【課題】炭素系素材及び炭素系コーティング膜を表面にもつ部品等の所定部位を選択的にかつ効率的に物質除去し、所定の寸法、形状の除去範囲を獲得する。
【解決手段】グラファイト、グラッシー・カーボン、アモルファス・カーボン（ダイヤモンド・ライク・カーボンを含む）、カーボン・ナノ・チューブ、フラーレン、焼結ダイヤモンド、天然ダイヤモンドのいずれか又はそれを含む炭素系素材又はそれらの炭素系素材からなる部品若しくは部材において、任意に選択した表面部位に、原子状酸素３あるいは活性化酸素あるいは酸素系イオンのいずれか一つ又は複数を同時に、室温以上で処理対象素材の軟化点以下の温度のもとで付与することにより、所定の寸法、形状にまで，上記任意に選択した表面部位の上記炭素系物質を除去する炭素系物質除去方法とする。 （もっと読む）

例えば、熱及び／又は化学ガスを封じ込めるための封じ込めシステム、例えば、遮断セグメント、遮蔽セグメント及び／又は分割セグメントを含むことができる炭素系封じ込めシステムが記載されており、各セグメントは壁を形成する壁パネル等の複数のパネルとすることができる。
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本発明は、平均粒子径が１０ｎｍ以下のダイヤモンド粒子を含有する凝集構造体からダイヤモンド粒子を得るための方法であって、前記凝集構造体をガス雰囲気下で加熱することにより当該凝集構造体から前記ダイヤモンド粒子を得る方法に関する。枢要な点は、前記凝集構造体は少なくとも８０％の割合の水素ガスを含む反応性ガスのガス雰囲気下で加熱されることである。
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【課題】本発明は、金属めっき皮膜中に平均粒径１ｎｍ〜１０００ｎｍのダイヤモンド微粒子を均一に分散共析させ、耐摩耗性、自己潤滑性等の機能を付与することが可能な複合めっき液の製造方法を提供する。
【解決手段】親水性ポリマー又はイオン性官能基が導入された平均粒径１ｎｍ〜１０００ｎｍのダイヤモンド微粒子をイオン性又は非イオン性の界面活性剤とともに分散させた分散液を金属めっき液に添加して、ダイヤモンド微粒子を安定して分散させた複合めっき液を製造する。 （もっと読む）

【課題】光デバイス若しくは素子中に、又は光デバイス若しくは素子として、使用するのに適したＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料を提供する。
【解決手段】低く均一な複屈折性、均一で高い屈折率、歪みの関数としての低い誘起複屈折性又は屈折率変動、低く均一な光吸収、低く均一な光散乱、高い光（レーザ）損傷閾値、高い熱伝導率、高度な平行度及び平坦度を有しながら高度の表面研磨を示す加工性、機械的強度、磨耗抵抗性、化学的不活性等の特性の少なくとも１つを示すＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料であって、前記ＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料の製造方法は実質上結晶欠陥のない基板を提供するステップと、原料ガスを提供するステップと、原料ガスを解離して、分子状窒素として計算して３００ｐｐｂ〜５ｐｐｍの窒素を含む合成雰囲気を作るステップと、実質上結晶欠陥のない前記表面上にホモエピタキシャルダイヤモンドを成長させるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】従来技術と比較して、室温で十分に高いキャリア濃度を有するダイヤモンド半導体及び作製方法を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド基板１１（図５（ａ））上にマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用い、メタンを反応ガスとし、基板温度７００℃でダイヤモンド薄膜１２を１ミクロン積層する（図５（ｂ））。ダイヤモンド薄膜１２にイオン注入装置を用い、不純物１（ＶＩ族又はＩＩ族元素）を打ち込む（図５（ｃ））。その後、不純物２（ＩＩＩ族又はＶ族元素）を打ち込んだが（図５（ｄ））、注入条件は、打ち込んだ不純物がそれぞれ表面から０．５ミクロンの厚さの範囲内で、１×１０¹⁷ｃｍ^-3となるようにシミュレーションにより決定した。その後、２種類のイオンが注入されたダイヤモンド薄膜１３をアニールすることにより（図５（ｅ））、イオン注入された不純物の活性化を行い、ダイヤモンド半導体薄膜１５を得た（図５（ｆ））。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、ポリマーとの馴染みを向上させ、ポリマーと化学結合できる表面修飾ナノダイヤモンドおよびその製造方法ならびに該ナノダイヤモンドを含有する樹脂組成物を硬化した硬化物からなるフィルムを提供することを目的とする。
【解決手段】
表面に水酸基、アミノ基又はカルボキシル基から選ばれる１種以上の極性基を有する、平均粒子径１００ｎｍ以下のダイヤモンド粒子（ａ）と該極性基と反応する官能基及び重合可能な官能基を有する化合物（ｂ）を反応させ得られた表面修飾ダイヤモンド。その表面修飾ダイヤモンドを含有する硬化性樹脂組成物を乾燥させた塗膜からなるフィルム。 （もっと読む）

【課題】
超硬合金を始めとする工具材料、或いは鉄族金属から成る構造材料などの基礎部材上に、部材成分等の影響を受けない状態でダイヤモンド膜を形成する技術を提供すること。
【解決手段】
本発明に係る析出用基体は、硬質材料からなる基礎材に、種子ダイヤモンド結晶をマトリックス中に保持含有する被覆層が表面に接合されたＣＶＤダイヤモンド析出用基体であって、(1) 前記種子ダイヤモンド結晶としてのダイヤモンド粒子の平均粒径が1μm以下であり、(2) マトリックスがＳi、Ｔi、Ｚr、Ｈf、Ｖ、Ｎb、Ｔa、Ｃr、Ｍo、Ｗからなる第一金属群から選ばれる１種以上の第一金属種及び／又は、該第一金属種とホウ素、炭素又はチッ素から選ばれる非金属物質との化合物である第一金属化合物を含有し、上記ダイヤモンド粒子は該マトリックス中に分散され、(3) 上記硬質材料と被覆層との接合部に、上記第一金属種の金属原子及び硬質材料を構成する金属原子、或いはその一方の拡散によるに拡散層が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

基材（例えばシリコン基材など）上に形成される、炭素と金属触媒を含むナノ構造体と、（他にも有用な修飾があるが）ナノ構造体を保護し、そして水性環境において酸化剤の存在下にてナノ構造体を安定にする組成物とを接触させる。保護されたナノ構造体は、長期間にわたって安定となり、これにより例えば、水中の電気化学種（例えば、遊離塩素、全塩素、またはこれら両方など）を検出するための電極の構成成分としての有用性を長期間保持する。 （もっと読む）

【課題】酸素または水素雰囲気中でのレーザーアブレーションにより金属などの異種基板に対して良好なダイヤモンド膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】酸素または水素雰囲気中で、グラファイト、アモルファスカーボン、グラッシーカーボン、またはダイヤモンドからなる炭素ターゲットに、５０ｎｓ以下のパルス幅でレーザー光を照射し、レーザーアブレーションによって前記ターゲットから炭素粒子を飛散させて基板上に堆積させ、パルス毎に堆積粒子の過飽和状態を形成して前記基板上にダイヤモンド膜を形成する方法において、前記基板に負バイアスを印加した状態で前記レーザー光を照射する。 （もっと読む）

【課題】大型化が可能であって、回収が容易となる光反応触媒を用いたシステム及びその製造方法を提供する。
【解決手段】植物に、超微粒ダイヤモンドを内部に取り込ませたものとする。直この場合において、超微粒ダイヤモンドの表面に光反応触媒が担持されていることが好ましい。また、光反応触媒は、超微粒ダイヤモンドと光反応触媒の合計重量を１００重量部とした場合、光反応触媒を０．１重量部以上２０重量部以下の範囲で含むことが好ましい。
また、超微粒子ダイヤモンドを内部に取り込んだ植物を製造する方法であって、平均分散粒子径が１０ｎｍ以下の超微粒ダイヤモンドが分散された溶液に植物を浸して前記超微粒ダイヤモンドを内部に取り込ませる工程を有する。またこの場合において、超微粒ダイヤモンドは、溶液の重量を１００重量部とした場合に、８０重量部以下の範囲で含むことが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、シリコン含有ダイヤモンド状炭素薄膜、その製造方法、及びその用途に関し、シリコン含有ダイヤモンド状炭素薄膜は、内部及び表面にシリコンを含有するダイヤモンド状炭素薄膜の表面に、その薄膜の表面に存在する炭素及びシリコン原子とその薄膜の表面に親水性を付与する原子（Ａ）間の化学結合を有することを特徴とする。
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【課題】本発明は、ダイヤモンド薄膜の生長装置に関する。
【解決手段】本発明のダイヤモンド薄膜の生長装置は、入気口及び排気口を有する反応室と、前記排気口によって前記反応室に連接された真空装置と、前記入気口と対向して間隔を置いて前記反応室の中に設置された支持体と、前記入気口と前記支持体との間に設置されたホットフィラメントと、を含む。前記ホットフィラメントが少なくとも一つのカーボンナノチューブワイヤからなり、該カーボンナノチューブワイヤが複数のカーボンナノチューブからなる。 （もっと読む）

焼成凝集体に混入する異物量を抑えつつ、内部が密に充填され、研磨粒子が均一に分散された構造を有する焼成凝集体を作製する、焼成凝集体の製造方法。ガラスフリット、研磨粒子及び水溶性多糖類を含有するスラリーを金属塩含有溶液と接触させることにより凝集体を調製する工程と、この調製した凝集体を焼成する工程と、を含む、焼成凝集体の製造方法。

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本発明は、パルスパワーによって材料を再利用する方法であって、パルスパワーによって、周囲液体及び再利用される材料を収納する反応器内の少なくとも２つの電極間で、一連の電気放電が生成される、方法において、一連の上記電気放電は、エネルギー、該電気放電の周波数の結果として、並びに電極間の電圧及びスイッチング時間の結果として、反応器内で処理される材料にわたって伝搬する機械的衝撃波を生成することと、該方法の実施中に、上記周囲液体は、連続的な冷却システム又はカルーセル冷却システムによって冷却されることと、を特徴とし、該方法は、ナノ粒子の生成を可能にする、方法に関する。
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【課題】 グラファイト相を有するナノダイヤモンドから、グラファイト相を効率的に、高い割合で、かつ低コストで除去するナノダイヤモンドの精製方法、及び高純度の精製ナノダイヤモンドを提供する。
【解決手段】 グラファイト相を含有し、動的光散乱法で求めたメジアン径が250 nm以下のナノダイヤモンドを精製する方法であって、(1) 酸素と水及び／又はアルコールからなる処理溶媒とが共存する流体中で、グラファイト相を有するナノダイヤモンドを、上記処理溶媒の標準沸点以上の温度及び一気圧（ゲージ圧）以上の圧力で亜臨界処理又は超臨界処理するか、(2) 酸性化合物を含む溶液により、グラファイト相を有するナノダイヤモンドを超臨界処理する方法。 （もっと読む）

【課題】放電機械加工（ＥＤＭ）及び放電研削（ＥＤＧ）における切削性を向上させる超硬質半導電性多結晶ダイヤモンド（ＰＣＤ）材料を提供すること。
【解決手段】Ｌｉ、Ｂｅ及びＡｌをドープされた半導電性ダイヤモンド粒子及び／又は半導電性表面を有する絶縁性ダイヤモンド粒子で形成された超硬質で半導電性のＰＣＤ材料が提供され、この材料を取り込まれた工具、及びこの材料の製作方法が提供される。この超硬質ＰＣＤ材料は、添加剤を含む絶縁性ダイヤモンド粒子原料の層を使用し、複数のダイヤモンド結晶を半導電性表面を含むように変換するよう焼結することにより製作することができる。あるいは、超硬質ＰＣＤ材料は、Ｌｉ、Ａｌ又はＢｅをドープされたダイヤモンド結晶からなる半導電性ダイヤモンド粒子原料を焼結して製作される。 （もっと読む）

【課題】切削バイト等に用いるための、高強度で耐熱性に優れ、熱伝導率が低く切削点での温度を高く保ち、難削材の切削において高い切削性能が得られるダイヤモンド多結晶体を提供する。
【解決手段】非ダイヤモンド型炭素原料を超高圧・超高温下で焼結助剤や触媒の添加なしに直接変換して得られる９５質量％以上がダイヤモンドからなる多結晶体であり、ダイヤモンドの粒子のＤ９５粒径が１００ｎｍ以下で、かつ平均粒径が５０ｎｍ以下であり、ダイヤモンド粒子が３次元的に結合して気孔が形成されており、気孔率が１〜３０ｖｏｌ％であることを特徴とするダイヤモンド多結晶体。 （もっと読む）

本発明は、材料表面に炭素、シリコン、及びゲルマニウムから選択される元素が含まれる該材料上への化合物のグラフティング方法に関する。本グラフティング方法は、ａ）表面に、少なくとも１個の水素原子を有するｓｐ^３混成軌道炭素原子、シリコン原子、及び又はゲルマニウム原子が含まれる材料を供給する工程、及びｂ）工程ａ）において供給された材料を溶媒中において少なくとも１個の未プロトン化アミン官能基を含む化合物（Ｃ）と接触させて該化合物（Ｃ）を前記表面上へグラフティングする工程から構成される。 （もっと読む）

ファンシーな淡い青色又はファンシーな淡い青色／緑色のCVDダイヤモンド材料の製造方法を開示する。本方法は、CVDプロセスで成長した単結晶ダイヤモンド材料に電子を照射して、ダイヤモンド材料中に孤立空孔を導入する工程を含み、照射されたダイヤモンド材料は(又はさらなる照射後処理後に)、全空孔濃度[V_T]×経路長Lが少なくとも0.072ppm・cm、多くても0.36ppm・cmになるような全空孔濃度[V_T]及び経路長Lを有し、かつダイヤモンド材料はファンシーな淡い青色又はファンシーな淡い青色／緑色になる。ファンシーな淡い青色のダイヤモンドをも開示する。 （もっと読む）