【課題】低転位密度のＩＩＩ族窒化物結晶を得ることができるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法およびその方法により得られるＩＩＩ族窒化物結晶基板を提供する。
【解決手段】石英反応管の内部における、ハロゲン化ガリウムガス、ハロゲン化インジウムガスおよびハロゲン化アルミニウムガスからなる群から選択された少なくとも１種のガスとアンモニアガスとを含む原料ガスの反応によって、下地基板の表面上にＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法であって、ＩＩＩ族窒化物結晶の成長中に下地基板の温度を変化させるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法とその方法により得られるＩＩＩ族窒化物結晶基板である。 （もっと読む）

【課題】実質的に非制御下の混入による不純物を実質的に含まず、好適な特性を備えるIII-N層（IIIが周期表第III族の、Al、GaおよびInから選択される少なくとも一元素を示す）の製造方法および自立III-N基板を提供する。
【解決手段】Li(Al, Ga)O_X基板（１≦ｘ≦３）７上に、分子線エピタキシ法により少なくとも１つの第一のIII-N層１５を堆積させる工程を備える。厚い第二のIII-N層１７は、ハイドライド気相成長により第一のIII-N層１５上に堆積させる。このようにして製造された層１５、１７の冷却中、Li(Al, Ga)O_X基板７は全てあるいは大部分がIII-N層１５から脱落し、必要ならば、王水などのエッチング液により残留物７’を除去する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波プラズマＣＶＤ法を用いて、高濃度の窒素原子がドープされたｎ型半導体ダイヤモンド膜の製造方法を提供する。
【解決手段】メチルアミン、ジメチルアミン、及びトリメチルアミンから選ばれた１種類又は２種類以上のガスを水素で希釈した混合ガス、又はメチルアミン、ジメチルアミン、及びトリメチルアミンから選ばれた１種類又は２種類以上のガスと炭化水素ガスと水素ガスとの混合ガスを原料ガスとして使用し、ガス圧８０Ｔｏｒｒ（１０６６４Ｐａ）以上の条件下で、マイクロ波プラズマ化学気相蒸着法を用いて、基板表面に窒素原子を１０^２０ｃｍ^−３以上含む窒素ドープダイヤモンド膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 バルク炭化ケイ素単結晶の利用率の向上と素子特性の向上、さらに劈開性の向上を図ることができる炭化ケイ素単結晶ウェハの製造方法及びその製造方法により得られた炭化ケイ素単結晶ウェハを提供する。
【解決手段】 表面が表面粗さ２ｎｍ以下のホモエピタキシャル成長面で（０００１）ｃ面からのオフ角が０．４度以下であることを特徴とするα型（六方晶）炭化ケイ素単結晶ウェハ。 （もっと読む）

【課題】 抵抗値の高いIII族窒化物半導体結晶、III族窒化物半導体基板、半導体装置およびIII族窒化物半導体結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】 ＧａＮ基板１のＦｅドープＧａＮ層１４は、遷移金属原子であるＦｅ原子が添加されたIII族窒化物半導体結晶であって、Ｇａ原子空孔密度が１×１０^１６ｃｍ^−３以下である。ＦｅドープＧａＮ層１４のＦｅ原子の密度は、５×１０^１７ｃｍ^−３〜１０^２０ｃｍ^−３である。また、ＦｅドープＧａＮ層１４のＦｅ原子の密度は、ＦｅドープＧａＮ層１４中の酸素原子およびシリコン原子の合計の密度よりも高い。 （もっと読む）

【解決手段】基板と、基板上に設けられ直接形成された中間層と、遷移領域と、遷移領域の延長部分として設けられ形成されたＩＩ−ＶＩ族のバルク結晶材料とを含む構造が開示されている。遷移領域は、下層の基板からバルク結晶へ構造を変化させるために働く。製造方法において、同様の技術が、遷移領域及びバルク結晶を成長させるために使用されることができる。 （もっと読む）

３Ｄ島または特徴が成長パラメーターを調整することのみで生み出される、エピタキシャル・ラテラル・オーバーグロース技術の新たな修正法を用いて、高特性自立ＧａＮが得られる。これらの島を平滑化させること（２Ｄ成長）は、次いで高い横方向成長を生じる成長条件を設けることにより達成される。３Ｄ‐２Ｄ成長の繰返しは貫通転位のマルチベンディングをもたらし、こうして厚い層、即ち貫通転位密度１０^６ｃｍ^−２以下の自立ＧａＮを生産する。 （もっと読む）

【課題】単結晶に欠陥が発生することを抑制でき、良質で大口径の単結晶が効率よく製造できる窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】排気口１８が設けられた加熱炉本体２と、加熱炉本体２内に配置される種子結晶１１を保持するサセプタ１２と、加熱炉本体２内に塩化水素ガス及び水素ガスを導入すると共に、塩化水素ガスと反応する金属Ａｌが配置される内部反応管４と、加熱炉本体２内にアンモニアガスを導入する反応ガス導入管５と、前記加熱炉本体２内に活性窒素を導入する活性窒素導入管６とを備える。 （もっと読む）

【課題】高い成膜速度で、膜厚分布、抵抗率分布を小さくし、ダイヤモンドを気相合成する。
【解決手段】熱フィラメントＣＶＤ法でのダイヤモンドの気相合成において、複数のガス導入口４６，４７を設け、試料３及びフィラメント２から遠い他のガス導入口４７より水素及び酸素を導入４８し、試料等に近い第一のガス導入口４６よりメタン等炭素を含むガス４５を導入する。これにより試料近傍において、ダイヤモンド成長に寄与する炭素を含む活性種及び原子状水素の存在量の高い条件を形成することができる。 （もっと読む）

本発明は、速い成長速度で製造される無色の単結晶ダイヤモンドの新たな利用および用途を対象とする。本発明はまた、速い成長速度で様々な色の単結晶ダイヤモンドを製造する方法、ならびにこのような着色した単結晶ダイヤモンドの新たな利用および用途も対象とする。
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【課題】シリコンウェハをエピタキシコーティングする方法を提供し、エピタキシャルシリコンウェハの全体的平坦度を改善する。
【解決手段】第１の水素流の水素雰囲気における第１のステップと低減された第２の水素流にエッチング剤を添加した雰囲気における第２のステップとで前処理し、続いて研磨面をエピタキシャルコーティングし、ウェハをエピタキシリアクタから取り出し、ここで所定数のエピタキシコーティングが終了するたびにサセプタのエッチング処理を行う。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハをエピタキシャル成長により被層する際、歩留まりを高める一方、エッジロールオフの小さいエピタキシャル成長シリコンウェハを製造できるようにする。
【解決手段】前面でポリシングされたシリコンウェハを準備し、それぞれ１つをエピタキシ反応器内のサセプタにロードし、順次それぞれ個別にエピタキシ反応器内で被層する。第１のステップでシリコンウェハを水素雰囲気のもとで前処理し、第２のステップでシリコンウェハを水素雰囲気にエッチング媒体を加えて前処理し、次にこのシリコンウェハのポリシングされた前面をエピタキシャル成長により被層してエピタキシ反応器から取り出し、その後、サセプタを水素雰囲気のもとでそのつど少なくとも１０００°Ｃの温度まで加熱し、ついでそのつど所定数のエピタキシャル被層処理後、サセプタをエッチング処理し、サセプタをシリコンで短期間被層する。 （もっと読む）

【解決手段】 化学気相堆積法（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎＣＶＤ）を用いた炭素ケイ酸のエピタキシャル成長方法が提供される。この方法は、ハロゲン化炭素前駆体を利用し、更にケイ素及び炭素を含むハロゲン含有中間体化学生成物間の気相相互作用制御するものである。また、デバイス品質であるエピタキシャル層を、低い成長温度で尚且つ軸上又は低いオフ角の基板表面上にて達成される可能性が確認された。当該成長方法は、ＳｉＣ基板表面の非ケイ素カートリッジ領域に形成されるウインドウの中に成長を制限させることにより、所望の形と大きさのＳｉＣデバイス領域の形成に適用可能である。本願明細書に記載された当該発明を適用させることにより、高品質炭化ケイ素物質及びデバイスの製造に大きな利益を与えるものである。 （もっと読む）

【課題】 より低温での、回路上への熱損傷を与えることなく、任意の位置においてその場でシリコンナノワイヤーの架橋構造を形成することのできる新しい技術手段を提供する。
【解決手段】 基板表面上の所定位置に触媒金属ドットパターンを配設し、ポリシランガスの３００℃以下の温度でのＣＶＤによって所定の触媒金属ドット間にシリコンナノワイヤーを架橋成長させる。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも約３０ＭＰａ ｍ^1/2の靭性を有するマイクロ波プラズマ化学気相析出によって成長させた単結晶ダイヤモンドに関する。本発明は、少なくとも約３０ＭＰａ ｍ^1/2の靭性を有する単結晶ダイヤモンドを生成する方法にも関する。本発明はさらに、単結晶ＣＶＤダイヤモンドを単結晶ダイヤモンド基材上に三次元で生成するプロセスに関する。
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【課題】炭化珪素単結晶基板上に高品質で平坦性に優れた炭化珪素単結晶薄膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表面粗さが１．０ｎｍ以下である炭化珪素単結晶基板の（０００−１）面上に、熱化学蒸着法により、１５００℃以下の成長温度で炭化珪素単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

パターニングされたマスクを通してエッチングされたテンプレート材料の側壁からの選択横方向エピタキシャル成長法を用いることにより作製したＩＩＩ族窒化物のａ｛１１−２０｝面およびｍ｛１−１００｝面のような無極性の面、または｛１０−１ｎ｝面のような半極性の面における貫通転位密度を低減する方法を提供する。該方法は、無極性または半極性のＧａＮテンプレートのようなテンプレート材料上にパターニングされたマスクを成膜する工程と、マスク内の開口を通して色々な深さにテンプレート材料をエッチングする工程と、溝の底から垂直に成長する材料が側壁の上部に到達する前に、側壁の上部から横方向に成長した材料を合体させることによって無極性または半極性のＩＩＩ族窒化物を成長する工程を含む。合体した部分はマスクの開口を通して成長して、誘電体マスクの上を横方向に成長して、やがて完全に合体した連続的な膜が得られる。
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本発明は、無色の単結晶ダイヤモンドを高成長速度で製造するための方法に関する。このダイヤモンドの製造方法は、ダイヤモンドの成長表面の温度をそのダイヤモンドの成長表面を横断する全ての温度勾配が約２０℃未満となるように制御すること、および単結晶ダイヤモンドを、ダイヤモンドの成長表面上でのマイクロ波プラズマ化学蒸着により、成長温度で、Ｈ₂の単位あたり約８％〜約２０％のＣＨ₄およびＣＨ₄の単位あたり約５〜約２５％のＯ₂を含む雰囲気を有する被着チャンバ内で成長させることを含む。本発明の方法は１０カラットより大きいダイヤモンドを製造することができる。本発明の方法を用いる成長速度は５０μｍ／時を上回るものであり得る。
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基質の上で炭化珪素の結晶を成長させるためのシステムが記載されている。このシステムは軸に沿って延びた室（１）を具備し、該室（１）は炭素を含むガスおよび珪素を含むガスに対する別々の供給装置（２、３）、該室の第１の端の区域（Ｚ１）に配置された基質の支持装置（４）、該支持装置（４）の近傍に配置された排ガス放出装置（５）、および該室（１）を約１８００℃よりも高い温度に加熱するようにつくられた加熱装置を具備し、ここで珪素を含むガスに対する供給装置（２）は、珪素を含むガスが該室の第２の端の区域（Ｚ２）に入るように配置され、またそのような形および寸法をもっており、炭素を含むガスに対する供給装置（３）は、第１の端の区域（Ｚ１）および第２の端の区域（Ｚ２）の両方から遠い所にある該室の中央の区域（ＺＣ）において炭素と珪素とが実質的に接触するように配置され、またそのような形および寸法をもっている。
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ＩＩＩ−Ｎ厚膜層（ＩＩＩは、元素周期表のＩＩＩ族の少なくとも１つの元素を表す）を作成するエピタキシャル成長プロセスが開示され、ＩＩＩ−Ｎ厚膜層は異種基板上に堆積される。エピタキシャル成長プロセスは、好ましくはＨＶＰＥによって実施される。基板は、さらに、異種基板および少なくとも１つの薄いＩＩＩ−Ｎ中間層を含むテンプレートであることができる。表面品質は、基板のわずかな意図的な配向方位差を提供し、かつ／またはエピタキシャル成長プロセスの最終段階にＮ／ＩＩＩ比および／もしくはリアクタ圧力を低下させることによって改善される。そのような改善されたＩＩＩ−Ｎ層を備えた基板および半導体装置も開示される。 （もっと読む）