【課題】石英製の反応炉の損傷を抑制することができ、副生成物の生成を抑制できるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物テンプレートの製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶及びＩＩＩ族窒化物テンプレートを提供する。
【解決手段】本発明に係るＩＩＩ族窒化物結晶は、ＩＩＩ族窒化物結晶中に１×１０^１６ｃｍ^−３以上１×１０^２０ｃｍ^−３未満の炭素を含み、前記炭素がＶ族サイトを置換しており、かつ、前記ＩＩＩ族窒化物結晶内でアクセプタとして働く他の不純物を含まないものである。 （もっと読む）

【課題】より良質な窒化物半導体結晶層を製造する方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体結晶層の製造方法は、基体の上に設けられたシリコン結晶層の上に、第１の厚さを有する窒化物半導体結晶層を形成する工程を備える。前記シリコン結晶層は、前記窒化物半導体結晶層の形成の前には、前記第１の厚さよりも薄い第２の厚さを有している。前記窒化物半導体結晶層の形成は、前記シリコン結晶層の少なくとも一部を前記窒化物半導体結晶層に取り込ませ、前記シリコン結晶層の厚さを前記第２の厚さから減少せることを含む。 （もっと読む）

【課題】従来よりも原子レベルで平坦な表面を有する窒化物半導体薄膜及びその成長方法を提供すること。
【解決手段】ミスカットを有するGaN基板１０１のステップフロー成長（第１の成長工程）により制限領域１０２内に形成されたテラス２０２に、第１の成長工程よりも低い基板温度である第２の設定値Ｔ２でTMG又はTEGを供給する。これにより、テラス２０２の上にGaNの２次元核３０１が発生するが（図３（ａ）参照）、発生する２次元核３０１の個数が１個以上100個以下発生するだけの時間だけこの第２の成長工程を行う。次に、基板温度をＴ２よりも高い第３の設定値Ｔ３にする（第３の成長工程）。これにより、複数の２次元核３０１が横方向成長して１分子層の厚さの連続的なGaN薄膜３０２となる（図３（ｂ）参照）。第２と第３の工程を交互に繰り返すことにより、２分子層以上の厚さのGaN薄膜３０３を成長可能である（図３（ｃ）参照）。 （もっと読む）

【課題】ＨＶＰＥ法において、１１００℃以下の結晶成長温度で、大型のＧａＮ結晶を成長させる方法を提供する。
【解決手段】所定の面方位の主表面１ｍおよび複数の側表面１ｓを有するＧａＮ種結晶基板１を複数準備する工程と、複数のＧａＮ種結晶基板１を、それらの主表面１ｍが互いに平行にかつそれらの側表面１ｓが互いに隣り合うように配置する工程と、配置された複数のＧａＮ種結晶基板１の主表面１ｍ上に、ハイドライド気相成長法により、第１のＧａＮ結晶１０を成長させる工程と、を備え、第１のＧａＮ結晶１０を成長させる工程において、結晶成長温度を９８０℃以上１１００℃以下とすることにより、ＧａＮ種結晶基板１の主表面１ｍ上に成長するそれぞれの部分結晶１０ｕが一体化するように成長させる。 （もっと読む）

【課題】電磁波（フォトン）と表面プラズモンおよび表面マグノンとの間でのエネルギ交換を効率よく、かつ高い頻度で行うことができ、表面プラズモン共振や表面マグノン共振によって吸収、蓄積されるフォトンのエネルギを多くすることができるナノドットを有する構造体を提供する。
【解決手段】支持体１０と、支持体１０の上に形成された、複数の導電性セラミクスの単結晶２２が集合してなる導電性セラミクス層２０とを有し、導電性セラミクス層２０の表面には、導電性セラミクスの単結晶２２の一部からなり、高さ方向に直交する断面の面積が底部から頂部に向かってしだいに減少する形状を有するナノドット２４が複数形成された、ナノドットを有する構造体１。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ面内全域にて凹凸加工された構造を埋め込み成長可能であり、かつ、凹凸形状によらない安定した埋め込み平坦化が可能なIII−Ｖ族化合物半導体の気相成長方法を提供する。
【解決手段】III−Ｖ族化合物半導体基板の表面に形成された規則的な凹凸を有する四元系III−Ｖ族化合物半導体層の上に、有機金属気相成長法を用いて、上記凹凸の熱変形を抑制する保護膜となるIII−Ｖ族化合物半導体層を、第一の成長温度で所定の膜厚となるまでエピタキシャル成長させた後、上記第一の成長温度よりも高い第二の成長温度で連続して同一組成の半導体層を、トータルの厚さが上記凹凸の高さよりも大きくなるまで成長させるようにした。 （もっと読む）

【課題】大規模、均一かつ高品質のグラフェン膜およびその作成方法を提供する。
【解決手段】結晶質基板１００上に触媒薄膜１０１を形成し、この触媒薄膜を加熱処理して高秩序で選択的に配向した結晶質触媒薄膜を形成し、ガス状炭素源を加熱し触媒薄膜を冷却することで、触媒薄膜上にグラフェン膜１０２が形成される。前記触媒薄膜の触媒材料はＮｉ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｒｈ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｉｒ及びＲｅからなる群から選択された１つまたは複数の元素を含み、厚さは約１ｎｍから約２ｍｍの範囲である。 （もっと読む）

【課題】凹凸を有する基板上に均一な結晶を成長させる結晶成長方法を提供する。
【解決手段】凹凸が設けられた主面を有する基板の前記主面に窒化物半導体の結晶を成長させる結晶成長方法であって、前記主面に、Ｇａ_ｘＡｌ_１−ｘＮ（０．１≦ｘ＜０．５）を含み、厚さが２０ナノメートル以上５０ナノメートル以下のバッファ層を、０．１マイクロメートル／時以下の速度で堆積し、前記バッファ層の上に、前記バッファ層の堆積における前記基板の温度よりも高い温度で、窒化物半導体を含む結晶を成長させる。このように、バッファ層の堆積レートＲｔとバッファ層の平均の厚さＴを適切に管理することにより、バッファ層の上に形成された窒化物半導体結晶の表面モフォロジーの良好な平坦性が実現できるとともに、結晶欠陥であるピット発生数Ｎｐをきわめて小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】表面に結晶粒界がない高配向ダイヤモンド膜を、一定の形状及び寸法で規則的に配列することができ、意図せぬ方位の結晶が発生しないようにした低コストの高配向ダイヤモンド膜の製造方法を提供する。
【解決手段】（００１）オフ面基板上に、［１００］方向に成長するように、第１の高配向ダイヤモンド膜１を成長させる。次いで、格子状のマスク２を第１の高配向ダイヤモンド膜１上に形成し、その後、平坦化膜としての第２の高配向ダイヤモンド膜をステップフロー成長により成長させる。その後、マスクを除去する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長層の結晶品質を向上させることができ、厚膜のエピタキシャル成長層を形成する場合においてもキャリア移動度の低下が生じず、素子抵抗の低い炭化珪素エピタキシャルウエハおよび炭化珪素半導体素子を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体素子１０１は、砒素のような、ドーピングにより格子定数が増大するドーパントを濃度Ｃ１でドーピングしたｎ型炭化珪素基板１と、炭化珪素基板１と同じドーパントを炭化珪素基板よりも小さい濃度Ｃ２でドーピングしたｎ型炭化珪素ドリフト層３と、炭化珪素基板１と炭化珪素ドリフト層３との間に、前記ドーパントをドーピングしたｎ型バッファ層とを有している。バッファ層２は、炭化珪素基板１との界面から炭化珪素ドリフト層３との界面に向かって、ドーピング濃度が前記Ｃ１から前記Ｃ２まで線形に減少するように構成した。 （もっと読む）

【課題】大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ＳｉＣ基板１１の単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜１２を有する単結晶ダイヤモンド成長用基材１０であって、イリジウム膜又はロジウム膜１２は、単結晶ダイヤモンド成長時に良好なバッファ層として機能する。単結晶ＳｉＣ基板１１とイリジウム膜又はロジウム膜１２の間に、ヘテロエピタキシャル成長させたＭｇＯ膜１３をさらに有する単結晶ダイヤモンド成長用基材１０’であってもよい。基材１０’がＭｇＯ膜１３を有することで、その上のイリジウム膜又はロジウム膜１２の結晶性をより良く形成でき、また、成長させた単結晶ダイヤモンドを分離させる場合に良好な分離層として利用できる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体基板から窒化物半導体エピタキシャル層を分離する際に窒化物半導体エピタキシャル層に与えるダメージが低く高品質な窒化物半導体エピタキシャル層の形成方法を提供する。
【解決手段】本窒化物半導体エピタキシャル層の形成方法は、転位密度が１×１０⁷ｃｍ^-2以下の窒化物半導体基板１０上に、ガスおよび電解液の少なくともいずれかにより化学的に分解する化学的分解層２０を介在させて、少なくとも１層の窒化物半導体エピタキシャル層３０を成長させる工程と、窒化物半導体エピタキシャル層３０を成長させる工程中およびこの工程後の少なくともいずれかにおいて、ガスおよび電解液の少なくともいずれかを用いて化学的分解層２０を分解させることにより、窒化物半導体基板１０から窒化物半導体エピタキシャル層３０を分離する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ａ面またはｃ面サファイア基板上に、平坦性、結晶性に優れたｃ面ＧａＮを成長させること。
【解決手段】ｃ面を主面とするサファイア基板の表面に、複数の正六角柱の凸部１をハニカム状に配列したパターンの凹凸形状をドライエッチングにより形成した。凸部１は、側面がｍ面である正六角柱状の凸部を、その正六角柱の中心軸１ｂの回りに反時計回りに１５°回転させたものである。したがって、凸部１の側面１ａは、低指数面であるａ面やｍ面ではない高指数面である。次に、凹凸形状を施した側のサファイア基板上にスパッタ法によってＡｌＮからなるバッファ層を形成し、バッファ層を介してＭＯＣＶＤ法によってｃ面を主面とするＧａＮ層を形成した。これにより、結晶性、平坦性に優れたＧａＮ層が得られる。 （もっと読む）

【課題】 半導体結晶材料の作製またはこの半導体結晶材料を含む構造を提供する。
【解決手段】 第１の半導体結晶材料の表面の粗さは、低減されている。半導体デバイスは、第１の結晶材料の表面上に低欠陥の歪んだ第２の半導体結晶材料を含む。歪んだ第２の半導体結晶材料の表面の粗さは、低減されている。一実施例は、第１および第２の半導体結晶材料間の界面境界の不純物を減少させるプロセスパラメータを作成することによって、粗さが低減された表面を得ることを含む。一実施の形態では、第１の半導体結晶材料は、アスペクト比トラッピング技術を用いて欠陥をトラップするのに十分なアスペクト比を有する絶縁体の開口によって限定されることができる。 （もっと読む）

【課題】テラスエッジ部上の結晶欠陥を低減し、かつ表面平坦性に優れたｍ面ＧａＮ結晶を製造すること。
【解決手段】ａ面サファイア基板１０表面には、長手方向をｍ軸方向とする帯状の凹部１１が、ストライプ状に配置されて複数形成されている。凹部１１は、サファイア基板１０の主面に平行な底面１１ａと、向かい合う２つの側面１１ｂで構成されている。側面１１ｂは平面状である。テラス１０ａの幅ｘは２０μｍ以下、凹部１１の底面１１ａの幅ｙは１５μｍ以下、凹部１１の深さｚは５０ｎｍ以上、サファイア基板１０の主面に対して凹部１１の側面１１ｂのなす角度θは５０〜９０°、である。このサファイア基板１０上に結晶成長させたｍ面ＧａＮは、結晶欠陥が少なく結晶性に優れ、かつ表面平坦性に優れている。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度が低く高品質な半極性面III族窒化物基板の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板１０を用意する工程と、サファイア基板１０上に、アルミニウムと窒素とを含む中間層１１を、１１００℃以上１３００℃以下の成長温度で気相成長法により形成する工程と、前記中間層１１の上にIII族窒化物層１２を成長する工程とを含む。サファイア基板１０は、中間層１１を成長させる主面が、当該サファイア基板１０のｍ軸と垂直、あるいは、当該サファイア基板１０のｍ軸に対し傾斜している。また、前記III族窒化物層１２を成長する工程においては、第一の薄膜層１２aの上にマスクを形成してから第２の厚膜層１２ｂを形成してもよく、これにより第一の薄膜層１２aと第２の厚膜層１２ｂの間の結合強度を低下させ、比較的小さな応力で下地基板１０を容易に剥離し、III族窒化物層１２の自立基板を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低く、かつ製造コストが安いＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法は、液相法により、下地基板１上に第１のＩＩＩ族窒化物結晶２を成長させる工程と、ハイドライド気相成長法または有機金属気相成長法により、第１のＩＩＩ族窒化物結晶２上に第２のＩＩＩ族窒化物結晶３を成長させる工程とを含み、第２のＩＩＩ族窒化物結晶３の転位密度が１×１０⁷個／ｃｍ²以下であり、第２のＩＩＩ族窒化物結晶３の表面が表面粗さＲ_P-Vで０．５μｍ以下に平坦化される。 （もっと読む）

【課題】 単結晶シリコン膜のリフトオフが良好であり、かつ高純度の太陽電池用単結晶シリコン膜を得ることができる単結晶薄膜の製造方法及びその単結晶薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】 単結晶シリコン基板７１を用意し、この単結晶シリコン基板７１上に同一の物質で結晶欠陥を含んだ単結晶シリコン犠牲層７２を形成し、この単結晶シリコン犠牲層７２上に同一の物質でこの単結晶シリコン犠牲層７２より結晶欠陥の少ない単結晶シリコン薄膜７３を形成し、前記単結晶シリコン犠牲層７２を溶解し、結晶欠陥の少ない単結晶シリコン薄膜７３を製造する。 （もっと読む）

【課題】均一で結晶性の高い単結晶ダイヤモンドを再現性良く、低コストで製造することができる単結晶ダイヤモンド層成長用基板及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンド層を成長させるための基板１２は、材質が単結晶ダイヤモンドである基材１０と、基材１０の単結晶ダイヤモンド層を成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜１１とからなり、基材１０の単結晶ダイヤモンド層を成長させる側の面の周端部が、曲率半径（ｒ）≧５０μｍで面取りされている。 （もっと読む）

【課題】破断、クラックおよび反りが防止されしかも大口径の、III族窒化物単結晶成長用のベース基板として有用なIII族窒化物結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶基板としてIII族窒化物単結晶層より熱膨張係数が小さい、例えば単結晶シリコンを選択し、III族窒化物単結晶の成長部を単結晶基板の外周から少なくとも５ｍｍ以上内側の領域とし、III族窒化物結晶層の厚みが１００μｍ以上となるように積層体を製造し、積層体を冷却して単結晶基板内部に亀裂を生じせしめてIII族窒化物結晶層を分離し、次いで分離したIII族窒化物結晶層に付着した単結晶基板をフッ硝酸などで溶解除去する。 （もっと読む）