【課題】炭素系被膜の有する長所を活かしつつ、相手攻撃性を小さくした炭素系被膜を有する被膜付き基材を提供する。
【解決手段】被膜付き基材は、基材と、基材表面を覆う炭素系ナノ材料の積層構造被膜とを備える。炭素系ナノ材料は、カーボンナノチューブ、グラフェン、フラーレン、カーボンブラックおよびケッチェンブラックからなる群から選ばれたものである。 （もっと読む）

【課題】本発明では、被表面処理部材の材質および形状を問わず、所望の位置に微細構造体を形成することができる、被表面処理部材の表面処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】被表面処理部材に対する表面処理方法であって、（ａ）被表面処理部材を準備するステップと、（ｂ）シリコン系高分子を含む表面処理剤を調製するステップと、（ｃ）前記被表面処理部材の少なくとも一部に、前記表面処理剤を設置するステップと、（ｄ）触媒を含み、ガス流が存在する環境下において、前記表面処理剤が設置された被表面処理部材を８００℃以上の温度で焼成することにより、ケイ化物の繊維状構造体を形成するステップであって、前記ガス流は、前記被表面処理部材の表面積５０ｍ^２あたり０．０１Ｌ／ｍｉｎ以上の流量で供給されるステップと、を有する表面処理方法。 （もっと読む）

【課題】炭素基材に炭化金属層が形成されていない部分が生じるのを抑制することにより、被膜にむらが生じたり、被膜の密着性が低下するのを抑えることができる炭素材を提供する。
【解決手段】結着剤であるポリビニルアルコールと金属粉末とを含むスラリーを、炭素基材に塗布することにより炭素基材に金属粉末を付着させる第１ステップと、上記金属粉末が付着された炭素基材を、塩化水素ガスの雰囲気となっている容器内で熱処理する第２ステップと、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】雑晶の発生を抑止し、良質な２Ｈ炭化珪素単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】圧力容器内において、珪素が溶解したリチウムフラックス２３に炭化珪素単結晶基板２５を接触させる工程と、前記圧力容器内にメタン２６を導入し、前記リチウムフラックス２３に前記メタン２６を接触させることにより、前記リチウムフラックス２３から前記単結晶基板２５上に２Ｈ炭化珪素単結晶２７を成長させる工程とを包含する炭化珪素単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】
０．０１重量％未満の総鉱物性不純物と選択的に決定された炭素：シリコンの比率を含む、シリコン、炭化ケイ素および窒化ケイ素などのシリコン含有生成物。その生成物は、少なくとも３重量％のシリカを含む、籾殻および稲藁などの植物に由来する。制御された温度、圧力および反応時間の下、固定炭素：シリカのモル比を調節しながら、シリコン含有植物を硫酸水溶液で浸出して鉱物および金属を除去し、次いで、制御された条件下、熱的に処理して所望の生成物を生産することを特徴とする、そのような高純度のシリコン含有生成物を作るための方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】簡易な合成方法・装置で、安全な物質を原料とし、且つ大量生産が可能な方法により、優れた特性を有する炭化ケイ素ナノワイヤーを提供する。
【解決手段】原料粉末の構成物質に少なくともＳｉまたはＯを含み、原料粉末を不活性ガス及び少なくともＣまたはＨを含むガス気流中で熱処理を行うことを特徴とし、コア部の構成物質が炭化ケイ素であり、コア部を被覆するシェル部の構成物質が少なくともＳｉまたはＯを含むことを特徴とするコアシェル構造型炭化ケイ素ナノワイヤー及びその製造方法
【効果】本発明により、簡易な合成方法・装置で、安全な物質を原料とし、且つ大量生産が可能な方法で、耐酸化性の向上あるいは新たな機能の付与が可能なコアシェル構造型炭化ケイ素ナノワイヤーを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】希望する組成を有し、かつ、使用特性に優れ、材料組成の選択により、各種機能を有する高効率の素子、デバイスを実現するのに好適なナノ球状粒子、粉末、工業的利用性を充分に満たす捕集率を実現しえるナノ球状粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】アルゴン不活性ガス雰囲気中で、原料金属の溶融物を高速回転する皿ディスク上に供給し、遠心力を作用させて小滴として飛散させ、ガス雰囲気との接触により急冷して球状粒子とした後、得られた球状粒子に対し、プラズマ旋回流内３１でアルゴンイオン３４と衝突反応させて、原料金属の成分をナノサイズに分解すると同時に反応性のあるガス成分３４又は蒸気成分と接触させるプラズマ反応結晶化処理をする。これにより、１μｍ未満の粒径を有し、真球度２０％以内のナノコンポジット構造を有するナノ球状粒子、粉末が得られる。 （もっと読む）

【課題】１，０００℃以上の高温でも耐酸化性に優れ、耐熱性を有する炭化ケイ素チューブの製造方法を提供すること。
【解決手段】下記の（ａ）及び／又は（ｂ）を満たし、平均外径が５０ｎｍ以上であって、直径と長さのアスペクト比が１０以上である、カーボンファイバーと、一酸化ケイ素とを、互いに混合することなく互いに離して反応容器内に載置する工程、上記反応容器を、加熱炉内において、０．１気圧以下の真空下で、１，４００℃以上の温度に加熱して炭化ケイ素を反応生成させる工程、並びに、６００℃以上８００℃以下の大気中で反応生成物を加熱して、残存するカーボンを酸化除去する工程、を含む炭化ケイ素チューブの製造方法。
（ａ）グラファイト（００２）面のＸ線回折強度の半値幅が、１°以下の強度を有すること；（ｂ）６００℃の大気中で加熱したときに重量減少が１０％以下であること （もっと読む）

【課題】希望する組成を有し、かつ、使用特性に優れ、材料組成の選択により、各種機能を有する高効率の素子、デバイスを実現するのに好適なナノ球状粒子、粉末、工業的利用性を充分に満たす捕集率を実現しえるナノ球状粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】アルゴン不活性ガス雰囲気中で、原料金属の溶融物を高速回転する皿ディスク上に供給し、遠心力を作用させて小滴として飛散させ、ガス雰囲気との接触により急冷して球状粒子とした後、得られた球状粒子に対し、プラズマ旋回流内でアルゴンイオンと衝突反応させて、原料金属の成分をナノサイズに分解すると同時に反応性のあるガス成分又は蒸気成分と接触させるプラズマ反応結晶化処理をする。これにより、１μｍ未満の粒径を有し、真球度２０％以内のナノコンポジット構造を有するナノ球状粒子、粉末が得られる。 （もっと読む）

【課題】複雑な処理を必要とせずに高濃度のＧｅを含有するＳｉＣＧｅ結晶を成長する方法を提供する。
【解決手段】基板上のＳｉＧｅ結晶薄膜を炭化することによりＳｉＣＧｅ結晶薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】電子放出特性の向上や摩擦特性の向上に有効な尖頭状の形態を有する炭化ケイ素ナノ構造体、およびその炭化ケイ素ナノ構造体を低温で簡素なプロセスで製造できる方法の提供。
【解決手段】Ｓｉ基板の表面に尖頭状の炭化ケイ素集合体が突出して点在している炭化ケイ素ナノ構造体、および圧力１〜７０Ｐａ、０．５〜３ｋＷのマイクロ波出力、基板温度３５０〜６００℃のＳｉ基板を用いるマイクロ波プラズマＣＶＤ法による炭化ケイ素ナノ構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】カーバイド誘導炭素、冷陰極用電子放出源及び電子放出素子を提供する。
【解決手段】カーバイド化合物をハロゲン族元素含有気体と熱化学反応させ、カーバイド化合物内の炭素を除いた残りの元素を抽出することによって製造されたカーバイド誘導炭素であって、ラマンピークによる分析の結果、１３５０ｃｍ^−１での無秩序に誘導されたＤバンドに対する１５９０ｃｍ^−１でのグラファイトＧバンドの強度比率が０.３〜５の範囲にあるカーバイド誘導炭素、ＢＥＴが１０００ｍ^２／ｇ以上であるカーバイド誘導炭素、Ｘ線回折の分析結果、２θ＝２５°でグラファイト（００２）面の弱ピークまたは広いシングルピークが表れるカーバイド誘導炭素、または電子顕微鏡の分析結果、電子回折パターンが非晶質炭素のハロ−パターンを表すカーバイド誘導炭素である。これにより、均一性に優れ、長寿命を有する電子放出源を提供でき、低コストで電子放出源を製造できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、形態が複合化した炭化ケイ素ナノ構造物並びにその製造方法を提供することを課題としている。
【解決手段】本発明の炭化ケイ素ナノ構造物は、炭化ケイ素ナノワイヤーの側面から、その側面に対し直角にエピタキシャル成長した炭化ケイ素からなる板状結晶を有することを特徴し、その製造方法は、一酸化ケイ素粉末、グラファイト粉末および酸化ガリウム粉末の混合物を不活性ガス気流中で、１３×１０^２〜１４×１０^２℃にて０．３〜１．２時間加熱することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、所定の形状のタンタルと炭素を固相拡散接合を可能とし更に、タンタルと炭素を固相拡散接合を行う場所以外のタンタ表面に炭化物を形成することを可能とする。
【解決手段】タンタル若しくはタンタル合金と炭素基板とを真空熱処理炉内に設置し、前記タンタル若しくはタンタル合金表面に形成されている自然酸化膜であるＴａ₂Ｏ₅が昇華する条件下で熱処理を行い、前記Ｔａ₂Ｏ₅を除去した後、前記真空熱処理炉内に炭素源を導入して熱処理を行い、前記タンタル若しくはタンタル合金表面と炭素基板表面を固相拡散接合させると同時に、タンタルと炭素を固相拡散接合を行う場所以外のタンタル表面に炭化物を形成する。 （もっと読む）

【課題】空き缶から破砕および分別処理を通して得られるアルミチップ製品の純度を向上させること。
【解決手段】原料チップＢＭが炭化装置２００に導入され、炭化装置２００より炭化したアルミチップおよびスチールチップに炭化したゴミ類や異物の混じったものが炭化原料チップＣＭとして容器２２０に排出される。容器２２０から炭化原料チップＣＭは、スクリュー・コンベア２２４によって上方に位置する空き缶破砕物分別装置１０に送られる。空き缶破砕物分別装置１０は、炭化原料チップＣＭを磁性炭化チップＣＳと非磁性炭化チップＣＫとに分離する磁選部１２と、この磁選部１２で分別された非磁性炭化チップＣＫから炭化アルミチップＣＡを選別または分別する第１および第２炭化アルミチップ選別部１４，１６とを有している。 （もっと読む）

【課題】 ハロゲン類及び／又は揮発性重金属類を含む鉄ダスト類を資源化する還元・炭化処理において、汎用性のある還元・炭化処理を確立し、かつ、排気系統における従来対策を不要とするとともに燃料コストを低減する。
【解決手段】 流動層型反応炉を用いて、鉄ダスト類中の物質を資源化する方法において、（ａ）炉頂より鉄ダスト類を装入し、（ｂ）炉内に、Ｈ₂及びＣＨ₄を主成分とする廃棄物由来ガスを吹き込んで流動層を形成し、（ｃ）鉄ダスト類中の鉄酸化物を選択的に還元及び／又は炭化することを特徴とする。 （もっと読む）