【課題】 混合される複数の原料ガスを、その流速分布を乱すことなく反応管に導入するとともに反応管内での原料ガスの分解を防止し、かつ用いる原料ガスの切換応答性を高めることによって、同一層内において均一な厚みおよび組成を有し、積層界面において組成の急峻性を有する層を形成できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 第１の原料ガスを反応管４２に導入する第１ガス導入管４６と、第１の原料ガスと反応する第２の原料ガスまたは第１の原料ガスと反応する第３の原料ガスを反応管４２に導入する第２ガス導入管４７とを積層して設け、第２ガス導入管４７に第２の原料ガスを供給する第２ガス供給部５０および第２ガス導入管４７に第３の原料ガスを供給する第３ガス供給部５１を含むガス供給部と、第２ガス導入管４７に供給する原料ガスを第２の原料ガスと第３の原料ガスとの間で選択するガス選択手段５４とを備える。 （もっと読む）

【課題】Ｇａを供給してＡｌＮ（窒化アルミニウム）を成長させることにより、ＡｌＮの貫通転位を少なくし、結晶性の良いＡｌＮを得る方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ層４の成長は、ＳｉＣ基板２の基板温度が８５０℃、Ｇａの供給量が、０〜１．４×１０^−４Ｐａ、Ａｌの供給量が４．５×１０^−５Ｐａ、Ｎの供給量が電力１８０ワットで、Ｎ_２の流量が０．１９ｓｃｃｍとされる。この条件において、ＡｌＮ層４は、５００ｎｍの厚さ成長させられる。ＡｌおよびＧａの供給には、クヌードセンセルを用いた金属ＡｌおよびＧａの昇華、Ｎの供給には、ＲＦプラズマ銃による窒素プラズマを用いた。また、Ｎ／Ａｌ比は、１よりわずかに小さい条件とした。なお、Ｇａの照射は、ＡｌＮ層４の最初の１０ｎｍのみであり、ＡｌＮ層４が１０ｎｍ成長した時点で、Ｇａの供給量はゼロとされる。ＡｌＮ層４が成長する間、ＡｌおよびＮの供給量は一定である。 （もっと読む）

ナノワイヤ蛍光体を採用した発光素子が開示される。この発光素子は、紫外線の波長範囲、青色光の波長範囲及び緑色光の波長範囲内で主ピークを有する第１波長の光を放射する発光ダイオードと、前記発光ダイオードから放射された前記第１波長の光の少なくとも一部を前記第１波長に比べて長い波長の第２波長の光に変換させるナノワイヤ蛍光体とを含む。ナノワイヤ蛍光体を採用することによって、発光素子の製造費用を節減することができ、非発光再結合に起因した光損失を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２マスクを用いること無く、III族窒化物を形成する方法を提供する。
【解決手段】有機金属気相成長炉１７に成膜ガスＧ８を供給して、基板５１の主面５１ａ上に第１のIII族窒化物膜５３をヘテロエピタキシャル成長する。第１のIII族窒化物膜５３の熱処理を行って、複数のドロップレットを形成する。引き続いて、第１のIII族窒化物膜５３ｃ（５３ｅ）上に第２のIII族窒化物５９を堆積する。ドロップレットを形成した後に窒素を含むガスを供給すると、ドロップレットの構成元素と窒素との化合物が形成される。第２のIII族窒化物５９は、熱処理された第１のIII族窒化物上および該化合物上に堆積される。第２のIII族窒化物５９は、第１のIII族窒化物の転位密度よりも小さい転位密度の領域を含む。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド結晶の結晶粒子の粒径を制御してターゲット表面にナノダイヤモンド膜を成膜することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】反応ガス雰囲気内の圧力を反応ガスを徐々に導入して昇圧しかつプラズマ発生用電力を徐々に印加して昇温する第１処理工程と、第１処理工程後に圧力と温度とを所要状態に維持してターゲット表面にダイヤモンド結晶を成長させる第２処理工程とを備え、第１処理工程では窒素ガスを添加してダイヤモンド結晶成長用初期核の発生密度を制御し、第２処理工程では窒素ガスを間歇的に導入してダイヤモンド結晶成長用二次核の発生密度を制御する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥密度が低く、しかも、ピエゾ自発分極が生じ難いＧａＮ系化合物半導体層の形成方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系化合物半導体層の形成方法は、（Ａ）サファイア基板１０のＲ面上に、ＧａＮ系化合物半導体から成り、離間したシード層１１を複数形成した後、（Ｂ）頂面が、Ａ面であり、且つ、サファイア基板１０のＲ面に対して略平行な状態にあるＧａＮ系化合物半導体層１２，１４を、各シード層１１から横方向エピタキシャル成長させ、次いで、（Ｃ）ＧａＮ系化合物半導体層１２，１４の頂面１４Ａを研磨して、サファイア基板１０のＲ面に対して傾斜した状態とする工程を具備する。 （もっと読む）

本発明はエピタキシャル成長層(6)の形成方法に関し、エピタキシー用支持体(9, 9')とその形成方法にも関する。この方法は、ａ）支持基板となる第１基板(1)の内部に原子種を注入することにより支持基板内で薄肉支持層となる薄層(13)と支持基板の残余部分(11)との境界を画定する脆弱ゾーン(12)を形成する工程、ｂ）後工程のエピタキシャル成長層(6, 6')の成長に適した材質の結晶核形成薄層(23)を前記薄層(13)の露出表面(130)上にこれら両層間に接合界面(4)を形成させて移載する工程、ｃ）支持基板(1)の残余部分(11)を薄層(13)との接触を維持したまま脆弱ゾーン(12)に沿って分離する工程、ｄ）結晶核形成薄層(23)上にエピタキシーによってエピタキシャル成長層(6, 6')を成長させる工程、及び ｅ）支持基板(1)の残余部分(11)を薄層(13)から取り外す工程を備えている。光学、光電子工学又は電子工学分野で利用される。
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【課題】結晶品質が良くかつ表面平坦性の優れたＡｌＮ単結晶膜の形成方法を提供する。
【解決手段】サファイア基材上に、ＡｌＮ単結晶による成長下地層をＭＯＣＶＤ法により（０００２）面におけるＸ線ロッキングカーブ半値幅が２００秒以下で、かつその表面を原子レベルで平坦となるように形成する。つづいて、前記成長下地層上に、ＨＶＰＥ法により、１１００℃以上の形成温度Ｔ（℃）に対してＡ≦０．３Ｔ−３３０なる関係を満たすように、形成速度Ａ（μｍ／ｈｒ）を制御しながらＡｌＮの単結晶膜を形成する。形成速度の制御は、例えばＡｌ原料ガスの供給量を調整することによりおこなう。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜を形成するための、セラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板及び該単結晶薄膜が形成されている薄膜基板を実現し、さらに発光効率に優れた発光素子などの電子素子を提供する。
【解決手段】基板としてセラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を用いることでその上に窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜が形成され、また、結晶性の高い単結晶薄膜が形成された薄膜基板を製造する。さらに、この薄膜基板を用いることにより発光効率に優れた発光素子などの電子素子を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶性のよいIII族窒化物半導体層を形成することができるIII族窒化物半導体層の形成方法、このIII族窒化物半導体層の形成方法を用いたIII族窒化物半導体基板の製造方法、およびIII族窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】 サファイア基板１０上に形成されるマスク１１の被覆部１１１の被覆部１１１の断面形状を略台形形状とし、被覆部１１１の断面形状がサファイア基板１０側から上方に向かって幅狭となるようにする。また、マスク１１の開口部１１２の断面形状は、サファイア基板１０側から上方に向かって幅広となるようにする。マスク１１の開口部１１２からＧａＮ半導体層を成長させ、ＧａＮ基板を得る。 （もっと読む）

【課題】
Ｐを含有する半導体層とＡｓを含有する半導体層とのヘテロ接合を有する化合物半導体エピタキシャル基板であって、特性のばらつきの少ない化合物半導体素子を与える化合物半導体エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
Ｖ族原子としてＰを含む半導体層および、該半導体層の直上に接合され、かつＶ族原子としてＡｓを含む半導体層を有する化合物半導体エピタキシャル基板において、７７Ｋフォトルミネッセンス測定におけるスペクトルのうち、設計上のいずれの層のバンドギャップにも対応せず、かつピーク位置が波長８３０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であるピークの強度が、基板に由来するピークの強度の２倍以下であることを特徴とする化合物半導体エピタキシャル基板。 （もっと読む）

【課題】 極めて転位密度の低い、これまでにない高品質なIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 工程１として、第一の半導体結晶基板１を準備し、工程２として、前記第一の半導体結晶基板上に、第一の結晶軸方向に第一のIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶２を第一の厚さまで成長させ、工程３として、前記第一のIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶２を、その内部に存在する最も密度の高い貫通転位の伝播方向に対して平行な面３で切断し、工程４として、前記切断面上に第二のIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶５を第二の厚さまで成長させ、前記第二のIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶５を目的のIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶とする。 （もっと読む）

【課題】 基板特性の面内不均一をなくし、これまでにない高品質かつ高均一なIII−Ｖ族窒化物半導体基板およびその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 第一の半導体結晶基板を準備し、この第一の半導体結晶基板を接着によりサセプタ上に固定し、この第一の半導体結晶基板上にIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶を成長する。 （もっと読む）

【課題】 基板の反り、クラックの発生を効果的に抑制することができるとともに、半導体層各面における剥がれを防止することができる半導体基板、半導体結晶成長用基板、半導体装置、光半導体装置およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板（１００）は、基板（１）の一面上に成長した半導体結晶層（２）と、基板（１）の他面および側面に形成され、半導体結晶層（２）が基板（１）に付与する応力と同じ方向に基板（１）に応力を付与する応力緩和層（３）とを備えることを特徴とする。この場合、半導体結晶層（２）の基板（１）に対する応力が相殺される。それにより、半導体基板（１００）の反りおよびクラックの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】ファセットを形成し維持しながら窒化ガリウムを成長させるファセット成長法では、ファセット面からなるピット中央部から転位がモヤモヤと広がり、面状欠陥が放射状に生成されるという欠点があった。またどこにピットができるのか制御不可能であったのでその上にデバイスを設計することができなかった。それらの難点を克服すること。
【解決手段】 下地基板の上に規則正しく種パターンを設けてその上にファセットよりなるピットを形成し維持しながらＧａＮをファセット成長させファセット面よりなるピット底部に閉鎖欠陥集合領域Ｈを形成しそこへ転位を集めてその周囲の単結晶低転位随伴領域Ｚと単結晶低転位余領域Ｙを低転位化する。閉鎖欠陥集合領域Ｈは閉じているので、転位を閉じ込め再び解き放つということがない。 （もっと読む）

【課題】煩雑な処理をすることなく、シリコン基板上にＧａＮの結晶の成長を行う方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板２の表面は、水素で終端されている。次に、７００℃以上、例えば９５０℃程度で加熱し、水素を脱離する。この水素が脱離された表面上にＧａＮバッファー層４が積層される。そして、このＧａＮバッファー層４上にＧａＮをエピタキシャル成長させ、ＧａＮの結晶層６が形成される。水素を脱離してからバッファー層を設けたので、より平坦なバッファー層を形成することができる。その結果、その上に成長させるＧａＮ結晶を良質のものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】MgO基板とIr膜、Ir膜とダイヤモンド膜が各界面で剥離しにくく、特に大面積の単結晶ダイヤモンド膜を連続膜として有する積層基板を提供する。
【解決手段】少なくとも、単結晶MgO基板と、該MgO基板上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム(Ir)膜と、該Ir膜上に気相合成させたダイヤモンド膜を有する積層基板であって、前記Ir膜の結晶性が、波長λ＝1.54ÅのX線回折法で分析したIr(200)帰属の2θ=46.5°または2θ=47.3°における回折強度ピークの半値幅(FWHM)が0.40°以下のものであることを特徴とする積層基板。 （もっと読む）

【課題】下地に発生した転位をその上に形成する窒化物半導体層に伝播させずに、均一性と安定性に優れた窒化物半導体材料を提供する。
【解決手段】サファイア基板（０００１）面上に、ＭＯＶＰＥ装置でＧａＮ膜を極性が揃う程度の膜厚（約３μｍ）で製膜した。その表面にＰ−ＣＶＤ法によりＳｉＮｘ膜を約１００ｎｍ製膜し、開口部とマスク部の面積比がそれぞれ１：５になるように周期的なストライプ状のマスクを形成した。 そのウェハーをＨＶＰＥ装置に投入し、ガスが流れてくる方向とウェハー表面の法線との角度が８０°となるように設置し、１０５０℃でＧａＮを成長させた。ウェハーの断面をＴＥＭで観察した結果、第一窒化物半導体層のＧａＮの転位（欠陥）が第二窒化物半導体層に伝播していないことが確認された。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＣＶＤ法による窒化ガリウム単結晶の成長速度を高め、従来より量産性に優れた窒化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 ＭＯＣＶＤ法により、加熱した基板上にIII族原料ガスとＶ族原料ガスをキャリアガスと同時に供給し、熱分解反応させて窒化ガリウム単結晶を成長させるに際し、III族原料ガスの導入量を１０〜１００ｓｃｃｍとし、キャリアガスとＶ族原料ガスの導入量の和がIII族原料ガスの導入量の１０００倍以下となるようにする。 （もっと読む）

【課題】 一般式：Al_xIn_yGa_1-x-yNで表される窒化物半導体結晶であって、低転位密度化のために初期核密度を低下させた窒化物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に前記窒化物半導体の多数の初期核を形成し、成長に従って互いに融合させ、もって平滑な結晶とする工程を有し、前記初期核による前記基板の表面被覆率が0.8以下の期間において、式：ρ＝f/h²（fは表面被覆率であって、０≦f≦１を満たし、hは前記fを測定した時点における前記初期核の平均高さを表す。）により表される初期核密度ρが６×10⁵ cm^-2以下とする。 （もっと読む）