【課題】 パーティクル汚染を防止しながら、良好な成膜効率で薄膜を形成することができ、特に特にＡＬＤ法を含むＣＶＤ法等の気化工程を有する薄膜製造方法に好適な薄膜形成用原料を提供すること。
【解決手段】 下記一般式（I）で表される金属化合物を含有してなる薄膜形成用原料。
【化１】
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【課題】製造工程が簡易で、かつ、有機エレクトロルミネセントデバイスに用いられたときの電界発光の発光効率が良好なアントラセン化合物、及び、これを用いた有機発光電界デバイスを提供する。
【解決手段】トリフェニルシリル基等のシリル基を有するフェニル基を９位及び１０位に有するアントラセン化合物。該アントラセン化合物は、青色有機エレクトロルミネセントデバイスのホスト材料、あるいは有機エレクトロルミネセントデバイスのホール輸送層材料、又は、電子輸送層材料としても有用なものである。 （もっと読む）

【課題】 簡便な製造方法により容易に結晶化させて有機薄膜を形成することができるとともに、得られた有機薄膜を基板表面に強固に吸着させて物理的な剥がれを防止して、かつ、高い秩序性、結晶性、電気伝導特性を有する有機薄膜を作製できるπ電子共役系有機シラン化合物およびその合成方法を提供すること。
【解決手段】 Ｒ^１−ＳｉＸ^１Ｘ^２Ｘ^３（Ｒ^１はσ^＊-π^＊共役系を形成する原子を含有する単環式複素環ユニットを含む有機基；Ｘ^１〜Ｘ^３は加水分解により水酸基を与える基）で表されるπ電子共役系有機シラン化合物。Ｒ^１−Ｌｉ（Ｒ^１は上記と同義）の化合物、またはＲ^１−ＭｇＸ^５（Ｒ^１は上記と同義；Ｘ^５はハロゲン原子）の化合物と、Ｘ^４−ＳｉＸ^１Ｘ^２Ｘ^３（Ｘ^１〜Ｘ^３は上記と同義；Ｘ^４は水素原子、ハロゲン原子又は低級アルコキシ基）の化合物とを反応させる上記π電子共役系有機シラン化合物の合成方法。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率でかつクラック耐性、耐熱性、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）耐性に優れる、特に２．４以下の低い比誘電率を有する高信頼性の絶縁膜などの絶縁材料を形成可能な組成物を提供する。
【解決手段】 一般式（１）により表される化合物などの特定のケイ素含有化合物、その加水分解物、または縮合物を含有することを特徴とする絶縁膜形成用組成物及びそれを用いて形成される絶縁膜などの絶縁材料。
Ａ_nＳｉＸ_(4-n) （１）
式中、ｎは１〜３の自然数を表す。Ａは、置換基を有していても良い、炭素原子１１個以上で形成されるカゴ型構造を含有する基であり、Ｘは加水分解性基を表す。 （もっと読む）

所定の刺激に晒された後、光学的に透明な状態から光学的に不透明な状態へ転換し、これにより光学読み取り可能な記憶媒体上にエンコードされたデータへのアクセスを阻害する反応性材料により構成された接合層を読み取りビームが通過する、光学読み取り可能な記憶媒体を製造する方法及び装置が提供される。方法は、ブロック化染料を合成するステップと、ブロック化染料を担体材料と組み合わせるステップと、結果的な組み合わせを硬化させるステップと、結果的な接合層において染料をブロック解除して還元染料を生成するステップと、接合層に反応性材料を有する光学読み取り可能記憶媒体を所定の刺激に露出するステップとを含む。本発明の更なる態様では、光学読み取り可能な記憶媒体を製造する方法及び装置が提供され、ここで、読み取り光は接合層を通過し、データエンコード情報は、Ｌ１層上でエンコードされる。本発明の更に別の態様では、光学読み取り可能な記憶媒体のエンコードデータへのアクセスを制限する少なくとも二つのメカニズムを備えた、光学読み取り可能な記憶媒体を製造する方法及び装置が提供される。 （もっと読む）

本発明は、式（Ｉ）のフルオロハロアルカン、好ましくは［^１８Ｆ］フルオロハロアルカンの製造方法であって、式（II）の対応有機ケイ素化合物と式（III）の化合物との反応を含んでなる方法を提供する。この方法に使用する中間体も特許請求の範囲に記載される。
Ｘ−（ＣＨ_２）ｎ−Ｆ （Ｉ）
（式中、Ｘはハロであり、ｎは１〜６の整数である。）
【化１】


（式中、ｎは式（Ｉ）の化合物について定義した通りであり、Ｒ′、Ｒ″及びＲ″′はＣ_１−６アルキル及びＣ_１−６ハロアルキルから独立に選択され、或いはＲ″は次式の基
【化２】


であってもよい。）
ＸＹ （III）
（式中、Ｘは式（Ｉ）の化合物について定義した通りであり、Ｙはハロである。）
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