【課題】半導体材料、電子部品、光学部品などに用いられる、大面積・高品質なダイヤモンド単結晶基板を提供する。
【解決手段】複数個から構成されるダイヤモンド単結晶基板のうち１つを除く基板１の主たる面の面方位は、｛１００｝面からのずれが１度未満であり、残る１つの基板２の主たる面の面方位は、｛１００｝面からのずれが１度以上８度以下であり、ダイヤモンド単結晶基板を並べて配置する際にこの１つの基板２を最も外周部に配置し、かつ、この１つの基板２の主たる面における＜１００＞方向が、配置基板の外周方向を向く方向に配置し、しかる後に気相合成法によりダイヤモンド単結晶７，８を成長させ、この１つの基板２から成長したダイヤモンド単結晶８が、他の基板１上に成長したダイヤモンド単結晶７上に覆い被さって全面一体化したダイヤモンド単結晶基板。 （もっと読む）

【課題】紫外／可視光ブラインド比を向上させたダイヤモンド紫外線センサー素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド単結晶を受光部とし、この受光部に照射される光によって生じる電気抵抗の変化で光を検出するダイヤモンド紫外線センサー素子の製造方法であって、（１）ダイヤモンド単結晶の表面を実質的に水素を含む雰囲気中で水素化する工程と、（２）前記水素化したダイヤモンド単結晶の表面をオゾンまたは活性酸素を含む雰囲気中に曝露することにより受光部を形成する工程と、を含むこととする。 （もっと読む）

【課題】過酷な条件なしに経済的にダイヤモンドを合成することを課題とする。
【解決手段】本発明は、ナノダイヤモンド（ｎ-ダイヤモンド、ｐ−ダイヤモンド
、ｉ-カーボン）の製造方法であって、ナノダイヤモンドを含む活性炭から取り出す
方法に関する。前記活性炭は、炭素中に埋め込まれたナノダイヤモンドを形成させる
のに十分な酸素量の制限条件下での炭素質原料の炭化および／または活性化で合成さ
れる。前記ナノダイヤモンドは活性炭から分離および精製され、酸化剤での処理によ
って濃縮されうる。さらに、炭素源と金属および酸をナノダイヤモンドの生成に至る
条件下で混合することによるナノダイヤモンド、特には、ナノダイヤモンド繊維の製
造方法も提供される。ナノダイヤモンド繊維は、２０００ナノメートル以上に製造可
能である。前記ナノダイヤモンド繊維は織り込むことが可能で、または、種々の材料
の構造強化に供するために使用可能である。 （もっと読む）

【課題】 ダイヤモンド本体に影響を与えることなく線状あるいは面状に加工切断可能なダイヤモンドの加工方法および装置を提供する。
【解決手段】 ＬＤ励起近赤外線レーザ１１からのレーザ光２１を高調波変換器１２により高調波変換して波長２６６ｎｍの波長変換レーザ光２２を得、この波長２６６ｎｍの波長変換レーザ光２２をガルバノスキャナ１４で走査レーザ光２３に変換し、円形ｆθレンズ１３で収束して収束レーザ光２４として集光する。収束レーザ光２４はダイヤモンド１５に入射され、ダイヤモンド１５に含有されている固溶窒素に吸収されて、ダイヤモンド１５はアブレーションや蒸発によって熱エネルギー加工される。 （もっと読む）

【課題】従来のアイデアル・カット・ダイヤモンドの明るさと輝きを、その大きさ(直径)は保持したまま、さらに明るく輝くダイヤモンドおよびダイヤモンド形状の宝飾品およびそのカット方法を提供する。
【解決手段】ガードル２と、ガードル２の上部にテーブル５を備えたクラウン３が形成され、ガードル２の下部にパビリオン４を形成するダイヤモンド１やダイヤモンド形状の宝飾品であって、キューレット角は９８．５度、パビリオン角は４０．７５度、上部クラウンの角度は、これはガードル２近辺のダイヤモンド１のチップ（割れ）に対する強度等も考慮して、１９．００度から２７．００度の間、とする。 （もっと読む）

本発明は、様々な粒径のダイヤモンド−炭素を有する材料の創出のための方法および調合物を提供する。当該材料は、酸化剤として二酸化炭素、および爆轟のための燃料として粉末状マグネシウム等の材料を、使用する、爆発性調合物の爆轟の副生成物である。 （もっと読む）

【課題】半導体材料、電子部品、光学部品、切削・耐磨工具などに用いられる大面積で高品質なダイヤモンド単結晶基板を高速に製造する方法を提供する。
【解決手段】種基板１として、主面の面方位が略＜１００＞方向に揃った複数個のダイヤモンド単結晶基板を並べて配置し、気相合成法により種基板１上にダイヤモンド単結晶を成長させるダイヤモンド単結晶基板の製造方法であって、種基板１の主面の面方位が｛１００｝面に対する傾きが５度以下であり、第一の段階における成長パラメータαが２．０以上３．０未満であり、第二の段階におけるαが３．０以上である。 （もっと読む）

【課題】 研磨材、潤滑剤、熱交換流動媒体などに利用可能なフッ素化ナノダイヤモンド分散液の作製方法を提供することである。
【解決手段】 フッ素化ナノダイヤモンドと炭素数４以下のアルコールを混合し、超音波分散することにより懸濁液を作製し、得られる懸濁液を遠心分離による分級処理により、フッ素化ナノダイヤモンドの分散液を作製する精製工程、該精製工程で得られるフッ素化ナノダイヤモンドの分散液からアルコールを除去することにより乾燥フッ素化ナノダイヤモンドを作製する乾燥工程、該乾燥工程で得られる乾燥フッ素化ナノダイヤモンドと非プロトン性極性溶媒を混合し、超音波分散によりフッ素化ナノダイヤモンド分散液を作製する再分散工程からなることを特徴とする、フッ素化ナノダイヤモンド分散液の作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】従来、ダイヤモンドの研磨は、輝きを増幅させる為カット数が多い立体的な研磨が多かったが、平面的なカットでダイヤモンド持つ透明性の美しさを幅広く表現させる。
【解決手段】平面的板状にカットしたダイヤモンドを様々な、平面的なデザインにカットしダイヤモンド自体の透明性や輝きを、斬新的で様々なデザインで顕現する。 （もっと読む）

【課題】核生成速度が速く、粒子密度が高いダイヤモンド膜を得ることができる導電性ダイヤモンド膜が形成された基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板に対する前処理として、銅、アルミニウム、ガラスのいずれかからなる基板上に、ダイヤモンドナノ粒子の含有量が、ダイヤモンドナノ粒子分散溶液全体に対して０．００１〜０．１質量％であるダイヤモンドナノ粒子分散溶液を塗布した後、基板温度を２５０℃以上として、化学気相成長法により、前記基板上に導電性ダイヤモンド膜を合成する。 （もっと読む）

本発明は、低圧においてダイヤモンドの光学的性質を改善する方法に関し、特に、ＣＶＤダイヤモンドを成長させるステップと、ダイヤモンド安定領域外の約１〜約７６０ｔｏｒｒの圧力において還元雰囲気中、約５秒〜約３時間の時間の間、ＣＶＤダイヤモンドの温度を約１４００℃〜約２２００℃に上昇させるステップとを含む所望の光学的品質のＣＶＤダイヤモンドの製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、切削バイトや、ドレッサー、ダイスなどの工具や、掘削ビットとして十分な強度、硬度、耐熱性を有する緻密で均質なダイヤモンド単相の多結晶体を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る高純度ダイヤモンド多結晶体は、非ダイヤモンド状炭素物質を出発物質として、超高圧高温下で焼結助剤や触媒の添加なしに直接的にダイヤモンドに変換焼結された、実質的にダイヤモンドのみからなる多結晶体であって、水素不純物量が２００ｐｐｍ以下であり、酸素不純物量が５０ｐｐｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、切削バイトや、ドレッサー、ダイスなどの工具や、掘削ビットとして十分な強度、硬度、耐熱性を有する緻密で均質なダイヤモンド単相の多結晶体を提供することを目的とする。
【解決手段】非ダイヤモンド状炭素物質を出発物質として、超高圧高温下で焼結助剤や触媒の添加なしに直接的にダイヤモンドに変換焼結された、実質的にダイヤモンドのみからなる多結晶体であって、赤外域３３００−３４００ｃｍ^−１付近の水による吸収が、ダイヤモンドのフォノンによる吸収の最大値の１０％以下である高硬度ダイヤモンド多結晶体。 （もっと読む）

【課題】有毒ガス、特殊反応容器および特殊技術を使用することなく、また煩雑な操作を施すことなく、安全、かつ簡便にダイヤモンド材料表面上に硫黄官能基を導入したダイヤモンド材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】硫黄を含む官能基がダイヤモンド材料表面に結合したダイヤモンド材料。該硫黄官能基を介して金属微粒子が結合した金属微粒子修飾ダイヤモンド材料。硫黄官能基を介して金属膜に結合した金属膜修飾ダイヤモンド材料。紫外線照射下、ダイヤモンド材料と単体硫黄を反応させ硫黄官能基をダイヤモンド材料の表面に結合させることにより硫黄を含む官能基が表面に結合したダイヤモンド材料を得る。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドを低コストで精度良く加工する方法を提供する。
【解決手段】加工を施したい導電性ダイヤモンドを陽極１にして、陰極３との間で、導電率が１１．５Ｓｍ^−１以下である濃硫酸溶液２０を介して通電することによって陽極１と陰極３との間に電位差を生じさせて電解反応により導電性ダイヤモンドを電気化学的に加工する。濃硫酸溶液２０としては硫酸濃度８０〜９６質量％が好適であり、電解温度を５〜４０℃にして、電流密度６０〜１，０００Ａ／ｄｍ^２により通電を行うのが望ましい。導電性ダイヤモンドは、通電に際しマスク材で表面の一部を覆っておくことで、所望の形状に加工を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド表面の任意の領域を、結晶欠陥を生成することなく、室温で、また従来に比しその１／１０程度の短時間の処理時間で、改質する方法を提供する。
【解決手段】酸素元素含有雰囲気中若しくは真空中、若しくは不活性元素含有雰囲気中に配置したダイヤモンド１の表面に高エネルギー光線７を照射することにより、ダイヤモンド１の表面を酸化して改質する。なお、酸素元素含有雰囲気を構成するのはオゾンあるいは活性酸素であり、不活性元素含有雰囲気を構成するのは窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトンあるいはキセノンである。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド生成工程の際の放熱ホルダ上におけるダイヤモンド膜の剥離等による不良発生や、異常成長等を防ぐことを目的とする。
【解決手段】表面にダイヤモンドが蒸着しないホルダを準備し、もしくはダイヤモンドが蒸着した場合でも前記ホルダ温度１３００℃〜室温では蒸着したダイヤモンドが剥離せず、またダイヤモンド及び＼炭化物が異常成長しないホルダを準備した後、ダイヤモンドを成膜する基板を該ホルダ上に設置した後、該基板上にダイヤモンドの成膜を行うことを特徴とするダイヤモンド製造方法及び製造装置である。前記ホルダの基板近傍が表面粗さＲａ０．０１μｍ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ナノ粒子の分散性を向上させたアモルファスカーボン複合材、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】有機化合物及び表面に官能基を有する複数のナノ粒子を含む分散液から複数のナノ粒子が分散したゲル状化合物を得るゲル化工程と、ゲル状化合物を加熱して、複数のナノ粒子を分散させたまま固形化する加熱工程と、を有するアモルファスカーボン複合材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】バルクレベルで超伝導状態となる新規な材料系を提供する。
【解決手段】超伝導薄膜１０１は、アモルファス状態の炭素よりなる基質１１１と、基質１１１の中に局所的に形成されたｓｐ²混成軌道による結合（ｓｐ²結合）の部分からなる微細な複数のナノグラファイト（超伝導領域）１１２と、基質１１１の中に局所的に形成されたｓｐ³混成軌道による結合（ｓｐ³結合）の部分からなる微細な複数のナノダイアモンド１１３とを備える。隣り合うナノグラファイト１１２は、超伝導近接効果を示す距離離間して形成されている。 （もっと読む）

熱フィラメント化学気相堆積プロセスによってダイヤモンド材料が作製され、大きい膜面積、良好な成長速度、相の純粋性、小さい平均粒径、平滑な表面、および他の有用な特性が提供される。低い基材温度を使用することができる。圧力およびフィラメント温度などのプロセス変数ならびに反応物の比を制御することによって、ダイヤモンドの特性を制御することが可能になる。用途としては、MEMS、耐摩耗低摩擦コーティング、バイオセンサー、および電子機器回路が挙げられる。

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