【課題】ヒータが側方に配置された場合にインゴット割れおよび結晶欠陥の発生を抑制し、高品質な多結晶シリコンインゴットを低コストで製造する。
【解決手段】側方に配置されたヒータにより加熱されて溶融したシリコンを内部で凝固させて多結晶シリコンインゴットを生成させる坩堝であって、底面部において中央部２１が周側部２２より厚い。 （もっと読む）

【課題】 偏光照明露光装置の偏光材料として要求される結晶性が良く、かつ、光を透過させる主軸方向が＜１００＞方向であるＭｇＦ_２単結晶体からなる光学部材の製造方法を提供する。
【解決手段】 チョクラルスキー法でＭｇＦ_２単結晶体を製造するに際し、種結晶体として、＜１００＞軸が、鉛直方向から＜００１＞方向に向かって７°乃至４５°、好ましくは７°乃至１５°傾いた種結晶体を用いる。傾けた種結晶体を用いることにより、育成される単結晶体の軸方向も同じ角度で傾いたものとなるが、このようにして育成された単結晶体の結晶性は、育成方向を＜００１＞軸方向とした場合と遜色ない結晶性を示す。また育成方向を＜００１＞軸方向とした場合に比べて、｛１００｝面からなる平行２面を有する板状体の取得効率がよい。 （もっと読む）

【課題】結晶育成時におけるタンタル酸リチウム単結晶の曲がりを抑制してその生産性が改善されたタンタル酸リチウム単結晶の育成方法を提供すること。
【解決手段】この育成方法は、坩堝３に収容された原料の溶融液10に種結晶８を接触させ上記種結晶を回転させつつ上方に引き上げることでタンタル酸リチウム単結晶11を育成する方法であって、タンタル酸リチウム単結晶の直胴部を育成するとき該単結晶の回転方向を５〜８００分の一定間隔で反転させることを特徴とする。この育成方法によれば、結晶育成中におけるタンタル酸リチウム単結晶がＸ軸方向へ曲がる現象を抑制できるため、育成されたタンタル酸リチウム単結晶インゴットからウエハーを得る場合、直径不良のウエハーが発生し難くなる。従って、ウエハーの取得可能枚数を増大できるためウエハーの生産性が大幅に向上してコスト削減に寄与できる効果を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶軸方位が［１１０］でエピタキシャル成長処理を行った場合にエピタキシャル層表面のヘイズの発生を抑制できるシリコンウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により育成されたシリコン単結晶からシリコンウェーハを切り出すシリコンウェーハの製造方法であって、中心軸が［１１０］結晶軸に対して０．６°〜１０°傾斜したシリコン種結晶をシリコン融液に浸漬させ、中心軸が［１１０］結晶軸に対して０．６°〜１０°傾斜したシリコン単結晶を育成し、育成されたシリコン単結晶から、表面が（１１０）面に対して０．４６°〜０．４８°傾斜したシリコンウェーハを切り出すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】結晶成長過程における、結晶回転軸に垂直な方向の成長偏りを抑制し、高効率に単結晶を製造するための結晶成長方法を提供する。
【解決手段】炉内に設置されたるつぼ１１内の原料溶融体に対して鉛直方向に上低下高の温度分布を形成し、種子結晶１７を原料溶融体表面に接触させ、原料溶融体を冷却する事により、種子結晶１７を核として結晶１９を成長させる結晶成長方法であって、結晶回転軸に対する垂直面内で成長速度が異なる方位を有する結晶１９を成長させる結晶成長方法において、種子結晶１７の原料溶融体表面に接触している面は長方形であり、かつ、長方形の長辺を成長速度が早い方位と平行にすることを特徴とする結晶成長方法。 （もっと読む）

【課題】サファイア単結晶の結晶成長に用いられる種結晶の結晶歪みやクラックを低減し、サファイア単結晶の製造効率を向上させる方法を提供する。
【解決手段】サファイアの単結晶からなる種結晶を加工する種結晶の加工工程Ｓ１０１を行う。次いで、加工工程Ｓ１０１を経た種結晶に対し、種結晶を所定の温度まで加熱する種結晶の加熱工程Ｓ１０２を行う。この種結晶の加熱工程Ｓ１０２において、種結晶における結晶歪みやクラックを除去する。こうすることで、後のサファイア単結晶の成長工程Ｓ１０３において、サファイアインゴットが融液に落下したり、サファイアインゴットに結晶歪みが生じたりしないようにする。そして、加熱工程Ｓ１０２を経た種結晶を用いて、サファイア単結晶を成長させる単結晶成長工程Ｓ１０３を行う。 （もっと読む）

【課題】溶液法によって大口径のＳｉＣ単結晶を連続的に成長させる方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ融液中にＣが溶け込んだＳｉＣ溶液１０２からＳｉＣ単結晶１２０を製造する方法であって、ＳｉＣ溶液１０２を収容した黒鉛坩堝１０４の上部開口端１１２で、円板状のＳｉＣ種結晶１１４のａ面を含む円周面をＳｉＣ溶液１０２に側方から接触させ、種結晶１１４の円周面にＳｉＣ単結晶１２０を成長させつつ、成長の速度に同期させて、円板状のＳｉＣ種結晶１１４を板面に垂直なｃ軸周りであるＲ方向に回転させると同時に回転の軸１１６を上部開口端１１２からＴ方向に遠ざけることにより成長するＳｉＣ結晶１２０を巻き取って、連続的に円板状のＳｉＣ単結晶１２０を成長させる。 （もっと読む）

【課題】種結晶や育成中のシリコン単結晶に転位が導入された場合であっても、新しい種結晶を使用せずに、無ネッキング法によりシリコン単結晶を育成する方法等を提供する。
【解決手段】特定の濃度のドーパントを含有する種結晶７を使用し、シリコン単結晶６の製造中に、種結晶７もしくは育成中のシリコン単結晶６に転位が導入された場合には、種結晶７を新たな種結晶７に交換することなく、種結晶７を融液５に前回着液させたときよりも深く融液５に浸漬させ、又は、種結晶７が別のシリコン単結晶６の製造で使用されたことのある再生品であり、かつ種結晶７が転位を含む場合には、種結晶７の端部のうち転位を含む端部を融液５に着液させてから、種結晶７のうち転位を含む部分を融液５に浸漬させ、種結晶７のうち融液５に浸漬させた浸漬部分を溶融させた後、種結晶７からネッキング部を設けずにシリコン単結晶６を育成する。 （もっと読む）

【課題】複雑な断面形状を有する単結晶を製造する引下げ方法を提供する。
【解決手段】坩堝１１下部の原材料融液９の漏出孔開口が形成される面を傾斜面とし、開口を傾斜面上部に配置する。単結晶の断面形状に対応するパターンを傾斜面に形成する。また、シード７は融液９との接触面に単結晶の断面形状に対応するパターンを形成し且つ接触面を坩堝１１側の傾斜面と同じ傾斜を有した面とする。シードタッチではシード７最上部と坩堝１１のパターン最下部とを接触させた後シード７を傾斜面に沿って平行移動させ、最終的に各々のパターンを相対するように配置させることでパターン全域のシードタッチを完了する。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコンの断面が多角形になるように単結晶シリコンを成長させることにより、製造時の生産性及び製品加工における材料歩留まりを向上させることができる単結晶シリコンの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】シード回転制御手段と、坩堝回転制御手段と、シードＳを引き上げる速度を０．４ｍｍ／分から２．０ｍｍ／分に制御可能とするシード引上げ速度制御手段とを備える単結晶シリコンＴの製造装置１において、シリコン融液Ｍとの接触面Ｓ１の結晶格子の配列が（１００）方向となるように調製されてたシードＳを用いることにより、略四角形の断面を有する単結晶シリコンＴを成長させることができる。同様に、上記結晶格子の配列を（１１１）あるいは（１１０）とすることにより、単結晶シリコンＴの断面形状をそれぞれ三角形、六角形とすることができる。 （もっと読む）

【課題】抵抗加熱炉を用いた溶融固化法により単結晶を成長させる際に、種付け（シーディング）後の結晶径の急成長を抑制して高品質な酸化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】抵抗加熱炉を用い、その炉体内のルツボに単結晶用原料を入れて加熱溶融し、所定の結晶方位に切り出した種結晶１を原料融液表面に接触させ、所定の速度で上方に引き上げて単結晶を成長させる溶融固化法により酸化アルミニウム単結晶を製造する方法において、単結晶用原料が加熱溶融した後、種結晶１を下降させて融液表面の上方１０ｍｍ以内の位置に保持し、種結晶１の先端が融解するのを確認してから、種結晶１の融解温度よりも１〜４℃低い温度を種付け温度として、種結晶１を原料融液表面に接触させる。さらに、単結晶を引き上げる際に、固液界面の結晶が融液に向かって凸部３を形成するように、結晶周辺部からの放熱を抑制しながら原料融液を加熱する。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造用の液浸式露光装置のラストレンズ等として有用な、光を透過させる主軸方向が＜１００＞方向のＢａＬｉＦ_３単結晶体からなり、かつ屈折率均質性が良好なる光学部材を安定的に、簡便かつ安価に得る。
【解決手段】 チョクラルスキー法にて＜１２３＞方向に結晶を育成してインゴットを得、このインゴットを斜め方向に切断するなどして｛１００｝面からなる平行２面を有する板状体を得る。＜１００＞方向に育成して水平に切断して得た板状体よりも応力分布（歪）等が均一となり、屈折率均質性に優れる部材を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】原料融液から成長結晶を引き上げる溶融固化法によって小傾角粒界（バウンダリー）の発生を抑制しながら効率的に高品質な酸化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】炉体内のルツボに単結晶用原料を入れて加熱溶融した後、原料融液に種結晶を接触させて成長結晶を引き上げる溶融固化法により酸化アルミニウム単結晶を製造する方法において、種結晶は、所定の結晶方位に切り出された酸化アルミニウム単結晶であり、種結晶中のＳｉ濃度を重量比で２０ｐｐｍ以下とする。これによりシーディング時に種結晶表面の融解が抑えられ、融液との境界で転位の発生が減少し、効率的に電子部品材料や光学用部品材料に適した高品質な酸化アルミニウム単結晶を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥がなく、高品質かつ大型の板状であり、半導体レーザ励起固体レーザ用途等に好適な希土類バナデイト単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】縁部限定薄膜供給結晶成長法（ＥＦＧ法）による希土類バナデイト単結晶の製造方法において、方位［１１０］の種結晶４を用いて、［１１０］方位に結晶を育成することにより、結晶幅が緩やかに広がった肩部６を有する板状の希土類添加希土類バナデイト単結晶を作製する。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造用の液浸式露光装置のラストレンズ等として有用な、光を透過させる主軸方向が＜１００＞方向のＢａＬｉＦ_３単結晶体からなり、かつ屈折率均質性が良好な光学部材を安定的に、簡便かつ安価に得る。
【解決手段】 チョクラルスキー法にて＜１１１＞方向に結晶を育成してインゴットを得、このインゴットを斜め方向に切断するなどして｛１００｝面からなる平行２面を有する板状体を得る。＜１００＞方向に育成して水平に切断して得た板状体よりも応力分布（歪）等が均一となり、屈折率均質性に優れる部材を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】光学フィルタや固体レーザ等の光学素子に好適なフォルステライト単結晶を、結晶のクラックや割れ、曲がりがなく、また、結晶内部に気泡等の欠陥が混入していない高品質で、かつ、直径５０ｍｍ以上の大口径の結晶として、歩留よく得られる製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によるフォルステライト単結晶の製造方法において、ｂ軸に対して±５°以内の方位のフォルステライト単結晶を種結晶として用いて、単結晶引上げを行う。 （もっと読む）

【課題】結晶軸方位が［１１０］のシリコンウェーハを得ることができ、しかも転位が十分に除去された抵抗率の低いシリコン単結晶の製造方法、およびこの方法により得られたシリコン単結晶から結晶軸方位が［１１０］の低抵抗シリコンウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、ドーパントとしてボロンが６．２５×１０¹⁷〜２．５×１０²⁰ａｔｏｍｓ／ｃｍ³の濃度となるように添加されたシリコン溶融液に、中心軸が［１１０］結晶軸に対して０．６°〜１０°傾斜し、かつ前記シリコン溶融液から育成される単結晶に形成されるネック部のボロン濃度と略同一濃度のシリコン種結晶を浸漬させることにより、中心軸が［１１０］結晶軸に対して０．６°〜１０°傾斜したシリコン単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】結晶方位に拘わらず、スリップ転位の発生を抑制し、無転位化を簡易に達成し、結晶品質の向上を図ることができ、特に、スリップ転位を消滅させるのが難しい結晶方位が＜１１０＞である種結晶を用い、＜１１０＞の単結晶を引上げるのに最適であるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により、坩堝内の結晶原料を融解させ、種結晶１を坩堝内に保持される溶融液に浸漬させた後、種結晶１を引上げてネック部４を形成するネック工程に次いで、単結晶のショルダー部およびボディー部を形成する単結晶製造方法において、種結晶１を溶融液に浸漬させる際に、溶融液温度を種結晶１が溶融液表面に接触するのに最適な温度とした後、溶融液温度を低下させるとともに、種結晶１の引上げ速度を速めながら引上げ、引上げ径が目標のネック径に到達した時点で引上げ速度を一定の速度としてネック部４を形成する。 （もっと読む）

【課題】単結晶内にある小傾角粒界を低減し、気泡を低減させたサファイア単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア単結晶の育成軸をＣ軸（[０００１]の向き）から０．１〜１５度の範囲内で傾けて単結晶サファイアを育成するサファイア単結晶の製造方法。ここで、サファイア単結晶は、引上げ法又はキロプロス法により製造され、傾ける向きは、ａ軸の向き、ｍ軸の向き、又はａ軸の向きとｍ軸の向きを合成した向きのいずれでもよい。 （もっと読む）

【課題】光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法及びこの結晶から切り出された波長変換素子において、良好な育成歩留まりが得られ、安定した供給を可能すること。
【解決手段】四ほう酸リチウム単結晶Ｃのｃ軸から所定の角度だけ傾けた方位に切り出した種結晶Ｓを用いてチョクラルスキー法により光学用四ほう酸リチウム単結晶Ｃを育成する方法であって、前記方位を、５６度から６２．５度の範囲内に設定する。さらに、この光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法で作製された光学用四ほう酸リチウム単結晶Ｃから波長変換素子を切り出す。 （もっと読む）