【課題】低い誘電率および誘電損失係数と高い熱安定性を有する硬化性環状ホスファゼン系化合物およびこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】６つの置換位置を持っている環状ホスファゼン物質に２〜６つの硬化性反応基を導入し、残りの位置に様々な構造の置換基を導入する方法で硬化度や分子の分極化および自由体積などを調節することにより、低い誘電率および誘電損失係数と高い熱安定性および界面接着力を有する物質を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低く、基板（絶縁膜を形成される部材）との密着性に優れ、信頼性が高く、製造時の歩留まりに優れた絶縁膜を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含む組成物を用いて形成されたものであって、面方向での線膨張係数が９×１０^−６Ｋ^−１以上２５×１０^−６Ｋ^−１以下であることを特徴とする。前記重合性化合物の前記重合性反応基は、芳香環と、当該芳香環に直接結合するエチニル基またはビニル基とを有するものであり、前記重合性化合物において、前記芳香環由来の炭素の数は、当該重合性化合物全体の炭素の数に対して、１５％以上、３８％以下であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程によってもダメージを受けにくい絶縁膜を形成し得る重合体を含む膜形成用組成物、前記絶縁膜、該絶縁膜を備える半導体装置、さらには前記重合体の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する化合物Ｃを含む重合性化合物を重合することにより得られる、分散比が１．０以上２．５以下の重合体を含むものである。 （もっと読む）

【課題】塗布面状が良好で、屈折率が低く、高温条件下においても屈折率変化が小さいパターン膜（以上、例えば、光学デバイスにおける反射防止膜に適した性能）であって、誘電率が低く、かつ、ヤング率が高いパターン膜（以上、例えば、半導体素子デバイス等における層間絶縁膜に適した性能）を、高解像度で形成可能な感光性組成物、パターン形成材料、並びに、これを用いた感光性膜、パターン形成方法、及び、パターン膜を提供する。更に、該感光性組成物を用いて製造される反射防止膜及び絶縁膜、並びに、これらを用いた光学デバイス及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ａ）下記式（１）で表される１種又は２種以上のかご状シルセスキオキサン化合物から構成されるシルセスキオキサン類より得られる重合体と（Ｂ）光重合開始剤とを含有する感光性組成物、パターン形成材料、並びに、これを用いた感光性膜、パターン膜、反射防止膜、絶縁膜、光学デバイス及び電子デバイス。
（ＲＳｉＯ_１．５）_ａ 式（１）
（式（１）中、Ｒは、それぞれ独立に、有機基を表し、Ｒのうちの少なくとも２つは、重合性基を表す。ａは８〜１６の整数を表す。複数のＲは同一であっても異なっていてもよい。）
ただし、前記重合体には前記かご状シルセスキオキサン化合物由来の重合性基が残存している。 （もっと読む）

【課題】 重合収率が向上し、金属不純物の含有量が低減されたかご型構造を有する重合体の製造方法を提供するものである。さらには、金属不純物の含有量が低減された膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を含む有機膜及び前記有機膜を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造Ａと、重合反応に寄与する重合性反応基Ｂとを有する化合物を重合して、かご型構造を有する重合体を製造する方法であって、前記かご型構造を含む部分構造Ａと重合性反応基Ｂを有する化合物と、界面活性剤とを水相中で超音波処理により混合する工程を含むことを特徴とする重合体の製造方法により達成される。 （もっと読む）

【課題】誘電率の低い絶縁膜であって、半導体装置の製造においてＣＭＰ法により当該絶縁膜上の膜を好適に除去することができるとともに、キャップ層を備えておらず、かつ、信頼性に優れた半導体装置の製造に好適に用いることができる絶縁膜を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含む組成物を用いて形成された絶縁膜であって、０．０３〜２０μｍの膜厚を有し、ナノインデンターを用いて、膜厚の２分の１以上の最大押し込み深さにおいて、弾性率測定変位を膜厚の１０分の１とする測定から求められる弾性率が、４．０ＧＰａ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】無機膜との密着性に優れ、銅配線のヒロックを抑制できる絶縁膜、該絶縁膜を備える半導体装置及び該絶縁膜を提供できる膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜は、１分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含む膜形成用組成物を用いて形成された絶縁膜であって、該絶縁膜とＳｉＣＮ膜とを用いて測定される、ｍ−ＥＬＴ法による密着力が、０．１５ＭＰａ・ｍ^{（１／２）}以上０．３５ＭＰａ・ｍ^{（１／２）}以下であることを特徴とする。前記重合性反応基は、芳香環と、当該芳香環に直接結合するエチニル基またはビニル基とを有するものであり、前記重合性化合物において、前記芳香環由来の炭素の数は、当該重合性化合物全体の炭素の数に対して、１５％以上、３８％以下であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低く、半導体装置の製造に適用した際に絶縁不良等の問題を生じにくい絶縁膜を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含む組成物を用いて形成されたものであって、フッ素系ガスでエッチングした際のエッチングレートが、ＳｉＯ膜の０．７５倍以下であることを特徴とする。前記重合性反応基は、芳香環と、当該芳香環に直接結合するエチニル基またはビニル基とを有するものであり、前記重合性化合物において、前記芳香環由来の炭素の数は、当該重合性化合物全体の炭素の数に対して、１５％以上、３８％以下であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】硬化時に反応副生成物が無く、溶融温度が低く、有機溶剤への溶解性も高く、他材料系との複合化を行ないやすく、硬化物が高い耐熱性を持つ熱硬化型付加反応ポリイミド化合物を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の熱硬化型付加反応ポリイミド化合物は、分子式ＢＡ_p（ｐ＝３または４）で表される、置換基Ａで置換された芳香族化合物Ｂからなる熱硬化型付加反応ポリイミド化合物であって、前記置換基Ａは下記式（１）に示す構造を有する置換基であり、



上記式（１）において、０≦ｎ≦２の整数、０≦ｍ≦３の整数、Ｒは炭素数６以上の単環式芳香族基、または炭素数６以上の芳香族基およびその誘導体のいずれか２以上が直接または架橋により相互に結合された複数環式芳香族基であって六員環の数が１または２の四価の置換基であり、芳香族化合物Ｂは、少なくとも炭素数３個を有する芳香族化合物であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低誘電率で、安定した絶縁性を示し、かつ、強度に優れ、膜厚や特性の不本意なばらつきが抑制された絶縁膜の形成に好適に用いることができる膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造ａ１と、重合性の官能基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含むものであって、アセチレン結合を含むアセチレン系反応基を、分子内に複数個備えたオリゴアセチレン体を前記重合性化合物として含むとともに、前記オリゴアセチレン体が有する前記アセチレン系反応基の少なくとも一部が水素原子で置換された構造を有する水素化体を含み、前記重合性化合物が重合していない状態とした場合における、前記オリゴアセチレン体と前記水素化体の総モル数に対する、前記水素化体のモル分率が０．０１〜１０モル％であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低誘電率で、安定した絶縁性を示し、かつ、強度に優れ、膜厚や特性の不本意なばらつきが抑制された膜の形成に好適に用いることができる膜形成用組成物を好適に製造することができる製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物の製造方法は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造ａ１と、炭素原子に結合したハロゲン原子とを有する化合物Ａを用意する化合物Ａ用意工程と、前記化合物Ａをアセチレン誘導体と反応させ、前記化合物Ａに前記アセチレン誘導体を導入するアセチレン誘導体導入工程と、ＭｇまたはＬｉを作用させ、さらに、水素源を作用させることにより、前記アセチレン誘導体導入工程で未反応であった炭素−ハロゲン結合を炭素−水素結合に置換する水素化工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】重合性ＬＣ材料および負の光学的分散を有するポリマーフィルムを提供する。
【解決手段】本発明は、負の光学的分散を有する重合性ＬＣ材料と、その様な材料より得ることができる負の光学的分散を有するポリマーフィルムと、光学的、電気光学的、電子的、半導体または発光部品または装置における該重合性ＬＣ材料およびポリマーフィルムの使用とに関する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光学デバイスにおける反射防止膜などとして使用するのに適した、硬化時の膜収縮が少なく、塗布面状が良好で、耐湿性および密着性に優れ、高温条件下においても屈折率変化の小さい、低屈折率膜の形成が可能な光学材料用組成物を提供することを目的とする。さらに、本発明は、該光学材料組成物を用いて製造される反射防止膜、および該反射防止膜を有する光学デバイスを提供することも目的とする。
【解決手段】下記平均組成式（１）（Ｒ¹ＳｉＯ_1.5）_x（Ｒ²ＳｉＯ_1.5）_y（式（１）中、Ｒ¹は、重合性基を表す。Ｒ²は、非重合性基を表す。ｘは２．０〜１４．０の数を表し、ｙは２．０〜１４．０の数を表す。ただし、ｘ＋ｙ＝８〜１６を満たす。なお、複数のＲ¹およびＲ²は、同一であっても異なっていてもよい。）で表され、１種または２種以上のかご状シルセスキオキサン化合物から構成されるシルセスキオキサン類、より得られる重合体を含有する光学材料用組成物。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程によってもダメージを受けにくく、膜特性が維持された絶縁膜を形成することができる膜形成用組成物、かかる膜形成用組成物により形成された絶縁膜、および、かかる絶縁膜を備える半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物は、重合性の官能基を有する重合性化合物を含む膜形成用組成物であり、前記重合性化合物は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有するものである。そして、前記重合性反応基が、芳香環と、当該芳香環に直接結合するエチニル基またはビニル基とを有するものであり、前記重合性化合物において、前記芳香環由来の炭素の数は、当該重合性化合物全体の炭素の数に対して、１５％以上、３８％以下であるものである。 （もっと読む）

【課題】 強度および耐環境特性に優れた撥水性超分子組織体およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の撥水性超分子組織体は、フラーレン構造体が層状に組織化されており、上記フラーレン構造体は、フラーレン誘導体が組織化された二分子膜構造からなり、フレーク構造の粒子状の形状を有し、上記フラーレン誘導体のそれぞれは互いに重合されていることを特徴する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率で、かつ、強度に優れ、膜厚の不本意なばらつきが抑制された絶縁膜を提供すること、前記絶縁膜の形成に好適に用いることができる膜形成用組成物を提供すること、また、前記絶縁膜を備えた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物は、重合性の官能基を有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含むものであり、前記重合性化合物は、分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造Ａと、重合反応に寄与する２つの重合性反応基とを有するものである。そして、前記重合性反応基は、芳香環と、当該芳香環に直接結合する２つのエチニル基とを有するものであり、前記重合性化合物は、前記部分構造Ａを中心に、前記重合性反応基が対称的に結合した構造を有するものである。 （もっと読む）

【課題】ジアセチレン基を持つ光重合性脂質を含む脂質二分子膜を支持体上に簡便に形成する方法を提供する。
【解決手段】ジアセチレン基を持つ光重合性脂質を含む脂質二分子膜を支持体上に形成する方法であって、前記光重合性脂質を含むベシクルを前記光重合性脂質の相転移温度よりも１０℃以上高い温度に加熱して機械的ストレスをかけ、前記相転移温度よりも５℃以上低い温度の支持体に適用することを特徴とする、ジアセチレン基を持つ光重合性脂質を含む脂質二分子膜を支持体上に形成する方法。 （もっと読む）

【課題】双連続キュービック構造等の液晶構造を自己組織的に形成できる材料であって、しかも、イオン伝導体として用いる場合に優れた形状保持性を示す材料を提供する。
【解決手段】特定の（ベンゼン環に結合する３，４，５位の３つの置換オキシ基の少なくとも一つがアルカジエニルオキシ基又はアルカジイニルオキシ基であるトリ置換オキシ基ベンゼンアルキル）トリアルキルアンモニウム化合物又はその対応するホスホニウム化合物。これらの化合物又はその塩が、その構成要素である重合性基により重合したものであり、かつ双連続キュービック液晶構造を有するポリマー及び電解質材料にも関する。そこでマイクロメートルオーダーで連続的なイオン性のナノチャンネルを有するポリマーフィルム材料の提供が可能となり、高いイオン伝導性を有する固体電解質の開発やサイズ選択的イオン透過膜などへの応用が期待できる。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率、高耐熱かつ高機械強度を兼ね備えた絶縁膜用重合体を提供することにあり、さらに、それを用いた低誘電率、高耐熱かつ高機械強度を有する絶縁膜およびこれを備える半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 炭素−炭素三重結合を分子中に２個以上有し且つカゴ型構造を含む化合物を重合することにより得られる数平均分子量１０，０００以下のオリゴマーを含むプレポリマーを重合することにより得られた数平均分子量２０，０００以上の絶縁膜用重合体。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低誘電性、高耐熱性、かつ優れた機械強度を達成できる膜を形成するための架橋性官能基を有する化合物を含む膜形成用組成物、この膜形成用組成物を用いて得られる膜、および絶縁膜、並びに、この絶縁膜を有する電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】一般式（１）で表される部分構造を少なくとも１つ有する化合物を含む膜形成用組成物。
【化１】


(一般式（１）中、Ｒ_１およびＲ_２は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ_１とＲ_２は、互いに結合して環構造を形成してもよい。Ｒ_３は、水素原子または置換基を表す。＊は、結合位置を表す。) （もっと読む）