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Fターム[4J100AT19]の内容

付加系(共)重合体、後処理、化学変成 (209,625) | 炭素−炭素三重結合含有化合物 (348) | 炭素−炭素三重結合を3つ以上含有 (81)

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【課題】高耐熱、高機械的強度、低誘電率など優れた特性を示す膜を形成することができる膜形成用組成物、その膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、並びに、その絶縁膜を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】下記式(1)で表される化合物、および該化合物を用いて得られる重合体を含む膜形成用組成物。


(Aは有機結合基、または単結合を表す。Xは、炭素炭素三重結合を有する基を表す。nは、2〜4までの整数を表す。) (もっと読む)


【課題】本発明は、低誘電性、高耐熱性、かつ優れた機械強度を達成できる膜を形成するための架橋性官能基を有する化合物を含む膜形成用組成物、この膜形成用組成物を用いて得られる膜、および絶縁膜、並びに、この絶縁膜を有する電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】一般式(1)で表される部分構造を少なくとも1つ有する化合物を含む膜形成用組成物。
【化1】


(一般式(1)中、RおよびRは、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。RとRは、互いに結合して環構造を形成してもよい。Rは、水素原子または置換基を表す。*は、結合位置を表す。) (もっと読む)


【課題】低い誘電率と優れた機械強度を有し、面性が良好な絶縁膜を形成できる膜形成用組成物(塗布液)を提供すること。さらには該膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜及び該絶縁膜を有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】(A)下記式(1)で表されるモノマー単位を含み、重量平均分子量が1,500以上である重合体を含むことを特徴とする膜形成用組成物。


式(1)中、XはO、S又はCH2を表し、Rはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アリールオキシ基、水酸基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ハロゲン原子、トリアルキルシリル基又はトリアリールシリル基を表し、Rはさらに置換基を有していてもよく、互いに結合して環構造を形成してもよい。nは0〜4の整数を表す。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好であり、かつ基板との密着性が良好であり、更に塗布液の安定性に優れる層間絶縁膜形成用組成物を提供することである。
【解決手段】以下の成分を含む層間絶縁膜用組成物により、上記課題が解決される。
(A)少なくとも一般式(1)の化合物を一種含む原料を重合して得られる重合体。


(B)溶媒。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスなどに用いられる絶縁膜を形成するための組成物であって、得られた絶縁膜の誘電率、機械強度等の膜特性が良好であり且つ基板との密着性に優れ、更に塗布液の安定性に優れる絶縁膜形成用塗布液を提供することである。
【解決手段】以下の成分を含む層間絶縁膜用組成物により、解決される。
(A)炭素-炭素二重結合を少なくとも一つ有するアルコキシシランまたはアシロキシシランの加水分解物、
(B)分子内に、炭素-炭素二重結合または炭素-炭素三重結合を少なくとも2つ有する化合物、
(C)炭素数16以下のカルボン酸、及び
(D)溶媒。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好であるとともに、経時保存後も良好な膜を提供できる膜形成用組成物、さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】カゴ型構造を有する化合物及び熱分解性化合物を含有することを特徴とする膜形成用組成物、該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイス。 (もっと読む)


【課題】 速硬化性であり、硬化物にした際にガラス転移温度が高い硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 炭素−炭素三重結合を含む置換基を有するベンゾオキサジン環を有する化合物(A)及び重合促進剤(B)を含んでなる硬化性樹脂組成物。前記硬化性樹脂組成物において、前記重合促進剤(B)は、パラジウム(II)を含む化合物である。前記パラジウム(II)を含む化合物は、ハロゲン元素未含有のものである。前記硬化性樹脂組成物は、1分子内にエポキシ基を2個以上有する化合物(C)及び1分子内にフェノール性水酸基を2個以上有する化合物(D)を含むものである。 (もっと読む)


【課題】誘電率、金属拡散バリア性などの膜特性が良好な絶縁膜を形成するための膜形成組成物、該膜形成組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】一般式(I)で表される化合物の重合体を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
(X)−Q−(Y) (I)
一般式(I)中、Qは環員数5または6の含窒素複素環を表す。
Xは任意の置換基を表す。
mは0〜10の整数を表し、
nは1〜10の整数を表す。
Yは所定の基を表す。 (もっと読む)


【課題】 膜形成組成物、特に、電子デバイスなどに用いられる低誘電率でかつ比誘電率の経時変化の少ない絶縁膜を形成することができる膜形成組成物、絶縁膜およびそれを有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】 カゴ型構造を有する化合物を含み,比誘電率30以上の成分が1質量%以下であることを特徴とする膜形成用組成物、それを用いた絶縁膜、および電子デバイス。 (もっと読む)


分析物を検出するための比色分析センサーが開示される。比色分析センサーの使用方法、および分析物を比色分析検出するためのキットも開示される。
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i)単一の芳香環に結合した2つのジエノフィル基(A−官能性基)、および、ii)2つの共役炭素−炭素2重結合および脱離基Lを含む第2の環構造(B−官能性基)を含むモノマーであり、ここで、前記単一の芳香環は、B−官能性基の2重結合炭素の1つに、または、B−官能性基の2重結合炭素を2つ含む縮合芳香環に、直接に共有結合し、そして、モノマーの1つのA−官能性基の1つは、付加環化反応条件下で第2のモノマーのB−官能性基と反応して、これによってポリマーを形成する能力があることを特徴とする、半導体機器上に低誘電率フィルムを形成する用途に適切なモノマー。 (もっと読む)


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