【課題】マイクロパイプと呼ばれる中空欠陥を有するＳｉＣ単結晶基板を用いても、この基板から継続した中空欠陥を低減させたＳｉＣ結晶を得る。
【解決手段】Ｃ／Ｓｉ原子比を結晶成長速度が炭素原子供給律速となる範囲に調整した原料ガスを接触させ、ＳｉＣ結晶の複数層をエピタキシャル成長させて積層し、ＳｉＣ単結晶基板の中空欠陥を小さなバーガーズベクトルの転位に分解し、結晶表面に継続させないようにした。更にＳｉＣ結晶をバッファー層とし、さらに、Ｃ／Ｓｉ比をバッファー層を形成するときのＣ／Ｓｉ比よりも増加方向に調整された原料ガスを用いた。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を使用してイリジウム下地上に直径１インチ（２.５ｃｍ）以上の大面積化された高品質のダイヤモンドをエピタキシャル成長させることができるエピタキシャルダイヤモンド膜下地基板およびその製造方法並びにこのエピタキシャルダイヤモンド膜下地基板により製造されるエピタキシャルダイヤモンド膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶酸化マグネシウム（ＭｇＯ）または単結晶サファイア（α-Ａl₂Ｏ₃）基板上に、真空蒸着法またはスパッタリング法によりイリジウム（Ｉｒ）膜をエピタキシャル成長により成膜し、この成膜されたイリジウム（Ｉｒ）下地の表面へ、イオンを含む直流プラズマを暴露することによりエピタキシャルダイヤモンド核を形成するバイアス核発生処理を施す。 （もっと読む）

【課題】 Ｃ軸に対して僅かに傾斜させたサファイア基板を用いることにより、エピタキシャル成長した窒化物系化合物半導体結晶の品質を向上し、極めて平滑な表面状態を有する窒化物系化合物半導体素子を提供する。
【解決手段】 ＜０００１＞方向より０．０５°から０．２°傾斜させた鏡面研磨サファイア（０００１）を基板２０１とする。傾斜角を０．０５°から０．２°に保つことによりサファイア基板上のステップ２０２密度を最適に制御し、極めて平坦かつ欠陥密度を低減し、電気的光学的特性を向上した窒化物系化合物半導体素子が得られる。一般式Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_zＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される化合物を意味する窒化物系化合物半導体。 （もっと読む）

【課題】結晶方位に関し反対向きの構造を取る異なる極性を混在させた結晶において少なくとも表面において極性の単結晶としてデバイスをその上に製造するに適した単結晶基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】結晶方位に関し反対向きの構造を取る異なる極性Ａ、Ｂを持つ部分が混在する結晶において、一方の極性Ｂの部分をエッチングして表面部分を除去し、あるいは除去せずそのままに極性Ｂの上を異種物質Ｍで被覆し、さらに同じ結晶の成長を行い極性Ａの結晶Ａ’によって表面を覆うようにする。 （もっと読む）

電子デバイスは、物質の主表面に単結晶領域を含む物質を含む。単結晶領域は、グラフェンと実質的に格子整合している六方晶格子を有し、グラフェンの少なくとも１つのエピタキシャル層がこの単結晶領域に配置される。現在好ましい実施形態では、単結晶領域は多層の六方晶ＢＮを含む。このような電子デバイスの作製方法は、物質の主表面に単結晶領域を含む物質を提供し、単結晶領域は、グラフェンと実質的に格子整合している六方晶格子を有するステップ（ａ）と、この領域に少なくとも１つのグラフェン層をエピタキシャル形成するステップ（ｂ）を含む。現在好ましい実施形態では、ステップ（ａ）は、グラファイトの単結晶基板を提供するステップ（ａ１）と、基板に多層の単結晶六方晶ＢＮをエピタキシャル形成するステップ（ａ２）とをさらに含む。六方晶ＢＮ層はグラフェンと実質的に格子整合した表面領域を有し、ステップ（ｂ）は六方晶ＢＮ層の表面領域に少なくとも１つのグラフェン層をエピタキシャル形成するステップを含む。ＦＥＴへの応用が説明されている。
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【課題】不純物が膜中にとりこまれることを防止し、結晶性を向上させる窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体素子の製造方法は、ＭＯＣＶＤ装置内に、サファイア基板１０１を配置する工程と、室温で、ＭＯＣＶＤ装置内にＮＨ₃ガスを導入する工程と、サファイア基板１０１上に、ＮＨ₃ガスを反応させることにより、ＡｌＮからなるバッファ層１０２を形成する工程と、バッファ層１０２上に、少なくとも１層以上の窒化物系半導体層１０３、１０４、１０５、１０６を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】実質的に非制御下の混入による不純物を実質的に含まず、好適な特性を備えるIII-N層（IIIが周期表第III族の、Al、GaおよびInから選択される少なくとも一元素を示す）の製造方法および自立III-N基板を提供する。
【解決手段】Li(Al, Ga)O_X基板（１≦ｘ≦３）７上に、分子線エピタキシ法により少なくとも１つの第一のIII-N層１５を堆積させる工程を備える。厚い第二のIII-N層１７は、ハイドライド気相成長により第一のIII-N層１５上に堆積させる。このようにして製造された層１５、１７の冷却中、Li(Al, Ga)O_X基板７は全てあるいは大部分がIII-N層１５から脱落し、必要ならば、王水などのエッチング液により残留物７’を除去する。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低い窒化物系半導体基板を安価かつ生産性良く製造する方法、及び低転位密度の窒化物系半導体基板、並びに当該基板を用いて形成した発光出力の高い窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板上に、第１のＧａＮ層を成長速度が５００μｍ／時以下で膜厚が１０μｍ以上になるように成長させた後、第１のＧａＮ層上に、第２のＧａＮ層を成長速度が６００μｍ／時以上で成長させて窒化物系半導体基板を製造し、この基板を用いて、窒化物系半導体発光素子を作製する。 （もっと読む）

【課題】ハンドリングの容易な単結晶薄膜からなるAT‐cut水晶振動子用や高機能弾性表面波（SAW）素子用基板の実現とその光ＣＶＤ製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン（０１１）基板１０１上にβ‐SiC（０１１）緩衝層（低温成長緩衝層である水晶薄膜）１０２、成長層として水晶（０１１）１０３をヘテロエピタキシャルに結晶成長させた後、前記シリコン基板の裏面に形成されたSiO2膜をマスクとして異方性エッチングで不要なシリコンを除去して水晶エピタキシャル薄膜が露出して存在する領域１０４を形成し、ダイアフラム構造とする。 （もっと読む）

【課題】異種基板上に半導体結晶を気相成長させる工程を利用して得られる半導体結晶基板に生じる結晶軸の湾曲を低減することができる半導体結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】異種基板上に第１半導体結晶４を気相成長させる工程と、第１半導体結晶４を異種基板から切り離す工程と、切り離された第１半導体結晶４の切り離された側の表面を研削して加工変質層７を形成し、該加工変質層７上に第２半導体結晶８を成長させる工程と、第１半導体結晶４と第２半導体結晶８とを含む積層体をスライスする工程と、を含む。ここで、第１半導体結晶４の厚みをｈ１とし、第２半導体結晶８の厚みをｈ２としたとき、ｈ１／ｈ２は、０．０１以上１００以下であることが好ましく、０．１以上１０以下であることがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】下地基板表面上に選択エピタキシャル成長用マスクを簡便な方法で形成する方法を提供する。
【解決手段】無機粒子２を媒体に分散させたスラリーを用いて、該スラリー中へ成長用基板１を浸漬させるか、または該スラリーを成長用基板１上に塗布や噴霧した後、乾燥させることにより、成長用基板１の表面１Ａ上に無機粒子２を配置する。成長用基板１上に配置した無機粒子２が、３−５族窒化物半導体層の成長時においてマスクとして作用し、成長用基板１の表面１Ａにおいて無機粒子２の無いところが成長領域１Ｂとなる。 （もっと読む）

【課題】ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）を用いて、欠陥及びクラック（ｃｒａｃｋ）が最小化され、結晶性に優れた窒化ガリウム（ＧａＮ）単結晶厚膜を製造する方法に関する。
【解決手段】ＨＶＰＥ反応槽内に基板を装着し、ガリウム（Ｇａ）、塩化水素（ＨＣｌ）ガス及びアンモニア（ＮＨ_３）ガスを供給して、基板上に窒化ガリウム（ＧａＮ）単結晶厚膜を成長させることにおいて、１）膜表面の反応速度によって成長速度が決定される温度領域（ｓｕｒｆａｃｅ ｋｉｎｅｔｉｃｓ ｒｅｇｉｍｅ）で第１の窒化ガリウム膜を成長させる段階と、２）段階１）で成長された第１の窒化ガリウム膜上に、気相における物質拡散によって成長速度が決定される温度領域（ｍａｓｓ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｒｅｇｉｍｅ）で第２の窒化ガリウム膜を成長させる段階と、を含み、この時、段階２）の成長温度が、段階１）の成長温度より高いことを特徴とする窒化ガリウム単結晶厚膜の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】大口径の窒化物半導体結晶基板の製造に関して特殊な工程を使用しない、簡便で低コストで済む窒化物結晶基板の製造方法及び発光素子用窒化物半導体基板の製造方法、並びに発光素子用窒化物半導体基板及び半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】下地基板１の上に第１の３−５族窒化物半導体層２をその膜厚が下地基板１の厚さの３．５％以上であり、室温における曲率半径が５ｍ以上となるように積層した後、第１の３−５族窒化物半導体層２の上に第２の３−５族窒化物半導体層３を２μｍ以上の膜厚になるよう第１の３−５族窒化物半導体層２の積層温度より高い積層温度で積層し、これにより下地基板１の上に窒化物結晶基板４を形成する。第２の３−５族窒化物半導体層３の積層後の冷却過程で、熱膨張係数差に伴う歪みが窒化物結晶基板４が形成されている下地基板１に反りを生じさせ、窒化物結晶基板４が下地基板１から剥離する。 （もっと読む）

【課題】形成工程を単純化することにより、コストが低減される窒化ガリウム基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥ装置の反応チャンバ内でＨＣｌ及びＮＨ_３ガス雰囲気で窒化ガリウム基板１１をエッチングして１０〜１０００ｎｍの厚さの多孔性窒化ガリウム層１１ａを形成するステップを含み、ひいては、単一の反応チャンバ内でインシチュで窒化ガリウム成長層２０を形成するステップをさらに含む窒化ガリウム基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】多結晶ＡｌＮ基板を用いつつ結晶性にすぐれた窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】配向性を有する多結晶窒化アルミニウムからなり、主面上に複数のステップ１０Ｓが形成された基板１０と、前記基板の前記主面上に設けられた単結晶の窒化物半導体層２５とを備えた窒化物半導体ウェーハ１及び前記窒化物半導体層２５の上に設けられた電極を備えた窒化物半導体素子。 （もっと読む）

【課題】製作工程が単純で製造コストが低く、収率の高いフリースタンディング窒化ガリウム基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥ装置の反応器内でＨＣｌ及びＮＨ_３ガス雰囲気で窒化ガリウム層を表面処理して多孔性窒化ガリウム層を形成するステップと、単一の反応器内でインシチュで窒化ガリウム結晶成長層を形成するステップと、冷却により窒化ガリウム結晶成長層が自発的に分離されるステップと、を含むフリースタンディング窒化ガリウム基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】格子パラメータを変化させることのできる窒化ガリウムデバイス基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の犠牲基板を設け、この第１の犠牲基板上に窒化ガリウムの層を形成し、この窒化ガリウムの層上に、格子パラメータを変化させる追加的な元素を含有する窒化ガリウムの第１の層を形成し、この格子パラメータを変化させる追加的な元素を含有する窒化ガリウムの層に、代替基板を装着し、犠牲基板および窒化ガリウムの層を除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、Ｒ面サファイア基板上に高品質なＡ面ＩＩＩ族窒化物半導体層を有するＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を提供することである。
【解決手段】Ｒ面サファイアからなる基板、該基板上に形成された窒化アルミニウムガリウムからなるバッファ層および該バッファ層上に形成されたＡ面ＩＩＩ族窒化物半導体からなる下地層を含有し、該下地層表面のピット密度が１×１０¹⁰ｃｍ^-2以下であることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族窒化物系半導体厚膜層中の不純物プロファイルを適正に制御することによって、結晶方位分布の少ない、高品質なIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶を有するIII−Ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉドープＧａＮ厚膜１２は、図示しないサファイア基板上に、アンドープ部１３、Ｓｉドープ部１４を順次エピタキシャル成長させた後、サファイア基板から剥離して得られ、ＳｉドープＧａＮ厚膜１２の両面をそれぞれ１００μｍづつ研磨することにより厚さ４００μｍのＧａＮ自立基板１５が得られる。 （もっと読む）

【課題】 混合される複数の原料ガスを、その流速分布を乱すことなく反応管に導入するとともに反応管内での原料ガスの分解を防止し、かつ用いる原料ガスの切換応答性を高めることによって、同一層内において均一な厚みおよび組成を有し、積層界面において組成の急峻性を有する層を形成できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 第１の原料ガスを反応管４２に導入する第１ガス導入管４６と、第１の原料ガスと反応する第２の原料ガスまたは第１の原料ガスと反応する第３の原料ガスを反応管４２に導入する第２ガス導入管４７とを積層して設け、第２ガス導入管４７に第２の原料ガスを供給する第２ガス供給部５０および第２ガス導入管４７に第３の原料ガスを供給する第３ガス供給部５１を含むガス供給部と、第２ガス導入管４７に供給する原料ガスを第２の原料ガスと第３の原料ガスとの間で選択するガス選択手段５４とを備える。 （もっと読む）