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Fターム[4H006AC93]の内容

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Fターム[4H006AC93]に分類される特許

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【課題】メタンガスや天然ガス等のメタンを含むガスのガスハイドレートを生成させる際に、その結晶粒径が大きく、且つ壊れにくい形状の結晶を生成させることができるガスハイドレート製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】原料ガスであるメタンガス、または少なくともメタンを含む混合ガスと原料水を、前記原料ガスのガスハイドレートが生成しない圧力および/または温度において混合し、原料水に原料ガスを溶解させる溶解工程と、前記溶解工程を経た原料ガス溶解水を、前記ガスハイドレートが生成する圧力および温度にするとともに、前記温度を、生成するガスハイドレートの結晶形態が板状となる温度に制御してガスハイドレートを生成させる生成工程と、を含むことを特徴とする、ガスハイドレート製造方法。 (もっと読む)


【課題】低温での硬化反応を抑制して、一液安定性の向上を図ると共に、加熱処理により、効果的に樹脂を硬化させることができる硬化触媒(包接化合物)を提供する。
【解決手段】式(I)


[Rは、C1〜C6のアルキル基、C1〜C6のアルコキシ基、ニトロ基又は水酸基]で表されるイソフタル酸化合物とイミダゾール化合物とからなる包接化合物。 (もっと読む)


【課題】
気泡を含まず、分解速度が遅い高品質なガスハイドレートを製造することができるガスハイドレート製造装置及びガスハイドレート製造方法を提供する。
【解決手段】
ガスハイドレート製造装置1において、ガスハイドレート製造装置1が、原料水w中に原料ガスgを溶解させ溶解水wgを生成する溶解槽2と、溶解水wgを冷却し、ガスハイドレートGHを生成する生成槽3を有しており、溶解槽2が、原料ガスgを供給して原料ガス雰囲気とした筐体10と、筐体10内の液体を下部から取り出して上方から再供給して循環する溶解水循環路4と、筐体10内の温度をガスハイドレートが生成する温度よりも高い温度条件に制御する温度制御装置を有しており、溶解槽2で生成した溶解水wgを、生成槽3でガスハイドレート生成条件である温度まで冷却する制御を行う。 (もっと読む)


【課題】原料ガスの組成に対応するガスハイドレートの冷却温度を設定する。
【解決手段】原料ガスgを水wと反応させてガスハイドレートnを生成するガスハイドレート生成工程1、該ガスハイドレート生成工程で生成されたガスハイドレートを冷却する冷却工程2、該冷却工程で冷却されたガスハイドレートを大気圧まで減圧する脱圧工程3から成るガスハイドレートの製造方法において、前記冷却工程におけるガスハイドレート冷却温度Tを、ガスハイドレートの平衡温度t1 に補正温度t2 を加算した値とする。 (もっと読む)


【課題】ガス・ハイドレートの生成を人工的に制御・促進することができると共に当該生成の際の発熱によって他のガス・ハイドレートを分解して当該他のガス・ハイドレート資源を効率的に採掘・回収することができるようにする。
【解決手段】ゲスト分子がハイドレート6になり得る温度・圧力条件下の地層2中の間隙3に、ゲスト分子の液体4を地層2中の間隙3よりも小さな微粒子にして分散媒24に分散させたエマルション5を注入し、真空状態にして地層2中に位置させた容器20の開口部20aを開口して該容器20周辺の流体を吸い込ませることによって、或いは、流体及び圧縮気体を注入して地層2中に位置させた容器20の開口部20aを開口して該容器20から流体を押し出すことによってエマルション5に攪拌の効果を与えるようにした。 (もっと読む)


【課題】純水を用いて生成させたガスハイドレートの貯蔵温度に関する知見に基き、経済性および安全性がより高い条件でエタンハイドレートの分解が起こりにくく、保存性が高いエタンハイドレートの貯蔵方法を提供すること。
【解決手段】エタンハイドレートの生成条件下で、エタンガスと純水とを反応させて生成したエタンハイドレートを、温度が−20℃を超えて0℃未満の範囲内で、圧力が大気圧の下で、貯蔵することを特徴とするエタンハイドレートの貯蔵方法。 (もっと読む)


【課題】ガスハイドレートペレットの冷却および払い出しを効率化する。
【解決手段】冷却筒41内又は隣接する冷却板27間にガスハイドレートペレットpを充填して冷却し、冷却されたガスハイドレートペレットpを冷却筒41内又は隣接する冷却板27間から払い出す時に前記冷却筒41又は冷却板27を加熱する。 (もっと読む)


【課題】密封されていない容器中で行うことができる、シクロプロペン複合体を製造するバッチ法を提供する。
【解決手段】(i)1以上の分子カプセル化剤および(ii)溶媒を含む混合物を含むシクロプロペン複合体を調製するバッチ法を提供する。ここで、前記(i)の量の、前記(ii)の量に対する比は、前記溶媒中の前記分子カプセル化剤の溶解度よりも高い。また、シクロプロペン複合体を調製する連続法を提供する。ここで、分子カプセル化剤の添加速度の、溶媒の添加速度に対する比は、前記溶媒中の前記分子カプセル化剤の溶解度よりも高い。 (もっと読む)


【課題】ゲスト化合物である窒素ホウ素化合物の含有率が高く、水素の放出量を増大させることのできる包接化合物、及び当該包接化合物の製造方法を提供する。
【解決手段】包接化合物は、ゲスト化合物としての窒素ホウ素化合物を、ホスト化合物としてのジフェン酸ビス(ジシクロヘキシルアミド)で包接してなり、包接化合物からの水素放出量が0.5質量%以上のものである。このような包接化合物は、ジフェン酸ビス(ジシクロヘキシルアミド)と窒素ホウ素化合物とを水中で接触させることにより、容易に製造することができる。 (もっと読む)


本発明は、迅速なガス水和物の製造方法に関し、より詳しくは、i)潜在的種子水和物(potential feed hydrate)を含有した純粋水溶液(aqueous fresh solution)を反応器に注入する第1の段階、ii)前記第1段階の潜在的種子水和物を含有した純粋水溶液が注入された反応器にガスを注入する(pressurize)第2段階、及びiii)前記第2の段階のガスが注入された反応器に界面活性剤溶液(surfactant solution)を注入する第3段階と、を含む半回分式(fed−batch type)ガス水和物の製造方法及び前記第1段階と第3段階の手順を変えた回分式(batch type) ガス水和物の製造方法に関する。
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【課題】低温での硬化反応を抑制して、貯蔵安定性(1液安定性)の向上を図るとともに、加熱処理を施すことにより、効果的にエポキシ樹脂を硬化させることができる包接化合物を提供する。
【解決手段】式(I)で代表されるイソフタル酸化合物、及び、1,1,2,2−テトラキス(4−ヒドロキシフェニル)エタンで代表されるテトラキスフェノール系化合物より選ばれる少なくとも1種と1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノネン−5を含有する包接化合物。


[式中、Rは、C1〜C6のアルキル基、C1〜C6のアルコキシ基、ニトロ基又は水酸基を表す。] (もっと読む)


【課題】熱や酸、塩基、界面活性剤等を用いることなくナノチューブの形成及び崩壊の制御が容易であり、かつ、それに伴いゲストの包接・放出が可能な有機ナノチューブ、局所空間で形成可能な有機ナノチューブを提供する。
【解決手段】エチレンジアミンの両端に、それぞれ、アゾベンゼンの様な光異性化機能を有する化合物及びグリシン、ジグリシン又はトリグリシンを連結した化合物を用い、これを水中で加熱溶解し、室温まで冷却すると有機ナノチューブを得る。得られた有機ナノチューブは、光照射することにより、内包したゲストを容易に放出する。 (もっと読む)


【課題】包接化合物等としての利用が期待でき、官能基の導入による機能化が可能なクラスター化合物を提供する。
【解決手段】一般式(1)で表される化合物(A)と一般式(2)で表される化合物(B)を反応させて得られる芳香族化合物と、金属化合物と、を接触させて得られるクラスター化合物である。


(一般式(1)中、Xは、炭素数1〜10の置換若しくは非置換のアルキル基、炭素数2〜10の置換若しくは非置換のアルケニル基、又はアルキニル基、炭素数7〜10の置換若しくは非置換のアラルキル基、炭素数1〜10の置換若しくは非置換のアルコキシ基、又は置換若しくは非置換のフェノキシ基を示し、mは、0又は1を示す。)(一般式(2)中、Rは、炭素数1〜8の置換又は非置換のアルキレン基を示す。) (もっと読む)


本発明は、生理学的に許容される媒体中で、式(I)のナフトエ酸誘導体、その塩およびエステル


および少なくとも1種のシクロデキストリンから構成される少なくとも1種の複合体を含む、局所適用のための組成物に関し、前記可溶性分子複合体は、圧力下で高密度な流体の技術によって得られる。
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【課題】分解後に二層分離した液体のゲスト物質が蒸発することなく、しかも、液体のゲスト物質と水の接触面積も大きくできる撥水素材を用いた水和物製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】槽14内に水12を充填し、固定具13で撥水素材10を水面12wの下に浸るよう設け、その槽14内に液体のゲスト物質11を投入して撥水素材10に付着させ、その状態で槽14を冷却して包接水和物15を生成するものである。 (もっと読む)


【課題】ゲスト化合物である窒素ホウ素化合物の含有率が高く、水素の放出量を増大させることのできる包接化合物、及び当該包接化合物の製造方法を提供する。
【解決手段】包接化合物は、ゲスト化合物としての窒素ホウ素化合物を、ホスト化合物としてのジフェン酸ビス(ジシクロヘキシルアミド)で包接してなり、包接化合物中における窒素ホウ素化合物の含有率が1質量%以上のものである。このような包接化合物は、窒素ホウ素化合物の濃度が0.1mol/L以上となるように、ジフェン酸ビス(ジシクロヘキシルアミド)と窒素ホウ素化合物とを有機溶媒に溶解させ、それらを接触させることで、容易に製造することができる。 (もっと読む)


【課題】混合クレゾール中のメタクレゾールに尿素を付加した付加物に取込まれた不純物を容易に洗浄除去できる付加物の製造方法の提供。
【解決手段】混合クレゾールに尿素および水を添加混合して、メタクレゾールと尿素の反応による付加物を含むエマルジョンを形成し、エマルジョンから付加物を分離する付加物の製造方法。 (もっと読む)


【課題】ガスハイドレートの自己保存性を低下させないように、脱水工程で排水された水分を系外へ排出すると共に生成工程に純水を添加して原料水中のイオン濃度を調整しながらガスハイドレートを製造する方法とその装置を提供する。
【解決手段】ガスハイドレート生成装置1、ガスハイドレートに含まれる水分を排出する脱水装置2、およびガスハイドレートを圧縮成形する成形装置3とを備えたガスハイドレートの製造装置において、前記脱水工程の排水を系外に排出すると共にハイドレート生成工程に純水を添加し、この生成工程の原料水w1中のイオン濃度を、ガスハイドレートの分解抑制濃度に調整することを特徴とするハイドレートの製造方法。 (もっと読む)


【課題】ガスハイドレートペレットの脱圧工程における分解を防止するために、ペレットに10μmから500μmの薄くてかつ均一な水膜を形成し、前記ペレットを冷却することで氷膜を形成したガス含有率が高い高品質ペレットの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】ガスハイドレートの生成条件下でガスハイドレートを生成する生成工程と、前記ハイドレートを脱水・圧搾成型してハイドレートペレット20を成型する成型工程と、前記ペレット20にマイナスに帯電した前記ペレット20の原料水30を噴霧し表面に水膜を形成する水膜形成工程と、前記ペレット20を冷却する冷却工程と、脱圧して大気圧とする脱圧工程からなる。 (もっと読む)


【課題】フルオレン骨格を含有する化合物を用いた新規な包接化合物(フルオレン含有包接化合物)及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の包接化合物は、9,9−ビスアリールフルオレン骨格を少なくとも含有するフルオレン含有化合物をホスト化合物とする。ゲスト化合物は、芳香脂肪族飽和アルコール、脂肪族不飽和アルコール、脂環族飽和アルコール又は少なくとも第三級炭化水素基を有するエーテルであってもよい。前記包接化合物は、前記ホスト化合物1モルに対し、前記ゲスト化合物を1〜2モル程度の割合で含んでいてもよい。前記包接化合物は、除放性材料、温度感応型材料、気体蓄積材料又は分離材料として用いてもよい。 (もっと読む)


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