本発明は、一実施形態では、合成ダイヤモンド、および複数の種ダイヤモンド上でそうしたダイヤモンドを成長させ、その成長ダイヤモンドにイオンを注入し、複数の種ダイヤモンドから成長ダイヤモンドを分離する方法を提供する。 （もっと読む）

凸面を有する単結晶ダイヤモンド素子が開示され、その凸面は完全球面からの最高−最低間の最大のずれが約５μｍ未満である球セグメントを含む。それとは別に、又はそれに加えて、完全球面からのＲＭＳずれを約５００ｎｍ未満とすることができるか、又はＲＭＳ粗さを約３０ｎｍ未満とすることができる。曲率半径が約２０ｍｍ未満である単結晶ダイヤモンド素子も開示される。一態様では、約１０°よりも大きな円錐半角を有する単結晶ダイヤモンド素子について説明されている。本発明は、さらに、単結晶ダイヤモンド素子上に回転対称面を形成する方法を提供し、この方法は、第１の軸を中心として素子を回転することと、第１の軸に垂直な方向でレーザー光線を素子に当てることと、光線の方向に垂直な平面の２次元内でレーザー光線を平行移動することとを含む。２次元経路が円弧を辿る場合、球面が形成されうる。本発明は、さらに、高速回転しているカップを低速回転している素子上に押し付けることにより単結晶ダイヤモンド素子上の球面を改善することも提供する。素子は、レンズ、特に固体油浸レンズとすることができる。
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【課題】 医薬品の添加剤やキャリアなどの機能材料素材として利用可能なダイヤモンド微粉を提供する。
【解決手段】 単結晶質ダイヤモンド粒子を粉砕・分級してＤ₅₀平均粒度1μｍ以下の出発ダイヤモンド微粉とし、封鎖された容器に入れて150〜500℃に保持し、塩素ガスを流入させダイヤモンド粒子と接触させて粒子の表面に塩素を化学吸着させ、ダイヤモンドに対して0.2質量％以上の塩素が吸着したダイヤモンド微粉塩素終端ダイヤモンド微粉とする。 （もっと読む）

例えば、光学用途に適している、ハイカラーを有するＣＶＤダイヤモンド層を形成する方法。この方法は、第１の種類の不純物原子がＣＶＤ合成雰囲気中に存在することにより引き起こされるカラーに対する悪影響に対抗するために第２の種類の不純物原子種を含む気体源を加えることを含む。説明される方法は、単結晶ダイヤモンド及び多結晶ダイヤモンドの両方の生成に適用される。 （もっと読む）

【課題】 より微細な構造の形成を行うことの出来る、熱化学加工法による炭素材料の処理方法を提供すること。
【解決手段】
炭素材料１の処理面に単結晶金属薄膜２を成膜する第１の工程と、該炭素材料１に対して熱処理を行って熱化学加工を行う第２の工程とを有する炭素材料１の処理方法において、当該第１の工程がスパッタリングの工程により行われ、当該スパッタリングの工程は、０.０１Ｐａ〜１０Ｐａの圧力下で該炭素材料１を６００〜１８００℃に加熱しながら、２００〜１０００Ｗのスパッタ電力を印加して該炭素材料１上に単結晶金属薄膜２を成膜させる工程であることを特徴とする炭素材料１の処理方法である。 （もっと読む）

本発明は、ダイヤモンドの製造のための方法であって、被覆されたダイヤモンド種結晶を作製するために、ダイヤモンド種結晶上に溶媒金属又は溶媒金属合金の第１被覆体を形成する段階と、被覆されたダイヤモンド種結晶を、溶媒金属及び／又は炭素源を備える触媒系に近接して位置させる段階と、被覆されたダイヤモンド種結晶及び触媒系を高い温度にさらす段階とを含み、第１被覆体の融点が、触媒系の融点よりも少なくとも２０℃低い方法に関する。本発明は、更に、複数のダイヤモンド種結晶を含む成形体であって、少なくとも１つの種結晶が、溶媒金属及び／又は溶媒金属基合金を含む第１被覆体を含み、成形体が、更に、溶媒金属及び／又は炭素源を備える触媒系を備え、第１被覆体の融点が、触媒系の融点よりも少なくとも２０℃低い成形体に関する。
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【課題】二酸化炭素を溶解した水溶液を用いることで、化学薬品を用いて処理したダイヤモンドと同等の表面状態を有した表面改質ダイヤモンド粒子とその製造方法を提供する。
【解決手段】温水中に二酸化炭素を溶解した二酸化炭素飽和水溶液を用いることを特徴とする表面改質工程が提供される。表面改質工程では、適正温度２０℃〜１００℃、適正処理時間１ｈ〜２４ｈである。 （もっと読む）

本発明は、高圧高温ダイヤモンドまたは立方晶窒化ホウ素の合成で好適に用いられる顆粒または材料を脱結合材化および／または精製するための方法に関する。本方法は、雰囲気および温度が連続的に制御されるゾーンを通して顆粒または材料を通過させるステップを含み、ゾーン内の最高温度は約６００℃を超え、ゾーン内に各顆粒が滞在する時間が３０分未満である。 （もっと読む）

機能性ナノ粒子の懸濁液またはコロイド溶液で充填されたカーボンナノチューブ、および機能性ナノ粒子で充填されたカーボンナノチューブの製造のための方法を提供する。
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【課題】 比較的マイルドな工程を用いて高純度、高収率でナノダイヤモンド粉末を得ることのできるダイヤモンド精製方法及びこれにより得られるナノダイヤモンドを提供する。
【解決手段】ダイヤモンド精製方法は、ダイヤモンド表部を覆う表部炭素不純物その他の不純物を有する粗ダイヤモンドを、酸素を含んだ雰囲気下で加熱酸化する加熱酸化工程と、前記表部炭素不純物とダイヤモンドとの硬度差に基づく解砕により前記表部炭素不純物を剥離する剥離工程と、前記剥離された表部炭素不純物とダイヤモンドとの比重差または形状差に基づき表部炭素不純物とダイヤモンドとを分離する分離工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】不純物濃度が小さくしかも基板に対し垂直方向に配向したカーボンナノチューブを製造することができるマイクロ波プラズマ化学気相堆積装置とカーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】
内部にプラズマを生成することのできる真空容器と、直流電圧又は高周波電圧が印加される制御電極と、直流電圧又は高周波電圧が印加されると共に基板を保持する基板ホルダーと、前記真空容器内部にガスを導入及び排出するためのガス導入口及びガス排出口とを備えた化学気相成長装置であって、前記真空容器の内部に生成されたプラズマが前記制御電極を介して基板ホルダーに達する位置に、制御電極及び基板ホルダーが設置されているように構成する。 （もっと読む）

【課題】高い表面平滑性及び導電性を有するダイヤモンド膜及びその製造方法を提供すること。また、電極材料としてダイヤモンド膜を用いた、高感度かつ低コストの電気化学素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基体上に合成されてなるダイヤモンド膜であって、Ｘ線回折により得られる結晶面（ミラー指数）が（２２０）と（１１１）とに対応するピークの強度比、すなわち（２２０）／（１１１）が、０．４以下であるダイヤモンド膜を提供する。このダイヤモンド膜は、基板上に、炭化水素、水素、及び窒素源ガスを含む原料ガスを用い、かつ、炭化水素に対する窒素源ガスの流量比が０．０４以上であるＣＶＤ法により製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 DNA等を固定可能であって、良好な分散性を示す超分散ダイヤモンド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 (a) 一次粒径の平均が１〜50 nmのの超分散ダイヤモンドと強酸を反応させ、もって前記超分散ダイヤモンドを酸化させる工程と、(b) 酸化させた超分散ダイヤモンドに塩基性溶液を加えて中和する工程と、(c) 酸性溶液を加えて混合する工程とを有し、各工程の後で溶液から超分散ダイヤモンドを超遠心分離することを特徴とするカルボキシル基修飾超分散ダイヤモンドの製造方法。 （もっと読む）

【課題】
新規な炭素材料と、その製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
ダイヤモンド構造を有する多面体の結晶が繊維状に連結してなる炭素材料である。この炭素材料は、超臨界状態にした二酸化炭素中でプラズマ放電を行うことにより製造することができ、耐摩耗性材料、分散強化材料、水素吸蔵材料、電子線放射エミッター、ダイヤモンド半導体その他の電子材料等として用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 研磨性能がよく強固な凝集を生じにくい、Ｄ50値が50nm未満のダイヤモンド微粉を提供する。
【解決手段】1. Ｄ50値が50nm未満の単結晶質ダイヤモンド粒子の集合体であって、粒子の表面が一部、非ダイヤモンド構造炭素に転化され、かつ粒子間には、加熱操作時に生成した非ダイヤモンド構造炭素が介在する。2. 単結晶質原料ダイヤモンドを機械的な衝撃破砕手段によって粉砕し、さらに精密分級工程でＤ50値が50nm未満のダイヤモンド微粉とし、カーボン発生剤の溶液乃至分散液に浸して粒子表面にカーボン発生剤を付着せしめ、不活性雰囲気中800〜1400℃で加熱し、この際、予め生成した或はその場でカーボン発生剤から生成する非ダイヤモンド構造炭素をダイヤモンド粒子間の分離剤とすることで、粒子の凝集を効果的に回避する、上記のダイヤモンド微粉の製造法。 （もっと読む）

本発明は、多くの生き物の外胚葉に見出されるケラチン由来の炭素を用いて様々な色の大型ダイヤモンド単結晶を製造する方法に関する。炭素は、ヒトから毛髪の房を切り取り、この毛髪を炭化した後、高圧高温工程に暴露することによって抽出することができる。 （もっと読む）

【課題】 高価で特殊なダイヤモンド製造用装置を使用しなくても、天然のダイヤモンドと同様の結晶構造を有したダイヤモンドが製造可能な方法を提供する。
【解決手段】 本発明のダイヤモンドの製造方法は、松や杉などの樹木を燃した際に生じるタールを釜に入れて加熱することにより、空消状の炭化物を製造する工程Ａと、工程Ａにて得られた空消状の炭化物を粉砕し、得られた粉砕物をヨウ化メチレンの中に投入して上澄み部分を除去し、ヨウ化メチレンに沈降した沈降物を取り出した後、水で洗浄し、当該沈降物の中から黒色の多面状結晶物だけを選別する工程Ｂと、工程Ｂで得られた多面状結晶物を、無色透明の結晶物となるまで加圧せずに常圧下で４００〜６００℃の温度にて加熱する工程Ｃを含み、１カラット程度の大きさのダイヤモンドを製造する場合の工程Ｃの加熱時間は約２年である。 （もっと読む）

白熱灯および蛍光灯の代用品としての発光ダイオードなどのためにダイヤモンド基板上に窒化ガリウムデバイスを形成する。一つの実施形態として、少なくとも２つの方法でダイヤモンド上に窒化ガリウムダイオード（もしくは他のデバイス）を形成する。第１の方法は、ダイヤモンド上に窒化ガリウムを成長させ、その窒化ガリウム層にデバイスを設けることを含んでいる。第２の方法は、ダイヤモンド上に窒化ガリウム（デバイスもしくはフィルム）を接合し、接合した窒化ガリウム上にデバイスを設けることをともなっている。これらのデバイスは、白熱光や蛍光よりもかなり効率がよく、他の技術よりも光密度もしくはエネルギー密度がかなり高い。同様の方法および同様の構造により他の窒化ガリウム半導体デバイスをつくることができる。 （もっと読む）

【課題】 従来のダイヤモンド電極より多数の微細孔を有し、電極活性の高いダイヤモンド電極の製造方法を提供する。
【解決手段】 ダイヤモンド層に析出させた金属粒子を、還元ガス雰囲気中で熱処理することにより、前記金属を触媒とする炭素還元反応を進行させ、前記ダイヤモンド層の表面に微細孔を形成させる。ダイヤモンド層表面に担持した金属粒子を利用するため、原子レベル又はそれに近いレベルで微細孔が形成されたダイヤモンド層やダイヤモンド粒子が得られる。 （もっと読む）

【課題】 表面が平坦で且つ表面に非配向結晶が存在せず、従来よりも薄い膜厚で結晶粒径を大きくすることができる高配向ダイヤモンド膜及びその製造方法並びに高配向ダイヤモンド膜を備えた電子デバイスを提供する。
【解決手段】 原料ガスとしてメタン及び水素の混合ガスを使用して、ＣＶＤ法により、基板３上にダイヤモンド結晶を｛１１１｝セクタ成長させてダイヤモンド層１を形成する。次に、原料ガスとしてメタン、水素及び酸素の混合ガスを使用し、プラズマＣＶＤ法により、ダイヤモンド層１上にダイヤモンド結晶を｛１００｝セクタ成長させてダイヤモンド層２を形成する。このとき、原料ガスの圧力を１３３ｈＰａ以上とし、原料ガスの組成を（［Ｃ］−［Ｏ］）／［ＣＨ_３＋Ｈ_２＋Ｏ_２］が−０．２×１０^−２以上で且つ［Ｏ］／［Ｃ］が１．２以下になるようにし、更に、基板温度を７５０℃を超え１０００℃未満とする。 （もっと読む）