【課題】高品質でかつ長尺な単結晶を製造することができる炭化珪素単結晶製造装置、炭化珪素単結晶の製造方法及びその成長方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る炭化珪素単結晶製造装置は、原料ガスを炭化珪素種結晶５側に案内するガイド部材７を備え、坩堝３は、上下方向に互いに相対移動可能な坩堝上部３ａと坩堝下部３ｂとからなり、ガイド部材７は、坩堝上部３ａに固定されたガイド部材上部７ａと、坩堝下部３ｂに固定されたガイド部材下部７ｂとからなり、ガイド部材上部７ａ及びガイド部材下部７ｂの少なくとも一方に孔部１０が設けられており、ガイド部材上部７ａとガイド部材下部７ｂとは、坩堝上部３ａ及び坩堝下部３ｂの相対移動により、孔部１０が開閉するように配置されている、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】種結晶基板を用いた昇華法であっても、品質の良い結晶を得ることのできる自立基板の製造方法、この製造方法により製造されたＡｌＮ自立基板、及び、このＡｌＮ自立基板を用いたIII族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】自立基板の製造にあたり、種結晶基板としてＳｉＣ基板６の表面上に昇華法により成長材料としてＡｌＮを成長させるとともに、成長材料の成長時に種結晶基板を昇華させる。これにより、成長材料の成長時に種結晶基板が除去されるので、成長材料と種結晶基板６の熱膨張係数等の違いに起因して成長材料中に欠陥が生じることは殆どない。 （もっと読む）

【課題】坩堝内部の温度勾配を小さくしても、原料を残さず昇華させることが可能な炭化珪素単結晶の製造装置及び炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】開口部を有し、原料２０が配置される坩堝本体３０と、坩堝本体３０の開口部を塞ぐ蓋体４０とを備えた坩堝５０と、坩堝本体３０の側部３０ｂの外側に位置し、坩堝５０を誘導加熱する加熱コイル８０とを有する炭化珪素単結晶の製造方法であって、底部３０ａの電気伝導率は、側部３０ｂの電気伝導率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】種結晶に起因した炭化珪素単結晶の品質の低下を抑制可能な炭化珪素単結晶の製造方法及び炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】種結晶１００の主面１００ｂが開口部側に向き、種結晶１００の主面１００ａが底部３３側に向くように、種結晶１００を固定部材２００に固定し、炭化珪素部材１５０の主面１００ａは、種結晶１００の主面１００ｂに対向し、炭化珪素部材１５０の主面１００ａと種結晶１００の主面１００ｂとの間に空間Ｓを設けて、炭化珪素部材１５０を固定する。 （もっと読む）

【課題】種結晶付近の炭化珪素単結晶から製造された炭化珪素単結晶ウエハにクラックが発生することを抑制し、歩留まりを向上させた炭化珪素単結晶ウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素からなる種結晶１００を坩堝５０の一方側に配置し、炭化珪素単結晶３００の原料２０を坩堝５０の他方側に配置する。次に、原料２０を加熱し、種結晶１００上に炭化珪素単結晶３００を成長させる。その後、種結晶１００を坩堝５０から取り外し、坩堝５０の蓋体４０側に面していた種結晶１００の表面層を除去した後に、炭化珪素単結晶３００をスライスする。 （もっと読む）

【課題】大口径で欠陥の少ない長尺の炭化珪素単結晶を成長できる装置を得る。
【解決手段】 原料を充填する充填部を有する坩堝と、坩堝の蓋となる蓋体と、蓋体に充填部に対向して設けられた種結晶を取り付ける台座と、坩堝から前記台座に向けて設けられた単結晶多結晶分離用ガイドと、充填部の上部に設けられた、その上面が単結晶多結晶分離用ガイドに対向して設けられ単結晶多結晶分離用ガイドを下方から放射加熱する放射面である、原料ガス整流ガイドとを備えることにより、分離用ガイドの温度を台座に取り付けられた種結晶より高温にする。 （もっと読む）

【課題】フォトルミネッセンス法を用いて、炭化珪素単結晶の積層欠陥をより正確に検査できる積層欠陥の検査方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素原料２０を坩堝１０に配置する配置工程と、坩堝１０に配置された炭化珪素原料２０を加熱し、加熱により昇華した炭化珪素原料２０を再結晶させる成長工程とを有する炭化珪素単結晶を製造する製造工程と、フォトルミネッセンス法を用いて、炭化珪素単結晶の積層欠陥を検査する検査工程とを備える積層欠陥の検査方法であって、成長工程では、坩堝１０に水素を導入する。 （もっと読む）

【課題】貫通らせん転位が少ない、もしくは存在しない炭化珪素単結晶層を製造することができる炭化珪素単結晶の製造方法、当該製造方法で製造された炭化珪素単結晶ウェハ、当該炭化珪素単結晶ウェハを用いた炭化珪素半導体素子の製造方法、当該製造方法で製造された炭化珪素半導体素子を提供する。
【解決手段】結晶成長面５からの傾斜面６の角度が４０度以上９０度以下であり頂面３Ｔを有する六角錐状の凸部３を有する種基板２の表面に炭化珪素単結晶層４を成長させることで、種基板２の貫通らせん転位を、炭化珪素単結晶層４で基底面内欠陥９に変換すると共に、貫通らせん転位を凸部３の頂面３Ｔに制限する。 （もっと読む）

【課題】複数枚の種結晶に対して同時にＳｉＣ単結晶を成長させることができ、かつ、ＳｉＣ単結晶の成長速度を面内においてより均一にできるＳｉＣ単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】加熱容器８の中心軸に対して内壁面を傾斜させた台座部９を備え、この台座部９の内壁面に対して周方向に並べた複数の平坦面に種結晶５を配置する。このように、複数の種結晶５に対して同時にＳｉＣ単結晶を成長させることで１ラン当たりのウェハの取れ数を多くすることが可能となる。そして、種結晶５が配置される台座部９の内壁面を加熱容器８の中心軸に対して傾斜させることで、台座部９の裏面からの冷却と、第１加熱装置１１によって加熱された加熱容器８からの輻射熱効果により、種結晶５の表面での温度分布をほぼ均一にできる。したがって、ＳｉＣ単結晶を面内において均一に成長させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】大型で転位密度の低いＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶基板を提供する。
【解決手段】本Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶基板は、気相法によるＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶（０＜ｘ≦１）の成長方法で得られたＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の表面１３を加工することにより得られる平坦な主面３１を有するＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶基板３０であって、結晶成長の際、その雰囲気中に不純物を含めることにより、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の主成長平面１１に複数のファセット１２を有するピット１０ｐが少なくとも１つ存在している状態でＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０を成長させることにより、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の転位を低減し、ピット１０ｐ底部から主成長平面１１に対して実質的に垂直方向に伸びる線状転位集中部１０ｒの密度が１０⁵ｃｍ^-2以下であり、結晶成長後において主成長平面１１の総面積に対するピット１０ｐの開口面１０ｓの総面積の割合が３０％以上である。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成長させる成長速度を向上したＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法およびＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長装置を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法は、以下の工程を備えている。まず、原料１３からの熱輻射を遮るための熱遮蔽部１１０を内部に含むチャンバー１０１が準備される。そして、チャンバー１０１内において、熱遮蔽部１１０に対して一方側に原料１３が配置される。そして、原料１３を加熱することにより昇華させて、チャンバー１０１内の熱遮蔽部１１０に対して他方側に、原料ガスを析出させることによりＩＩＩ族窒化物半導体結晶１５が成長される。 （もっと読む）

【課題】より高純度な炭化珪素単結晶を得ることができる炭化珪素単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】この発明に係る炭化珪素単結晶の製造方法は、炭化珪素多結晶インゴット形成用の坩堝１内で、珪素と炭素を原料２とする昇華再結晶法によって炭化珪素多結晶インゴット７を形成する工程と、種結晶取り付け部８ｃに種結晶基板１１が取り付けられた炭化珪素単結晶形成用の坩堝８内で、昇華再結晶法によって炭化珪素多結晶インゴット７を昇華させて炭化珪素単結晶インゴット１２を形成する工程と、を備えた （もっと読む）

【課題】改良型レーリー法により炭化珪素単結晶を作製する場合において、結晶成長中、特に結晶成長の初期の段階で発生する欠陥を低減することができ、欠陥密度の低い高品質の炭化珪素単結晶を製造することができる炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】対称軸を有する坩堝と対称軸を有する種結晶を用いて昇華再結晶法により炭化珪素単結晶インゴットを製造する装置であり、種結晶の対称軸に対して非軸対称な温度分布を持つ加熱を行うと共に、その非軸対称な温度分布の中で種結晶の対称軸を中心にして、種結晶と成長している結晶を回転させながら結晶成長を行う炭化珪素単結晶インゴットの製造装置であり、結晶成長中の結晶欠陥の発生を抑制し、欠陥の少ない高品質の炭化珪素単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体自立基板上に形成される電子デバイスの耐電圧、オン抵抗、素子寿命等のばらつきを抑えて歩留まりを向上させることが可能なＳｉＣ半導体自立基板及びＳｉＣ半導体電子デバイスを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体自立基板を構成するＳｉＣ半導体結晶３は六方晶系であり、ＳｉＣ半導体結晶３の格子定数のばらつきを、ＳｉＣ半導体自立基板の主面内のａ軸方向の格子定数の標準偏差をａ軸方向の格子定数の平均値で除した値とするとき、格子定数のばらつきが±５５ｐｐｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】高品質で且つ空隙の発生が十分に抑制される単結晶を形成することができる種結晶保持体の製造方法及びこれを用いた単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】基材９と、基材９の上に接合部１１を介して接合される種結晶１０とを備える種結晶保持体８の製造方法であって、基材９上に気相法により種結晶１０と同一材料からなる多結晶体を接合部１１として形成する接合部形成工程と、接合部１１において種結晶１０を接合させる接合予定面の表面粗さを減少させて平滑化面を得る接合部表面粗さ減少工程と、接合部１１の平滑化面に種結晶１０を接合させる種結晶接合工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】単結晶製造装置を大型化せずに単結晶の製造効率を向上させることができる単結晶の製造方法及び製造装置を提供すること。
【解決手段】ルツボ８内に収容した昇華性の原料６の表面６ａ上に熱伝導体１１Ａを配置する熱伝導体配置工程と、ルツボ８及び熱伝導体１１Ａを加熱して原料６を昇華させ、熱伝導体１１Ａを下降させながら、昇華した原料６のガスを、ルツボ８を密閉する蓋体９に固定した種結晶１０に付着させて再結晶させ、単結晶１５を成長させる成長工程とを含む単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高品質の窒化アルミニウム単結晶を製造することができる窒化アルミニウム単結晶の製造方法及び製造装置を提供すること。
【解決手段】成長容器２内にガス導入部２ｆを経て窒素ガスを導入するとともに成長容器２内のガスをガス排出部２ｅを経て排出させながら、成長容器２内に収容した窒化アルミニウムからなる原料１を昇華させ、成長容器２内の種結晶１０から結晶１２を成長させて窒化アルミニウム単結晶を得る窒化アルミニウム単結晶の製造方法において、ガス排出部２ｅの温度を、結晶１２の先端部の温度よりも高くすることを特徴とする窒化アルミニウム単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】大型で転位密度の低い結晶が得られるＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶の成長方法およびＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶基板を提供する。
【解決手段】気相法によるＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の成長方法であって、結晶成長の際、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の主成長平面１１に複数のファセット１２を有するピット１０ｐを少なくとも１つ形成し、ピット１０ｐが少なくとも１つ存在している状態でＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０を成長させることにより、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶１０の転位を低減することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】種結晶を蓋体に接着しないタイプの単結晶製造装置において、種結晶の破損や単結晶の品質低下を防止することができる単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】単結晶製造装置の蓋体４０の略中央部には、突部４１が設けられている。突部４１は、蓋体開口部を介して坩堝本体の内側に向けて突出するように配置される。種結晶１０は、ガイド開口部４３ｈに挿通された突部４１の当接面４１ａと支持部４３２との間に配置される。突部４１に形成されたねじ山４１ｓが係合部４３１に形成されたねじ溝４３ｇに螺合されることにより、当接面４１ａが種結晶１０における結晶成長面とは反対の裏面全面を突部４１に対して押圧するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】Ｎ型ドーパントとＰ型ドーパントとのバランスをより制御しやすくすることによって、半絶縁性の優れた炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素原料２０を坩堝１０に配置する工程と、坩堝１０に配置された炭化ケイ素原料２０を加熱し、炭化ケイ素単結晶を成長させる工程とを含む炭化ケイ素単結晶の製造方法であって、炭化ケイ素原料２０を加熱する工程では、坩堝１０に水素ガスを導入する。 （もっと読む）