【課題】ＺｎＯナノロッドが基板表面に対して垂直性を維持しつつ、直径を２０ｎｍ以下まで細径化させることが可能なＺｎＯナノロッドの堆積方法を提供する。
【解決手段】所定圧力に調整されたチャンバ内に基板１３を設置し、チャンバ１１内への酸素原子を含む化合物で構成される気体又は蒸気と、亜鉛を含む有機金属ガスとを供給し、基板１３を４５０℃±１０％で加熱することにより、ＺｎＯからなる台柱を基板１３上に形成させ、次に基板１３を７５０℃±１０％まで昇温させ、当該温度にて所定時間保持することにより、台柱上端からＺｎＯナノロッドを成長させる。 （もっと読む）

【課題】単結晶に欠陥が発生することを抑制でき、良質で大口径の単結晶が効率よく製造できる窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥ法により種子結晶１０７上に窒化アルミニウム単結晶を成長させる窒化アルミニウム単結晶の製造方法であって、Ａｌ原料１０９として吸湿性を有しないＡｌＦ_３を用いることにより、プロセス温度が非常に高く、水分除去が容易なことから酸素不純物の低減が容易となり、単結晶に欠陥が発生することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】例えば高周波数装置のような後続する装置製造に適する電気特性と構造性質を有する高い抵抗率の炭化ケイ素基板を提供する。
【解決手段】高い抵抗率の炭化ケイ素の単結晶を製造する方法であって、ケイ素原子を含むガスの流れを囲いに導入し、炭素原子を含むガスの流れを前記囲いに導入し、炭化ケイ素の種結晶を含む前記囲いを１９００℃よりも高温に加熱するに際し、前記種結晶の温度が、加熱された前記囲いに導入された前記ケイ素および炭素原子を含むガスの分圧下において前記種結晶が分解する温度よりも低くなるようにし、前記ケイ素および炭素原子を含むガスの流れおよび前記１９００℃よりも高い温度を、バルク結晶を成長するに十分な時間維持し、前記バルク結晶の成長の間に、少なくとも一つの深い不純物を前記結晶に導入して少なくとも一つの深い内因性欠陥の形成を促し、これにより高い抵抗率の前記結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】異種材料基板剥離のための中間層と自立基板となる第二の窒化物半導体層との結合を低減でき、ＧａＮ等の窒化物半導体自立基板の製造の歩留りを向上する方法を提供する。
【解決手段】窒化物とは異なる異種材料基板１に転位密度が１.０×１０^１０／ｃｍ^２以上である第一の窒化物半導体層２を形成した窒化物半導体下地基板上に、異種材料基板剥離用の中間層３と第二の窒化物半導体層４とが積層された窒化物半導体積層基板である。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基板上へのＺｎＯ単結晶の堆積方法を提供する。
【解決手段】ポリイミドからなるプラスチック性の基板１３を４００〜５００℃で加熱するとともに、酸素とジエチル亜鉛ガスとを供給する。このとき、所定の圧力に調整されたチャンバ１１内に基板１３を載置し、チャンバ１１内に対する酸素とジエチル亜鉛ガスとの供給流量比率が１００：１〜５０としてもよいし、また基板１３に対して波長２００〜６８０ｎｍの光を照射し、基板１３を２００〜５００℃で加熱するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、均一性の良好なバッファ層としての結晶層を得ることができ、その上にＩＩＩ族窒化物半導体結晶構造を作製する際、良好な結晶性の膜を得ることにある。
【解決手段】本発明は、基板上に、スパッタ法によって成膜されたＩＩＩ族窒化物よりなる第１の層を備え、少なくとも第１の層に接してＩＩＩ族窒化物材料からなる第２の層を備えたＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造において、前記第１の層が成膜装置のチャンバの内部において成膜された層であり、前記第１の層が成膜装置のチャンバ内において到達真空度、１．０×１０^−３Ｐａ以下の条件で製造された層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】触媒を使用しない気相合成法を用いて高品質かつ欠陥のないすぐれた形状の固相の二元合金単結晶ナノ構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】二元合金を構成する金属元素らの金属酸化物、金属物質またはハロゲン化金属、または二元合金物質を前駆物質とし、気相合成法を利用した二元合金単結晶ナノ構造体の製造方法及び二元合金単結晶ナノ構造体を提供する。より詳細には、反応炉の前端部に位置させた前駆物質と、反応炉の後端部に位置させた基板を、不活性気体が流れる雰囲気下において熱処理して、前記基板上に二元合金単結晶ナノワイヤまたは二元合金単結晶ナノベルトを形成させる製造方法及びこの製造方法によって製造された二元合金単結晶ナノワイヤまたは二元合金単結晶ナノベルトを提供する。 （もっと読む）

【課題】バレル型気相成長装置において、ウェーハ上に薄膜を気相成長させる場合に、ウェーハ裏面へのシリコン転写が抑制することができ、高品質で、歩留まりが高いエピタキシャルウェーハを生産することができる気相成長方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ表面に薄膜を気相成長させる気相成長方法であって、反応室内に複数枚の板状のサセプタが角錐台形状に設置され、該サセプタは表面にＳｉ膜が形成された黒鉛からなり、該サセプタの外表面にウェーハを収容可能な円形ザグリ部が形成されている気相成長装置の前記ザグリ部にウェーハを収容し、該ウェーハを外表面側から加熱して、ウェーハ表面に薄膜を気相成長させ、その後冷却する際に、少なくとも気相成長温度より所定温度までは１００℃／分以下の降温速度で降温することを特徴とする気相成長方法。 （もっと読む）

【課題】水平型ＨＶＰＥ装置を用いて単結晶窒化アルミニウム膜等のIII族窒化物を製造するに際し、原料ガスの有効利用を図ると共に、基板外での結晶成長を抑制し、経時的に成膜速度を低下させることなく長時間安定して製膜することができ、３００μｍを越えるような膜厚のIII族窒化物単結晶膜を効率良く製造することができる装置を提供する。
【解決手段】サセプタ１３０に保持される基板１４０を加熱するための加熱手段１２０と、III族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとの組み合わせからなる原料ガスを反応部１１１内に供給する原料ガス供給手段１５０と、を備える水平型ＨＶＰＥ装置１００において、反応部１１１の底面に設けられた穴にサセプタ１３０を回転可能に収納設置すると共に、断熱機構及び／又は冷却機構をサセプタ１３０に配設して成膜時におけるサセプタ１３０の周縁端部１３３の温度を基板１４０の温度よりも１５０℃以上低温とする。 （もっと読む）

熱フィラメント化学気相堆積プロセスによってダイヤモンド材料が作製され、大きい膜面積、良好な成長速度、相の純粋性、小さい平均粒径、平滑な表面、および他の有用な特性が提供される。低い基材温度を使用することができる。圧力およびフィラメント温度などのプロセス変数ならびに反応物の比を制御することによって、ダイヤモンドの特性を制御することが可能になる。用途としては、MEMS、耐摩耗低摩擦コーティング、バイオセンサー、および電子機器回路が挙げられる。

（もっと読む）

【課題】高品位で大面積の非極性面を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物窒化物半導体結晶を得るために有利な製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶２００の製造方法は非極性面であるＭ面を有する種結晶Ｓを準備し、非極性面であるＭ面からＩＩＩ族窒化物半導体２００を気相中で成長させる成長工程を具備し、成長工程は、種結晶Ｓの＋Ｃ軸方向（＜０００１＞方向）に伸びるようにＩＩＩ族窒化物半導体２００を成長させることを含む。 （もっと読む）

【課題】ＨＶＰＥ法による結晶成長面が｛１−１００｝面であるＧａＮ結晶の結晶成長において、結晶成長速度が高く厚い結晶を効率良く成長させる方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶の成長方法は、主面が｛１−１００｝面である１つ以上のＧａＮ結晶下地基板を準備する工程と、ＧａＮ結晶下地基板の主面上にＧａＮ結晶をその結晶成長面が｛１−１００｝面となるように成長させる工程とを含み、ＧａＮ結晶を成長させる工程において、結晶成長温度ｘ℃が１０８０℃以上１１６０℃以下であり、結晶成長速度ｙμｍ／ｈｒと結晶成長温度ｘ℃との関係が以下の式（１）および（２）
ｙ≧０．０３５２ｘ²−７５．６５９ｘ＋４０７３７ （１）
ｙ≦０．０７８２ｘ²−１６５．９５ｘ＋８８１２１ （２）
を満たす。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物系化合物半導体の製造を低コストで簡便に行うことを可能とするIII族窒化物系化合物半導体製造用基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物系化合物半導体製造用基板の製法は、窒素ガス単体若しくは純度９９．９％以上のＡｒガスを含む窒素ガスを用いて運動エネルギーが１００ｅＶ以下の窒素プラズマを形成し、次いで、この窒素プラズマを表面粗さＲａが０．２ｎｍ以下のサファイア基材表面に照射してＡｌ窒化物層から成る厚さ１０ｎｍ以下の金属窒化物層を生成した後、この金属窒化物層を有するサファイア基材を熱処理することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 大面積かつ高品質のＡｌＮ単結晶などのIII族窒化物単結晶からなる基板を効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】 α−アルミナ単結晶の｛１ −１ ０ ２｝面または｛−１ １ ０ ４｝面と８０°〜１００°の角度で交差する面をα−アルミナ単結晶基板の主面とし、該α−アルミナ単結晶基板の主面上に、前記III族窒化物単結晶をエピタキシャル成長させることにより、該α−アルミナ単結晶基板の厚みの０．３倍以上の厚みとなる前記III族窒化物単結晶よりなる層を積層した積層基板を製造し、α−アルミナ単結晶を分離することを特徴とするIII族窒化物単結晶基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】分散性の良い二酸化チタンが得られる火炎溶融法において、産業的に利用分野の広い、特に光触媒粉体やセラミックス成形体原料として好適な５μｍから２００μｍの範囲の平均径を持つ、高純度で分散性の良い二酸化チタン、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】気相法で得た分散性の良い二酸化チタンを原料として、火炎溶融法で、短い高温滞留時間で球状化した二酸化チタンを得る。 （もっと読む）

【課題】純度の高いＡｌ系III族窒化物結晶を低コストで提供する。
【解決手段】〔１〕ハロゲンガスを含むＡｌ原料とアンモニアを含む窒素原料を結晶表面で反応させるＡｌ系III族窒化物の製造方法。
〔２〕前記ハロゲンガスが塩素である〔１〕記載のＡｌ系III族窒化物の製造方法。
〔３〕前記Ａｌ原料がＡｌＣｌ₃である〔１〕または〔２〕記載のＡｌ系III族窒化物の製造方法。
〔４〕前記Ａｌ系III族窒化物がＡｌＮである〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載のＡｌ系III族窒化物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】異形ポリタイプの混入がなく、また、表面欠陥が少ないか又は全くなく、さらには残留不純物密度のより少ないＳｉＣ単結晶エピタキシャル薄膜を高速で成長させる方法を提供する。
【解決手段】六方晶系ＳｉＣ単結晶基板の（０００１）Ｓｉ面に、炭素原子とケイ素原子の原子数比（Ｃ／Ｓｉ比）が０．２０以上０．７５未満の原料ガスを導入することにより、基板と同じポリタイプのＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させる。また、エピタキシャル成長は、２０ｋＰａ以下の減圧下で行なう。 （もっと読む）

【課題】高品質の単結晶ＺｎＯ基板を、従来に比して安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】単結晶ＺｎＯ基板の製造方法であって、(a) ＳｉＯ₂絶縁層２と、その上に設けられた、表面を構成する単結晶シリコン層１とを含む、半導体基板を準備するステップと、(b)単結晶シリコン層１を表面側から、絶縁層２上に３〜７ｎｍの厚みだけ残して酸化するステップと、(c)生じたＳｉＯ₂ 層４を除去するステップと、(d)残った単結晶シリコン層１’に、加熱しつつキャリアガスと炭化水素ガスを供給して全層を単結晶ＳｉＣ層５へと変換するステップと、(e)単結晶ＳｉＣ層５の表面に化学気相成長により厚み０．１〜５μｍの単結晶ＺｎＯ層６を形成するステップと、(f)単結晶ＺｎＯ層６をアニールするステップと、 (g)アニールされた単結晶ＺｎＯ層６の表面に化学気相成長により単結晶ＺｎＯ層６’を形成して単結晶ＺｎＯ層６の層厚を増加させるステップとを含む、製造方法。 （もっと読む）

化合物半導体ナノロッドとシリコンワイヤーが接合された多重構造のナノワイヤー及びその製造方法を提供する。多重構造のナノワイヤーの製造方法は、化合物半導体のナノロッドを提供する段階と、ナノロッドの両端に触媒チップを形成する段階と、記触媒チップが形成されたナノロッドの両端にシリコンナノワイヤーを成長させる段階とを含む。
（もっと読む）

【課題】表面平坦性の優れたＡｌＧａＮ結晶層を作製する方法を提供する。
【解決手段】Ｃ面サファイア単結晶基材１ａの上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮからなる表面層１ｂをエピタキシャル形成した後、該積層体を１３００℃以上の温度で加熱することで、面内圧縮応力が作用してなる、実質的に原子レベルで平坦な表面層が形成されてなるテンプレート基板を得る。該テンプレート基板上に、ＭＯＣＶＤ法によって、１０００℃よりも高い形成温度で、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）なる組成式で表されるIII族窒化物からなる第１単位層２ａとＡｌ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ≦１かつｙ≠ｘ）なる組成式で表されるIII族窒化物からなる第２単位層２ｂとを交互に繰り返し積層することによって、超格子構造を有するようにＡｌＧａＮ層２を形成する。これにより、表面が実質的に原子レベルで平坦なＡｌＧａＮ層を形成することができる。 （もっと読む）