏光材料である偏光子３２０及び検光子３３０が備えられる。 （もっと読む）

【課題】音速の温度依存性が改善された低コストのタンタル酸リチウム基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の状態に加工されたタンタル酸リチウム単結晶から成るタンタル酸リチウム基板であって、Ｎｉ（ニッケル）を０．０５ｗｔ％以上１ｗｔ％以下の範囲で含有させることにより、結晶の音速温度依存性が改善される。前記タンタル酸リチウム単結晶は、種結晶のＮｉ濃度（ｎ1）に対する育成結晶のＮｉ濃度（ｎ2）の比（ｎ2／ｎ1）が１以上３以下となるように調製された種結晶を用い、原料融液の最高到達温度を１８００℃以下としてチョクラルスキー法により製造される。 （もっと読む）

【課題】温度特性が優れ、かつ角型ヒステリシスを示すファラデー回転子の製法とそのファラデー回転子を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｃａを含んだ化学式Ｔｂ_ｙＹｂ_ｘＣａ_ｗＢｉ_{３−ｘ−ｙ−ｗ}Ｆｅ_５−ｚＧａ_ｚＯ_１２、または化学式Ｔｂ_ｙＨｏ_ｘＣａ_ｗＢｉ_{３−ｘ−ｙ−ｗ}Ｆｅ_５−ｚＧａ_ｚＯ_１２で示されるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を、金るつぼを使った液相エピタキシャル法にて育成することで、温度特性０．０７５ｄｅｇ／℃以下が達成された。 （もっと読む）

【課題】温度係数が劣化することなく、タンタル酸リチウム結晶の電気機械結合係数を向上させ、かつ結晶育成が容易な、高品質の表面弾性波素子用基板、及びその製造方法の提供。
【解決手段】鉄置換タンタル酸リチウム結晶からなり、電気機械結合係数がコングルーエント組成のタンタル酸リチウム結晶からなる表面弾性波素子用基板の１．１倍以上である表面弾性波素子用基板の形成。 （もっと読む）

【課題】複数の単結晶を同時育成可能な引下げ装置を提供する。
【解決手段】所定の中心軸周りに等配された複数の引下げ用の坩堝１１と、坩堝１１各々を巻回す複数の加熱コイル部１７ａ、１７ｂ、１７ｃと、を有する構成とし、加熱コイル部１７ａ、１７ｂ、１７ｃを各コイル部１７ａ、１７ｂ、１７ｃの軸心に対して同一方向に電流が流れるように各々直列に接続し、単一の電力導入端２１より複数の加熱コイル部１７ａ、１７ｂ、１７ｃを有する回路に電力を投入する。 （もっと読む）

【課題】坩堝に対して濡れ性に劣る原材料融液より中空状単結晶を得る方法を提供する。
【解決手段】底部が閉塞された閉塞部となる円筒形状を有し、閉塞部を円筒形状の内部から外部に貫通する貫通孔１１ｂを有する坩堝１１の内部に保持された原材料７の融液８を貫通孔１１ｂから漏出させ、貫通孔１１ｂ内形状よりも小さな外形状を有する形状制御棒１２を挿通した状態で引下げ操作を行い、シードタッチのために、形状制御棒１２を動作させて融液８をシードタッチ面に向けて送り込ませる。 （もっと読む）