【課題】従来、切削工具などに用いられてきたダイヤモンド焼結体は、焼結助剤として鉄系金属元素を含むため、耐熱性に問題があった。また、鉄系金属を含まないダイヤモンド焼結体では、機械的強度が不足して、工具材料としては使用できなかった。
【解決手段】グラファイト型炭素材料を機械的に粉砕し、超微粒状態にして出発原料とし、それ以外の添加物を加えずに超高圧高温状態でダイヤモンドへの変換と焼結を同時に行い、耐熱性および機械的強度に優れる、ダイヤモンド多結晶体を得る。 （もっと読む）

【課題】有機溶媒に可溶なナノダイヤモンドとその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノダイヤモンドを水素で還元して水素化した後、アンモニアと反応させてアミノ基で表面修飾されたナノダイヤモンドとする。さらにアミノ基で表面修飾されたナノダイヤモンドをハロゲン化アルキルと反応させることにより有機溶媒に可溶なナノダイヤモンド。ナノダイヤモンドは、表面に−Ｘ−Ｒ基（Ｘはヘテロ原子含有基、Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基、置換アルキル基、アリール基、または置換アリール基を表す）を有する。 （もっと読む）

【課題】電荷移動速度、安定性及び／又は電気化学的特性の再現性の点において改善された特性を有する、ホウ素化ダイアモンドに基づく電極、より一般的にはドープされた又はドープされていないダイアモンドに基づく電極を得ること。
【解決手段】本発明は、ダイアモンド系電極を活性化するためのプロセスに関し、このプロセスは、イオン性電解質を含有する水溶液の存在下、該電極を１０μＡ／ｃｍ^２から１ｍＡ／ｃｍ^２の間のアノード及びカソード電流密度を得るために振幅を増大させる交互カソード及びアノード分極電位に供することから構成される工程を含む。本発明はまた、このプロセスによって活性化されたダイアモンド系電極、及びそれらの使用に関する。
（もっと読む）

本発明は、ダイヤモンド基材と、炭化物形成元素の第１の炭化層と、第１の層からの炭化物形成元素を実質的に含まないである、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、又はその任意の組合せ若しくは合金から選択される高融点金属の第２の層と、第２の層の金属が、オーバーコーティングの金属と異なる、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｒｅ、その任意の組合せ又は合金のオーバーコーティングとを含むコーティングされたダイヤモンドに関する。本発明は、さらに、このようなコーティングされたダイヤモンド及びこのようなコーティングされたダイヤモンドを含む研磨材含有工具の製造方法に関する。
（もっと読む）

【課題】基板に形成した気相ダイヤモンド薄膜あるいは基板を除去した自立ダイヤモンド薄膜（箔又は板）に存在する歪み、欠陥、色などを効果的に除去又は減少させ、あるいは配向性多結晶又は単結晶体へと改質できるダイヤモンド薄膜の改質方法及び薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド等の黒鉛化を防止できる真空中、不活性ガス、還元性ガス、あるいはこれらの混合ガス等の雰囲気で、ダイヤモンド薄膜に１ＧＨｚ〜５００ＧＨｚのマイクロ波を照射して加熱し、たとえば、レーザーなどにより受けた損傷部を回復させるなど、ダイヤモンド薄膜を改質する。ダイヤモンド薄膜の膜厚方向に沿って、０．１μｍ以上のラマン分光法で評価したダイヤモンドスペクトルの半価幅がほぼ一定である改質された膜厚み領域を有し、その半価幅は膜厚み残部の同最大半価幅の８５％以下であるダイヤモンド薄膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】鉄基合金上に密着性良くダイヤモンド膜が被覆されたダイヤモンド膜被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１上にタングステンから成る中間層１０と、中間層１０上にダイヤモンド膜を被覆する。また中間層１０上は溝部３によって分割された微小区域４を有し、微小区域４の表面上の最長距離８を１００μｍを超え４５０μｍ未満とする。さらに、溝深さ１２を１０μｍ以上中間層厚さ１１以下とする。また、溝部３によって分割された微小区域４と隣接する微小区域４との最短距離２を１０μｍ以上とする。 （もっと読む）

高温高圧プロセスによって成長させた、窒素で置換され、窒素が孤立して存在しているダイヤモンドから、窒素空孔中心を含むダイヤモンドを製造する方法であって、
−照射線量が１ｃｍ^２当たり１０^１７個から１０^１９個の電子になるように、前記ダイヤモンドに電子ビームを照射するステップ（１２）と、
−電子ビームを照射したダイヤモンドを、真空中または不活性雰囲気中で、７００℃を超える温度で少なくとも１時間アニールするステップ（１４）とを含み、
前記電子ビームが、７ＭｅＶを超える加速エネルギーを有することを特徴とする方法。
（もっと読む）

ＰＣＤ体の生成方法は、結合剤相の供給源と、２μｍ未満の粒径を有する細粒状のダイヤモンド粒子の領域との間に、粗いダイヤモンド粒子の領域を提供するステップを含む。結合剤相は、ＰＣＤを生成するのに適した高温及び高圧条件下で、粗いダイヤモンド粒子の領域を介してダイヤモンド塊に溶浸する。本発明はさらに、本発明の方法によって製造されるＰＣＤダイヤモンド複合体を提供し、そのＰＣＤ体は異常なダイヤモンドの成長を実質的に含まない。
（もっと読む）

【課題】ダイヤモンド層を丸鋸基板の外周縁部に側面方向から固着することにより、すくい角面の研磨量を少なくしつつ再研磨が容易に行えてコスト的に有利なダイヤモンドチップソー、あるいは、ダイヤモンド層の面積を少なくして、その使用の無駄を省きコスト的に有利なダイヤモンドチップーを提供する。
【解決手段】丸鋸基板の外周縁部に設けたチップ固着用凹部に超硬合金とダイヤモンド層を有するチップがロー付け固着されたダイヤモンドチップソーであって、チップは、そのダイヤモンド層が丸鋸基板の側面と平行となるように丸鋸基板のチップ固着用凹部に固着される。また、チップが略直方体形状に形成されてその一面にダイヤモンド層が設けられると共に、該ダイヤモンド層が丸鋸基板の側面側に位置したり、ダイヤモンド層が丸鋸基板の両側面側と回転方向側に位置するようにして固着される。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングによって製造されるダイヤモンド構造体側壁の表面粗さの制御方法を提供する。
【解決手段】試料ホルダーＰ５に保持されたダイヤモンド試料Ｐ１をドライエッチングする方法において、ダイヤモンド試料Ｐ１と試料ホルダーＰ５の間に第3の層Ｐ３を形成して、ダイヤモンド試料Ｐ１の側壁の表面粗さを制御する。また、エッチングガス雰囲気中におけるダイヤモンド試料Ｐ１の表面温度を−１５０〜８００℃の範囲で制御する。 （もっと読む）

【課題】 地球上に自然に存在する炭酸塩含有物質から、少なくとも粉末状炭素を含む粉末状物質を生成する方法を提供すること。
【解決手段】 炭酸塩含有物質に衝撃波パルスレーザーを印加して、少なくとも粉末状炭素を含む粉末状物質を生成する、パルスレーザーによる物質生成方法。また、以下の実施態様を有する。炭酸塩含有物質は地殻由来物質である。炭酸塩含有物質は炭酸カルシウム含有物質である。粉末状炭素は、少なくとも粉末状石墨炭素、粉末状不定形炭素、粉末状ダイヤモンドのいずれか１つを含む。粉末状物質は粉末状炭素以外の粉末状物質を更に含む。粉末状物質は不定比化合物を含む。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド粒子を核に持ち、高耐性で表面積が広く、プロセス適性に優れたらせん状ナノ炭素材料複合体とその製造方法並びにそれを用いた電子放出素子と面発光素子等の電子デバイスを提供する。
【解決手段】らせん状ナノ炭素材料複合体１は、ダイヤモンド粒子２と、ダイヤモンド粒子の表面に直接或いは金属又は金属化合物を介して形成したらせん構造を有するナノ炭素材料３と、からなる。らせん状ナノ炭素材料複合体を用いた電子放出素子は、基体と基体上に設けた導電層と、ダイヤモンド粒子に直接又は金属若しくは金属化合物を介してらせん構造を有するナノ炭素材料を形成してなるらせん状ナノ炭素材料複合体とを含み、らせん状ナノ炭素材料複合体が導電層上に設けられ、強電界により電子を放出する。この電子放出素子を用いて面発光素子を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】ナノダイヤモンド微粒子を薄膜層中の結晶粒界上に分散した、耐水素脆性、耐食性に優れたナノダイヤモンド微粒子−金属共析膜を提供すること、また、電気めっき浴を用いて、めっき法により、耐水素脆性、耐食性に優れたナノダイヤモンド微粒子−金属共析膜を作製する改善された方法を提供すること。
【解決手段】層中にナノダイヤモンド粒子を分散した貴金属の薄膜層（以下単に「貴金属複合薄膜層」という）であって、該ナノダイヤモンド粒子は、１００ｎｍを超える粒径のダイヤモンド粒子の数平均存在率が実質零％であり、２ｎｍ未満の粒径のダイヤモンド粒子の数平均存在率が実質零％であり、該貴金属薄膜層の結晶粒界に析出したものであり、該ナノダイヤモンド粒子は貴金属複合薄膜層中に０．０１ wt%から６ wt%含有され、該貴金属薄膜層は５％フッ化水素水による腐食試験において、１００時間以上腐食しないものであることを特徴とするナノダイヤモンド−貴金属複合薄膜層。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド粒子を核に持ち、高耐性で表面積が広くプロセス適性に優れたコイン積層状ナノ炭素材料複合体と製造方法並びにそれを用いた電子デバイスを提供する。
【解決手段】コイン積層状ナノ炭素材料複合体１は、ダイヤモンド粒子２とダイヤモンド粒子の表面に直接或いは金属又は金属化合物を介して形成したらせん構造を有するナノ炭素材料３とからなる。コイン積層状ナノ炭素材料複合体を用いた電子放出素子は、基体上に設けた導電層と、ダイヤモンド粒子に直接又は金属若しくは金属化合物を介してコイン積層構造を有するナノ炭素材料を形成したコイン積層状ナノ炭素材料複合体とを含み、コイン積層状ナノ炭素材料複合体が導電層上に設けられ、強電界により電子を放出する。この電子放出素子を用いて面発光素子とすることができる。 （もっと読む）

本発明は、アスペクト比が少なくとも1.5の単結晶ダイヤモンド種子を利用する、単結晶ダイヤモンドを合成するためのHPHT法に関する。アスペクト比が少なくとも1.5の単結晶ダイヤモンド種子及び上記方法で得られる合成単結晶ダイヤモンドについても述べる。成長表面は、該成長表面の平面内の＜100＞又は＜110＞方向に沿って実質的に整列している。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドを主材料として有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であって、高周波動作、高電流密度化に好適であると共に、閾値電圧の制御性に優れ、素子特性のウェーハ面内バラツキ、ロット間バラツキが小さいＦＥＴの提供。
【解決手段】基板１０、ダイヤモンド半導体層１１、化合物半導体層１２がこの順で形成された電界効果トランジスタにおいて、ダイヤモンド半導体層１１を（１１１）面ダイヤモンドにより構成すると共に、化合物半導体層１２を（０００１）面の六方晶化合物半導体、あるいは、（１１１）面の立方晶化合物半導体により構成する。これにより、電子供給層のダイヤモンド半導体層との界面には、自発性分極効果またはピエゾ分極効果に起因した正の固定電荷を有すると共に、電子供給層とダイヤモンド半導体層の界面近傍には２次元電子ガス１３が生成される。 （もっと読む）

本発明は、結合ダイヤモンド粒子の第１相、並びにその第１相に散在する第２相を含む多結晶ダイヤモンド材料のためのものである。第２相は、金属の形態のバナジウム、炭化バナジウム又はバナジウムタングステンカーバイド又はこれらの形態の２つ以上を含有し、多結晶ダイヤモンド材料中に、その材料に対して１〜８質量パーセントの範囲で存在することができる。 （もっと読む）

【課題】従来の単結晶ダイヤモンドのような劈開ワレの問題がなく、Ｘ線や赤外光等に対し高強度で強靱であり、かつ大型で安価な耐圧窓を提供する。
【解決手段】非ダイヤモンド型炭素物質を含む原料組成物を、超高圧高温下で、焼結助剤及び触媒の添加なしに、直接的にダイヤモンドに変換焼結した、実質的にダイヤモンドのみからなる多結晶ダイヤモンドによって形成された耐圧窓であって、多結晶ダイヤモンドが、最大粒径が１００ｎｍ以下かつ平均粒径５０ｎｍ以下の微粒ダイヤモンド結晶と、粒径５０ｎｍ〜１００００ｎｍの板状もしくは粒状の粗粒ダイヤモンド結晶との混合組織を有する。 （もっと読む）

【課題】従来の単結晶ダイヤモンドのような劈開ワレやチッピング、高温下での塑性変形の問題を抑止し、高強度で強靱なダイヤモンド圧子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、非ダイヤモンド型炭素物質を含む原料組成物を、超高圧高温下で、焼結助剤及び触媒の添加なしに、直接的にダイヤモンドに変換焼結した、実質的にダイヤモンドのみからなる多結晶ダイヤモンドによって形成されたダイヤモンド圧子であって、当該多結晶ダイヤモンドが、最大粒径１００ｎｍ以下かつ平均粒径５０ｎｍ以下の微粒ダイヤモンド結晶と、粒径５０ｎｍ〜１００００ｎｍの板状もしくは粒状の粗粒ダイヤモンド結晶との混合組織を有する高硬度ダイヤモンド圧子である。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド基板上にコーティング膜を均一に形成可能であり、かつコーティング膜とダイヤモンド基板を強固に結合可能なコーティング基板の製造方法を提供。
【解決手段】ダイヤモンド基板に難水溶性溶媒にシラン化合物を含有させた処理液、易水溶性溶媒にシラン化合物を含有させた処理液を順次塗布する。これによリ難水溶性処理液のシラン化合物とダイヤモンド基板表面とが化学結合して、ダイヤモンド基板表面に第１のコーティング層が形成され、さらに、前記易水溶性処理液のシラン化合物と前記第１のコーティング層表面とが化学結合して、第１のコーティング層表面に第２のコーティング層が形成される。これにより２層のコーティング膜が、前記ダイヤモンド基板表面に均一に形成され、表面との結合が強固となる。得られるコーティング基板は核酸やタンパク質等の生体物質を固定化したバイオチップと等として有用である。 （もっと読む）