【課題】コストや作業工数を増大させることなく高抵抗な炭化ケイ素単結晶を製造する。
【解決手段】昇華法により種結晶上に炭化ケイ素単結晶を成長させて得られる炭化ケイ素単結晶であって、炭化ケイ素単結晶中のドナー濃度とアクセプター濃度との差の絶対値を１×１０^−１６〜１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３とする。例えば、浅い準位のアセクプターであるホウ素は、結晶成長高さに関わらずホウ素濃度は略一定となるが、浅い準位のドナーである窒素は、結晶成長に伴って低下し、最終的にはホウ素濃度以下になる。これに伴い、成長結晶の抵抗率は結晶成長に伴って増加していき、ホウ素濃度と窒素濃度とがほぼ同等の値になる領域において半絶縁性を示し、その後は窒素濃度の低下に伴って低下する。従って、ホウ素濃度と窒素濃度がほぼ同等の値になる領域を拡大することにより半絶縁性のウエハとして歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを用いた半導体装置を効率よく製造するための半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の裏面Ｂ１を有する第１の炭化珪素基板１１と、第２の裏面Ｂ２を有する第２の炭化珪素基板１２とが準備される。第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２の各々が一の方向に露出するように第１および第２の炭化珪素基板１１、１２が配置される。炭化珪素からなり、かつ第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２を互いにつなぐ成長層３０が化学気相成長法によって形成される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを用いた半導体装置を効率よく製造するための半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２の各々が一の方向を向き、かつ第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２が互いに対向するように、第１および第２の炭化珪素基板１１、１２が配置される。この配置する工程の後に、第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２を互いにつなぎ、かつ第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２が互いに対向する空間を埋めるように、第１および第２の炭化珪素基板１１、１２上に炭化珪素層３０が分子線エピタキシ法によって形成される。 （もっと読む）

【課題】高純度で高品質な酸化亜鉛単結晶を再現性よく安定して成長させることができる酸化亜鉛単結晶の成長方法とこの方法に適用する酸化亜鉛原料を提供する。
【解決手段】長さ方向一端側から他端側に向けて温度勾配を有する成長容器１の高温部に酸化亜鉛原料２が配置され、上記成長容器１の低温部において化学気相輸送法により酸化亜鉛単結晶を析出させる酸化亜鉛単結晶の成長方法であって、酸化亜鉛原料２中に含まれる窒素の濃度を５００mass ppm以下とする。更に、窒素濃度が３００mass ppm以下の酸化亜鉛原料を用いることにより収率がより改善される。 （もっと読む）

【課題】耐久性の向上を達成するとともにＡｌＮ単結晶への不純物の混入を抑制することが可能な坩堝を提供する。
【解決手段】
気相成長法による窒化アルミニウム単結晶の製造に用いられる坩堝１は、内側坩堝１０と、内側坩堝１０の底壁に対向するように種結晶を保持する内蓋２０と、内側坩堝１０および内蓋２０を取り囲むように配置された外側坩堝３０とを備えている。外側坩堝３０は、炭素からなる外側坩堝本体３１と、外側坩堝本体３１の内壁を覆い、高融点材料からなるコーティング層３２とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】昇華法を用いて炭化ケイ素単結晶を製造する際に、単結晶の径方向への成長を促進することができる単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】単結晶製造装置１は、所定の結晶方位を有する種結晶１０と、昇華用原料２０とを収容する反応容器３０と、蓋部４０とを有する円筒状の坩堝５０を備える。種結晶１０と昇華用原料２０との間に、第１ガイド部材６１，第２ガイド部材６２，第３ガイド部材６３が設けられる。第１ガイド部材６１は、種結晶１０を基に成長する単結晶の成長範囲を規制する規制面６１ａを有する。第２ガイド部材６２は、第１ガイド部材６１よりも昇華用原料２０に近い位置に配設され、原料ガスを反応容器３０の内壁３１に向けて導く。第３ガイド部材６３は、第１ガイド部材６１と第２ガイド部材６２との間に配設され、第１ガイド部材６１の規制面６１ａに対向する案内面６３ａを有する。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑えて効率的にＡｌＮ結晶を製造することができるＡｌＮ単結晶の製造方法および種基板を提供する。
【解決手段】加工変質層の少なくとも一部が残る種基板１を準備する工程と、種基板１を結晶成長容器５５内に設置する工程と、種基板１上に昇華法によりＡｌＮ単結晶５８を成長させる工程とを含むＡｌＮ単結晶５８の製造方法とその種基板１である。ここで、種基板１を準備する工程は、種基板１の表面を研削する工程および種基板１の表面を研磨する工程の少なくとも一方を含む。 （もっと読む）

【課題】装置の安全性を高めるとともに、昇華・単結晶成長時における窒素濃度の上昇を抑制し、歩留まりを良くしつつも、単結晶の品質の低下を抑制することが可能な炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶を製造する装置の内部に設置された坩堝に炭化珪素原料を配置する原料配置工程Ｓ２と、炭化珪素からなる種結晶を前記坩堝に配置する種結晶配置工程Ｓ４と、炭化珪素原料を昇華させ、昇華した炭化珪素原料を種結晶に再結晶させることで、炭化珪素単結晶を成長させる昇華・成長工程Ｓ５とを含む炭化珪素単結晶の製造方法であって、坩堝の内部を還元雰囲気にして、坩堝と炭化珪素原料とを炭化珪素原料の昇華温度未満の温度で加熱する加熱工程Ｓ３を有し、原料配置工程Ｓ２の後、種結晶配置工程Ｓ４の前に、加熱工程Ｓ３を行い、坩堝の内部を減圧雰囲気又は希ガス雰囲気にして、昇華・成長工程を行う。 （もっと読む）

【課題】真空排気容器の内壁に炭化珪素原料の昇華ガスが付着して堆積する堆積物の除去作業が簡単にでき、炭化珪素単結晶の製造効率に優れる炭化珪素単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】真空排気容器１２の中に配置した坩堝３内に炭化珪素原料２を収容し、炭化珪素原料２を昇華させて、昇華ガスを坩堝３内に取り付けた種結晶１上に供給して炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶製造装置であって、真空排気容器１２の内壁が剥離可能な粘着シート１３を貼り付けて覆われている。 （もっと読む）

【課題】長時間の成長でも原料の昇華速度が長時間に亘り安定しており、安定した品質の窒化アルミニウム単結晶を製造することのできる窒化アルミニウム単結晶用原料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】昇華法によって形成される窒化アルミニウム単結晶２４用の原料２２であって、窒化アルミニウム粉末と有機バインダとを含んでなる組成物を、圧粉成型後、加熱して有機バインダを除去し、さらに焼成して粉末粒子同士の合一化を行って得られる。 （もっと読む）

【課題】結晶の成長速度を向上させることが可能な窒化物単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】上部に開口部を有し、内底部に原料２２を収納する成長容器４と、開口部を塞ぐサセプタ３と、原料２２に対向するように配置された種子基板２３と、成長容器４の外周に配設された複数の加熱手段７ａ、７ｂ、７ｃと、を少なくとも備えた窒化物単結晶２４の製造装置１であって、各加熱手段７ａ、７ｂ、７ｃ間に熱遮蔽部材１１ａ、１１ｂが設けられるとともに、加熱手段７ｃと成長容器４の成長部Ａとの間に熱遮蔽部材１２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】転位欠陥の発生の少ない高品質の炭化珪素単結晶を製造するための坩堝及び製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素原料４を収容する坩堝容器部１と炭化珪素種結晶５が取り付けられる坩堝蓋部２とを有し、前記坩堝蓋部２には、坩堝１の内部と外部との間を貫通すると共に、結晶成長時には前記種結晶５が吸着して閉塞される貫通孔３が形成されている、改良型レーリー法による炭化珪素単結晶製造用坩堝１であって結晶成長が始まる前、貫通孔３等を通じてガス交換により、結晶成長空間８と坩堝外部との間に圧力差を生じないため、坩堝蓋部２に吸着・支持されずに隙間Ｄが維持された状態にあった種結晶５は、結晶成長時には、坩堝外部の圧力を坩堝内部８の圧力に対して低くなるように制御することで坩堝蓋部２に吸着される。その結果、熱膨張差に起因した応力や歪の無い状態で種結晶５を坩堝蓋部２の内側部分に支持することができる。 （もっと読む）

【課題】種結晶を坩堝の中心軸からずらして配置しなくても、種結晶およびＳｉＣ単結晶の成長途中表面に対して温度分布を形成することにより、異種多形や異方位結晶の発生を抑制できるＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】温度分布形成部材としてリング部材５を備え、リング部材５に平坦面５ｃを形成することで、リング部材５から低密度螺旋転位領域３ｂまでの距離Ｄ１と螺旋転位発生可能領域３ａまでの距離Ｄ２を変化させる。これにより、ＳｉＣ単結晶基板３の中心を黒鉛製坩堝１の中心と一致させて配置しても、結晶成長装置の構造上、種結晶となるＳｉＣ単結晶基板３およびＳｉＣ単結晶の成長途中表面に対して温度分布を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】接着層の気密性の低下が原因で生じる構造欠陥の発生を抑制する炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】フェノール樹脂と炭化珪素粒子８０とを含むコート剤を用いて、種結晶３０のコート面３０ａにコート層４０を形成し、接着剤を用いて、コート層４０と種結晶台座１０ｂの間に介在する接着層５０を形成する。コート層４０の厚さは、５〜２０μｍであり、コート層４０は、体積比で炭化珪素粒子８０を１〜２０％含んでいる。 （もっと読む）

【課題】成長した単結晶の径方向端部に凹面が形成されることなく、良好な品質の単結晶を製造することができる炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】本発明による単結晶製造装置１は、昇華用原料を収容する坩堝本体５と、昇華用原料と対向する位置に種結晶支持部７を設けた蓋体９と、種結晶支持部７の外周近傍から昇華用原料に向けて筒状に延びるガイド部材１１と、種結晶支持部７およびガイド部材１１の少なくともいずれかの外周側に配設されると共に、単結晶２７よりも熱伝導率が低く設定された断熱材２１とを備え、昇華用原料３および種結晶を加熱して単結晶２７を成長させるときに、昇華用原料３から種結晶に向かう熱Ｈの流れを断熱材２１によって種結晶に集約させるように構成している。 （もっと読む）

【課題】接着層と種結晶との熱膨張差に起因する種結晶の破損や成長結晶の欠陥の発生を抑制できる炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛製坩堝の反応容器本体内に昇華用原料を収容し、黒鉛製坩堝の蓋体１２の下面に設けられた台座１３に接着層８０を介して種結晶６０を取り付けたのち、これらの昇華用原料および種結晶６０を加熱することにより、昇華用原料から原料ガスが昇華し、種結晶６０の下面となる結晶成長面上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法であって、種結晶６０の接着面側の外周部と接着層８０との間に、環状に形成された介設層７０を配設する。これにより、種結晶６０の径方向中央部は接着層８０を介して台座１３に強固に固定されが、高温加熱時には、種結晶６０の径方向中央部に比べて、外周部が台座１３と強固に固定されないため、種結晶６０と台座１３との間で発生する熱膨張率の差を小さくできる。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度の少ない高品質な４Ｈ−ＳｉＣ単結晶を得ることが可能な炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】｛０３−３８｝面が露出した４Ｈ−ＳｉＣの種基板１とＳｉＣ原料３２とを対向配置した後、ＳｉＣ原料３２を加熱して昇華させて原料ガスを発生させると共に、種基板１をＳｉＣ原料３２より低い温度にして、種基板１上にＳｉＣ単結晶を成長させる。このときＳｉＣ原料３２にＳｉ原料３５を添加すると、原料ガスにおけるＳｉの蒸気圧が高くなり、結晶成長面における原料ガスのＣとＳｉとの比（Ｃ／Ｓｉ）は小さくなる。ＳｉＣ単結晶を成長させる際、ＳｉＣ単結晶の成長面近傍の原料ガスにおけるＣとＳｉとの比（Ｃ／Ｓｉ）を１未満、望ましくは０．２５以下にすることにより、種基板１からのＳｉの昇華が抑制され、種基板１の端部のエッチングが防止される。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素原料と成長している炭化珪素単結晶表面の温度を適切に保ちつつ、装填した原料を昇華ガスの供給源として有効に利用することのできる、炭化珪素単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】昇華再結晶法を用いて炭化珪素単結晶を作製する際に、昇華温度以上に加熱する領域を炭化珪素原料部の中で少なくとも１回移動させて、炭化珪素単結晶の成長を行うことで、結晶と原料の温度を適切に保つと同時に、原料を有効に昇華させることのできる加熱方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】高純度な炭化珪素単結晶の製造方法及びそれに用いられる原料を提供する。
【解決手段】１回の昇華再結晶法により１３３Ｐａ〜１３．３ｋＰａの不活性雰囲気で不純物の分配係数Ｐ２が０．００１〜０．３で成長した炭化珪素結晶の粉砕物である炭化珪素単結晶育成用炭化珪素原料、及び、それを用いた４Ｈ型炭化珪素単結晶の製造方法であって、炭化珪素原料は、単結晶又は多結晶の一方又は双方の粉砕物であり、昇華再結晶法を２回以上経て、さらに高純度されたものでもよい。 （もっと読む）

【課題】高純度のＡｌＮ単結晶を成長させることができるとともにＡｌＮ単結晶の成長ごとの成長速度のばらつきを低減することができるＡｌＮ単結晶の成長方法およびその方法により得られたＡｌＮ単結晶を提供する。
【解決手段】成長室３の内部に設置したＡｌＮ多結晶原料１１を加熱して昇華させ、成長室３の内部の種結晶１２の表面上にＡｌＮ単結晶を成長させるＡｌＮ単結晶の成長方法において、成長室３の内部のＡｌＮ多結晶原料１１の温度におけるＡｌＮの化学量論組成の窒素分圧よりも成長室の外部の窒素分圧を高くし、成長室３の内部と外部のガスの交換を可能とする開口部４を成長室３に設けるとともに、遷移金属および炭素からなる群から選択された少なくとも１種を含むガスを生成するガス生成室を成長室３とは別に設けてガス生成室を成長室３に連結させ、ガス生成室からのガスを成長室３に導入しながらＡｌＮ単結晶を成長させる。 （もっと読む）