【課題】結晶成長の上流側のガス導入管内が反応析出物によって閉塞されることを防止し、かつ、反応析出物の除去の影響により成長結晶の品質が悪化することを防止する。
【解決手段】反応析出物が発生する部位において、高融点材料からなる棒状部材１６を結晶成長開始時から連続的に公転させることにより、反応析出物が成長する以前に反応析出物を下方に落下除去させたり、その成長自体が抑制されるようにする。さらに、棒状部材１６を結晶成長開始時から連続的に自転させることにより、棒状部材１６自身への反応析出物付着を防止する。これにより、ガス導入管３が反応析出物によって閉塞されることを防止でき、ガスの連続長時間投入（すなわち結晶の長尺成長）を可能にできる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ単結晶基板上に、結晶性や配向性が良好で、電気的特性や光学的特性等に優れたＧａＮ薄膜を、低コストで効率良く製造することが可能なＳｉ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】化学気相成長法によりＳｉ基板１２上にＳｉＣ層及びＡｌＮ層を順次形成した後に、ＡｌＮ層上にＧａＮ結晶を成長させる際に、加熱したメッシュ状タングステン触媒１４にアンモニアガスを吹付けて窒素系ラジカルを生成させ、ＡｌＮ層上で有機ガリウム化合物と反応させてＧａＮ結晶を成長させることにより窒化物半導体薄膜を有するＳｉ基板１２を製造する。 （もっと読む）

【課題】 従来、半導体製造過程で使用される、結晶成長面を下に向けた結晶成長装置でウエハーに材料ガスを供給する時に、各材料ガスの温度を別々に制御出来るものが無かった。そのため成膜効率、成膜品質を向上させる最適な成膜条件の設定が困難であった。
【解決手段】 結晶成長室内にガス冷却機構とガス加熱機構を設置して、各材料ガスを最適な温度に制御してウエハーに供給する。 （もっと読む）

【課題】点欠陥の少ない炭化珪素半導体エピタキシャル基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法は、オフセット角が２°以上１０°以下である炭化珪素単結晶基板１０を用意する工程と、化学気相堆積法により、１４００℃以上１６５０℃以下の温度で、炭化珪素からなるエピタキシャル層１１を前記炭化珪素単結晶基板上に成長させる工程と、前記エピタキシャル層を１３００℃以上１８００℃以下の温度で熱処理する工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板と窒化物半導体層との間に低温バッファ層を介在させることなく、平坦で高品質の無極性窒化物半導体層を結晶成長させる。
【解決手段】窒化物系半導体層の形成方法は、サファイア基板の一主面を窒化処理し、その窒化処理された基板面上に第１の成長条件によって第１の窒化物半導体層を結晶成長させ、その第１の成長条件と異なる第２の成長条件によって第１の窒化物半導体層上に第２の窒化物半導体層を結晶成長させることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】ハイドライド気相エピタキシャル成長法においてアルミニウム系III族窒化物結晶膜を製造するに当たり、より高速で、より欠陥の少ない単結晶からなる結晶膜であって、膜の平坦性が良好な結晶膜を製造することのできる方法を提供する。
【解決手段】反応容器内でハロゲン化アルミニウムを含むIII族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを反応させて、加熱基板２４上にアルミニウム系III族窒化物結晶を成長させる工程を含むアルミニウム系III族窒化物結晶の製造方法において、内部に発熱抵抗体が埋設された窒化アルミニウムと窒化ホウ素との複合焼結体のようなセラミックスからなり加熱機能を有する支持台２３の上に基板２４を保持し、基板２４を、たとえば１１５０℃以上といった高温であって、反応領域における反応容器壁の温度より高い温度に保持して結晶の成長を行う。 （もっと読む）

本出願は、成長の媒体としての希ガスの存在下でMOVPEによって基板上に窒化インジウムを成長させるための方法に関する。 （もっと読む）

本発明は、得られる基板が０．５マイクロ秒〜１０００マイクロ秒のキャリアライフタイムを有するように、シリコンカーバイド材料を基板上に堆積させる方法であって、ａ．クロロシランガスと、炭素含有ガスと、水素ガスとを含む混合ガスを、基板を含有する反応チャンバ内に導入すること、及びｂ．１０００℃より高いが２０００℃より低い温度に基板を加熱することを含むが、但し、反応チャンバ内の圧力は０．１ｔｏｒｒ〜７６０ｔｏｒｒの範囲に維持されるものとする、シリコンカーバイド材料を基板上に堆積させる方法に関する。本発明はまた、得られる基板が０．５マイクロ秒〜１０００マイクロ秒のキャリアライフタイムを有するように、シリコンカーバイド材料を基板上に堆積させる方法であって、ａ．非塩素化ケイ素含有ガスと、塩化水素と、炭素含有ガスと、水素ガスとを含む混合ガスを、基板を含有する反応チャンバ内に導入すること、及びｂ．１０００℃より高いが２０００℃より低い温度に基板を加熱することを含むが、但し、反応チャンバ内の圧力は０．１ｔｏｒｒ〜７６０ｔｏｒｒの範囲に維持されるものとする、シリコンカーバイド材料を基板上に堆積させる方法に関する。 （もっと読む）

【課題】高品質の窒化ガリウム基板を製造するための窒化ガリウム結晶成長方法を提供する。
【解決手段】（１）ストライプマスクＭを下地基板の上に設ける。（２）マスクの存在しない露呈部から窒化ガリウム結晶は成長を開始し、マスクの両側にファセットＦを形成する。（３）Ｃ軸が１８０゜反転した極性反転領域Ｊが形成される場合、予兆として、ファセットの傾斜面の途中に、ツメＱと呼ばれるゴツゴツとした突起が対向して発生する。このあと、（４）ツメＱが合体し、（５）これを種として同じ方位の結晶が縦方向に成長し、極性反転結晶Ｊからなる結晶欠陥集合領域Ｈを形成する。露呈部の上でファセットの下に成長した部分は初めは下地基板との間に多数の転位を持つが、ファセット成長によって転位が外側へ排除され、結晶欠陥集合領域Ｈに蓄積されるので次第に低転位となり、この隣接部分は単結晶となる。 （もっと読む）

【課題】クラックがほとんど生じないＧａＮバルク単結晶の成長方法および成長装置を提供する。
【解決手段】それぞれＮＨ３ガス、Ｎ２ガスおよびＨＣｌガスを供給する第１ガス流入管２１、第２ガス流入管２２および第３ガス流入管２３と、前記第３ガス流入管２３と連結されてＨＣｌガスにガリウムを供給するガリウム源保存部２４を備えた反応チャンバー２０において、ＧａＮ種結晶が装着されたサセプタ３０を反応チャンバー２０内に設ける段階と、前記ＧａＮ種結晶上にＧａＮバルク単結晶を成長させる段階と、成長された前記ＧａＮバルク単結晶を冷却し、前記ＧａＮバルク単結晶をサセプタ３０から分離する段階と、を含み、前記反応チャンバー内で前記ＧａＮ種結晶の上面のみが露出されるように、サセプタ３０の上面に所定の深さを有する種結晶収容部が形成されており、前記ＧａＮ種結晶は、前記種結晶収容部の底面に装着される。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体基板を気相成長法によって製造する際に、リアクター内の基板以外の部分へ随伴的に付着する窒化物半導体多結晶を効果的に除去して、実用的な厚膜形成が可能で生産性が高い窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体形成用ガスをリアクター内に導入することにより下地基板上に窒化物半導体を結晶成長させ、その後、リアクター内に導入するガスの総流量に対して２％以上のエッチングガスをリアクター内に導入することにより窒化物半導体多結晶を除去する。 （もっと読む）

ケイ素前駆体の組み合わせを用いたエピタキシャルに配向したナノワイヤを成長させる方法、および配向したナノワイヤを成長させるためのパターン形成された基板の使用を含む、ナノワイヤを成長させ、ドープし、収集するシステムおよび方法が提供される。犠牲成長層を使用することによってナノワイヤの質が向上する。ナノワイヤを１つの基板から別の基板に移動する方法も提供される。本発明のプロセスで使用される基板材料は、結晶またはアモルファスであってよい。 （もっと読む）

ハイドライド気相エピタキシャル成長法（ＨＶＰＥ）を用いたアルミニウムを含むＩＩＩ族窒化物薄膜の成長方法が開示され、その方法は、ＨＶＰＥ反応系内に耐腐食性材料を使用し、該耐腐食性材料を含んでいるＨＶＰＥ反応系の領域はハロゲン化アルミニウムと接触する領域であることを特徴とする使用工程と、アルミニウムを含む原料を有する原料ゾーンを所定の温度以上にまで加熱する工程と、耐腐食性材料を含むＨＶＰＥ反応系内でアルミニウムを含むＩＩＩ族窒化物薄膜を成長する工程とを施す。
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【課題】ＨＶＰＥ法で膜を成長させる方法において、基板の温度制御を容易にして、工程数を減少できる成膜方法および被成膜基板を提供する。
【解決手段】処理室１１０内の基板保持部１０上に基板１６を支持する工程と、基板１６の下側に配置された加熱部材２０で、基板１６の外周縁１６ａを基板１６の中心部１６ｂより高い温度に加熱する加熱工程と、基板１６上にＨＶＰＥ法により膜を成長させる成膜工程とを備えている。加熱部材２０は、それぞれ独立して温度制御可能な複数のヒータ１４ａ，１４ｂ，１４ｃを有し、加熱工程において、基板１６は複数のヒータ１４ａ，１４ｂ，１４ｃで温度制御することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素単結晶基板上に高品質で欠陥の少ない炭化珪素単結晶薄膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板１上にエピタキシャル欠陥の発生を抑えるための炭化珪素単結晶薄膜２を成長させ、さらに該炭化珪素単結晶薄膜２の上に、デバイスが形成される層である炭化珪素単結晶薄膜３を成長させることによりエピタキシャル炭化珪素単結晶基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】より高い熱伝導率を有するＧａＮ系材料の製造方法を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥ（Ｈｙｄｒｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｉａｌ Ｇｒｏｗｔｈ）法によって窒化ガリウム系材料を成長させる。この成長は、Ｈ_２ガスを含むキャリアガスＧ１と、ＧａＣｌガスＧ２と、ＮＨ_３ガスＧ３とを反応室１０に供給し、成長温度を９００（℃）以上かつ１２００（℃）以下とし、成長圧力を８．０８×１０^４（Ｐａ）以上かつ１．２１×１０^５（Ｐａ）以下とし、ＧａＣｌガスＧ２の分圧を１．０×１０^２（Ｐａ）以上かつ１．０×１０^４（Ｐａ）以下とし、ＮＨ_３ガスＧ３の分圧を９．１×１０^２（Ｐａ）以上かつ２．０×１０^４（Ｐａ）以下として実施する。 （もっと読む）

【課題】マイクロパイプと呼ばれる中空欠陥を有するＳｉＣ単結晶基板を用いても、この基板から継続した中空欠陥を低減させたＳｉＣ結晶を得る。
【解決手段】Ｃ／Ｓｉ原子比を結晶成長速度が炭素原子供給律速となる範囲に調整した原料ガスを接触させ、ＳｉＣ結晶の複数層をエピタキシャル成長させて積層し、ＳｉＣ単結晶基板の中空欠陥を小さなバーガーズベクトルの転位に分解し、結晶表面に継続させないようにした。更にＳｉＣ結晶をバッファー層とし、さらに、Ｃ／Ｓｉ比をバッファー層を形成するときのＣ／Ｓｉ比よりも増加方向に調整された原料ガスを用いた。 （もっと読む）

【課題】Ｇａの収率を向上することができるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法およびその方法により得られるＧａＮ結晶を提供する。
【解決手段】基板６を設置するためのサセプタ７の一主面２と、サセプタ７の一主面２と間隔をあけて対向している対向面３と、サセプタ７の一主面２と対抗面３との間の空間を仕切る側面４と、で取り囲まれた成長室１にアンモニアガスを導入するとともにＩＩＩ族塩化物ガスの噴出口８からＩＩＩ族塩化物ガスを導入することによってサセプタ７の一主面２上に設置された基板６上にＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる際に、サセプタ７の一主面２の面積をＳｃｍ²とし、サセプタ７の一主面２とＩＩＩ族塩化物ガスの噴出口８との距離をＬｃｍとし、成長室１に導入されるガスの標準状態での総量をＶｃｍ³／ｓとしたとき、Ｓ／Ｌ／Ｖの値を０．１ｓ／ｃｍ²以上としてＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】無極性面での窒化物系半導体の気相成長において、成長中の窒化物系半導体層に発生するピットを抑制し、かつ、高性能な半導体装置を作製する上で、窒化物系半導体層の自乗根平均の表面粗さを５ｎｍ以下となる窒化物系半導体の気相成長方法を提供する。
【解決手段】無極性面を主面とする窒化物系半導体を半導体成長用基板上へ気相成長させる窒化物系半導体の気相成長方法であって、前記気相成長時における雰囲気の圧力を１〜１０ｋＰａとし、かつ、前記半導体成長用基板の温度を９００℃以上１１００℃未満とすること。 （もっと読む）

【課題】より確実に単結晶ダイヤモンドを成長させることができる単結晶ダイヤモンド成長用基材の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンド成長用基材の製造方法において、少なくとも、ダイヤモンド成長前の基材に対して予め基材側電極をカソードとした直流放電でダイヤモンド核形成を行うバイアス処理を行い、該処理において、少なくともバイアス処理開始４０秒後からバイアス処理終了までの基材温度を８００℃±６０℃に保つことを特徴とする単結晶ダイヤモンド成長用基材の製造方法。 （もっと読む）