【課題】所望のサイズや形状の熱電変換材料を安定して得ることができる熱電変換材料製造装置及び熱電変換材料製造方法を提供する。
【解決手段】熱電変換材料の溶融された原料である溶融原料を収納する原料収納部と、前記原料収納部から流入した溶融原料を冷却して凝固させる凝固部と、原料収納部に収納された溶融原料を加圧しながら凝固部に流入させる加圧構造と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 収容液体を効率よく撹拌する。
【解決手段】 耐圧容器２内にて、反応容器３に収容したフラックスとなる液体Ｎａ５と液体Ｇａ６の混合液体４を、窒素ガス８の存在下で加圧及び加熱して窒化ガリウム結晶を製造する窒化ガリウム結晶製造装置１における反応容器３の下部外周に、ヒータ１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄを設ける。反応容器３の中央部の上方に、ガリウム供給管１０の吐出口１３を配置する。ヒータ１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄによる反応容器３の下部外周に位置する混合液体４の局部加熱により、混合液体４に、反応容器３の内底部の中央部に配置した種結晶基板１１の真上となる反応容器３中央部でダウンフローとなる熱対流を発生させると共に、そのダウンフローを、ガリウム供給管１０より滴下供給する液体Ｇａ６による反応容器３中央部に位置する混合液体４の局部冷却により促進して、混合液体４を撹拌させる。 （もっと読む）

【課題】原料ガスが溶け込む液面付近の融液を速やかに液底まで行き届かせ、大型で高品質の結晶を得る結晶成長装置の提供。
【解決手段】加熱加圧雰囲気下で窒素ガスとＮａ／Ｇａ混合融液３とを反応させて該混合融液３に浸漬された種基板２上にＧａＮ結晶を成長させる反応容器１０を有する窒化ガリウム製造装置１であって、反応容器１０の内側に間隙をあけて配置され、混合融液３中において鉛直方向に延在すると共に、上端開口部１２が混合融液３の液面４に対して離間し、且つ、下端開口部１３が反応容器１０の底面１０ａに対して離間する筒部材１１と、反応容器１０を、鉛直方向に延びる軸周りに回転させる攪拌装置４０と、上記間隙に設けられ、鉛直方向上方に向かうに従って反応容器１０の回転方向の一方側に向かって傾斜する板面１５ａ，１５ｂを有する流れ制御板１４と、を有するという構成を採用する。 （もっと読む）

【課題】ガリウム融液を滴下供給するためのガリウム供給管先端の閉塞を防止することができる窒化ガリウム結晶製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】反応容器３に収容したフラックスとなる液体Ｎａ４と液体Ｇａ５を、窒素ガス７の存在下で窒化ガリウム結晶を製造する窒化ガリウム結晶製造装置１であって、液体ガリウム供給管６を内管とし、シールド用ガス供給管８を外管とする二重管構造体を、耐圧容器２の天井部の容器壁に貫通させて取り付け、窒化ガリウム結晶の成長に伴う液体Ｇａ５の消費量に応じてガリウム供給管６より液体Ｇａ５を反応容器へ滴下供給する。このとき、シールド用ガス供給管８を通してシールド用窒素ガス７を、ガリウム供給管６の供給口６ａ周囲へ常時供給して供給口６ａを窒素ガス７で覆うことにより、供給口６ａをナトリウム蒸気から遮断する。これにより、供給口６ａの部分における窒化ガリウム結晶の生成を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ガリウム供給管の閉塞を防止することができる窒化ガリウム結晶製造装置のガリウム供給方法及び装置を提供する。
【解決手段】液体Ｎａ４とガリウム貯留槽１１から供給される液体Ｇａ５を、窒素ガス８の存在下で加圧、加熱して窒化ガリウム結晶を製造する窒化ガリウム結晶製造装置１において、耐圧容器２に、容器壁を貫通し先端開口部を反応容器３に向けて配置した供給管６を設ける。供給管６の上流側に水平管７を設け、その上流側に、キャリアガスの窒素ガス８を常時供給するキャリアガス供給手段９を接続する。水平管７の途中個所の下端側位置に、ガリウム供給ライン１２の下流側端部に設けた立ち上がり管１２ａの上端部を連通接続する。ガリウム供給ライン１２の立ち上がり管１２ａより水平管７へ供給する液体Ｇａ５を、水平管７内の窒素ガス８の流れにより吹き飛ばし、この吹き飛ばされた液体Ｇａ５を気流搬送して供給管６より反応容器３へ供給する。 （もっと読む）

【課題】フラックスおよび原料を含む融液中で結晶を成長させるのに際して、結晶の成長レートを向上させ、高品質で大きな結晶を短時間で育成できるようにすることである。
【解決手段】融液２７を収容し、過飽和状態に保持することによって、窒化物結晶１４を成長させる育成容器２；融液６を加熱して未飽和状態で保持することによって、融液中に窒素を溶解させる第一の窒素溶解容器１；融液２８を加熱して未飽和状態で保持することによって、融液中に窒素を溶解させる第二の窒素溶解容器３；育成容器２と第一の窒素溶解容器１とを連結し、育成容器内の融液と第一の窒素溶解容器内の融液とを連通させる第一の連結部４；および育成容器２と第二の窒素溶解容器３とを連結し、育成容器内の融液と第二の窒素溶解容器内の融液とを連通させる第二の連結部５を使用する。結晶育成時に、育成容器、第一の窒素溶解容器、第二の窒素溶解容器、第一の連結部および第二の連結部を動かす。 （もっと読む）

【課題】液相成長にて形成したＧａＮ単結晶などのＩＩＩ族元素窒化物結晶を原料液の中から短時間で取り出すことができる結晶製造方法および装置を提供する。
【解決手段】処理容器７内に坩堝１を収納させ、この坩堝１を処理容器７内に入れる前、あるいは、入れた後に、処理容器７内に固体原料処理液８を流入させ、坩堝１内には、種基板支持体３で支持された種基板２と、この種基板２上に生成された結晶基板１０と、これらの種基板２および結晶基板１０を覆った固体原料４とが収納された状態とし、坩堝１を切断部で切断している。 （もっと読む）

【課題】防波機構を融液液面と離面しないように設けることにより、液面に生じる揺れの程度を減ずる多結晶体または単結晶体の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】原料融液４０１、４０３を貯留する第１の耐熱性容器３と第２の耐熱性容器２とを備え、第２の耐熱性容器２中の原料融液４０１を第１の耐熱性容器３中に供給する製造装置であって、第１の耐熱性容器３中の原料融液４０３の液面と離面しないように第１の耐熱性容器３中に防波機構３０１を設ける。 （もっと読む）

【課題】原料融液から各種の単結晶体または多結晶体を製造する場合、原料融液を耐熱性容器中に供給する際に原料融液の液面に揺れが生じることを防止できる原料融液供給装置を提供する。
【解決手段】原料融液４０３を貯留する第１の耐熱性容器３と、第２の耐熱性容器２と、該第２の耐熱性容器２中の原料融液４０１を前記第１の耐熱性容器３中に供給するための供給管６とを備え、前記供給管６の排出口６０１が前記第１の耐熱性容器３中の原料融液４０３に接しており、前記第２の耐熱性容器２中の原料融液４０１が前記供給管６の内壁に沿って流れて前記第１の耐熱性容器３中に供給される。このとき、供給管中の原料融液４０２は供給管６の内壁に沿って流れることで緩やかな速度で移動し、緩やかな速度のまま第１の耐熱性容器中の原料融液４０３へ流入するため、原料融液４０３の液面に生じる揺れの程度を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】下地基板を融液に浸漬させることにより下地基板の表面上に形成される結晶薄板の生産を停止することなく安定した原料の追加供給を行なうことができ、また品質の劣化やばらつきを低減するとともに結晶薄板の製造歩留まりを向上することによって、結晶薄板の生産性を向上させることができる溶融炉を提供する。
【解決手段】融液１１０２を保持するための主坩堝１１０１と、融液１１０２を加熱するための主坩堝加熱装置１１０４と、融液１２０２を保持するための副坩堝１２０１と、融液１２０２を加熱するための副坩堝加熱装置１２０４と、固体原料１４０２を投入するための固体原料投入装置１４０１と、副坩堝１２０１から主坩堝１１０１に融液１２０２を供給するための融液搬送部１３０１と、固体原料投入装置１４０１から副坩堝１２０１への固体原料１４０２の投入の有無を決定する固体原料投入制御装置１５０６とを備えた溶融炉１０００である。 （もっと読む）

【課題】簡易に転位密度の小さな結晶薄膜を製造することができる結晶成長方法および結晶成長装置を提供する。
【解決手段】基板１８に供給された金属原料および融剤からなる液体原料に気体原料を反応させ、金属原料および気体原料のうち、それぞれ少なくとも１元素同士から構成される結晶原料を液体原料および気体原料からなる混合物から結晶化することによって、結晶薄膜を得る結晶成長方法であり、基板１８上における結晶原料の結晶化が開始される成長開始部から、その周囲に亘って、結晶原料の温度を変化させるよう上記結晶原料の温度分布を制御し、生じた結晶薄膜の周囲に亘る結晶原料の溶解濃度が結晶成長可能な過飽和度となるよう、上記結晶原料の溶解濃度を制御する。 （もっと読む）

【課題】少ない高純度の融液原料で、低コストで、良質で、低欠陥の半導体結晶薄膜を得る半導体結晶薄膜の作製方法の技術を提供する。
【解決手段】Si、GeまたはSiGeからなる半導体融液を、Si、GeまたはSiGeの融点以上の温度に保持し、Si、GeまたはSiGeの単結晶、多結晶、ポーラス結晶のいずれかからなる基板の主面上に、融液から所定量を滴下させて基板の主面上にエピタキシャル成長を行い、Si、GeまたはSiGe結晶の薄膜を基板上に形成する。 （もっと読む）

【課題】各種単結晶基板上で表面モフォロジーに優れかつ単相の高品質なＫＮｂＯ_３単結晶薄膜を製造する方法と、この方法で得られた薄膜を備えることによって、ｋ^２（電気機械結合係数）が高く広帯域化、小型化、及び省電力化に優れる表面弾性波素子、周波数フィルタ、周波数発振器、電子回路、及び電子機器を提供する。
【解決手段】所定の酸素分圧におけるＫＮｂＯ_３と３Ｋ_２Ｏ・Ｎｂ_２Ｏ_５との共晶点Ｅにおける温度及びモル組成比をＴ_Ｅ、ｘ_Ｅとするとき（ｘは、Ｋ_ｘＮｂ_１−ｘＯ_ｙで表現されるときのカリウム（Ｋ）とニオブ（Ｎｂ）とのモル比）、０．５≦ｘ≦ｘ_Ｅの範囲となるＫ、Ｎｂ、Ｏからなるプラズマプルームを基板１１に供給する。そして、この状態における完全溶融温度をＴ_ｍとし、基板１１の温度Ｔ_ｓをＴ_Ｅ≦Ｔ_ｓ≦Ｔ_ｍの範囲に保持して基板１１上に堆積したＫ_ｘＮｂ_１−ｘＯ_ｙからＫＮｂＯ_３単結晶１２を析出させ、残った液相部２７を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】転位密度の小さな結晶薄膜を製造することのできる結晶成長方法および結晶成長装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る結晶成長方法は、基板６上に液体原料１２ｃを供給し、基板６上に液体原料１２ｃから結晶を析出させることによって、結晶薄膜を得る結晶成長方法において、基板６上に供給された液体原料１２ｃの一部を、液体原料１２ｃの重力によって、基板６から取り除いた後に、基板６上に残存する残存液体原料１２ｄの結晶成長を開始する製造方法である。 （もっと読む）

【課題】良好な生産効率を維持し、装置規模を削減し、コストを低減できる薄板製造装置および薄板製造方法を提供する。
【解決手段】薄板製造装置２０００は、浸漬機構１５００と、脱着機構と、チャンバー１１００とを備えている。浸漬機構１５００は、融液１１０２に下地板Ｓの表面を浸漬し、下地板Ｓの表面に融液１１０２が凝固した薄板Ｐを形成するためのものである。脱着機構は、下地板Ｓを浸漬機構１５００に脱着するためのものである。チャンバー１１００は、浸漬機構１５００および脱着機構が内部に配置されている。チャンバー１１００は、下地板Ｓをチャンバー１１００の外部から内部に搬入するための第１の開口部１２０１と、下地板Ｓをチャンバー１１００の内部から外部へ搬出するための第２の開口部１３０１とを有している。第１および第２の開口部１２０１、１３０１がチャンバー１１００の内部の雰囲気ガスと大気との境界になるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】マイクロパイプ欠陥が少なく、膜厚の再現性および均一性が高い単結晶ＳｉＣエピタキシャルを生成する。
【解決手段】単結晶ＳｉＣ基板１１と炭素原料供給板２４とをスペーサー２３を介して対向させ、単結晶ＳｉＣ基板１１と炭素原料供給板２４との間に生じるスペースに金属Ｓｉ融液層２７を介在させた状態で熱処理を行うことによって単結晶ＳｉＣ基板１１上にＳｉＣをエピタキシャル成長させる単結晶ＳｉＣエピタキシャル膜の製造方法において、上記スペーサー２３として、炭素原料供給板２４の表面にフォトレジストを塗布した後、このフォトレジストを硬化させることによって形成されたスペーサーを用いる。 （もっと読む）

【課題】フラックス法において、用いるフラックスの純度を高く確保しつつ、フラックスの材料コストを節約し、更に作業効率を向上させる方法を提供する。
【解決手段】ナトリウム（Ｎａ）精製装置１３０には、精製後のＮａを液体状態で保持するＮａ保持管理装置１４０が設けられており、このＮａ保持管理装置１４０には、１００℃に維持された液体Ｎａ供給管１３９を介して、液体Ｎａが供給される。更に、このＮａ保持管理装置１４０は、自身の内部空間を満たすアルゴン（Ａｒ）ガスの状態を管理するためのＡｒガス精製装置１４１を有している。したがって、Ｎａ精製装置１３０から供給される精製後の液体のＮａは、液体Ｎａ供給管１３９，Ｎａ保持管理装置１４０，配管１４９を介して、所望のタイミングで蛇口１２１の開閉操作に基づいて自在に坩堝ｃの中に取り出すことができる。 （もっと読む）

【課題】多結晶体または単結晶体製造装置の主坩堝に融液原料を供給するに際し、特別な加熱手段を設けることなく、また融液原料の液温が該原料の融点付近の比較的低い温度でも、融液原料の凝固を防止し、融液原料を少量ずつ連続的に供給することができる融液原料供給装置を提供する。
【解決手段】融解槽を有する副坩堝２と、副坩堝２の周囲に設けられる加熱手段８と、副坩堝２の融解槽に固体原料を供給する原料供給手段９とを含む融液原料供給装置１において、副坩堝２の融解槽と加熱手段８との間に空隙部３を形成し、この空隙部３を介して融解槽から溢れ出る融液原料５を多結晶体または単結晶体製造装置の主坩堝に供給する。 （もっと読む）

【課題】 坩堝内へ供給される固体の金属または半導体材料を、迅速に溶融させることができる高周波誘導加熱装置および高周波誘導溶解方法を提供する。
【解決手段】 高周波誘導コイル４で磁界を発生させることによって坩堝３内のたとえばシリコンを加熱し溶融させる高周波誘導加熱装置１の坩堝３は、底面部３ａと側壁部３ｂとを有し、側壁部３ｂの下部の薄肉側壁部１１の肉厚ｔ１が、側壁部３ｂの上部の厚肉側壁部１２の肉厚ｔ２よりも薄くなるように形成される。この高周波誘導加熱装置１を用いる溶解方法では、坩堝３から溶融シリコン２を排出するに際し、坩堝３内に溶融シリコン２を一部残し、溶融シリコン２が残留する坩堝３内に固体シリコン２ａを供給し、高周波誘導コイル４が発生する磁界によって発熱する坩堝３および溶融シリコン２からの熱伝導で固体シリコン２ａを溶解する。 （もっと読む）