【課題】モリブデンルツボ内のサファイア融液への難溶解物の混入を防止する。
【解決手段】
ＣＺ法によるサファイア単結晶の製造方法であって、サファイア原料を減圧の不活性雰囲気で熱処理することによって脱ガス処理する脱ガス工程と、サファイア原料をモリブデンルツボ１４内で融解することによってサファイア融液２１を得る融解工程と、サファイア融液２１に浸漬した種結晶を引き上げることによってサファイア単結晶２０を得る引き上げ工程とを備える。脱ガス工程では、サファイア原料の表面が５００℃以上１０００℃以下となるように加熱し、且つ、チャンバー１１より排出される排気ガス中の酸素濃度が０．１ｐｐｍ以下になるまで脱ガス処理を続ける。 （もっと読む）

【課題】被処理物収容部から被処理物を投入可能な状態のままで被処理物通路の出口端を移動させることが容易で作業性の良い被処理物投入装置用のパイプユニットを提供する。
【解決手段】被処理物を収容する被処理物収容部と、被処理物が気密状態で通過して出口端１２ａから処理装置に投入可能な被処理物通路１２と、前記被処理物収容部から前記被処理物通路１２へと被処理物を気密状態で取り出し可能な被処理物取出機構と、前記被処理物通路１２の処理装置側と被処理物収容部側とを遮断可能な閉鎖部１４と、前記被処理物通路１２のうちで前記閉鎖部１４よりも被処理物収容部側の位置にて、前記被処理物通路を分離及び接合可能なジョイント部１５とが設けられた被処理物投入装置に用いられ、前記被処理物通路１２の一部を構成するもので、被処理物の入口となるパイプ入口端と、同出口となるもので、前記被処理物通路の出口端と一致するパイプ出口端とを有し、前記パイプ入口端の位置を固定したままで伸縮可能である。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるフッ化金属単結晶体の製造方法において、単結晶引き上げ完了後、単結晶体とされずに坩堝内に残存した原料フッ化金属のリサイクル方法を提供する。
【解決手段】好ましくは四フッ化炭素などのフッ素系ガスからなる気体スカベンジャーを用いて、回収した原料フッ化金属の精製を行う。該精製は、フッ素系ガスの存在下に原料フッ化金属の溶融後、一旦、真空排気し、その後再度のフッ素系ガスの導入と真空排気との繰り返しによって行うことが特に好ましい。 （もっと読む）

【課題】石英ルツボの劣化を招くことがなく、また取り扱いが簡便で、しかも溶解時間を大幅に短縮して生産性を高めることができるシリコン原料の溶解方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により直径が300mm以上のシリコン単結晶を育成する場合に、石英ルツボ１ａ内に、多結晶のシリコン原料１０を複数回にわたってチャージして所定量の融液を確保する。この際、ルツボ１ａ内に初期チャージ原料１０’を投入後、この初期チャージ原料１０’を溶解する間に、追加チャージの塊状原料１０を収容した原料供給管８ａ、８ｂを、その底面がルツボ１ａ内の原料融液７の直上に位置するように降下させ、同時に加熱ヒータ１１を原料を加熱しやすい位置に調整して、原料供給管内８ａ、８ｂの塊状原料１０を予熱・加熱し、初期チャージ原料１０’が溶解後、追加チャージの塊状原料１０をルツボ１ａ内に投入する。 （もっと読む）

【課題】溶融ルツボに装入する際に落下し、または溶融時にルツボ内壁に衝突しても、ルツボを損傷しないように加工した多結晶シリコンを提供する。
【解決手段】多結晶シリコン１０は、円形または角形を有する棒状、柱状、板状の多結晶シリコン塊について、その端部、稜部ないし角部の少なくとも一つ、好ましくはその大部分ないし全部を面取りすることによって外形の鋭角部分が除去される。面取り部分１１は多結晶シリコン１０の端部、稜部および角部などの鋭角部分であり、この面取り部分１１は直線状でも湾曲状でもよい。多結晶シリコン外形の鋭角部分を面取りすることによって接触時の衝撃を緩和することができる。 （もっと読む）

【課題】液体封止引き上げ法（ＬＥＣ法）によるＺｎ添加ＧａＰ単結晶の製造において、Ｚｎの蒸発による揮散を防止して、Ｚｎ添加ＧａＰ単結晶成長用融液におけるＺｎ量のばらつきを抑制する手段を提供する。
【解決手段】ルツボ３内部の底面１１を球状凹面とし、リン化ガリウム多結晶原料のうち少なくとも一部をルツボ３に嵌入できる形状および大きさの一体固形物１２ａとし、ルツボ３内部の底面１１と一体固形物１２ａの底面１３との間に閉鎖空間１６を形成し、閉鎖空間１６内にＺｎ原料１５を配置し、かつ、ＧａＰ多結晶原料１２ａ、１２ｂの上に、封止剤であるＢ₂Ｏ₃１７を載置した状態で、これらを加熱融解させる。 （もっと読む）

【課題】高純度のシリコン単結晶を少ない工程で再生する方法を提供する。
【解決手段】回収された粉末状又は小片状の多結晶シリコン３４を、上面および下面が開口して当該上面および下面のそれぞれがシリコン板２２，２３で閉塞された石英製筒体２に収容する工程と、前記粉末状又は小片状の多結晶シリコンが収容された石英製筒体をＣＺ引上げ炉１内に入れ、所定圧に減圧するとともに不活性ガスを導入する工程と、前記粉末状又は小片状の多結晶シリコンが収容された石英製筒体を前記ＣＺ引上げ炉の坩堝１２上に位置させた状態で、前記ＣＺ引上げ炉内の温度を昇温し、前記粉末状又は小片状の多結晶シリコンと前記シリコン板を溶解して前記坩堝に収容する工程と、前記ＣＺ引上げ炉から前記石英製筒体を取り出す工程と、前記坩堝内の溶解シリコンをＣＺ法により育成し単結晶シリコンを製造する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法における多結晶シリコン原料の溶解方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法で用いられる坩堝１２内に単結晶シリコンの原料となる多結晶シリコンの塊２４ａで充填した第１層２６を形成し、前記第１層２６の上に前記多結晶シリコンの塊２４ｂで充填した第２層２８を積層し、前記第１層２６の高さは、多結晶シリコン原料を全溶解後の融液３０の液面の高さより低く形成し、前記第２層２８の外周２８ａは、前記坩堝１２の内側の側面１４ａと離間して形成する態様で溶解させる。 （もっと読む）

【課題】電磁誘導により固体シリコン原料を確実に融解させてシリコン融液を形成することができ、ＣＣＺ法(連続チャージチョクラルスキー法)による単結晶育成に採用できるシリコン融液形成装置を提供する。
【解決手段】融液形成装置２０は、石英容器２１の下部を囲繞する誘導加熱コイル２２と、石英容器２１と誘導加熱コイル２２との間に配設されたカーボン製の第１の筒体２３Ａおよび第２の筒体２３Ｂと、を備える。これにより、第１、第２の筒体２３Ａ、２３Ｂは、誘導加熱コイル２２からの電磁誘導で発熱し、石英容器２１内の固体シリコン原料２９を加熱する。加熱された固体シリコン原料２９は比抵抗が低下し、電磁誘導により渦電流が有効に生じて発熱し、融解する。 （もっと読む）

シリコン熔解プロセスの間、未熔解多結晶質シリコン島の高さおよび形状を連続的に測定するための方法を提供する。この方法は、シリコン島に収束高輝度光を投射し、シリコン島に高輝度ドットを生成することを含む。この方法は、熔解プロセスの間、高輝度ドットを追跡することにより、シリコン島の高さおよび形状を電子的に判定することも含む。
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【課題】初期チャージされたシリコン原料の溶解時間を制御することにより、ルツボ表面の損傷を抑制し、結晶品質の安定化に優れたシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により初期チャージされたシリコン原料を溶解し、さらに目標の充填量を満たすまで追加チャージされたシリコン原料を溶解して、石英ルツボ内に融液を形成したのちシリコン単結晶を製造する方法であって、前記石英ルツボに初期チャージされたシリコン原料の溶解時間を、目標の充填量を溶解する全溶解時間の１／３〜１／２にする。このシリコン単結晶の製造方法は、直径が３００ｍｍ以上となる大口径のシリコン単結晶の引上げに最適な方法である。 （もっと読む）

【課題】大口径のシリコン単結晶の引上げにおける生産効率に優れ、結晶品質を安定させることができるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】石英ルツボに充填率が４０〜６０％で初期チャージされたシリコン原料を溶融し、さらに目標の充填量を満たすまでシリコン原料を追加チャージした後、前記石英ルツボ内に形成された融液から単結晶を引き上げるシリコン単結晶の製造方法において、望ましくは、目標の充填量を満たすまで少なくとも２回に亘りシリコン原料を追加チャージする。これにより、使用する石英ルツボの容積を有効に活用でき、初期チャージされるシリコン原料の溶解時間を短縮できるとともに、液面ダメージ部を新たに形成することが可能となる。この製造方法は、直径が４５０ｍｍのシリコン単結晶を３６インチ（９１４ｍｍ）〜４４インチ（１１１８ｍｍ）の石英ルツボを用いて引き上げる場合に最適である。 （もっと読む）

【課題】半導体用のシリコン原料が不足する事態に対応できるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶４を引き上げた後、ルツボ１内に残存する融液３ａのシリコン凝固物３ｂを得る。このシリコン凝固物３ｂをシリコン原料８の一部に代えてルツボ１内に仕込み、これらを溶融させた融液３からシリコン単結晶４を引き上げる。シリコン凝固物３ｂの配合率は、シリコン凝固物３ｂを得るための単結晶育成における引き上げ終了時点での固化率に基づいて算出する。 （もっと読む）

【課題】回転引き上げ法によって容易に歩留り良く製造することができ、光特性や結晶性に優れたテルビウムを含有する常磁性ガーネット結晶とその製造方法を提供する。
【解決手段】常磁性ガーネット結晶であって、該常磁性ガーネット結晶は、組成式Ｔｂ_３（Ｇａ_２−ｘＭ_ｘ）（Ｇａ_３−ｙＮ_ｙ）Ｏ_１２で表され、該組成式において、ＭはＭｇ^２＋、Ｚｎ^２＋の少なくとも１種類以上、ＮはＧｅ^４＋、Ｔｉ^４＋、Ｓｉ^４＋の少なくとも１種類以上であり、式量ｘ、ｙが０＜ｘ≦ｙ＜２の関係を満たすものであることを特徴とする常磁性ガーネット結晶。 （もっと読む）

ごくわずかな揮発で一致溶融する化合物から結晶を成長させる方法を提供する。１又はそれ以上の結晶試料の組成を測定する。結晶組成の一致状態からの偏差を求める。初期溶融物組成及び原料物質組成の偏差に対する補正を決定する。この組成の補正を使用して結晶を成長させ、表面弾性基板製造のための再現性のある材料を生み出す。 （もっと読む）

【課題】光学部材等に使用するフッ化金属単結晶の内部透過率の悪化の１つの要因である、固体スカベンジャーを構成する金属成分の、結晶内への取込・残留を軽減する方法を提供する。
【解決手段】用いる固体スカベンジャー又はその溶融液と、原料フッ化金属１９又はその溶融液２３とが、互いに接触しないようにスカベンジ反応、原料溶融及び結晶化を行う。例えば、二重構造坩堝を用い、内坩堝２の外壁に取り付けた開口部遮蔽部材１５の下に設けた凹部を有する部材２２に固体スカベンジャーを収容する。これにより外坩堝１に収容された原料フッ化金属１９と直接接触することがなく、かつガス化したスカベンジャーは外坩堝１、内坩堝２及び開口部遮蔽部材１５により形成される半密閉空間に充満し、滞留時間が長くなるためスカベンジ反応の効率が低下することはない。さらに溶融・結晶化工程でも、原料フッ化金属溶融液２３と接触しないようにできる。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が極めて少なく、高品質で高歩留まりなシリコン単結晶、シリコンウェーハ及びそれらの製造装置並びに製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により育成されたシリコン単結晶３であって、シリコン単結晶３の内部にＣｕ析出物が存在しないシリコン単結晶３、及びシリコン単結晶３から製造されたシリコンウェーハであって、ウェーハの表面及び内部にＣｕ析出物が存在しないシリコンウェーハ、並びにＣＺ法によるシリコン単結晶３の製造装置３０であって、単結晶育成炉内温度が１０００℃以上の部分で使用する石英製部品５のＣｕ濃度が１ｐｐｂ以下であり、且つ単結晶育成炉内温度が１０００℃未満の部分で使用する石英製部品１５，２１のＣｕ濃度が１０ｐｐｂ以下であるシリコン単結晶３の製造装置３０、及び製造装置３０を用いてシリコン単結晶３を育成するシリコン単結晶３の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】支持部材を伸び難い材料にし、及び／または、支持部材の長さを調節することにより、原料供給管と底蓋との間の隙間の発生を防止する原料供給装置を提供する。
【解決手段】単結晶引き上げ装置に設置されて塊状の原料を供給する原料供給装置１であって、前記塊状の原料を保持する略円筒状の原料供給管３と、該原料供給管３の下端開口部に脱着可能に装着される円錐状の底蓋５と、該底蓋５を吊り下げる支持部材とを備え、前記支持部材は、熱で伸び難い材料からなる軸部材を含み、及び／または、前記支持部材の軸方向の長さを調節できる長さ調節機構を備える。これにより、原料供給装置１が高温下に置かれても前記下端開口部と前記底蓋５との間に隙間が発生することが防止される。 （もっと読む）

【課題】底蓋の落下の発生を防止する原料供給装置を提供する。
【解決手段】単結晶育成用原料であるランプ材４６を供給する原料供給装置の一実施形態であるホッパー３０において、ランプ材４６を保持する略円筒状の原料供給管３と、原料供給管３の下方開口端に脱着可能に備えられ、円錐状の底蓋５とこの円錐形状の頂部で結合される石英ガラス棒７６とからなる底蓋部材７５と、底蓋部材７５を吊り下げるための吊り棒７２と、吊り棒７２と石英ガラス棒７６とを連結する連結器７４と、を備える。底蓋部材７５の装着により閉じられた下方開口端を有する原料供給管３内に保持されるランプ材４６は、底蓋部材７５の装脱により開かれた下方開口端から放出される。底蓋５と石英ガラス棒７６との境界部の強度を補強する補強部を設ける。 （もっと読む）