【課題】III族窒化物半導体の転位密度の更なる低減と同時に特に自立基板製造時のケミカルリフトオフ所要時間の大幅な短縮が可能な手法を提供する。
【解決手段】サファイア、SiC、Siのいずれかからなる基板上にAlN単結晶層を0.1μm以上10μｍ以下の厚みで形成したAlNテンプレート基板又はAlN単結晶基板の上に金属層を成膜する工程と、該金属層をアンモニア混合ガス雰囲気で加熱窒化処理を行ない、略三角錐ないし三角台形状の複数の微結晶を有する金属窒化物層を形成する工程と、該金属窒化層上にIII族窒化物半導体層を成膜する工程を有することを特徴とするIII族窒化物半導体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】凹部が浅く扁平であるＰＳＳ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｓａｐｐｈｉｒｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）を用いた場合であっても、ＰＳＳと窒化物半導体膜との間に空洞を確実に形成することのできる、ＰＳＳ／窒化物エピウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）からなる低温バッファ層を、凹部の底面上と凸部の上面上とで低温バッファ層の成長速度および／またはＡｌ組成ｘが異なるように成長させる工程と、この工程に続いて窒化物半導体膜を成長させる工程とを有し、窒化物半導体膜を成長させる工程の初期において、凹部の底面上における窒化物半導体の成長速度が、凸部の上面上における窒化物半導体の成長速度よりも小さくなるように、低温バッファ層の膜厚を設定する。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上させた発光素子などの半導体装置を得ることが可能なＧａＮ基板、当該ＧａＮ基板の主表面上にエピタキシャル層を形成したエピタキシャル層付き基板、半導体装置およびＧａＮ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板は、主表面を有するＧａＮ基板であって、主表面の法線ベクトルに対し、面方位［０００１］に対応するベクトルＡＢを、互いに異なる２つのオフ角θ１およびθ２だけ傾斜させたベクトルＡＤの方向に傾斜させる。 （もっと読む）

【課題】 表面の平坦化が図られたＧａＮ基板及びその製造方法、並びに窒化物半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るＧａＮ基板２８は、ＧａＮ単結晶からなる基板１４と、基板１４上にエピタキシャル成長された、ＡｌＧａＮ（０＜ｘ≦１）からなる中間層２４と、中間層２４上にエピタキシャル成長された、ＧａＮからなる上層２６とを備えることを特徴とする。中間層２４はＡｌＧａＮからなり、このＡｌＧａＮは、汚染物質が付着している領域を含む主面１４ａの全域に成長する。そのため、中間層２４は基板１４上に正常に成長しており、その成長面２４ａは平坦である。このように中間層２４の成長面２４ａが平坦であるため、中間層２４上にエピタキシャル成長される上層２６の成長面２６ａも平坦となっている。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコンで構成された薄膜トランジスタなどの半導体素子において結晶粒界の欠陥や結晶シリコン中に含まれる触媒金属や不純物の影響を受けない半導体薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に第１の結晶シリコン層１０２が形成され、第１の結晶シリコン層１０２の上に第２の結晶シリコン層１０３が形成される半導体薄膜において、第２の結晶シリコン層１０３は、第１の結晶シリコン層１０２の結晶性を継承するようにエピタキシャル成長によって形成され、第２の結晶シリコン層１０３には、第１の結晶シリコン層１０２よりも、不純物の量が少なく、水素又はハロゲン元素が多く含まれることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面状態や断面形状が良好なIII族窒化物半導体の厚膜結晶を成長させることができる下地基板を提供する。
【解決手段】第１結晶成長面１１０と第１結晶成長面１１０と同じ方向に面している第２結晶成長面１０９を有する下地基板１１２であって、第１結晶成長面１１０の周縁の５０％以上または全周縁に下向きの段差を介して第２結晶成長面１０９が連接している。ここで、第１結晶成長面１１０は円形とし、第２結晶成長面１０９は環状であり、第１結晶成長面１１０と同心とする。 （もっと読む）

加熱ゾーンの長さに沿って所定の温度プロファイルを与えるために加熱ゾーンを加熱するように構成された単一のマルチゾーン・ヒータを有する結晶の気相成長用の装置。第１のリム８、第２のリム１２、および第１及び第２のリム８、１２を接続するリンク部を有するほぼＵ字状の管６が加熱ゾーンに配置される。第１のリム８は原材料１６を含む。原料と種１８との間に所定の温度差を与えるために原材料１６および種１８が加熱ゾーン内において長手方向に離間するように第２のリム１２は種１８を支持する。結晶は種１８上に成長される。 （もっと読む）

【課題】鉄基合金上に密着性良くダイヤモンド膜が被覆されたダイヤモンド膜被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１上にタングステンから成る中間層１０と、中間層１０上にダイヤモンド膜を被覆する。また中間層１０上は溝部３によって分割された微小区域４を有し、微小区域４の表面上の最長距離８を１００μｍを超え４５０μｍ未満とする。さらに、溝深さ１２を１０μｍ以上中間層厚さ１１以下とする。また、溝部３によって分割された微小区域４と隣接する微小区域４との最短距離２を１０μｍ以上とする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板上に形成した金属窒化層を利用して、転位密度の低い優れた発光特性をもったＧａＮ半導体などのIII族窒化物半導体を製造する方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板の（0001）Ｓｉ面上に金属層を設け、金属層を窒化することにより、金属窒化物層を形成し、金属窒化物層にIII族窒化物半導体を形成させる。化学処理などにより金属層を溶解し、ＳｉＣ基板から分離した多様な半導体構造体を得る。金属層としては、Ｃｒ層を用いる。 （もっと読む）

【課題】低転位密度であるとともに、キャリア濃度のばらつきが小さい表面層を十分な厚さで有するIII−V族窒化物系半導体の自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】III-V族窒化物系半導体結晶の成長の初期又は途中の段階では結晶成長界面に複数の凹凸を出しながら結晶成長を行い、次いで前記凹凸を埋めるように結晶成長を行って前記結晶成長界面を平坦化し、さらに平坦化した結晶成長界面の形状を保ったまま10μm以上の厚さにわたって結晶成長を継続するIII-V族窒化物系半導体基板の製造方法自立したIII−V族窒化物系半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板上に形成した金属窒化層を利用して、転位密度の低い優れた発光特性をもったＧａＮ半導体などのIII族窒化物半導体を、従来の製造方法に比べて、より少ない工程で製造する方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１の（０００１）Ｓｉ面上に金属層を部分的に設け、金属層および金属層の間に露出するＳｉＣ基板１の（０００１）Ｓｉ面を窒化することにより、金属窒化物層２とＳｉＮ面４を形成し、金属窒化物層２にIII族窒化物半導体３をエピタキシャル成長させ、ＳｉＮ面４上に横方向成長させる。 （もっと読む）

本発明は、立方晶構造を有するＩＶ族基板材料のＩＶ族基板表面を有する基板上に堆積されている、ＩＩＩ族窒化物層構造を有する窒化物半導体部材に関する。ＩＶ族基板表面は（表面再構成を考慮せずに）、Ｃ２対称性の元素セルを有するが、Ｃ２対称性より高度の回転対称性の元素セルは有さない。ＩＩＩ族窒化物層構造はＩＶ族基板表面と直接隣接するところに、三元もしくは四元のＡｌ_1-x-yＩｎ_xＧａ_yＮ［ただし、０≦ｘ、ｙ＜１、かつｘ＋ｙ≦１］から成るシード層を有する。これにより価値の高い、単結晶性の成長が得られる。この利点は、高レベルな結晶品質が得られること、ｃ平面、ａ平面、およびｍ平面のＧａＮ成長、ならびにとりわけシリコン基板の完全な、または部分的な除去が容易に可能なことにある。と言うのもこれは、湿式化学的方法により（１１１）配向性の基板上では、より容易に可能だからである。
（もっと読む）

【課題】結晶を厚く成長させても、転位を特定部分に集めて閉じ込めることにより、転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板１０の主面１０ｍの一部に複数のマスク１４を形成する工程と、主面１０ｍ上においてマスク１４の端面１４ｅに繋がる位相境界２６を含むＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程を含み、各マスク１４は、ケイ素化合物マスクとケイ素化合物マスクの端面の少なくとも一部に接触する融点が１０００℃以上の遷移金属マスクを含む。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体量子ドットの製造方法に関し、Ｓｉ基板上で３次元電子閉じ込めを実現できるドット状の良好な形状特性をもち、且つ、結晶性良好な化合物半導体量子ドットを実現させようとする。
【解決手段】Ｓｉ_1-x-y Ｇｅ_x Ｃ_y （ｘ≧０、ｙ≧０）バッファ層２上にＩｎＡｓ量子ドット５を形成するのに必要な化合物半導体原料の一方の族の原料、例えばＡｓＨ₃ のみを先行して供給した後、全ての原料、例えばＡｓＨ₃ 及びＴＭＩｎを供給してＩｎＡｓ量子ドット５を形成する工程が含まれる。 （もっと読む）

【課題】クラック発生を防止し、転位密度も低減することのできる窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板１は、下地層４上に成長し、厚み方向に沿った断面が略三角形状であって、かつ周期的なストライプ状をなし、ストライプの斜面６１上に凹凸面６２を設けられたＧａＮ系半導体層６と、ＧａＮ系半導体層６上に形成されたＡｌＧａＮ又はＩｎＡｌＧａＮからなる埋め込み層７とを備える。凹凸面６２は、水平断面における斜面の垂線方向が多方向にわたる多数の細斜面からなる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体層表面の面荒れを改善することが可能な半導体基板の製造方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、サファイア基板１０を窒素雰囲気中で昇温する工程と、サファイア基板１０上に、少なくとも水素及びアンモニアを用いてＡｌＮ層１２またはＡｌＧａＮ層からなるバッファ層を形成する工程と、ＡｌＮ層１２上にＧａＮ系半導体層１６を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体基板の製造方法及び半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体用途にも使用できる高品質なダイヤモンド単結晶基板を短時間でコストを下げて製造する方法を提供する。
【解決手段】窒素原子含有量の異なる２つ以上の層からなり、少なくとも炭素原子に対する窒素原子含有量が０ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下の層、及び５ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下である層を有し、かつ０ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ以下の層より５ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下の層の窒素原子含有量が多いダイヤモンド単結晶基板であって、これらの層は気相合成法において窒素原子を含むガスの導入量を調整することにより形成される。 （もっと読む）

【課題】大型で反りが少なく結晶性のよいＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、下地基板１０を準備する工程と、下地基板１０を複数の下地チップ基板１０ｃに分割する工程と、複数の下地チップ基板１０ｃをその主面１０ｍが互いに平行に、かつその側面１０ｓが互いに隣接するように配置する工程と、複数の下地チップ基板１０ｃの主面１０ｍ側にＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

単結晶半導体材料の製造方法は、テンプレート材料を用意し、テンプレート材料の上面にマスクを形成し、マスクを使用してテンプレート材料上に複数のナノ構造を形成し、ナノ構造上に単結晶半導体を成長させることを含む。
（もっと読む）

【課題】欠陥密度が低く、かつ反りの少ないIII族窒化物半導体基板を提供すること。
【解決手段】サファイア基板６１上に第一のＧａＮ層６２を成長させ、つづいて金属Ｔｉ膜６３を形成した後、窒化処理して、微細孔を有するＴｉＮ膜６４を形成する。その後、ＨＶＰＥ−ＧａＮ層６６を成長する。金属Ｔｉ膜６３およびＴｉＮ膜６４の作用により、ＨＶＰＥ−ＧａＮ層６６中には空隙部６５が形成される。この空隙部６５の箇所からサファイア基板６１を剥離除去する。 （もっと読む）