【課題】 種結晶が保持部材から剥離されることを抑制することが可能な種結晶保持体の製造方法、種結晶保持体、結晶育成装置および結晶育成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の種結晶保持体の製造方法は、炭素からなる保持部材２と、保持部材２の下面２Ａよりも大きい上面３Ａを持つ、炭化珪素からなる種結晶３とを準備する準備工程と、保持部材２の下面２Ａに種結晶３の上面３Ａを固定する固定工程と、種結晶３の上面３Ａのうち保持部材２からはみ出ている部分に、保持部材２の側面２Ｂと接するように珪素の粒子16を配置する配置工程と、種結晶３、保持部材２および粒子16を、珪素の融点よりも高い温度に加熱する加熱工程と、溶融した粒子16で保持部材２に種結晶３を接合する接合工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】光アイソレータ用ファラデー回転子として用いられるテルビウム・ガリウム・ガーネット（ＴＧＧ）を主成分とする常磁性ガーネット結晶（組成式Ｔｂ_３Ｇａ_５Ｏ_１２）をチョクラルスキー法によって容易に製造できるＴＧＧ単結晶育成におけるシーディング方法を提供する。
【解決手段】Ｃｚ法（回転引き上げ法）により、原料融液に種結晶を接触させて成長結晶を引き上げるテルビウム・ガリウム・ガーネット（ＴＧＧ）単結晶育成におけるシーディング方法において、種結晶として、ＴＧＧと同じガーネット構造の単結晶であり、融点が１７５０℃以上、かつＴＧＧとの格子定数差が±３％以下である結晶を用いることを特徴とするＴＧＧ単結晶育成におけるシーディング方法により提供する。本発明によれば、Ｃｚ法によって結晶を引き上げる際に、融点及びＴＧＧとの格子定数差が特定の種結晶を用いるので種結晶の溶解という問題が生じないので、シーディングの成功率が高くなり、高品質なＴＧＧ結晶が育成できる。 （もっと読む）

【課題】目的とする混晶単結晶と異なる格子定数の種結晶を出発原料として、混晶単結晶の育成のための種結晶を、より短い育成時間とより少ない加工工数により得る。
【解決手段】チョクラルスキー法による混晶単結晶育成用の種結晶を得る際に、目的とする混晶単結晶と異なる格子定数の種結晶を基部(12a)として、該基部(12a)の格子定数に対して格子定数の比が歪による育成不良を生じない範囲となるように融液を調整して、該基部の先端側に混晶層(12b)を育成し、必要に応じて、この混晶層(12b)の格子定数に対して格子定数の比が歪による育成不良が生じない範囲となるように融液を調整して、該混晶層(12b)の先端側にさらなる混晶層(12c)を育成することにより、多層の混晶層を備える混晶単結晶(13)育成用の種結晶(12)を得る。 （もっと読む）

【課題】種結晶表面へのガリウムの析出を防止し、それを原因とする多結晶部の発生を抑止した化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】原料及び液体封止剤を入れたるつぼを加熱して原料及び液体封止剤を融解し、融解した原料融液に接触させた種結晶を引き上げることにより、化合物半導体単結晶を成長させる液体封止チョクラルスキー法を用いた化合物半導体単結晶の製造方法において、表面に金属保護膜を形成した種結晶を用いるものである。 （もっと読む）

【課題】結晶成長過程における、結晶回転軸に垂直な方向の成長偏りを抑制し、高効率に単結晶を製造するための結晶成長方法を提供する。
【解決手段】炉内に設置されたるつぼ１１内の原料溶融体に対して鉛直方向に上低下高の温度分布を形成し、種子結晶１７を原料溶融体表面に接触させ、原料溶融体を冷却する事により、種子結晶１７を核として結晶１９を成長させる結晶成長方法であって、結晶回転軸に対する垂直面内で成長速度が異なる方位を有する結晶１９を成長させる結晶成長方法において、種子結晶１７の原料溶融体表面に接触している面は長方形であり、かつ、長方形の長辺を成長速度が早い方位と平行にすることを特徴とする結晶成長方法。 （もっと読む）

【課題】音速の温度依存性が改善された低コストのタンタル酸リチウム基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の状態に加工されたタンタル酸リチウム単結晶から成るタンタル酸リチウム基板であって、Ｎｉ（ニッケル）を０．０５ｗｔ％以上１ｗｔ％以下の範囲で含有させることにより、結晶の音速温度依存性が改善される。前記タンタル酸リチウム単結晶は、種結晶のＮｉ濃度（ｎ1）に対する育成結晶のＮｉ濃度（ｎ2）の比（ｎ2／ｎ1）が１以上３以下となるように調製された種結晶を用い、原料融液の最高到達温度を１８００℃以下としてチョクラルスキー法により製造される。 （もっと読む）

【課題】サファイア単結晶の結晶成長に用いられる種結晶の結晶歪みやクラックを低減し、サファイア単結晶の製造効率を向上させる方法を提供する。
【解決手段】サファイアの単結晶からなる種結晶を加工する種結晶の加工工程Ｓ１０１を行う。次いで、加工工程Ｓ１０１を経た種結晶に対し、種結晶を所定の温度まで加熱する種結晶の加熱工程Ｓ１０２を行う。この種結晶の加熱工程Ｓ１０２において、種結晶における結晶歪みやクラックを除去する。こうすることで、後のサファイア単結晶の成長工程Ｓ１０３において、サファイアインゴットが融液に落下したり、サファイアインゴットに結晶歪みが生じたりしないようにする。そして、加熱工程Ｓ１０２を経た種結晶を用いて、サファイア単結晶を成長させる単結晶成長工程Ｓ１０３を行う。 （もっと読む）

【課題】種結晶や育成中のシリコン単結晶に転位が導入された場合であっても、新しい種結晶を使用せずに、無ネッキング法によりシリコン単結晶を育成する方法等を提供する。
【解決手段】特定の濃度のドーパントを含有する種結晶７を使用し、シリコン単結晶６の製造中に、種結晶７もしくは育成中のシリコン単結晶６に転位が導入された場合には、種結晶７を新たな種結晶７に交換することなく、種結晶７を融液５に前回着液させたときよりも深く融液５に浸漬させ、又は、種結晶７が別のシリコン単結晶６の製造で使用されたことのある再生品であり、かつ種結晶７が転位を含む場合には、種結晶７の端部のうち転位を含む端部を融液５に着液させてから、種結晶７のうち転位を含む部分を融液５に浸漬させ、種結晶７のうち融液５に浸漬させた浸漬部分を溶融させた後、種結晶７からネッキング部を設けずにシリコン単結晶６を育成する。 （もっと読む）

【課題】溶液法によって大口径のＳｉＣ単結晶を連続的に成長させる方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ融液中にＣが溶け込んだＳｉＣ溶液１０２からＳｉＣ単結晶１２０を製造する方法であって、ＳｉＣ溶液１０２を収容した黒鉛坩堝１０４の上部開口端１１２で、円板状のＳｉＣ種結晶１１４のａ面を含む円周面をＳｉＣ溶液１０２に側方から接触させ、種結晶１１４の円周面にＳｉＣ単結晶１２０を成長させつつ、成長の速度に同期させて、円板状のＳｉＣ種結晶１１４を板面に垂直なｃ軸周りであるＲ方向に回転させると同時に回転の軸１１６を上部開口端１１２からＴ方向に遠ざけることにより成長するＳｉＣ結晶１２０を巻き取って、連続的に円板状のＳｉＣ単結晶１２０を成長させる。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法（ＣＺ法）によるシリコン単結晶の引上げ方法において、種結晶の縮径部にスリップが入ることを予防し得るシリコン単結晶引上げ用の種結晶を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶引上げ用の種結晶３１は、大口径の第１空洞２２ａを有する上部２２と、第１空洞２２ａよりも次第に縮径し第１空洞２２ａに連通する第２空洞２３ａを有する中間部２３と、第２空洞２３ａに連通する第３空洞２４ａを有する下部２４とが一体的に形成された種結晶ホルダ２１に保持され、第１空洞２２ａに相応した外径を有する大径部３１ａと、第２空洞２３ａに接触する縮径部３１ｂと、第３空洞２４ａに相応した外径を有する小径部３１ｃとが一体的に形成される。種結晶３１の縮径部３１ｂの表面は被覆材により被膜されており、被覆材はＣ、ＳｉＣ、ＳｉＯ₂又はＳｉ₃Ｎ₄であって、膜厚が０．０１〜１．０μｍである。 （もっと読む）

【課題】シリコン融液への接触時に発生する熱衝撃によるスリップ転位の発生を低減させ、かつ、このスリップ転位の伝播を抑制し、ネック部の直径が従来よりも太い径でも無転位化が可能な、シリコン単結晶引上げ用種結晶及び該種結晶を使用したシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶の引上げ用種結晶として、炭素のドープされたシリコン融液から引上げられたシリコン単結晶から切り出され、ドープされた炭素濃度が５×１０¹⁵〜５×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³である種結晶を使用することにより、炭素原子自体および炭素ドープによって形成される微細な析出核により熱衝撃起因のスリップ転位の伝播が抑制される。さらに種結晶中の酸素あるいは窒素をそれぞれ１×１０^１８〜２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３、あるいは５×１０^１３〜５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の範囲でドープすることにより、炭素ドープとの相乗効果を高めることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】原料融液から成長結晶を引き上げる溶融固化法によって小傾角粒界（バウンダリー）の発生を抑制しながら効率的に高品質な酸化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】炉体内のルツボに単結晶用原料を入れて加熱溶融した後、原料融液に種結晶を接触させて成長結晶を引き上げる溶融固化法により酸化アルミニウム単結晶を製造する方法において、種結晶は、所定の結晶方位に切り出された酸化アルミニウム単結晶であり、種結晶中のＳｉ濃度を重量比で２０ｐｐｍ以下とする。これによりシーディング時に種結晶表面の融解が抑えられ、融液との境界で転位の発生が減少し、効率的に電子部品材料や光学用部品材料に適した高品質な酸化アルミニウム単結晶を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶軸方位が［１１０］の無転位のシリコン単結晶を、安定して育成することができるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の育成方法であって、ボロン濃度が１．７×１０¹⁹ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上である種結晶を用い、ネック部１終端から肩部２にかけて形成される円錐部３の開き角（θ）を１２０〜５０°として肩部２を形成し、結晶軸方位が［１１０］のシリコン単結晶を育成する。育成時におけるネック部１の直径を５〜１０ｍｍと、通常採用されているネック部直径より太くすることが可能である。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶引上げにおいて、ネッキング工程での転位の導入を抑制し、無転位化率の向上を図り、大口径かつ高重量の無転位シリコン単結晶インゴットの生産性を向上させることができるシリコン種結晶を提供し、また、大口径かつ高重量の無転位シリコン単結晶インゴットの生産性を向上させることができるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】バルク微小欠陥密度が１×１０⁹／ｃｍ³以上であるシリコン種結晶を用いて、原料シリコン融液に前記種結晶を着液させ、ネック径５ｍｍ以上７ｍｍ以下、ネック長５０ｍｍ以下のネック部を形成した後、シリコン単結晶を引き上げる。 （もっと読む）

【課題】結晶軸方位が［１１０］のシリコンウェーハを得ることができ、しかも転位が十分に除去された抵抗率の低いシリコン単結晶の製造方法、およびこの方法により得られたシリコン単結晶から結晶軸方位が［１１０］の低抵抗シリコンウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、ドーパントとしてボロンが６．２５×１０¹⁷〜２．５×１０²⁰ａｔｏｍｓ／ｃｍ³の濃度となるように添加されたシリコン溶融液に、中心軸が［１１０］結晶軸に対して０．６°〜１０°傾斜し、かつ前記シリコン溶融液から育成される単結晶に形成されるネック部のボロン濃度と略同一濃度のシリコン種結晶を浸漬させることにより、中心軸が［１１０］結晶軸に対して０．６°〜１０°傾斜したシリコン単結晶を育成する。 （もっと読む）

液体供給材料、例えばシリコンのメルトプールから連続的に結晶リボンを製造する装置及び方法。シリコンは、溶融され且つ成長トレイ内へ流されて液体シリコンのメルトプールを提供する。当該メルトプールからチムニーを介して上方へ熱を流れさせることによって、熱が受動的に除去される。熱の損失をチムニーを介して生じさせながら、シリコンを液体相に保つために、成長トレイに熱が同時に適用される。熱がチムニーを介して失われるときに、シリコンが“凍結”（すなわち、凝固）し始め且つテンプレートに付着するように、テンプレートがメルトプールと接触せしめられる。当該テンプレートは、次いで、メルトプールから引き出されて結晶シリコンの連続するリボンが製造される。 （もっと読む）

【課題】単結晶引上げ法において、種結晶体の変形、破断および落下などを防止することができるとともに、引き上げられる単結晶の変形を防止することができる種結晶体、該種結晶体を良好に保持するための保持具および保持方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る種結晶体８は、単結晶引上げ法において用いられる種結晶体であって、少なくとも先端部１１が単結晶体である棒状部９と、頭部の膨大部１０とからなり、該棒状部９が、該膨大部１０との付け根部に括れ部１２を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
不純物が添加された種結晶を用いてネッキング処理を行うことなく無転位で単結晶を引き上げるに際して、融液の温度変動を抑制することにより、種結晶着液後の結晶径急増による転位導入を回避するとともに、耐荷重以下の結晶径に細くなることを回避する。
【課題を解決するための手段】
種結晶が融液に着液する前から融液に磁場を印加することで、単結晶引き上げ開始の時点で融液の温度変動を抑制して結晶径が急増したり結晶径が細くなることを回避する。
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【課題】光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法及びこの結晶から切り出された波長変換素子において、良好な育成歩留まりが得られ、安定した供給を可能すること。
【解決手段】四ほう酸リチウム単結晶Ｃのｃ軸から所定の角度だけ傾けた方位に切り出した種結晶Ｓを用いてチョクラルスキー法により光学用四ほう酸リチウム単結晶Ｃを育成する方法であって、前記方位を、５６度から６２．５度の範囲内に設定する。さらに、この光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法で作製された光学用四ほう酸リチウム単結晶Ｃから波長変換素子を切り出す。 （もっと読む）

【課題】 その有する歪み等を除去するために、高温状態からゆっくりと冷却した場合でも微細ボイドの発生が少なく、よって、光リソグラフィー用などの光学材料としての物性に優れたフッ化金属単結晶を効率的に得る。
【解決手段】 原料フッ化金属の溶融液面に種結晶を接触させ引き上げることによりフッ化金属の単結晶体を成長させるフッ化金属単結晶体の製造方法を、該成長を、成長炉内の圧力が０．５〜７０ｋＰａ、好ましくは５〜５０ｋＰａの圧力となる減圧下、より好ましくは１０〜３０ｋＰａの圧力となる減圧下に行う。結晶成長中は、成長炉を外部と遮断して気密化することにより該圧力を維持するとよい。 （もっと読む）