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Fターム[4H049VP11]の内容

Fターム[4H049VP11]に分類される特許

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【課題】より耐久性である充填物の存在でHCl、H2O及びシロキサンを含有する混合物を加工する方法。
【解決手段】フッ素化ビニルポリマーからなる充填物の存在で、HCl、H2O及びシロキサンを含有する混合物を加工する。 (もっと読む)


本発明は、少なくとも一つのアミノアルキルシロキサンと、ヒドロキシカルボン酸および/またはいずれの場合にも少なくとも二つのヒドロキシル基を有するモノ−および/またはジサッカリドを用いて高級アルキルで変性された、少なくとも一つのアミドアミノシロキサンとの混合物を含んでなる、繊維製品の折り目形成を低減するための組成物、および繊維製品を処理するための該組成物の使用に関する。 (もっと読む)


【課題】各種成分との相溶性にも優れ、単独或いは他成分と配合して有用であり、しかも貯蔵安定性に優れた硬化性組成物を供するシロキサン化合物を得る。
【解決手段】以下の示性式で表されるシロキサン化合物を含有する液状組成物が硬化してなる硬化物。
SiO(OH)(OR(OR
(ただし、1.0≦a≦1.6、0≦b<0.3、b=4−(2a+c+d)、0≦c≦2.0、0<d≦2.0、Rはメチル基又はエチル基、RはRと相異なる有機基) (もっと読む)


【課題】 低誘電率かつ高膜強度な絶縁膜及びその効率的な製造方法、該絶縁膜を用いた電子装置の提供。
【解決手段】 中心部に空隙を有する炭素系中空構造体が、Si原子及びO原子の少なくともいずれかを介して連結されてなる網目状構造物を含むことを特徴とする絶縁膜である。前記炭素系中空構造体がフラーレン及びカーボンナノチューブの少なくともいずれかである態様、連結が化学結合により行われる態様、などが好ましい。前記絶縁膜を少なくとも有してなることを特徴とする電子装置である。該電子装置は、絶縁膜を層間絶縁膜として有する態様が好ましい。 (もっと読む)


【課題】光エレクトロニクス材料として有用な新規な高分子化合物を提供する。
【解決手段】式(1)で示されるシルセスキオキサン骨格をポリマー主鎖中に有する高分子化合物を提供する。
化1


式(1)において、X及びYは独立して水素原子、または炭素数1〜40の1価有機基を示す。 (もっと読む)


ククルビツリルが結合したシリカゲル、及びその使用を提供する。ククルビツリルが結合したシリカゲルは、大気汚染物質及び水汚染物質の除去、並びに生物学的、有機、無機、またはイオン性物質の分離及び精製に有用である。
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本発明は、(i)アミノ分解工程において、一成分系前駆体化合物をアンモニアまたは有機アミンと反応させ、(ii)アミノ分解による反応混合物は、連続的に運転される抽出工程で少なくとも1回有機溶剤で抽出され、(iii)抽出の際に生じるアンモニア含有相または有機アミン含有相は、廃棄されるか、後処理されるか、または少なくとも一部分が返送され、および(iv)抽出の溶剤含有相から炭素含有のモノボロシラザン、オリゴボロシラザンおよび/またはポリボロシラザンを取得することを特徴とする、炭素含有のモノボロシラザン、オリゴボロシラザンおよび/またはポリボロシラザンを製造するための装置および方法に関する。
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【課題】 良好な親水性を有し、水にさらされた場合の水接触角の増加が少なく、長期間の耐汚染性を有する塗膜を得ることができるシリケート組成物及びこれを含む水性塗料を提供する。
【解決手段】 アルキルシリケートを下記式(1);
R−X−(CHCHO)−H (1)
(式中、Rは、炭素数4〜18の炭化水素基を表す。Xは、−O−又は−COO−を表す。)で表される化合物で変性して得られるシリケート組成物。 (もっと読む)


【課題】運搬の容易な、固形のハフニウム及び/又はジルコニウム層状化合物、その効率的な製造方法並びに前記層状化合物を含有する塗布層から形成され、高い硬度と優れた疎水性とを有する硬質膜を提供すること。
【解決手段】(1)ハフニウム及び/又はジルコニウムとカルボニル基とを含有することを特徴とする層状化合物。(2)水酸化ハフニウム及び/又は水酸化ジルコニウムと水とカルボン酸とを混合し、加熱することを特徴とする前記(1)の層状化合物の製造方法。(3)前記(1)の層状化合物層状化合物を含有する塗布層に紫外線を照射することによって形成されて成ることを特徴とする硬質膜。 (もっと読む)


【課題】有機溶媒と単量体との溶解性に優れ、かつ高誘電率を有する新たな有機/無機金属ハイブリッド物質及びこれを含む有機絶縁体組成物を提供する。
【解決手段】下記式で表される有機/無機金属ハイブリッド物質及びこれを含む有機絶縁体組成物。


式中、R〜Rはアルキル基、アクリロイルオキシ基等を表わし、Mはチタン、ジルコニウム、ハフニウム、アルミニウム等の金属原子を表わす。 (もっと読む)


【課題】従来のチタンアルコキシドは架橋剤、接着改良剤、薄膜原料などに利用価値があったが、空気中の水分で加水分解をおこし取り扱いなどの作業性に問題があり、また有機溶媒を使用するため作業環境の面からも問題があった。本発明者等は、水と任意の割合で混ぜる事ができ、電解質水溶液に対しても安定な水性チタン組成物を鋭意検討してきた。
【解決手段】その結果、チタンアルコキシド、限定されたグリコール、脂肪族アミンおよびオキシカルボン酸を接触、混合する事により、水と任意の割合で混ぜる事ができ、電解質水溶液に対しても安定な水性チタン組成物を見出すに至った。 (もっと読む)


本発明は半導体または電気回路での低いk誘電性フィルムの製造方法に関し、前記方法は、一般式[(RSiO1.5(RSiO)](式中、a、bは0〜1であり、c、dは1であり、m+nは3以上であり、a+bは1であり、n、mは1以上であり、Rは水素原子またはアルキル、シクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、シクロアルキニル、アリールまたはヘテロアリール基であり、それぞれ置換されているかまたは置換されてなく、Xはオキシ、ヒドロキシル、アルコキシ、カルボキシル、シリル、シリルオキシ、ハロゲン、エポキシ。エステル、フルオロアルキル、イソシアネート、アクリレート、メタクリレート、ニトリル、アミノまたはホスフィン基であり、またはタイプXの少なくとも1つの前記基を有するタイプRの置換基であり、Yはヒドロキシル、アルコキシまたはタイプO−SiZの置換基であり、Z、ZおよびZはフルオロアルキル、アルコキシ、シリルオキシ、エポキシ、エステル、アクリレート、メタクリレートまたはニトリル基であり、またはタイプRの置換基であり、同じかまたは異なり、タイプRの置換基が同じかまたは異なるだけでなく、タイプXおよびYの置換基もそれぞれ同じかまたは異なり、タイプYの置換基として少なくとも1個のヒドロキシル基を有する)の不完全に縮合した多面体のオリゴマーシルセスキオキサンをフィルムの製造のために使用することを特徴とし、更にこの方法により製造される低いk誘電性フィルムに関する。 (もっと読む)


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