【課題】タンタル酸リチウム基板とニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層を有する圧電体積層体を提供する。
【解決手段】本発明に係る圧電体積層体１００は、タンタル酸リチウム基板１１と、タンタル酸リチウム基板１１の上方に形成されたニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】クラックが発生することなく均一な組成を有するＬＴＧＡ（Ｌａ−Ｔａ−Ｇａ−Ａｌ酸化物）単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝３の内部にＬＴＧＡ種結晶５を充填すると共に、ＬＴＧＡ種結晶５上にＬＴＧＡ原料６を積み重ねて充填する充填工程と、坩堝３の垂直方向に温度勾配を有する炉の内部に坩堝３を配置し、ＬＴＧＡ原料６を融解して融液を形成する融解工程と、融液を下方から上方に向けて漸次固化させてＬＴＧＡ単結晶を育成する育成工程とを備え、ＬＴＧＡ原料６は、ＬＴＧＡ種結晶５から最も離間した部分のランタン及びタンタルの含有量が、それぞれＬＴＧＡ種結晶５と接する部分と比較して高い。 （もっと読む）

【課題】良質のランガテイト単結晶を効率的に育成することができるランガテイト単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】坩堝３の内部にランガサイト種結晶５を充填すると共に、ランガサイト種結晶５上に原料を積み重ねて充填する充填工程と、坩堝３の垂直方向に温度勾配を有する炉の内部に坩堝３を配置し、ランガテイト原料６を融解して融液を形成する融解工程と、融液を下方から上方に向けて漸次固化させて単結晶を育成する育成工程とを備え、ランガサイト種結晶５が、ランガサイトによって構成されている。 （もっと読む）

【課題】気相合成法によってダイヤモンド単結晶を成長させる方法において、規則正しい成長面を有し、かつ不純物含有が非常に少ない高品質のダイヤモンド単結晶を比較的簡単な方法によって製造することが可能であり、大型ダイヤモンド単結晶の合成方法として有効に利用できる新規なダイヤモンド単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロ波ＣＶＤ法によってダイヤモンド単結晶を成長させる方法であって、種結晶としてダイヤモンド(110)基板を用い、原料ガス流量比を、水素１００に対してメタン０．２〜２０、窒素０．１２未満とし、CVDチャンバー内の圧力を１３ｋＰａ〜３３ｋＰａ、成長温度を９５０℃〜１２５０℃として結晶成長を行うことにより、ダイヤモンド単結晶の（110）面に平行であって、最大高さが１〜１０μｍの表面粗さの成長面を有するダイヤモンド単結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を有する半導体デバイスを得ることができるＡｌＮ結晶の製造方法、ＡｌＮ結晶、ＡｌＮ結晶基板およびそのＡｌＮ結晶基板を用いて作製された半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶基板３の表面上にＡｌＮ結晶８を成長させる工程と、ＳｉＣ種結晶基板３の表面からＡｌＮ結晶８側に２ｍｍ以上６０ｍｍ以下の範囲８ａにある少なくとも一部のＡｌＮ結晶８ｂを取り出す工程と、を含む、ＡｌＮ結晶８の製造方法である。また、その方法により得られるＡｌＮ結晶８、ＡｌＮ結晶基板およびそのＡｌＮ結晶基板を用いて作製された半導体デバイスである。 （もっと読む）

【課題】焦電性による不具合の改善効果が均一で再現性と生産効率に優れたタンタル酸リチウム（ＬＴ）基板の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｉからなる群より選択された１つの金属元素により還元されたタンタル酸リチウム基板を、真空度が２０Ｐａを越え、４０Ｐａ以下の減圧雰囲気中で、かつ、キュリー温度以下の温度で熱処理する。この方法によれば、還元された上記ＬＴ基板を、酸素空孔の拡散は生じるが新たに酸素空孔が増大しない上記環境下において熱処理しており、これによりＬＴ基板面内での酸素空孔濃度を均一にすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】圧電デバイス用基板の製造方法と圧電デバイス用基板、及びこれを用いた弾性表面波デバイスにおいて、結晶中の欠陥等が少ないとともに、バラツキの少ない伝搬速度が得られること。
【解決手段】Ｌａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４単結晶を育成して圧電デバイス用基板に加工する圧電デバイス用基板の製造方法であって、Ｌａ_２Ｏ_３を、４８．０６から４８．８０重量％とし、Ｇａ_２Ｏ_３を、４５．２５から４６．６０重量％とし、ＳｉＯ_２を、５．２１から６．１９重量％とした組成範囲内で秤量してルツボ１内で融解させ、該ルツボ内からＬａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４の単結晶Ｃを引き上げ育成する。 （もっと読む）

複数の粒子を有する多結晶金属窒化物を含む組成物が提供される。これらの粒子は、拝金粒子サイズ、傾斜角度、不純物含有、気孔率、密度、及び金属窒化物における金属の分子分率、のような特徴の一つかそれ以上の柱状構造を有する。金属窒化物は、窒素含有材料が第ＩＩＩ族金属とチャンバー内で反応し、金属窒化物を生成して、少なくともチャンバー内の第ＩＩＩ族金属の導入、窒素含有材料とハロゲン化水素のチャンバーへの流入の工程からなる方法を介して生成される。第ＩＩＩ族金属が原材料材料として原材料注入口を通じてチャンバーに導入されて、第ＩＩＩ族金属窒化物グループの準備の方法が提供される。

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【課題】エッチングレートが速く、電気機械結合係数が大きいニオブ酸リチウム単結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧｅＯ₂、ＺｒＯ₂、ＳｎＯ₂の少なくとも一種以上の添加物を含有しＧｅＯ₂、ＺｒＯ₂、ＳｎＯ₂の少なくとも一種以上の添加物の合計含有量が、０．１ｍｏｌ％以上で、３．０ｍｏｌ％以下のニオブ酸リチウム単結晶を製造し、該単結晶を温度５０℃以上のフッ酸、硝酸及びそれらの混合液と水とを混合した溶液中に浸し、溶液を攪拌させながらウェットエッチングをおこなう。 （もっと読む）

【課題】鉛をフラックス成分とする液相エピタキシャル法（ＬＰＥ法）において、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶（ＢＩＧ）に含まれる鉛の量を０.１重量％以下に減らすことのできるＢＩＧの結晶育成技術を提供する。
【解決手段】希土類酸化物と鉛を含んだフラックス成分からなる融液を用いたＬＰＥ法によるＢＩＧ育成において、融液中の酸化鉛モル濃度ｘを５％以上４８%以下、かつ、ＣａＯモル濃度ｙを０．０１％以上０．８％以下とし、さらに、下記条件を満たすよう融液組成を定める。 Ｌｏｇ（ｘ） ＞ −４４.５３／ｙ−０.８５７＋Ｌｏｇ（ｙ） （もっと読む）

【課題】高い電気機械結合係数および伝播速度の高速化を図る弾性表面波素子向け基板材料に好適に用いられる結晶配向性の改善を達成したｃ軸傾斜ＡｌＮ単結晶積層基板を提供する。
【解決手段】｛１ −１ ０ ０｝面と直交し且つ｛１ １ −２ ０｝面との面間角が１５°〜４０°となる結晶面で切り出したα−アルミナ単結晶基板上に窒化アルミニウム単結晶が形成されて成り、前記窒化アルミニウム単結晶膜の＜０ ０ ０ １＞軸が前記α−アルミナ単結晶基板の法線に対して最大４０°傾斜した窒化アルミニウム単結晶積層基板。 （もっと読む）

【課題】厚み精度の高い水晶波長板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】水熱合成法で育成された人工水晶から第一の水晶板を切り出し（Ｓ１０１）、第一の水晶板を所望の板厚値より薄く研磨加工し（Ｓ１０２）、第一の水晶板研磨加工面上に大気圧気相成長法で先の所望の板厚値から第一の水晶板厚みを差し引いた差分厚みの水晶薄膜をホモエピタキシャル成長させ第二の水晶板を形成する（Ｓ１０３）ことにより水晶波長板を得る。上記工程において、第一の水晶板を所望の板厚値より１μｍ以上〜２０μｍ以下薄く研磨加工し、又、第一の水晶板上にマスクを載置し、第一の水晶板上にマスクパターン形状の水晶薄膜を成長させ、同時に複数個の第二の水晶板を形成する。 （もっと読む）

【課題】育成結晶形状の制御と結晶品質の向上が可能なニオブ酸カリウム単結晶の成長方法および製造装置を提供する。
【解決手段】抵抗加熱方式である結晶製造装置を用い、TSSG法により融液からニオブ酸カリウム単結晶を成長する方法において、るつぼ底に抵抗加熱ヒーター４を設置して、るつぼ底部の融液温度を融液表面および融液内るつぼ側部の温度以上であり、かつ融液表面中心と該表面中心下2cmの平均温度勾配が3.0〜20℃/cmの任意の温度勾配となるように制御した条件下で、二重管冷却構造を有する引き上げ軸６により種結晶１１を冷却しながら、ニオブ酸カリウム単結晶１２を成長させる。 （もっと読む）

【課題】クラックが発生することなく均一な組成を有するランガテイト単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】坩堝３の内部にランガテイト種結晶５を充填すると共に、ランガテイト種結晶５上にランガテイト原料６を積み重ねて充填する充填工程と、坩堝３の垂直方向に温度勾配を有する炉の内部に坩堝３を配置し、ランガテイト原料６を融解して融液を形成する融解工程と、融液を下方から上方に向けて漸次固化させてランガテイト単結晶を育成する育成工程とを備え、ランガテイト原料６は、ランガテイト種結晶５から最も離間した部分のランタン及びタンタルの含有量が、それぞれランガテイト種結晶５と接する部分と比較して高い。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコンの上に剥離しにくい状態で白金の薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】主表面が（１００）面とされた単結晶シリコンからなるシリコン基板１０１を用意し、シリコン基板１０１の主表面に酸化シリコン層１０２が形成された状態とする。例えば、熱酸化法により酸化シリコン層１０２のが形成可能である。また、ＣＶＤ（科学的気相成長法）により、酸化シリコン層１０２のが形成可能である。次に、白金ターゲットを用いたＥＣＲスパッタ法により、酸化シリコン層１０２の上に、膜厚２００ｎｍ程度の白金薄膜１０３が形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷデバイスなどの製造工程のスループットを向上すると同時にウエーハの割れを抑えることのできる酸化物単結晶ウエーハおよび酸化物単結晶ウエーハの製造方法ならびにＳＡＷデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物単結晶ウエーハであって、少なくとも、ウエーハの表側面と、該表側面の反対側の裏側面と、外周面のうち、いずれか一つ以上の面に割れ防止のための絶縁性被膜を有するものである酸化物単結晶ウエーハおよび酸化物単結晶ウエーハの製造方法ならびに上記酸化物単結晶ウエーハにＳＡＷデバイスを形成するＳＡＷデバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が生じにくく、製造効率に優れたニオブ酸カリウム単結晶の合成方法を提供する。
【解決手段】Ｎｂ_２Ｏ_５とＫ_２ＣＯ_３の混合物にフラックスを添加し、８００〜１０００℃の温度範囲で焼成する。フラックスとしてはＫＦが好ましく用いられる。固相法でありながらも低温で結晶育成が可能となり、結晶欠陥が生じにくく、製造効率に優れたニオブ酸カリウム単結晶の合成方法を提供することができる。 （もっと読む）

圧電単結晶及びその製造方法、及びその圧電単結晶を利用した圧電及び誘電応用部品を提供する。本発明による圧電単結晶は、高誘電率Ｋ₃^T、高圧電定数ｄ₃₃、ｋ₃₃、高い相転移温度（キュリー温度、Ｔｃ）、高い抗電界Ｅｃ、及び向上した機械的特性を併せ持つため、かかる優れた特性の圧電単結晶を広い温度領域と広い使用電圧条件下で使用することができる。また、単結晶の量産に適合した固相単結晶成長法を用いて圧電単結晶を製造し、高価な原料を含まない単結晶組成を開発して圧電単結晶の商用化を可能にする。これにより、優れた特性の圧電単結晶を利用した圧電応用部品及び誘電応用部品を広い温度領域で製造し、使用することを可能にする。
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【課題】 融液を引き下げ、冷却固化させて単結晶を育成する際に、坩堝下端部から坩堝外底面部への融液の流出を抑制でき、良好な結晶育成を可能にする結晶育成用坩堝及び単結晶育成方法を提供すること。
【解決手段】 坩堝材料から構成された坩堝内にあるからなるＬＧＳ（Ｌａ₃Ｇａ₅ＳｉＯ₁₄）又はＳＧＧ（Ｓｒ₃Ｇａ₂Ｇｅ₄Ｏ₁₄）又はＬＴＧ（Ｌａ₃Ｔａ_0.5Ｇａ_5.5Ｏ₁₄）又はニオブ酸リチウムＬＮ（ＬｉＮｂＯ₃）又はタンタル酸リチウムＬＴ（ＬｉＴａＯ₃）又はニオブ酸カリウムリチウムＫＬＮ（Ｋ₃Ｌｉ₂Ｎｂ₅Ｏ₁₅）結晶材料の融液を引き下げ、冷却固化させて単結晶育成する方法において、結晶材料の融液である結晶液滴１１と坩堝材料で作製された板型試料１０との接触角１２が８°以上である坩堝材料を用いた坩堝を使用した単結晶育成方法。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｉ単結晶基板上に強誘電体薄膜を形成するに際し、膜内の応力を制御して自発分極値の低下を防ぐことを目的とする。
【解決手段】 Ｓｉ単結晶基板上に形成された強誘電体材料からなるエピタキシャル強誘電体薄膜であり、この強誘電体薄膜の結晶面のうち、前記Ｓｉ単結晶基板表面の結晶面に平行な結晶面をＺ_Ｆ面とし、Ｚ_Ｆ面間の距離をｚ_Ｆとし、強誘電体薄膜構成材料のバルク状態でのＺ_Ｆ面間の距離をｚ_Ｆ０としたとき、０．９８０≦ｚ_Ｆ／ｚ_Ｆ０≦１．０１０であり、前記強誘電体材料が、ペロブスカイト型結晶構造を有する、化学式ＡＢＯ_３（ＡはＣａ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、ＬａおよびＣｄから選ばれた１種以上であり、ＢはＴｉ、Ｚｒ、ＴａおよびＮｂから選ばれた１種以上である）で表される化合物又は希土類元素含有チタン酸鉛であり、厚さが２〜１００ｎｍである強誘電体薄膜。 （もっと読む）