【課題】石英製の反応炉の損傷を抑制することができ、副生成物の生成を抑制できるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物テンプレートの製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶及びＩＩＩ族窒化物テンプレートを提供する。
【解決手段】本発明に係るＩＩＩ族窒化物結晶は、ＩＩＩ族窒化物結晶中に１×１０^１６ｃｍ^−３以上１×１０^２０ｃｍ^−３未満の炭素を含み、前記炭素がＶ族サイトを置換しており、かつ、前記ＩＩＩ族窒化物結晶内でアクセプタとして働く他の不純物を含まないものである。 （もっと読む）

【課題】円筒状の断熱材を中心軸に対して平行に分割する場合において、分割された隣り合う断熱材同士の間に放電現象が発生することを抑制する。
【解決手段】加熱容器８の周囲に配置される第１外周断熱材１０を円筒形状で構成すると共に、中心軸に平行に円筒形状を複数に分断した分割部１０ａ〜１０ｃを備えた構成とする。そして、各分割部１０ａ〜１０ｃの繋ぎ目の箇所を覆うように低抵抗部材２０を備えた構造とする。これにより、複数の分割部１０ａ〜１０ｃの間の空隙のうち比較的幅が狭い部分において局所的な放電現象が起こることを抑制でき、誘導電力を安定して供給することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶の製造装置に備えられる断熱材の劣化を抑制することができるようにする。
【解決手段】加熱容器８の周囲を囲む第１外周断熱材１０を、浸透性の大きな断熱基材１０ａの内周面に浸透性の小さな黒鉛シート１０ｂを配置した構造とし、さらに黒鉛シート１０ｂの内周面を高融点金属炭化膜１０ｃで覆った構造とする。これにより、黒鉛シート１０ｂによって断熱基材１０ａに原料ガス３などが浸入することで固体ＳｉＣが析出することを抑制しつつ、さらに高融点金属炭化膜１０ｃによって黒鉛シート１０ｂがエッチングガスや原料ガス３に含まれる成分と化学反応することを抑制できる。したがって、第１外周断熱材１０が劣化することを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ハイドライド気相成長法による窒化物半導体の製造において、繰り返して使用しても白濁しにくくて、得られる窒化物半導体のＳｉキャリア濃度も安定している石英製の窒化物半導体製造装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体を製造する際に装置内に導入する材料またはこれらの材料の混合物の少なくとも一方が接触する面の、一部または全部が合成石英ガラスで構成されていることを特徴とする窒化物半導体製造装置であって、たとえば、前記材料のうち、窒化物半導体の原料となる材料や、反応することによって窒化物半導体の原料を生成しうる反応性物質と接触する面の一部または全部に合成石英ガラスを使用することが好ましく、ＧａＣｌなどのIII族ハロゲン化物やＨＣｌと接触する面に合成石英ガラスを使用することがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】
基板上に成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
気相成長装置は、その中心に成長用基板を担持して成長用基板を加熱および回転するサセプタと、サセプタの少なくても材料ガス供給側の半分を矩形に囲む、サセプタと同じ熱伝導率を有する素材からなる不動の受熱板と、周囲から受熱板を固定し、成長用基板に水平に材料ガスを誘導する不動のフロー補助板と、その開口する先端がフロー補助板上に位置し受熱板の端部と略平行にかつ成長用基板の直径よりも幅広に形成され、成長用基板の全面に沿って材料ガスの層流を水平に供給する材料ガスノズルと、その材料ガスノズル側の縁部が受熱板の端部に略平行に形成され、その全面が直上のサセプタと受熱板の全面に対向してサセプタと受熱板を均一に加熱する矩形の加熱器と、成長用基板とサセプタと受熱板の全面に向けて材料ガスノズルよりも幅広の領域に押さえガスを供給する押さえガス噴出器と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 サファイア基板上又はＳｉ基板上に良質のＡｌＮ結晶を高速成長させることができるＡｌＮのエピタキシャル成長方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
第一ガス導入ポート１２から、ＨＣｌ＋Ｈ_２を導入し７５０℃以下でＡｌ金属とＨＣｌを反応させＡｌＣｌ_３を生成する。第二ガス導入ポート１４からＮＨ_３＋Ｈ_２を導入し混合部でＮＨ_３とＡｌＣｌ_３とを混合させる。混合したガスを基板部に輸送し反応させＡｌＮを生成する。混合部は原料反応部で生成されたＡｌＣｌ_３の石英反応チャンバー１８内での析出が起きない温度で、かつ、混合部でのＡｌＮの析出が起きない温度範囲８０℃以上７５０℃以下に保つ。基板結晶２４は、高周波加熱によって９００℃から１７００℃に維持される。この結果、基板結晶２４への途中でＡｌＮが析出してしまうことを防止し、ＡｌＮエピタキシャル成長速度が向上する。 （もっと読む）

本発明は、原則的に石英ピースから成るエピタキシャル反応器の反応室に関する；石英ピースは、壁（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ）によって規定される内部空洞（２）を持つ石英ピースの部分（１）を備える；空洞（２）は、エピタキシャル反応器の反応沈着ゾーン（３）を備える；ゾーン（３）は、そこで熱せられるサセプター（４）を収容するように適合している；反応室は、対抗壁を形成し前記ゾーン（３）の壁となるように、前記壁（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ）に隣接して配置される石英の部品（５）も備える。
（もっと読む）

【課題】単結晶体が成長して厚くなっても、簡単に割れることがなく、転位や不純物の少ない高品質な単結晶体の成長を連続的に行うことができる単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】反応加熱室２ａ内に種基板３ａを配置し、反応加熱室２ａ内に腐食性ガスを原料ガス５ａ，５ｂとして導入するとともに、種基板３ａを含む領域を加熱して、種基板３ａ上に単結晶体３ｂを気相成長させる単結晶体の製造方法であって、反応加熱室２ａ内には、耐腐食処理を施した熱反射用金属板８ａ，８ｂが、反射面を、種基板３ａを含む領域に向けて配置されている。 （もっと読む）

【課題】
高い結晶成長温度が必要とされる結晶成長装置に適しかつ２インチ以上の大きな基板の結晶成長に適する基板加熱装置およびこれを用いる結晶成長装置を提供することにある。
【解決手段】
この発明は、平板ヒータの外周に沿ってこれの外側に外周を囲むように無底箱型ヒータを設け、その側面が平板ヒータの厚さより大きい所定の幅を持っていることで、平板ヒータの最外周の抜熱による発生熱量を補充できる大きな熱量を最外周に隣接して発生することができる。 （もっと読む）

【課題】気相成長膜の成膜の前後のガスによる副生成物の生成を抑止するライナを備えた気相成長装置及びこれを使用した気相成長方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１０１と、プロセスガス１１０を供給するガス供給部１０２と、チャンバ１０１内からガスを排気するガス排気部１０８とを備えた気相成長装置１００であって、チャンバ１０１の内壁部１３０の物性が上部ライナ１３１と下部ライナ１３２とで異なるように構成されており、下部ライナ１３２は、上部ライナ１３０に比べ、熱エネルギーが吸収しやすく、且つ蓄熱性が高い物性の基材で構成されていることを特徴とする。これにより、プロセスガス１１０及び生成ガス１１２に起因するライナ１３０全面への副生成物の生成を抑止することができる。
（もっと読む）

【課題】エピタキシャル装置内のＳｉＣ粉塵がＳｉＣ基板上に落下するのを回避し、メモリ効果を抑制して多数回繰り返しエピタキシャル成長できるエピタキシャル成膜装置を提供する。
【解決手段】軸方向端部に反応ガス流入口と排出口とを有し減圧可能な耐熱円筒管１内に、軸方向に沿って所定の長さのサセプタ３が、断熱材２を介して配置され、該サセプタ３の内側に設けられる反応室４空間内にＳｉＣ結晶基板５を載置するための複数の平板状支持基板５が相互に平行に上下方向に間隔を置いて搬出搬入可能な形態で設置され、前記サセプタ３の位置に対向する前記円筒管１の外側に誘導加熱装置を備え、前記複数の平板状支持基板５のうち、より上側の支持基板１１が前記サセプタ３または断熱材２の端面からガス流の上流側へ、より多くはみ出すように設置されているエピタキシャルＳｉＣ成膜装置とする。 （もっと読む）

【課題】膜厚が均一な炭化珪素半導体結晶膜を形成すること。
【解決手段】炭化珪素半導体結晶膜形成装置は、コイルによって誘導加熱されるホットウォール２の内壁面にウエハー６を設置し、ホットウォール２内にガスを供給してウエハー６の表面に炭化珪素半導体結晶膜を形成する。ホットウォール２はグラファイトで形成されており、ホットウォール２の内壁面のうち、ウエハー６が設置される面およびウエハー６の表面と対向する面以外の面は、炭化タンタルコート７で被覆されている。 （もっと読む）

【課題】ステンレス等の金属部品の腐食を軽減することができ、メンテナンスの容易な気相成長装置を提供する。
【解決手段】気相成長装置１は、円環状の金属製のベースリング１０と、ベースリング１０を上下から挟んでチャンバー２を構成する石英製のアッパードーム８およびロアドーム９とを備える。チャンバー２内部には、アッパーライナー１６およびロアライナー１７と、上面にエピタキシャル層を気相成長させるためのウェーハＷが載置されるサセプタ４を備える。
反応炉の内壁面の一部を構成するベースリング１０の内周壁面を石英ガラス板よりなるチャンバーシールド１５で覆ったことにより、上部反応炉３と下部反応炉５との間に生ずる炉内容積変化の差を修正するために、ロアライナー１７に炉内容積調整用の凹陥部１７ｂを設ける。 （もっと読む）

本発明は、材料、特に炭化珪素又は３族ナイトライドの結晶を成長させるための反応炉（１）に関する。当該反応炉は、第１ゾーン（２１）及び第２ゾーン（２２）に分割されたチャンバ（２）と、上記材料の少なくとも１の前駆体ガスを上記第１ゾーン（２１）に供給するように適合された射出手段（４１，４２）と、上記第２ゾーンから排気ガスを排出するように適合された排気手段（５）と、上記第２ゾーン（２２）に位置し、成長結晶を支持するように適合された支持手段（６）と、上記第１及び第２ゾーン（２１，２２）を２０００℃と２６００℃の間の温度に保持するように適合された加熱手段（７１，７２）を有し、上記分割は、上記第１及び第２ゾーン（２１，２２）を相互に連通させる少なくとも１の開口（３１，３２）を有する分割壁（３）を介して行われる。
（もっと読む）

【課題】
本発明は、このような窒化物半導体のエピ膜中に取り込まれる不純物の発生源となる原因を排除することができる反応管及びこれを用いた気相成長装置を提供することを目的とする。

【解決手段】
発明１の反応管は、この目的を達成するために、少なくとも前記サセプタ周辺をサファイアにて形成してあることを特徴とする構成を採用した。
発明２の気相成長装置は、発明１の反応管を用いることを特徴とする者である。 （もっと読む）

ハイドライド気相エピタキシャル成長法（ＨＶＰＥ）を用いたアルミニウムを含むＩＩＩ族窒化物薄膜の成長方法が開示され、その方法は、ＨＶＰＥ反応系内に耐腐食性材料を使用し、該耐腐食性材料を含んでいるＨＶＰＥ反応系の領域はハロゲン化アルミニウムと接触する領域であることを特徴とする使用工程と、アルミニウムを含む原料を有する原料ゾーンを所定の温度以上にまで加熱する工程と、耐腐食性材料を含むＨＶＰＥ反応系内でアルミニウムを含むＩＩＩ族窒化物薄膜を成長する工程とを施す。
（もっと読む）

複数の粒子を有する多結晶金属窒化物を含む組成物が提供される。これらの粒子は、拝金粒子サイズ、傾斜角度、不純物含有、気孔率、密度、及び金属窒化物における金属の分子分率、のような特徴の一つかそれ以上の柱状構造を有する。金属窒化物は、窒素含有材料が第ＩＩＩ族金属とチャンバー内で反応し、金属窒化物を生成して、少なくともチャンバー内の第ＩＩＩ族金属の導入、窒素含有材料とハロゲン化水素のチャンバーへの流入の工程からなる方法を介して生成される。第ＩＩＩ族金属が原材料材料として原材料注入口を通じてチャンバーに導入されて、第ＩＩＩ族金属窒化物グループの準備の方法が提供される。

（もっと読む）

【課題】Ａｌ元素を含むIII族窒化物を作製する場合であっても、破損が生じることのない作製装置を提供する。
【解決手段】第１反応管１は、ＡｌＣｌとの反応性が十分に小さい物質、例えばサファイアによって形成する。第１反応ゾーンを１０００℃に、第２反応ゾーンを１２００℃に加熱する。第１反応管１にはＨＣｌを供給し、第２反応管２にはＮＨ₃を供給する。第１反応管１内部では、ＨＣｌと固体源８である固体Ａｌとが反応して、ＡｌＣｌガスが生成する。第１反応管１の内面はサファイアで形成されているので、ＡｌＣｌとは反応しない。ＡｌＣｌは、第２反応ゾーンへと送られる。第２反応管２内部では、ＮＨ₃ガス流が第１反応管１を取り囲むように存在するので、ＡｌＣｌは領域ＲＥ付近でＮＨ₃と直ちに反応し、気体ＡｌＮが生成される。ＡｌＣｌは全て消費されるので、第２反応管２が石英だとしてもこれと反応することはほとんどない。 （もっと読む）

【課題】 ＨＶＰＥ法による効果的なＡｌ含有窒化物の結晶成長を実現できるＡｌ含有窒化物のハイドライド気相成長装置を提供する。
【解決手段】 ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）装置３０は、反応管と、反応管にＡｌのハロゲン化物を含む原料ガスを導入する第１ガス導入部である原料供給口領域５３と、当該反応管に水素化窒素ガスを含む原料ガスを導入する第２ガス導入部である原料供給口領域５３と、反応管内に配置されたウェハ保持部である基板ホルダ４１と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】 種結晶の外周部の消失を防止しつつ種結晶の清浄面を露出させて当該清浄面から結晶成長を開始させることができる炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 反応容器６内での台座部の表面に炭化珪素種結晶７が接合されている。反応容器６内にモノシランとプロパンとを含む混合ガスが導入される。種結晶７に至るガス流路において下流ほど低い温度勾配を有する温度雰囲気下で、混合ガスが種結晶７に送られて炭化珪素単結晶２０が成長する。種結晶７の外周部近傍かつ種結晶７より高温側に、種結晶７とは空間を隔てて固形炭化珪素３１が配置され、エッチングガスを種結晶７に対し供給して種結晶７の外周部に比べて高温の固形炭化珪素３１から昇華したＳｉＣ成分ガスを炭化珪素種結晶７の外周部に供給しながらエッチングガスにより種結晶７の清浄面を露出させた後に、種結晶７の清浄面から結晶成長を開始させる。 （もっと読む）