【課題】ガラス基板上単結晶Ｓｉ膜の形成方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉウエハ上にゲルマニウム含有材料を堆積させて犠牲Ｇｅ含有膜を形成させたあと、単結晶Ｓｉ膜を、犠牲Ｇｅ含有膜上に形成する。前記単結晶Ｓｉ膜表面に透明基板を接着することによって、接着基板を形成する。前記接着基板をＧｅエッチング溶液に浸漬し、犠牲Ｇｅ含有膜を除去することにより、透明基板をＳｉウエハから分離する。その結果、上部に単結晶Ｓｉ膜が形成された透明基板が得られる。任意で、Ｇｅエッチング溶液を分散させるための溝を形成し、Ｇｅ含有膜の除去を促進してもよい。 （もっと読む）

ＭＯＣＶＤによって成長させられるＮ面ＧａＮ膜の平滑な高品質膜のヘテロエピタキシャル成長のための方法を開示する。誤配向基板の使用、およびおそらく基板を窒素化させるステップは、本明細書で開示されるような、平滑なＮ面ＧａＮおよび他のＩＩＩ族窒化物膜の成長を可能にする。本発明はまた、Ｎ面ＧａＮをデバイス応用に対して容認不可能にする、典型的な大型（μｍサイズの）六方晶特徴を回避する。本発明は、Ｎ面デバイスの開発を可能にする、平滑な高品質膜の成長を可能にする。
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【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層の結晶性を向上できる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】上面が（０００１）面のサファイア単結晶を下地基板とし、下地基板上面にクロム層を成膜した後、クロム層が形成された下地基板をＧａＮの結晶を成長させるための装置への移送し、窒素を含有した還元性ガス雰囲気で１０００℃以上の温度で加熱窒化処理を行うことにより、クロム窒化物（ＣｒＮ）膜を形成するが、このとき、窒化アルミニウムを含む中間層が、下地基板とクロム窒化物膜との間に形成される。次に、ＧａＮバッファ層を成膜した後、基板温度を１０４０℃まで昇温し、ＧａＮの結晶層を成長させることにより、上面のピット密度が、１０５／ｃｍ２以下であるＧａＮ単結晶基板が得られる。必要により、クロム窒化物膜の選択的エッチングし、ＧａＮの基板を下地基板から分離する。 （もっと読む）

【課題】 品質及び特性の優れた半導体装置の形成が可能な半導体基板を製造する。
【解決手段】 半導体基板の表面に酸化膜を形成する工程と、前記表面を前記酸化膜が覆っている状態で前記半導体基板に炭素を５×１０¹³〜５×１０¹⁵ｃｍ^-2のドーズ量でイオン注入する工程と、前記表面を前記酸化膜が覆っている状態で前記イオン注入後に前記半導体基板をアニールする工程と、前記アニール後に前記表面上にエピタキシャル層を形成する工程とを有する。このため、不純物及び結晶欠陥を炭素によって強力にゲッタリングすることができる半導体基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層の転位密度を低減できる構造体を提供する。
【解決手段】下地基板と、前記下地基板の上に形成され、三角錐形状の複数の微結晶部を有するクロム窒化物膜とを備え、前記クロム窒化物膜の三角錐形状の微結晶部は、１辺の長さが１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、（１１１）面を底面とし、｛１００｝面群を他のファセット面とする構造体であって、前記クロム窒化物膜の各前記微結晶部を成長核に、前記｛１００｝面群のそれぞれからＩＩＩ族窒化物半導体が横方向成長して形成される。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素単結晶基板上に高品質で欠陥の少ない炭化珪素単結晶薄膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板上にエピタキシャル欠陥の発生を抑えるための炭化珪素単結晶薄膜を有することを特徴とするエピタキシャル炭化珪素単結晶基板、及び、その製造方法で、上記炭化珪素単結晶薄膜の表面粗さのRa値が0.5nm以上1.0nm以下であり、その炭化珪素単結晶薄膜をエピタキシャル成長する際の材料ガス中に含まれる、炭素と珪素の原子数比(C/Si比)が1.0以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、反りがない高品質の半導体用窒化ガリウム単結晶厚膜、特に、ｃ面（｛０００１｝面）窒化ガリウム単結晶厚膜を製造する方法に関する。
【解決手段】本発明は特に、ＨＶＰＥを使用して窒化ガリウム単結晶厚膜のｃ面（｛０００１｝面）を製造する方法である。窒化ガリウム膜は、塩化水素（ＨＣｌ）ガスとアンモニアガスを供給することによって基板上に成長される。基板上に窒化ガリウム膜を得て、基板上の窒化ガリウム膜上の窒化ガリウム厚膜が成長する。 （もっと読む）

【課題】品質が向上し、かつ製造プロセスの簡易化を図ることができる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物層およびそれを用いた基板を提供する。
【解決手段】成長用基体１０上に、成長面に対して垂直な方向の成長速度が１０μｍ／ｈより大きくなるように第１の成長層２１を成長させる。次いで、成長面に対して垂直な方向の成長速度が１０μｍ／ｈ以下となるように第２の成長層２２を成長させる。第１の成長層２１の表面は荒れたものとなるが、それよりも小さな成長速度で第２の成長層２２を成長させることにより、第１の成長層２１の表面の窪みが埋められ、第２の成長層２２の表面が平坦化される。第１の成長層２１の表面の窪みを埋めるように横方向に成長が起こるため、第１の成長層２１から引き継がれた転位Ｄが表面の突部において横方向に屈曲し、第２の成長層２２の表面まで伝播される転位Ｄの密度が大きく低減され、１０⁶ 個／ｃｍ² オーダーとなる。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板と窒化物半導体層との間に低温バッファ層を介在させることなく、平坦で高品質の無極性窒化物半導体層を結晶成長させる。
【解決手段】窒化物系半導体層の形成方法は、サファイア基板の一主面を窒化処理し、その窒化処理された基板面上に第１の成長条件によって第１の窒化物半導体層を結晶成長させ、その第１の成長条件と異なる第２の成長条件によって第１の窒化物半導体層上に第２の窒化物半導体層を結晶成長させることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板と窒化物半導体層との間に低温バッファ層を介在させることなく、平坦で高品質の無極性窒化物半導体層を結晶成長させる窒化物半導体層の形成方法を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体層の形成方法は、窒化物系半導体層の形成前にサファイア基板の一主面を８００℃から１２００℃の範囲の温度で窒化処理し、その窒化処理されたサファイア基板面上に有機金属気相成長法により窒化物半導体層を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】従来の気相結晶成長法を用いて水晶成膜用基板上に形成した水晶ウエハより水晶片を製造する方法では、例えば平板状の水晶成膜用基板主面全面上に所望の厚みの水晶ウエハを形成しても、この水晶ウエハの厚みは、厚い場合でも百数十μｍであり、水晶デバイス内に搭載するサイズの水晶片に機械的な切断加工を施すことが非常に難しい。
【解決手段】水晶片の主面外形形状と同外形形状の平坦面が頂部に形成された凸部が、一方の主面上にマトリックス状に形成されている水晶成膜用基板を用いて、気相結晶成長装置の結晶成長室内に、前記水晶成膜用基板を配置する工程と、水晶成膜用基板に形成したバッファ層の上に水晶片を、気相結晶成長法により成長させる工程と、水晶成膜用基板を結晶成長室内より取り出し、水晶片をバッファ層ごと水晶成膜用基板から個々に分離するする工程とを備えた水晶片の製造方法。 （もっと読む）

【目的】 基板となる窒化物半導体の成長方法と、窒化物半導体基板を有する新規な構造の素子を提供する。
【構成】 窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板１あるいは異種基板１上に成長された窒化物半導体層２の表面に、第１の保護膜１１を部分的に形成し、その保護膜を介して第１の窒化物半導体３を成長させる。第１の窒化物半導体３は保護膜上に最初は選択成長されるが、成長を続けるに従って、保護膜上で隣接する窒化物半導体がつながる。第１の保護膜１１上の第１の窒化物半導体３は格子欠陥が少ないので、保護膜を介して窒化物半導体を厚膜で成長させると、非常に結晶性の良い窒化物半導体基板が得られる。窒化物半導体基板を特定膜厚で成長させ、この上に素子構造を形成すると、特性の向上した良好な素子が得られる。 （もっと読む）

（ＡｌＮ）_x（ＳｉＣ）_(1-x)のような金属―有機アロイ薄膜の上に、バッファーなしに、半導体結晶を成長させる基板及び方法が開示されている。出発材料としてＡｌＮとＳｉＣ粉末を用いた蒸着法により、ＳｉＣ基板の上に（ＡｌＮ）_x（ＳｉＣ）_(1-x)アロイ薄膜は形成されることができる。（ＡｌＮ）_x（ＳｉＣ）_(1-x)アロイ薄膜は、ＧａＮまたはＳｉＣのエピタキシャル成長のためのより良い格子整合を与え、よりよい格子整合と相性によりエピタキシャルに成長されたＧａＮにおける欠陥を減少させる。
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【課題】異種基板上に窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長させてなる窒化物半導体ウェハを２つの部分に切り離して、異種基板から分離した窒化物半導体結晶を得る窒化物半導体結晶の製造方法において、異種基板から分離した窒化物半導体結晶層に、格子不整合に起因する欠陥を高密度に含む領域が含まれないようにする
【解決手段】１は異種基板、２は異種基板１上に成長したバッファ層、３はバッファ層２上に成長した窒化物半導体結晶層である。窒化物半導体結晶層３は、波長λの光に対する吸収性の異なる下部結晶層３１と上部結晶層３２とから構成されている。下部結晶層３１と上部結晶層３２のいずれかのみが吸収する波長λの光を照射し、両層の界面近傍にて、該光を吸収する方の層を分解させ、ウェハを２つの部分に切り離す。欠陥密度の低い上部結晶層３２のみを、異種基板１から分離することができる。 （もっと読む）

欠陥密度低減型の平面窒化ガリウム（ＧａＮ）膜を成長させるための方法が開示される。本方法は、（ａ）少なくとも１つの窒化ケイ素（ＳｉＮ_ｘ）ナノマスク層をＧａＮテンプレート上に成長させるステップと、（ｂ）ＳｉＮ_ｘナノマスク層の上にＧａＮ膜の厚さを成長させるステップと、を含む。ナノマスクは、ナノメートルスケールの開口部を含むマスクである。ＧａＮテンプレートは、低温または高温窒化物核形成層の基板上での成長を含んでもよく、その後、融合を達成するために約０．５μｍ厚さのＧａＮの成長を含む。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系半導体デバイスのための基板を提供する。
【解決手段】基板１１ａは、ナノコラム領域１３と、窒化ガリウム半導体膜１５と、支持基体１７とを備える。ナノコラム領域１３は、窒化ガリウムからなる複数のナノコラム１３ａを有する。窒化ガリウム半導体膜１５は、複数のナノコラム１９の一端１９ａの各々に接続されている。窒化ガリウム半導体膜１５の導電型は、ナノコラム領域１３の窒化ガリウムの導電型と同じである。また、窒化ガリウム半導体膜１５は主面１５ａを有する。主面１５ａ上には、窒化ガリウム系半導体デバイスを形成するための半導体膜が堆積される。支持基体１７は、複数のナノコラム１９の他端１９ｂを支持しており、また窒化ガリウムとは異なる材料からなる支持体２１を含む。 （もっと読む）

【課題】結晶品質に優れている比較的大口径のサファイア基板を用いたｍ面窒化物半導体の成長方法を提供する。
【解決手段】ほぼ（１１−２３）面であるサファイア基板を備える段階と、上記サファイア基板上に非極性ｍ面（１０−１０）窒化物半導体を成長させる段階と、を含む窒化物半導体の製造方法を提供する。また、他のｍ面六方晶半導体のための製造工程として同様に適用することができる。また、前記サファイア基板の結晶面がｃ軸方向に対して、またはｃ軸方向に垂直の方向に対して約±５°以内のオフ角を有することが好ましい。前記非極性ｍ面窒化物半導体を成長させる段階の前に、前記サファイア基板上にｍ面六方晶構造を有する緩衝層を成長させる段階をさらに含んでいてもよい。 （もっと読む）

【課題】結晶面の面内配向性を揃えることができると共に、ダイヤモンド膜の反り（ワープ）を低減することができる高配向性ダイヤモンド膜及びその製造方法を提供する
【解決手段】基板上に（１００）高配向膜又は（１００）単結晶ダイヤモンド膜を気相合成した後、前記基板を除去して形成した一次ダイヤモンド膜と、前記一次ダイヤモンド膜が前記基板と接触していた面（裏面）に（１００）配向成長条件で成長された二次ダイヤモンド膜とを有し、前記配向成長した二次ダイヤモンド膜が（１００）結晶面が配向成長した高配向膜、（１００）配向した無粒界膜、又は（１００）配向した単結晶膜のいずれかである。また、（１１１）高配向性膜の場合も同様である。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素単結晶基板上に高品質で欠陥の少ない炭化珪素単結晶薄膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板１上にエピタキシャル欠陥の発生を抑えるための炭化珪素単結晶薄膜２を成長させ、さらに該炭化珪素単結晶薄膜２の上に、デバイスが形成される層である炭化珪素単結晶薄膜３を成長させることによりエピタキシャル炭化珪素単結晶基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物結晶基板の反りを低減することができるＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法およびその方法により製造されるＩＩＩ族窒化物結晶基板を提供する。
【解決手段】下地基板１上にＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦１）の組成式で表わされる化学組成を有する第１のＩＩＩ族窒化物結晶層２を下地基板の温度を低下しながら成長させる工程と、第１のＩＩＩ族窒化物結晶層２上にＡｌ_yＧａ_1-ｙＮ（０≦ｙ＜ｘ）の組成式で表わされる化学組成を有する第２のＩＩＩ族窒化物結晶層３を１ｍｍ以上の厚さに成長させる工程と、第２のＩＩＩ族窒化物結晶層３からＩＩＩ族窒化物結晶基板５を形成する工程と、を含む、ＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法とその方法により製造されるＩＩＩ族窒化物結晶基板である。 （もっと読む）