【課題】基板の昇温時間と冷却時間を短縮することのできる気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置１００は、基板７の温度を測定する放射温度計２４ａ、２４ｂと、基板７の周辺にガス噴出部１９が設けられたガス流路１８と、ガス流路１８に熱伝導率の異なるガスを供給するガス供給部と、放射温度計２４ａ、２４ｂによる測定結果に応じて、ガス供給部からガス流路１８に供給するガスの種類と供給の有無を制御する制御部２６とを有する。ガス供給部は、アルゴンガスおよび窒素ガスの少なくとも一方を貯蔵するガス貯蔵部２８と、水素ガスおよびヘリウムガスの少なくとも一方を貯蔵するガス貯蔵部２９とを有する。 （もっと読む）

【課題】 既存の問題点であるアルミニウムと炭素材料の接合に関する問題を解決し、電気アーク又は電気化学的方法を用いて、重さが軽く力学的強度に優れた炭素材料−アルミニウム複合体を製造した。
【解決手段】 本発明は、電気化学的方法を用いてアルミニウム−炭素材料のＡｌ−Ｃ共有結合を形成する方法を提供する。上記方法は、陽極と、炭素材料の連結された陰極とで構成され、電解液で満たされた電気化学装置に電位を印加して、陰極に連結された炭素材料の表面をアルミニウムでメッキする段階を含むことができる。更に、本発明は、上記電気化学装置に電位を印加し炭素材料の表面をアルミニウムでメッキして共有結合を形成したアルミニウム−炭素材料複合体を製造する方法、及び上記方法により製造されたアルミニウム−炭素材料複合体を提供する。 （もっと読む）

【課題】ヒータの長寿命化を図り、高温下での使用を可能とする成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、チャンバ１と、チャンバ１内に設けられて半導体基板６が載置されるサセプタ７と、サセプタ７の上方に位置する上部ヒータ１８と、サセプタ７の下方に位置する下部ヒータ８とを有し、上部ヒータ１８と下部ヒータ８とが不活性ガス雰囲気に置かれる。サセプタ７の周囲の空間Ａの圧力は、上部ヒータ１８の周囲の空間Ｂの圧力および下部ヒータ８の周囲の空間Ｃの圧力のいずれよりも低いことが好ましい。また、不活性ガスはアルゴンガスであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板に不純物が均一にドーピングされた炭化珪素膜を成膜することができる半導体製造装置及び基板の製造方法及び基板処理装置を提供する
【解決手段】反応室内に延在されて設けられる第１のガス供給ノズル６０及び第２のガス供給ノズル７０と、第１のガス供給ノズルの基板の主面と平行であって、第２のガス供給ノズルの方向に１以上分岐され1以上の第１のガス供給口６８を有する第１の分岐ノズルと、第２のガス供給ノズルの基板の主面と平行であって、第１のガス供給ノズルの方向に１以上分岐され、1以上の第２のガス供給口７２を有する第２の分岐ノズルとを備え、第１のガス供給口と第２のガス供給口とが基板の積層方向に隣接するように設けられた基板処理装置によって課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】結晶粒界の少ない炭化タンタル被覆膜を有する炭化タンタル被覆炭素材料を得る。
【解決手段】炭素基材１上に炭化タンタル被覆膜２を形成する炭化タンタル被覆炭素材料の製造方法であり、炭素基材１表面にタンタル被覆膜を形成するタンタル被覆膜形成工程と、タンタル被覆膜を浸炭処理する浸炭処理工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】直線状のスプリング軸を有しており、弾力性および機械強度に優れたセラミックススプリング、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スプリング外径が０．０１μｍ〜１００μｍ、スプリングピッチが０．０１μｍ〜１０μｍ、スプリング長が１．０×１０^−５ｍｍ〜２０ｍｍ、スプリング軸が直線状である螺旋形状を有し、かつ、破断強度が８０ＭＰａ以上である一重又は二重のセラミックススプリングである。

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【課題】ホウ素含有量が高く、炭化ケイ素および炭化ホウ素相が良好に分散し、組成が制御された、炭素、ケイ素およびホウ素を含む粉末を得ることができる方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、炭素、ケイ素およびホウ素を含む粉末を調製するための方法に関し、このケイ素は炭化ケイ素の形態であり、ホウ素が、炭化ホウ素および／または遊離ホウ素の形態である。本発明の方法は、炭素系前駆体、ケイ素系前駆体およびホウ素系前駆体ＢＸ_３（Ｘがハロゲン原子である）を、これらの３つの前駆体の混合物を得るために接触させる工程と、得られた混合物をレーザー熱分解に供する工程と、を含み、ホウ素系前駆体ＢＸ_３は、接触工程の前におよび／または接触工程と同時に、この前駆体の縮合温度よりも高い温度に加熱される。 （もっと読む）

炭化物ナノ粒子を含む分散硬化体の製造方法は、溶射法によって分散硬化体を製造する工程を含み、燃焼チャンバの下流に、気体流と反応して炭化物を形成する少なくとも１つの前駆体を有するキャリアガスによって気体流が供給されるか、又は熱的負荷に曝される外部ナノ粒子発生器を介して炭化物ナノ粒子が供給される。それは、例えば、内燃機関用部品（例えばピストンリング）などの分散硬化体の製造を可能にする。本方法は、燃焼チャンバの下流に、溶射粉末を供給するための少なくとも１つの管に加えて、キャリアガスによって前駆体を供給するための少なくとも１つの管をさらに含む溶射装置によって実行される。 （もっと読む）

【課題】煩雑な合成工程を経ることなく簡便に製造でき、焼成することで炭化チタン、又
は、炭化チタンと炭素の混合物に変化する、新規な前駆体を提供すること。
【解決手段】チタンのアルコキシド又は塩化チタン、及び、フェノール又はフェノール化
合物の反応生成物からなることを特徴とする、炭化チタン、又は、炭化チタンと炭素の混
合物の前駆体。チタンのアルコキシド又は塩化チタン、及び、フェノール又はフェノール
化合物を混合して溶液又はスラリーを生じさせるか、チタンのアルコキシド又は塩化チタ
ン、及び、フェノール又はフェノール化合物を有機溶媒中で混合して溶液又はスラリーを
生じさせることで製造できる。溶液又はスラリーを乾燥させて得られる固体前駆体を焼成
して炭化反応を生じさせることにより炭化チタン又は炭化チタンと炭素の混合物を製造で
きる。 （もっと読む）

本発明は、それぞれの割合がｎ＋１±ε_１、１±ε_２及びｎ±ε_３である少なくとも１つの要素Ｍ、少なくとも１つの要素Ａ及び少なくとも１つの要素Ｘを含む粉末であって、Ａは、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐ、Ａｓ及びＳから選択され、Ｍは、遷移金属であり、Ｘは、Ｂ、Ｃ及びＮから選択され、ｎは、１、２または３に等しい整数であり、ε_１、ε_２及びε_３は、独立して０から０．２の範囲の数を表し、５００ｎｍ未満の平均粒径を有する粉末に関する。
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ケイ素炭素化合物を形成する方法。ケイ素源が環境に導入される。ケイ素粒子がケイ素源から形成される。１つ又は複数の炭化水素がケイ素源とは別々に環境に導入され、それにより１つ又は複数のケイ素炭素化合物が形成される。ケイ素粒子が炭化水素源と一緒になる前にケイ素粒子のサイズを最小にするために、解離エンハンサーを環境に導入することができる。
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ナノ粉末を合成するためのプロセスと装置が提案される。特に、有機金属化合物、塩化物、臭化物、フッ化物、ヨウ化物、亜硝酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、および炭酸塩を前駆体として使う、誘導プラズマ技術による金属、合金、セラミック、および複合材料のような様々な材料のナノ粉末の合成のためのプロセスが開示される。このプロセスは、反応材料を、材料の過熱蒸気をもたらすのに十分高い温度を持ったプラズマ流れが生成されたプラズマトーチに供給する段階と；前記蒸気を冷却領域にプラズマ流れを用いて輸送する段階と；冷却領域内のプラズマ流れに冷却ガスを注入して再生可能なガスの冷却面を形成する段階と；再生可能なガスの冷却面とプラズマ流れとの間の界面においてナノ粉末を形成する段階と；を有する。
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