【課題】 高引張破断強度、高引張弾性率、低面方向での線膨張係数を兼ね備え、かつ表面接着性に優れたポリイミドフィルムを提供する。
【解決手段】 オキシジフタル酸、ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼンからのポリイミド（ａ）を１〜３０モル％と、ピロメリット酸及び／又はビフェニルテトラカルボン酸とベンゾオキサゾール骨格を有するジアミン及び／又はフェニレンジアミンとからのポリイミド（ｂ）を７０−９９モル％とを含むポリイミド、このポリイミドから得られる引張破断強度が３００ＭＰａ以上、引張弾性率が５ＧＰａ以上であるポリイミドフィルム、ポリイミドフィルムを基板として用いた銅張積層板、
プリント配線板、多層回路基板である。 （もっと読む）

【課題】寸法安定性に優れ、低熱膨張係数を有する光導波路素子などに有用な光学用ポリイミドを提供する。
【解決手段】ベンゾアゾール骨格を有する芳香族ジアミン類と芳香族テトラカルボン酸類とを反応させて得られるポリイミドであって、ポリイミド構造中にベンゾアゾール骨格を含む光学用ポリイミドで、ポリイミドの熱膨張率が３５ｐｐｍ／℃以下である光学用ポリイミド。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で高純度のジカルボン酸誘導体を得ることができる製造方法を提供すること。
【解決手段】塩基性水溶液に溶解した下記一般式（１）で表される化合物と、前記塩基性水溶液に実質的に溶解しない有機溶媒に溶解した下記一般式（２）で表される化合物を、界面反応させることを特徴とする、下記一般式（３）で示されるジカルボン酸誘導体の製造方法。
Ｒ^１−ＡＨ （１）
Ｘ−ＣＯ−Ｒ^２−ＣＯ−Ｘ （２）
Ｒ^１−ＡＣＯ−Ｒ^２−ＣＯＡ−Ｒ^１ （３）
（上記式中、Ｒ^１は炭素数１〜２０の窒素原子または硫黄原子含有基、Ｒ^２は炭素数２〜３０の２価の基を示す。Ａは酸素原子または硫黄原子を示す。Ｘは同じでも異なってもよく、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を示す。） （もっと読む）

【課題】一次構造が制御され、幅広い線膨張係数を選択制御できるポリイミドフィルムと、その製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）ベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類５〜９５モル％と、（ｂ）ジフェニルエーテル構造を有する芳香族ジアミン類９５〜５モル％とを混合し溶媒に溶解させ、さらに（ｃ）芳香族テトラカルボン酸無水物類を加えて得られるポリアミド酸溶液を、少なくとも混合開始から室温にて１２時間以上撹拌及び／又は混合した後に流延・乾燥・熱処理して、該フィルムの線膨張係数［Ｙ］と、ジフェニルエーテル構造を有する芳香族ジアミンのモル％［Ｘ］とが式 ［Ｙ］＝ａ［Ｘ］＋ｂ で表されたとき、ａとｂが、０．４≦ａ≦０．６、かつ２．５≦ｂ≦４．０の範囲をとるポリイミドフィルムを得る。 （もっと読む）

【課題】ＰＣＴ処理後の高剥離強度保持率、低面方向での線膨張係数を兼ね備え、かつ表面接着性に優れたポリイミドフィルムとその製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）層：芳香族テトラカルボン酸類として４，４’−オキシジフタル酸、芳香族ジアミン類として１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼンからの化１で示されるポリイミドと（ｂ）層：芳香族テトラカルボン酸類としてピロメリット酸及び又はビフェニルテトラカルボン酸、芳香族ジアミン類としてベンゾオキサゾール骨格を有するジアミン及び又はフェニレンジアミンを反応させて得られるポリイミドとが、少なくとも積層されてなる多層ポリイミドフィルム、及び（ａ）層と（ｂ）層とを、両者の残留揮発成分率が共に１０％以上の状態で、２００℃以下で積層する多層ポリイミドフィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 極めて高温での使用にも耐える電子部品の基材として好適な、高い剛性を持ち極めて高い耐熱性を有し、特に高温湿熱環境下に晒された後の力学特性の保持に優れたポリイミドフィルムを提供する。
【解決手段】 芳香族ジアミン類と、芳香族テトラカルボン酸類とを重縮合して得られるポリイミドフィルム特に少なくとも芳香族テトラカルボン酸類の残基としてピロメリット酸残基、芳香族ジアミン類の残基としてベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン残基とを有するポリイミドフィルムであって、ポリイミドフィルムのポリマー由来の分解物量が０．０１ｐｐｍ以上７ｐｐｍ以下であるポリイミドフィルム。 （もっと読む）

【課題】極めて高温での使用にも耐える電子部品として好適な、金属化ポリイミドフィルムを提供する。
【解決手段】芳香族ジアミン類と、芳香族テトラカルボン酸類とを重縮合して得られるポリイミドフィルムの少なくとも片面に金属層を形成した金属化フィルムであって、該金属化ポリイミドフィルムのポリイミドフィルム中における残存溶媒量が０．１〜１ｐｐｍである金属化フィルム。 （もっと読む）

【課題】 回路基板用の銅張積層基板（銅張積層フィルム）の基板フィルムなどとして使用できる、表面付着異物量が少ない薄くて高引張弾性率のポリイミドフィルムを提供する。
【解決手段】 ２μｍ以上の付着異物量が１００〜１００，０００個／ｍ^２であり、フィルムの厚さが２〜１２．５μｍ、引張弾性率が６ＧＰａ以上のポリイミドフィルム、特にポリイミドが芳香族ジアミン類の残基としてベンゾオキサゾール骨格を有するポリイミドフィルムのポリイミドロールフィルム。 （もっと読む）

【課題】 乾式製膜方法によって金属薄膜を形成する際に受ける熱による障害が抑制され皺や剥離のない金属薄膜が形成された金属化ポリイミドフィルムを提供する。
【解決手段】 残存溶媒量が０．１〜１００ｐｐｍであるポリイミドフィルムの少なくとも片面に乾式製膜方法によって形成された厚さ０．５μｍ〜５μｍの金属層が形成された金属化ポリイミドフィルム。 （もっと読む）

【課題】極めて高温での使用にも耐える電子部品の基材として好適な、高い剛性を持ち極めて高い耐熱性を有し、特に高温湿熱環境下に晒された後の力学特性の保持に優れたポリイミドフィルムを提供する。
【解決手段】芳香族ジアミン類と、芳香族テトラカルボン酸類とを重縮合して得られるポリイミドフィルム特に少なくとも芳香族テトラカルボン酸類の残基としてピロメリット酸残基、芳香族ジアミン類の残基としてベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン残基とを有するポリイミドフィルムであって、ポリイミドフィルムの残存溶媒量が０．１ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下であるポリイミドフィルム。 （もっと読む）

【課題】少なくとも１種の半導体ＩＣチップなどの能動部品が内蔵された部品内蔵多層基板において、異種材料の積層による歪みや部品の回路との剥がれを防止する。
【解決手段】基板絶縁材上に形成された回路を有する回路基板が多層積層された積層体の内部に、半導体ＩＣチップ９、１０などの能動部品の少なくとも１種の部品が内蔵された部品内蔵多層基板で、部品が接続される回路が形成された基板絶縁材４、６が、１００℃から３５０℃における線膨張係数の平均値（ＣＴＥ）が−５（ｐｐｍ／℃）〜＋２０（ｐｐｍ／℃）の範囲にある芳香族ジアミン類と芳香族テトラカルボン酸類との反応によって得られるポリイミドフィルム、特に、ベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類と芳香族テトラカルボン酸類との反応によって得られるポリイミドフィルムであることを特徴とする部品内蔵多層基板。 （もっと読む）

【課題】硫酸イオンなど絶縁性に大きな影響を及ぼす因子を含まない機器の小型化、軽量化、高密度配線化に対応し得る配線パターンが微細化したフレキシブルプリント配線板などに使用し得る金属化ポリイミドフィルムを提供する。
【解決手段】厚さ１〜１０μｍのポリイミドフィルムの少なくとも片面に、乾式製膜方法によって形成された厚さ０．５〜５μｍの金属層が形成された金属化ポリイミドフィルムであって、３００℃で１０分間熱風処理した後のカール度が１０％以下であることを特徴とする金属化ポリイミドフィルム。 （もっと読む）

【課題】重合反応の阻害を抑制し、機械強度に優れ且つ低誘電率である層間絶縁膜を形成する方法、及び該方法に用いる前駆体溶液を提供する。
【解決手段】アルデヒド基を有するアダマンタン誘導体（１０ａ）と芳香族アミン誘導体（１０ｂ）とを含む溶液を基板上に塗布した後に、酸素を含有する雰囲気下において熱処理を行なうことにより、アダマンタン骨格とベンツオキサゾール骨格とを有する有機高分子膜（１０ｄ）よりなる層間絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】分子内に３次元空孔を有する３次元重合高分子構造を有し、機械強度に優れ且つ低誘電率の有機高分子膜を形成する。
【解決手段】アダマンタン骨格における少なくとも１，３，５，７位に、炭素数が１以上の置換基、官能基、又は置換基を介した官能基が結合しており、官能基と結合している置換基が芳香族であるアダマンタン誘導体よりなるモノマーを重合させる。 （もっと読む）

【課題】電子部品の基材フィルムとして好適な耐熱性と剛性に優れ、かつ加熱しながら各種機能層を積層してもカールによる不具合が発生しない、熱変形安定性に優れたポリイミドフィルムを得ることができるポリイミドフィルムの製造方法を提供すること。
【解決手段】前駆体ポリイミド前駆体フィルムを支持体上で製造する第一乾燥工程と前記フィルムを熱により反応させてイミド化反応させる工程との間に、支持体から剥離した前駆体フィルムを両面から溶媒を乾燥させる両面乾燥工程を導入し、表裏面における残留溶媒量差を制御するポリイミドフィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】電子部品の基材フィルムとして好適な耐熱性と剛性に優れ、かつ加熱しながら各種機能層を積層してもカールによる不具合が発生しない、熱変形安定性に優れたポリイミドフィルムを得ることができるポリイミドフィルムの製造方法を提供すること。
【解決手段】前駆体ポリイミド前駆体フィルムを支持体上で製造する第一乾燥工程と前記フィルムを熱により反応させてイミド化反応させる工程との間に、支持体から剥離した前駆体フィルムを両面から溶媒を乾燥させる両面乾燥工程を導入し、両面乾燥工程を通過後の前駆体ポリイミド前駆体フィルムが、一方の面（Ａ面）のイミド化率をＩＭａとし、他一方の面（Ｂ面）のイミド化率をＩＭｂとするとき、ＩＭａ、ＩＭｂの両者の差が０．００１以上０．０３以下にするポリイミドフィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い弾性率と機械的強度を有し、熱履歴による歪や接続不良を起こさないテープキャリア型半導体パッケージの絶縁基材を使用することで、耐久性で高精度などの優れた特性を有する表示機器を提供する。
【解決手段】テープキャリア型半導体パッケージを介して駆動信号を受ける液晶表示素子、ＥＬ表示素子などの表示素子を用いた表示機器の、該テープキャリア型半導体パッケージの絶縁基材が３００℃でのカール度１０％以下のフィルム、特にベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類と、芳香族テトラカルボン酸無水物類とを反応させて得られるポリイミドベンゾオキサゾールを主成分とする線膨張係数が２〜１５ｐｐｍ／℃のポリイミドフィルムである表示機器。 （もっと読む）

【課題】高い弾性率と機械的強度を有し、熱履歴による歪や接続不良を起こさないテープキャリア型半導体パッケージの絶縁基材を使用することで、耐久性で高精度などの優れた特性を有する表示機器を提供する。
【解決手段】テープキャリア型半導体パッケージを介してピークトゥピーク電圧が２０ボルト以上の駆動信号を受けるプラズマディスプレイなどの表示素子を用いた表示機器の、該テープキャリア型半導体パッケージの絶縁基材が３００℃でのカール度１０％以下のフィルム、特にベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類と、芳香族テトラカルボン酸無水物類とを反応させて得られるポリイミドベンゾオキサゾールを主成分とする線膨張係数が２〜１５ｐｐｍ／℃のポリイミドフィルムである表示機器。 （もっと読む）

【課題】高い弾性率と機械的強度を有し、熱履歴による歪や接続不良を起こさないテープキャリア型半導体パッケージの絶縁基材を使用することで、耐久性で高精度などの優れた特性を有する表示機器を提供する。
【解決手段】テープ基板上に複数の半導体チップが搭載されたテープキャリア型半導体パッケージを介して駆動信号を受ける直視型薄型表示素子を用いた表示機器であって、該テープキャリア型半導体パッケージの絶縁基材が３００℃でのカール度１０％以下のポリイミドフィルム、中でもベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類と、芳香族テトラカルボン酸無水物類とを反応させて得られるポリイミドベンゾオキサゾールを主成分とする線膨張係数が２〜１５ｐｐｍ／℃のポリイミドフィルムである表示機器。 （もっと読む）

【課題】 銅箔と基材との接着性に優れ、かつ絶縁信頼性、耐マイグレーション性に優れ、さらに高信頼のＣＯＦ、ＴＡＢ、ＦＰＣ、半導体パッケージ基板などの基材として実用に足る金属被覆ポリイミドフィルムを提供する。
【解決手段】 ポリイミドフィルムの少なくとも片面に（１）Ｃｕを含まない第一の金属層、（２）Ｃｕを主体とする第二の金属層が順次積層されてなる金属被覆ポリイミドフィルムにおいて、該金属被覆ポリイミドフィルムを１５０℃で熱処理した後に、硫酸／過酸化水素系エッチング試薬で処理したポリイミドフィルム表面のＣｕ以外の残存金属量が１μｇ／平方ｃｍ以上、１０μｇ／平方ｃｍ以下であることを特徴とする金属被覆ポリイミドフィルム。 （もっと読む）