本発明は、有機または無機の発光性の化合物または組成物を含む、ＳｉＯ_ｚフレーク、特に多孔質ＳｉＯ_ｚフレーク（式中、０．７０≦ｚ≦２．０、特に０．９５≦ｚ≦２．０）に関し、これにより増強した（長期間の）発光効率が得られる。 （もっと読む）

【課題】 輝尽性蛍光体と支持体との付着性（接着性）が良好で、輝度に優れた放射線画像変換パネルの製造方法、該製造方法で得られる放射線画像変換パネル及び蒸着装置の提供。
【解決手段】 支持体上の輝尽性蛍光体層が気相堆積法（気相法）により形成される放射線画像変換パネルの製造方法において、該支持体を固定設置する支持体ホルダと該輝尽性蛍光体層との間に磁性材料又は磁性材料を有する層を設けることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 吸湿による画質性能の劣化がなく、物理強度にも優れた放射線画像変換パネルの提供。
【解決手段】 支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、少なくとも１層の輝尽性蛍光体層が気相法により形成され、該輝尽性蛍光体層の表面にＳｉＯｘ（ｘ＝１．３〜１．７）の保護相を設けることを特徴とする放射線画像変換パネル。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、気相成長法により形成した輝尽性蛍光体層への透湿を防湿性保護フィルムを用いて低減させ、放射線画像変換パネルの封止を完全に行うことにより、長期間良好な状態で使用することのできる放射線画像変換パネルを提供することにある。
【解決手段】 基板上に、気相堆積法により形成された、少なくとも１層の輝尽性蛍光体層を有する輝尽性蛍光体プレートと、該輝尽性蛍光体プレートの蛍光体面側に配置された保護フィルムからなる放射線画像変換パネルにおいて、該保護フィルムは、該輝尽性蛍光体プレートの周辺部の輝尽性蛍光体層を有しない基板部分に貼られた熱融着性の樹脂からなる粘着テープと熱融着していることを特徴とする放射線画像変換パネル。 （もっと読む）

【課題】 鮮鋭性の向上した放射線像変換パネルの製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】 蒸着装置内にて、下記一般式（Ｉ）で表される蛍光体もしくは蛍光体原料を含む蒸発源を加熱して発生する物質を基板上に蒸着させることにより蛍光体層を形成する工程を含む放射線変換パネルの製造方法において、該放射線変換パネルの蒸着効率が１〜５０％であることを特徴とする放射線変換パネルの製造方法。
一般式（Ｉ） Ｍ¹Ｘ・ａＭ²Ｘ′₂・ｂＭ³Ｘ″₃：ｅＡ （もっと読む）

【課題】 輝尽性蛍光体層と支持体との剥離がなく、高輝度である放射線画像変換パネルの提供。
【解決手段】 支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、少なくとも１層の輝尽性蛍光体層が気相法（気相堆積法ともいう）により形成され、該輝尽性蛍光体層と支持体との間にＳｉＯｘ（ｘ＝１．３〜１．７）を有する接着層を有することを特徴とする放射線画像変換パネル。 （もっと読む）

【課題】 高感度であって、高画質であり、特に、鮮鋭性に優れた放射線画像が得られる放射線像変換パネルの製造方法の提供。
【解決手段】 蒸着装置内にて、下記一般式（Ｉ）で表される輝尽性蛍光体もしくは輝尽性蛍光体原料を含有する蒸発源を加熱して発生する物質を基板上に蒸着させることにより蛍光体層を形成する工程を有する放射線像変換パネルの製造方法において、蒸着装置として蒸発源ボートと該基板との間に開閉可能なシャッタが備えられた蒸着装置を用い、該シャッタの面積と蒸発源ボートの開口部面積の比が１以上であることを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
一般式（Ｉ）
Ｍ¹Ｘ・ａＭ²Ｘ′₂・ｂＭ³Ｘ″₃：ｅＡ （もっと読む）

最初に金属ドーパント合金を形成し、次に、合金を反応器中において制御された条件下で高純度アンモニアと反応させることにより、高発光効率を表すドープ金属窒化物粉末を大量に製造する簡単で安価な方法。得られるドープ金属窒化物粉末は、純粋の非ドープＧａＮ粉末、ドープＧａＮ薄膜、およびＺｎＳ粉末に見られるものを遥かに凌ぐ発光効率を表す。
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明るい環境下でも目視できる高輝度応力発光材料およびその製造方法とその利用の代表的な一例とを提供する。本発明にかかる応力発光材料は、摩擦による静電気に由来する発光機構、摩擦によるマイクロプラズマに由来する発光機構、歪による圧電効果に由来する発光機構、格子欠陥に由来する発光機構、および発熱に由来する発光機構の少なくとも何れかの発光機構により発光する条件を満たしている。例えば、応力発光材料として、少なくとも１種のアルミン酸塩からなる母体材料を含有する場合には、歪による圧電効果に由来する発光機構を実現するために、上記母体材料には、自発分極性を有する結晶構造が含まれる構成、具体的には、α−ＳｒＡｌ_２Ｏ_４を挙げることができる。 （もっと読む）

式(Ba,Sr,Ca)SiO₄:Euを有する蛍光体組成物、及び半導体光源及び上記蛍光体を含む発光デバイス。(Ba,Sr,Ca)SiO₄:Eu及び1種以上の追加の蛍光体の混合物、及びそれを組み込んでいる発光デバイスも開示される。好ましい混合物は、(Sr,Ba,Ca)₂SiO₄:Eu及び(Sr,Mg,Ca,Ba,Zn)₂P₂O₇:Eu,Mn;(Ca,Sr,Ba,Mg)₅(PO₄)₃(Cl,F,OH):Eu,Mn;(Sr,Ba,Ca)MgAl₁₀O₁₇:Eu,Mn;及びMg₄FGeO₆:Mn⁴⁺の少なくとも1種;及び一般式(Y,Gd,La,Lu,T,Pr,Sm)₃(Al,Ga,In)₅O₁₂:Ceを有する1種以上のガーネット蛍光体を含む。
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本発明は、少ない消費エネルギーで高輝度の光を発生し、熱等に変換される損失が少なく、長期使用による劣化が少ない電界発光材料であって、特に黄色よりも波長の短い青色、緑色等の光を発する無機系の電界発光材料を提供する。 具体的には、下記３種の電界発光材料に関するものである：（１）一般式：ＲＭＯ_３〔式中、Ｒは希土類元素を示す。ＭはＡｌ、Ｍｎ又はＣｒを示す。〕で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する酸化物からなる電界発光材料、（２）一般式：Ｒ_２ＣｕＯ_４〔式中、Ｒは希土類元素を示す。〕で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する酸化物からなる電界発光材料、及び（３）一般式：ＲＺ_２Ｃｕ_３Ｏ_６〔式中、Ｒは希土類元素を示す。Ｚはアルカリ土類金属を示す。〕で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する酸化物からなる電界発光材料。 （もっと読む）