【課題】大口径化しても、スリップの発生を抑制できるＧａＡｓウェハ及びその製造方法
を提供する。
【解決手段】ＬＥＣ法によりＧａＡｓ単結晶を成長する成長工程と、成長工程で得られた
ＧａＡｓ単結晶をスライスしてＧａＡｓウェハを作製するウェハ作製工程とを有するＧａ
Ａｓウェハの製造方法において、成長工程では、成長工程で得られるＧａＡｓ単結晶中の
硫黄原子濃度が一様に２×１０^１４ｃｍ^−３以上となるように、原料中に硫黄を添加する
。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ用の基板として用いられるＳｉ添加ＧａＰ単結晶をＬＥＣ法により製造するに際して、得られる単結晶の結晶成長軸方向におけるキャリア濃度の変化を低減させる。
【解決手段】Ｓｉ添加ＧａＰ単結晶を製造する方法において、Ｓｉ添加ＧａＰ単結晶の引き上げ速度を、Ｓｉ添加ＧａＰ単結晶の固化率が０．１５〜０．３の範囲で切り換えると共に、切換前の平均引き上げ速度が、５ｍｍ／ｈｒ〜１２ｍｍ／ｈｒの範囲となり、かつ、切換後の平均引き上げ速度が、前記切換前の平均引き上げ速度に対して０．２〜０．９の範囲となるように、前記引き上げ速度を制御する。好ましくは、Ｂ₂Ｏ₃の水分量を２００ｐｐｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】高い比抵抗を有し、かつ比抵抗のばらつきが小さいｐ型シリコン単結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型シリコン単結晶１の製造方法は次の工程を有する。主ドーパントしてのホウ素と、ｎ型不純物であって、ホウ素よりも偏析係数が小さい第１の副ドーパントと、ｐ型不純物であって、第１の副ドーパントよりも偏析係数が小さい第２の副ドーパントとが添加されたシリコン融液７が準備される。シリコン融液７からチョクラルスキー法により、比抵抗が６Ωｃｍ以上であるシリコン単結晶が成長される。 （もっと読む）

【課題】比抵抗のばらつきが小さいｎ型シリコン単結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型シリコン単結晶の製造方法は次の工程を有する。主ドーパントしてのリンと、ｐ型不純物であって、リンよりも偏析係数が小さい第１の副ドーパントと、ｎ型不純物であって、リンよりも偏析係数が小さい第２の副ドーパントとが添加されたシリコン融液が準備される工程Ｓ１、シリコン融液からチョクラルスキー法によりシリコン単結晶が成長される工程Ｓ２、および、直胴部を所定の長さまで成長させた後、ルツボを降下させることによってシリコン融液からシリコン単結晶を切断する工程Ｓ３からなる。 （もっと読む）

【課題】デバイスプロセスにおいて、電気特性を阻害しないシリコン単結晶ウエーハを提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により石英ルツボ１２ｂ中のシリコン融液から引き上げられ、炭素がドープされたシリコン単結晶から製造されたシリコン単結晶ウエーハであって、炭素濃度の面内分布の最大値（Ｃｍａｘ）と最小値（Ｃｍｉｎ）の比（Ｃｍａｘ／Ｃｍｉｎ）が１．００以上１．０７以下であり、炭素濃度が１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の範囲内のものである。 （もっと読む）

【課題】炭素ドープシリコン単結晶の引き上げ時の有転位化を効果的に抑制して、歩留まりを向上させることができる炭素ドープシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】炭素を添加したシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げる炭素ドープシリコン単結晶の製造方法であって、前記シリコン単結晶の引き上げにおいて、シリコンの融点から１４００℃の間の引き上げ軸方向の結晶温度勾配の平均値をＧ［℃／ｍｍ］で表した時、少なくとも固化率が２０％までは、Ｇの値が１．０〜３．５［℃／ｍｍ］で、かつ、前記シリコン単結晶の成長中の固液界面の径方向面内中心部のＳｒｃｓ値（ｖｏｎ Ｍｉｓｅｓ相当応力［Ｐａ］を、結晶温度１４００℃におけるＣＲＳＳ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｒｅｓｏｌｖｅｄ Ｓｈｅａｒ Ｓｔｒｅｓｓ）［Ｐａ］で割った値）が０．９以下になるようにシリコン単結晶を引き上げる炭素ドープシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】デバイス作製時に耐圧不良やリーク不良を起こさず、低コストで低酸素濃度のウェーハを提供することを目的とする。
【解決手段】チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコン単結晶ウェーハであって、該シリコン単結晶ウェーハが、酸素濃度８×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（ＡＳＴＭ ’７９）以下のシリコン単結晶インゴットから切り出され、選択エッチングによりＦＰＤ欠陥及びＬＥＰ欠陥が検出されず、かつ、赤外散乱法によりＬＳＴＤが検出される欠陥領域を含むものであることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ。 （もっと読む）

【課題】炭素がドープされたシリコン単結晶の育成時において、単結晶内に不純物が取り込まれてしまうことを抑止し、容易にかつ低コストで高品質の炭素ドープシリコン単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくともシリコン原料融液を保持するためのルツボと、ルツボ内を加熱するための加熱手段とを有する単結晶製造装置を用いて、チョクラルスキー法によりルツボ内に固形炭素ドープ剤を入れて、炭素をドープしたシリコン単結晶を製造する方法において、少なくとも、固形炭素ドープ剤を加熱して純化させるための加熱処理工程と、ルツボ内でシリコン原料を溶融して原料融液とするとともに、ルツボ内に加熱処理された固形炭素ドープ剤を入れて溶融する原料溶融工程と、原料融液から炭素ドープさせたシリコン単結晶を引上げ、育成する引上げ工程とを含むことを特徴とする炭素ドープシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法によるシリコン単結晶引き上げ装置において、生じる可燃性の粉塵を処理可能な排気システム及び粉塵の処理方法を提供する。
【解決手段】単結晶引き上げ装置に接続された排気管路と、前記排気管路を通して前記引き上げ装置に供給された不活性ガスを吸引する真空ポンプと、前記真空ポンプの手前で前記排気管路に配置され、前記真空ポンプによって排気されるガスを手前で処理するフィルタと、を備えた単結晶引き上げ装置の排気システムであって、前記フィルタは雰囲気ガスの成分に応じて加熱可能なヒータを備えることを特徴とする。これにより、未燃焼の可燃性の粉塵を十分に処理することができる。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴに好適に用いられるＣＺ法により形成されたシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により格子間酸素濃度［Ｏｉ］が７．０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であるシリコンインゴットを形成し、該シリコンインゴットに中性子線を照射してリンをドープしてからウェーハを切り出し、該ウェーハに対して少なくとも酸素を含む雰囲気において所定の式を満たす温度Ｔ(℃)で酸化雰囲気アニールをし、前記ウェーハの一面側にポリシリコン層または歪み層を有することを特徴とするＩＧＢＴ用のシリコンウェーハの製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造工程における熱処理を経た後にも高抵抗を維持するとともに、ウェーハの機械的強度及びゲッタリング能力が高い高抵抗シリコンウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により設定抵抗率に応じてドーパントを添加してシリコンインゴットを成長させ、該シリコンインゴットをスライスして設定抵抗率を有するシリコンウェーハを製造するに当たり、設定抵抗率毎に、シリコンウェーハを供するデバイス作製工程における熱処理後の当該シリコンウェーハの熱処理後抵抗率と当該シリコンウェーハが切り出されたシリコンインゴットの酸素濃度との相関を予め求めておき、シリコンインゴットの成長を、該インゴットの設定抵抗率に対する相関において、導電型が逆転する酸素濃度未満となる条件にて行う。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造工程における熱処理を経た後にも高抵抗を維持するシリコンウェーハを高い生産性を以て製造する方法を提供する。
【解決手段】設定抵抗率に応じてドーパントを添加してシリコンインゴットをチョクラルスキー法により成長させ、該シリコンインゴットをスライスして前記設定抵抗率を有するシリコンウェーハを製造するに当たり、設定抵抗率毎に、シリコンウェーハを供するデバイス作製工程における熱処理後の該シリコンウェーハの熱処理後抵抗率のウェーハ厚み方向のプロファイルを、複数のシリコンインゴット酸素濃度において予め求めておき、前記プロファイルにおいて、熱処理後抵抗率がピークとなる深さまでのウェーハ表面からの厚みが、デバイスのチップ形成領域より厚いプロファイルを有する、酸素濃度となる条件にてシリコンインゴットの成長を行うようにする。 （もっと読む）

【課題】コドープを行うに際し、シリコン単結晶の育成中であっても液面振動を抑制してドーパントを添加することが可能であるシリコン単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコン単結晶引上装置１０は、シリコン融液１６の上方に配置された熱遮蔽体２０と、熱遮蔽体２０の外周側及びシリコン融液１６の液面から離間して配置され、シリコン単結晶Ｉｇとルツボ１４の内壁との間のシリコン融液１６の液面第１位置１６ａ上に液相ドーパントを供給する第１供給管５２と、液面第１位置１６ａとシリコン単結晶Ｉｇとの間の液面第２位置１６ｂ上に気相ドーパントを供給する第２供給管５４と、を有するドーパント供給部５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、硬Ｘ線やγ線等の高エネルギーの光子を高感度で検出することができるシンチレーターを提供することを目的とする。
【解決手段】 Ｎｄ、Ｅｒ及びＴｍから選ばれる少なくとも１種の元素を含有するフッ化ルテチウムからなることを特徴とするフッ化物単結晶、該フッ化物単結晶からなることを特徴とするシンチレーターであって、該フッ化物単結晶は、例えば、少なくともフッ化ルテチウムとアルカリ金属フッ化物とを混合してなる原料混合物にＮｄ、Ｅｒ及びＴｍから選ばれる少なくとも１種の元素のフッ化物を添加し、溶融して原料融液とし、該原料融液より引上げ法を用いてフッ化物単結晶を成長せしめる際に、成長速度を下式で表わされるｖ_ｍａｘ以下として得る。
ｖ_ｍａｘ＝α・Ｒ^１／２／ｄ^１／３
（ただし、αは０．００６２であり、Ｒは原料融液に対する単結晶の回転数（ｒｐｍ）を表わし、ｄは単結晶の平均直径（ｍｍ）を表わす。） （もっと読む）

【課題】 ＫＬｕ_２Ｆ_７単結晶、及び当該単結晶のＬｕ元素の一部をＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ及びＹｂから選ばれる少なくとも１種の元素で置換した単結晶を融液成長法によって効率よく製造する方法、および、当該製造方法によって製造される単斜晶型フッ化物単結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】 化学式Ｋ（Ｍ_ｘＬｕ_１−ｘ）_２Ｆ_７（ただし、ＭはＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ及びＹｂから選ばれる少なくとも１種の元素を表わし、ｘは０〜０．２の範囲である）で表わされ、単斜晶型結晶構造を有することを特徴とするフッ化物単結晶、該単結晶からなる真空紫外発光素子、該単結晶からなるシンチレーター、及び該単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、複雑な雰囲気圧力の制御を必要とすることなく、比抵抗のばらつきが小さいシリコン単結晶を確実に製造できる方法を提供することにある。
【解決手段】揮発性ドーパントを添加したシリコン融液から、チョクラルスキー法によって比抵抗値が10Ω・cm以上のｎ型シリコン単結晶の引き上げを行うシリコン単結晶の製造方法であって、シリコン単結晶を引き上げる際の雰囲気圧力を調整しつつシリコン単結晶の引き上げを開始し、雰囲気圧力が所定圧力に達した後、引き上げ終了まで所定圧力±0.5kPaの範囲に雰囲気圧力を維持することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】金属不純物、結晶欠陥（気泡）の少ないサファイア単結晶基板の製造方法およびサファイア単結晶基板を提供する。
【解決手段】サファイアインゴットの製造方法は、加熱炉内のるつぼ内に充填された固体の酸化アルミニウム（アルミナ）を、融点（２０５０℃）未満の温度において加熱して保持する固相での加熱工程（Ｓ１０１）、るつぼ内の酸化アルミニウムを、融解する溶融工程（Ｓ１０２）、酸化アルミニウムの融点より高い温度において加熱しつつ保持する液相での加熱工程（Ｓ１０３）、種結晶を回転させながら上方に引き上げることにより、種結晶の下方に肩部を形成する肩部形成工程（Ｓ１０５）、アルミナ融液に肩部の下端部を接触させた状態で、種結晶を介して肩部を回転させながら上方に引き上げることにより、肩部の下方に直胴部を形成する直胴部形成工程（Ｓ１０６）を含む。 （もっと読む）

【課題】歪の小さいサファイア単結晶インゴット、サファイア基板およびサファイア基板に化合物半導体層を成膜した高品質の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】坩堝１５に、酸化アルミニウムと、ケイ素、ゲルマニウムおよびスズの少なくとも１つの元素からなる添加元素の酸化物を含み酸化アルミニウムに対し重量濃度で３０ｐｐｍ〜５００ｐｐｍの範囲に設定された添加物とを投入し、坩堝１５内にて酸化アルミニウムおよび添加物を溶融してアルミナ融液３５を得た後、坩堝１５内のアルミナ融液３５から、酸化アルミニウムおよび添加物を含み且つサファイアの単結晶構造を有するサファイアインゴット３０を引き上げる。このとき、引き上げられたサファイアインゴット３０では、酸化アルミニウムに対し添加元素の重量濃度が２ｐｐｍ〜８０ｐｐｍとなる。 （もっと読む）

【課題】抵抗率調整用のドーパントとしてＳｂまたはＡｓを用いる場合に、テイル部で有転位化の発生を効果的に抑制し、歩留まりよく低抵抗単結晶を育成できる育成方法を提供する。
【解決手段】育成中のシリコン単結晶９を囲繞する熱遮蔽体１１がチャンバ１内に設けられた単結晶育成装置を用い、ドーパントとしてＳｂまたはＡｓを添加した原料シリコン融液６をチャンバ１内のルツボ２に貯溜し、チャンバ１内に不活性ガスを導入しながらチャンバ１内を減圧した状態で、ルツボ２内の原料シリコン融液６から抵抗率が０．０２Ωｃｍ以下のシリコン単結晶９をＣＺ法により引き上げ育成する方法であって、直胴部９ｃに続いてテイル部９ｄを育成する際に、チャンバ１内の圧力を直胴部９ｃの育成終了時よりも低下させる。 （もっと読む）